明上述實(shí)施例的納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的制作方法能達(dá)到有效的蝕刻效果以界定出納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的電氣特性，使納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電區(qū)域之間以非導(dǎo)電區(qū)域相隔。另夕卜，本發(fā)明實(shí)施例的制作方法能有效降低納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的保護(hù)層于蝕刻過(guò)程中的損耗而維持納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的光學(xué)特性。另外，本發(fā)明實(shí)施例的制作方法與某些現(xiàn)有的制造方法相比較，可大幅縮短制造方法時(shí)間。另外，依本發(fā)明實(shí)施例的制作方法所制備的納米級(jí)導(dǎo)電薄膜是在電流產(chǎn)生系統(tǒng)中蝕刻，因蝕刻前后導(dǎo)電區(qū)域與非導(dǎo)電區(qū)域的光學(xué)表現(xiàn)無(wú)明顯改變，例如其霧度值相差不大于0.3%乃至不大于0.1%，因此具有較高的潛力將線路隱藏而提升光學(xué)品味。
[0147]本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，在不背離所附的權(quán)利要求書(shū)所列的權(quán)利范圍內(nèi)的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，本發(fā)明的教示及揭示可作種種的替換及修飾。例如，上文揭示的許多元件可以不同的結(jié)構(gòu)實(shí)施或以其它相同功能的結(jié)構(gòu)予以取代，或者采用上述兩種方式的組合。
[0148]此外，本發(fā)明的權(quán)利范圍并不局限于上文揭示的特定實(shí)施例的裝置、元件或結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，基于本發(fā)明教示及揭示裝置、元件或結(jié)構(gòu)，無(wú)論現(xiàn)在已存在或日后開(kāi)發(fā)者，其與本發(fā)明實(shí)施例揭示者是以實(shí)質(zhì)相同的方式執(zhí)行實(shí)質(zhì)相同的功能，而達(dá)到實(shí)質(zhì)相同的結(jié)果，亦可使用于本發(fā)明。因此，所附的權(quán)利要求書(shū)所列的權(quán)利范圍是用以涵蓋此類裝置、元件或結(jié)構(gòu)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其包括: 提供一納米基材，所述納米基材具有一基板、位于所述基板的一側(cè)的一第一保護(hù)層以及疊層于所述基板與所述第一保護(hù)層之間的一第一納米材料層； 形成一第一圖案化絕緣層于所述第一保護(hù)層上，所述第一圖案化絕緣層暴露出部分所述第一保護(hù)層，所述第一納米材料層劃分為由所述第一圖案化絕緣層所遮罩的多個(gè)第一區(qū)域以及未由所述第一圖案化絕緣層所遮罩的多個(gè)第二區(qū)域；以及 在一電流產(chǎn)生系統(tǒng)中以所述第一圖案化絕緣層為罩幕蝕刻所述納米基材，使所述第一納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中所述第一納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中蝕刻具有所述第一圖案化絕緣層的納米基材包括通入空氣、氮?dú)饣蚱浣M合以作為反應(yīng)氣體。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中所述電流產(chǎn)生系統(tǒng)包括一介電質(zhì)放電電流產(chǎn)生系統(tǒng)與一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)兩者中的一個(gè)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中所述第一納米材料層包括納米銀線。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中所述第一圖案化絕緣層包括光學(xué)特性與所述第一納米材料層相匹配的材料。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中所述納米基材還具有位于所述基板的另一側(cè)的一第二保護(hù)層以及疊層于所述基板與所述第二保護(hù)層之間的一第二納米材料層，所述制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法還包括: 形成一第二圖案化絕緣層于所述第二保護(hù)層上，所述第二圖案化絕緣層暴露出部分所述第二保護(hù)層，所述第二納米材料層劃分為由所述第二圖案化絕緣層所遮罩的多個(gè)第一區(qū)域以及未由所述第二圖案化絕緣層所遮罩的多個(gè)第二區(qū)域；以及 在一電流產(chǎn)生系統(tǒng)中蝕刻具有所述第二圖案化絕緣層的納米基材，使所述第二納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中所述第二納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。9.一種制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其包括: 提供一納米基材，所述納米基材具有一基板、位于所述基板的一側(cè)的一第一保護(hù)層以及疊層于所述基板與所述第一保護(hù)層之間的一第一納米材料層，所述第一納米材料層劃分為多個(gè)第一區(qū)域以及多個(gè)第二區(qū)域；以及 在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，蝕刻所述納米基材中所述第一納米材料層的所述第二區(qū)域，使所述第一納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中所述第一納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中蝕刻所述納米基材包括通入空氣、氮?dú)饣蚱浣M合以作為反應(yīng)氣體。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中所述第一納米材料層包括納米銀線。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中所述第一圖案化絕緣層包括光學(xué)特性與所述第一納米材料層相匹配的材料。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中所述納米基材還具有位于所述基板的另一側(cè)的一第二保護(hù)層以及疊層于所述基板與所述第二保護(hù)層之間的一第二納米材料層，所述第二納米材料層劃分為多個(gè)第一區(qū)域以及多個(gè)第二區(qū)域，所述制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法還包括: 在一噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，依據(jù)所述第二納米材料層的所述第二區(qū)域蝕刻所述納米基材，使所述第二納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，其中所述第二納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。16.一種觸控顯示裝置，其包括: 一透明基板，所述透明基板具有一第一表面以及一第二表面，所述第一表面與所述第二表面位于所述透明基板的相反側(cè)； 一顯示模塊，所述顯示模塊位于所述透明基板的第一表面?zhèn)?；以? 一第一感測(cè)電極層，所述第一感測(cè)電極層位于所述透明基板與所述顯示模塊之間，所述第一感測(cè)電極層包括一第一納米材料層，所述第一納米材料層具有多個(gè)第一區(qū)域與多個(gè)第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1 %。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的觸控顯示裝置，其中所述第一感測(cè)電極層設(shè)置于所述透明基板的第一表面上，且所述第一區(qū)域包括間隔排列的第一感測(cè)電極與第二感測(cè)電極。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的觸控顯示裝置，其中所述觸控顯示裝置還包括一第一承載板，用以承載所述第一感測(cè)電極層于所述透明基板與所述顯示模塊之間，且所述第一區(qū)域包括間隔排列的第一感測(cè)電極與第二感測(cè)電極。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的觸控顯示裝置，其中所述觸控顯示裝置還包括一第一承載板與一第二感測(cè)電極層，所述第一承載板位于所述透明基板與所述顯示模塊之間，其中所述第一感測(cè)電極層設(shè)置于所述第一承載板的一第一表面上，所述第二感測(cè)電極層設(shè)置于所述第一承載板的一第二表面上，所述第一表面與所述第二表面位于所述第一承載板的相反側(cè)。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的觸控顯示裝置，其中所述第二感測(cè)電極層包括一第二納米材料層，所述第二納米材料層具有多個(gè)第一區(qū)域與多個(gè)第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且所述第二納米材料層的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的觸控顯示裝置，其中所述第一感測(cè)電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第一方向排列的第一感測(cè)電極，而所述第二感測(cè)電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第二方向排列的第二感測(cè)電極。22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的觸控顯示裝置，其中所述觸控顯示裝置還包括一第一承載板與一第二感測(cè)電極層，所述第一承載板位于所述透明基板與所述顯示模塊之間，其中所述第一感測(cè)電極層設(shè)置于所述透明基板的第一表面上，所述第二感測(cè)電極層位于所述第一感測(cè)電極層與所述第一承載板之間且設(shè)置于所述第一承載板上。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的觸控顯示裝置，其中所述第二感測(cè)電極層包括一第二納米材料層，所述第二納米材料層具有多個(gè)第一區(qū)域與多個(gè)第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且所述第二納米材料層的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的觸控顯示裝置，其中所述第一感測(cè)電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第一方向排列的第一感測(cè)電極，而所述第二感測(cè)電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第二方向排列的第二感測(cè)電極。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法及其觸控顯示裝置，所述方法包括提供一納米基材，形成一第一圖案化絕緣層于該納米基材上，以及在一電流產(chǎn)生系統(tǒng)中以該第一圖案化絕緣層為罩幕蝕刻該納米基材。該納米基材具有一基板、位于該基板的一側(cè)的一第一保護(hù)層以及疊層于該基板與該第一保護(hù)層之間的一第一納米材料層。該第一圖案化絕緣層形成于該第一保護(hù)層上，且暴露出部分該第一保護(hù)層，而該第一納米材料層劃分為由該第一圖案化絕緣層所遮罩的多個(gè)第一區(qū)域以及未由該第一圖案化絕緣層所遮罩的多個(gè)第二區(qū)域。在該電流產(chǎn)生系統(tǒng)中蝕刻該納米基材后，該第一納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。
【IPC分類】G06F3/041
【公開(kāi)號(hào)】CN105573542
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410624691
【發(fā)明人】楊舜杰, 邵泓翔, 張恩嘉, 林熙乾
【申請(qǐng)人】宸鴻光電科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2014年11月7日
【公告號(hào)】US20160132165