[0032] 如果將由第二處理器存取的存儲器區(qū)域超過第二存儲器區(qū)域的大小，則第二處理 器可以通過線性存取操作來對第一存儲器芯片內(nèi)的第二存儲器區(qū)域進行存取，并且可以通 過線性存取操作來對存儲器芯片中的與第一存儲器芯片不同的第二存儲器芯片的第三存 儲器區(qū)域進行存取。
[0033] 所述存儲器系統(tǒng)還可以包括：開窗組件（windowing component)，確定將由第二處 理器存取的存儲器區(qū)域是否超過第二存儲器區(qū)域的大??；以及線性重映射組件，將存儲器 地址重映射。當(dāng)開窗組件確定將由第二處理器存取的存儲器區(qū)域超過第二存儲器區(qū)域的大 小時，線性重映射組件可以將用于對存儲器芯片中的各個存儲器芯片內(nèi)的第四存儲器區(qū)域 進行存取的第一范圍的存儲器地址重映射為用于通過線性存取操作來對第一存儲器芯片 內(nèi)的第二存儲器區(qū)域進行存取的第二范圍的存儲器地址，并且將用于對存儲器芯片中的各 個存儲器芯片內(nèi)的第五存儲器區(qū)域進行存取的第三范圍的存儲器地址重映射為用于通過 線性存取操作來對第二存儲器芯片內(nèi)的第三存儲器區(qū)域進行存取的第四范圍的存儲器地 址。
【附圖說明】
[0034] 以上和其它目的和特征將從以下參照附圖的描述而變得明顯，其中，除非另外指 明，否則貫穿各幅附圖，同樣的附圖標(biāo)記指代同樣的部件，并且在附圖中：
[0035] 圖1是示意性地示出根據(jù)本申請的實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖；
[0036] 圖2是示意性地示出圖1所示的存儲器系統(tǒng)的交叉存取操作的框圖；
[0037] 圖3是示例性地描述基于圖1所示的存儲器系統(tǒng)的地址的交叉存取方法的表；
[0038] 圖4是示意性地示出根據(jù)本申請的實施例的執(zhí)行部分交叉存取操作的存儲器系 統(tǒng)的框圖；
[0039] 圖5是示意性地示出圖4所示的線性重映射器的框圖；
[0040] 圖6是示出圖4所示的線性重映射器的操作地址的概念圖；
[0041] 圖7是示意性地示出圖4和圖5所示的線性重映射器的地址重映射方法的示圖；
[0042] 圖8是示意性地示出圖4所示的存儲器系統(tǒng)的部分線性存取操作的框圖；
[0043] 圖9是描述圖4所示的存儲器系統(tǒng)的部分線性存取操作的流程圖；
[0044] 圖10是示出存在兩個或更多個線性存取區(qū)域（LAA)的實施例的概念圖；
[0045] 圖11是描述如何通過專用功能寄存器（SFR)的設(shè)置來生成用于控制重映射信號 的CONFIG信號的示圖；
[0046] 圖12是示意性地示出調(diào)制解調(diào)器芯片設(shè)置在片上系統(tǒng)之外的存儲器系統(tǒng)的框 圖；
[0047] 圖13是利用等式來表示包括兩個或更多個存儲器的存儲器系統(tǒng)的線性存取操作 的示圖；
[0048] 圖14是示意性地示出根據(jù)本申請的另一實施例的執(zhí)行不對稱線性存取操作的存 儲器系統(tǒng)的框圖；
[0049] 圖15是示意性地示出圖14所示的線性重映射器和存取窗口的框圖；
[0050] 圖16和圖17是描述圖15所示的存取窗口的操作的流程圖；
[0051] 圖18是示意性地示出根據(jù)本申請的又一實施例的執(zhí)行不對稱線性存取操作的存 儲器系統(tǒng)的框圖；
[0052] 圖19和圖20是示意性地示出圖18所示的存儲器系統(tǒng)的地址區(qū)域的框圖；
[0053] 圖21是示出圖19和圖20所示的存取方式的存儲器映射；
[0054] 圖22是示出圖18所示的存儲器系統(tǒng)的存取方式的存儲器映射；
[0055] 圖23是示意性地示出根據(jù)本申請的再一實施例的執(zhí)行不對稱線性存取操作的存 儲器系統(tǒng)的框圖；
[0056] 圖24是描述具有圖23所示的不對稱存儲器配置的存儲器系統(tǒng)的線性存取操作的 框圖；
[0057] 圖25是示出圖23所示的存取方式的存儲器映射；以及
[0058] 圖26是示意性地示出根據(jù)本申請的實施例的移動電子裝置的框圖。
【具體實施方式】
[0059] 將參照附圖詳細描述實施例。然而，本申請可以按照各種不同的形式來實施，不應(yīng) 該被解釋為僅限于所示出的實施例。相反，作為示例提供這些實施例以使得本公開將是徹 底和完整的，并將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達本申請的概念。因此，沒有針對本申請的 一些實施例描述已知的工藝、元件和技術(shù)。除非另外指明，否則貫穿附圖和說明書的文字描 述，同樣的附圖標(biāo)記指代同樣的元件，因此將不再重復(fù)描述。在附圖中，為了清晰起見，可能 夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。
[0060] 將理解的是，盡管在這里可以使用術(shù)語"第一"、"第二"、"第三"等來描述各種元 件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語 的限制。這些術(shù)語僅用來將一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、 層和/或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本申請的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、 區(qū)域、層或部分可以被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0061] 為了易于描述，在這里可以使用諸如"在……之下"、"在……下方"、"下面的"、 "在……下面"、"在……上方"和"上面的"等的空間相對術(shù)語來描述如附圖中所示的一個元 件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了附圖中描繪的方位之外，空間相對術(shù) 語還意在涵蓋裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述 為"在"其它元件或特征"下方"或"之下"或"下面"的元件隨后將被定位為"在"其它元件 或特征"上方"。因此，示例性術(shù)語"在……下方"和"在……下面"可以涵蓋在……上方和 在……下方兩種方位。裝置可以被另外定位（旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位），并相應(yīng)地解釋 在這里使用的空間相對描述語。另外，還將理解的是，當(dāng)層被稱作在兩個層"之間"時，它可 以是這兩個層之間的僅有層，或者還可以存在一個或多個中間層。
[0062] 這里使用的術(shù)語僅為了描述具體實施例的目的，而不意在限制本申請。如這里所 使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式"一"、"一個（種）（者）"和"該（所述）" 也意在包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語"包含"和/或"包括"時， 說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或更多個 其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合。如在這里使用的，術(shù)語"和/或"包 括一個或更多個相關(guān)所列項的任意組合和所有組合。另外，術(shù)語"示例性"意在指示例或舉 例說明。
[0063] 將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作在另一元件或?qū)?上"、"連接到"、"耦合到"另一元 件或?qū)樱蛘?與"另一元件或?qū)?相鄰"時，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谄渌驅(qū)由?、直?連接到、結(jié)合到其它元件或?qū)?、或者與其它元件或?qū)又苯酉噜?，或者可以存在中間元件或中 間層。相反，當(dāng)元件被稱作"直接"在另一元件或?qū)?上"、"直接連接到"、"直接結(jié)合到"另 一元件或?qū)?，或?與"另一元件或?qū)?直接相鄰"時，不存在中間元件或中間層。
[0064] 除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語（包括技術(shù)術(shù)語和科技術(shù)語）具有與本 申請所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這里明 確定義，否則術(shù)語（例如在通用字典中定義的術(shù)語）應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域和/或 本說明書的上下文中它們的意思相同的意思，并且將不以理想化或過于形式化的含義來解 釋它們。
[0065] 根據(jù)本申請的實施例的存儲器系統(tǒng)可以執(zhí)行交叉存取操作，其中，應(yīng)用處理器使 用兩個或更多個存儲器（例如，DRAM)并且交替地訪問存儲器的端口。
[0066] 根據(jù)本申請的實施例的存儲器系統(tǒng)可以執(zhí)行交叉存取操作，其中，應(yīng)用處理器使 用兩個或更多個存儲器（例如，DRAM)并且交替地訪問存儲器的端口。在本申請的實施例 中，可以針對所述兩個或更多個存儲器（例如，DRAM)執(zhí)行交叉存取操作，但是可以針對存 儲器的特定區(qū)域部分地進行線性存取操作。下面，將參照附圖更充分地描述根據(jù)本申請的 實施例的存儲器系統(tǒng)的交叉存取操作和部分線性存取操作。
[0067] 圖1是示意性地示出根據(jù)本申請的實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。參照圖1，存儲器 系統(tǒng)100包含第一存儲器111、第二存儲器112以及實現(xiàn)在片上系統(tǒng)（SoC)上的應(yīng)用處理器 (AP)120〇
[0068] 應(yīng)用處理器120包含控制第一存儲器111和第二存儲器112的存儲器控制器121、 總線連接單元122、中央處理單元（CPU) 123、多媒體處理器124和調(diào)制解調(diào)器處理器125。 存儲器控制器121通過第一端口 P0RT1對第一存儲器111進行存取，通過第二端口 P0RT2 對第二存儲器112進行存取。CPU123控制應(yīng)用處理器120的總操作，并且控制諸如存儲器 111和112的外圍裝置。
[0069] 多媒體處理器124可以控制諸如相機和顯示器的多媒體裝置。為了控制多媒體裝 置，多媒體處理器124按照交叉存取方式來使用與應(yīng)用處理器120連接的第一存儲器111 和第二存儲器112。即，多媒體處理器124通過存儲器控制器121來交替地存取第一存儲器 111和第二存儲器112。
[0070] 實現(xiàn)在片上系統(tǒng)（SoC)上的調(diào)制解調(diào)器處理器125可以是與基站或者任何其它通 信裝置執(zhí)行無線通信的處理器。調(diào)制解調(diào)器處理器125可以訪問與應(yīng)用處理器120結(jié)合的 第一存儲器111或第二存儲器112。類似于多媒體處理器124,調(diào)制解調(diào)器處理器125可以 按照交叉存取方式來使用第一存儲器111和第二存儲器112。即，調(diào)制解調(diào)器處理器125可 以通過存儲器控制器121交替地存取第一存儲器111和第二存儲器112。
[0071] 圖2是示意性地示出圖1所示的存儲器系統(tǒng)的交叉存取操作的框圖。參照圖2,存 儲器控制器121可以接收存儲器存取地址ADDR，并且通過第一端口和第二端口來執(zhí)行與第 一存儲器111和第二存儲器112關(guān)聯(lián)的交叉存取操作。
[0072] 存儲器控制器121可以通過第一端口在第一存儲器111處寫入數(shù)據(jù)，或者可以通 過第一端口從第一存儲器111讀取數(shù)據(jù)。此時，可以向第一存儲器111供應(yīng)用于存儲器存 取的功率和時鐘。接下來，存儲器控制器121可以通過第二端口來對第二存儲器進行存取。 此時，可以向第二存儲器112供應(yīng)用于存儲器存取的功率和時鐘。如上所述，存儲器控制器 121可以基于存儲器存取地址ADDR來執(zhí)行關(guān)于第一存儲器111和第二存儲器112的交叉存 取操作。
[0073] 圖3是用于示例性地描述基于圖1所示的存儲器系統(tǒng)的地址的交叉存取方法的 表。參照圖3，存儲器存取地址ADDR可以包括組塊位和交叉位ILB。
[0074] 在圖3中，本申請的實施例被例示為：在最低有效位（LSB) -側(cè)設(shè)置組塊位，在最 高有效位（MSB)方向上并接續(xù)組塊位設(shè)置交叉位ILB。存儲器控制器121 (參照圖2)可以 通過組塊（chunk)來執(zhí)行交叉存取操作，