所不,第一電極121及第二電極122形成于基板110的第一面IlOu上。另一實(shí)施例中，第一電極121及第二電極122可分別形成于基板110的相對(duì)二側(cè)。
[0090]各觸控單元區(qū)120的第一電極121包括分離的第一子電極1211及第二子電極1212。電極墊123連接第一子電極1211及第二子電極1212，以電性連接第一子電極1211及第二子電極1212。本實(shí)施例各觸控單元區(qū)120的電極墊123的數(shù)量是以單個(gè)為例說明，然本實(shí)用新型實(shí)施例不受此限。絕緣層124隔離電極墊123與第二電極122，以電性隔離第一電極121與第二電極122，避免第一電極121與第二電極122發(fā)生電性短路。一實(shí)施例中，絕緣層124的厚度Tl (如圖1B)可介于0.01微米至5微米之間。
[0091]如圖1A所示，沿同一行(例如是沿第一方向Dl)排列的一觸控單元區(qū)120的第二子電極1212可連接相鄰的觸控單元區(qū)120的第一子電極1211，使相鄰二觸控單元區(qū)120的第一電極121彼此電性連接。沿同一行排列的多個(gè)觸控單元區(qū)120的多個(gè)第一電極121可連接成一第一軸向電極，以感應(yīng)發(fā)生在第一方向Dl的一觸控動(dòng)作。此外，相鄰二第一軸向電極(即沿第二方向D2排列的多條第一軸向電極)彼此不連接，如此可避免相鄰二第一軸向電極電性短路。在一實(shí)施例中，可更包括多條信號(hào)線140，各信號(hào)線140連接對(duì)應(yīng)的第一軸向電極并延伸至基板110的一側(cè)，以傳輸?shù)谝惠S向電極的信號(hào)。
[0092]本實(shí)施例中，一觸控單元區(qū)120的第一電極121與相鄰的觸控單元區(qū)120的第一電極121可呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)且/或一觸控單元區(qū)120的第二子電極1212與相鄰的觸控單元區(qū)120的第一子電極1211可呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)。另一實(shí)施例中，一觸控單元區(qū)120的第一電極121與相鄰的觸控單元區(qū)120的第一電極121可呈非對(duì)稱結(jié)構(gòu)且/或一個(gè)觸控單元區(qū)120的第二子電極1212與相鄰的觸控單元區(qū)120的第一子電極1211可呈非對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
[0093]如圖1A所示，沿同一列(例如是沿第二方向D2)排列的任相鄰二觸控單元區(qū)120的二第二電極122彼此連接，使沿同一列排列的多個(gè)觸控單元區(qū)120的多個(gè)第二電極122可成為一第二軸向電極，以感應(yīng)發(fā)生在第二方向D2的一觸控動(dòng)作。此外，相鄰二第二軸向電極(即沿第一方向Dl排列的多條第二軸向電極)彼此不連接，如此可避免相鄰二第二軸向電極發(fā)生電性短路。
[0094]第一電極121及第二電極122可由電極線圍繞而成。電極線的電極面積小于觸控單元區(qū)120的單元面積，因此可減少第一電極121及第二電極122于對(duì)應(yīng)的觸控單元區(qū)120的占據(jù)面積。如此一來，可減少第一電極121及第二電極122于觸控時(shí)的自電容值，進(jìn)而避免誤報(bào)點(diǎn)發(fā)生(若觸控后的自電容提升倍率超出自電容容許提升倍率即會(huì)發(fā)生誤報(bào)點(diǎn))，以下進(jìn)一步說明。
[0095]圖2繪示圖1A的觸控面板于觸控前、后的電容變化曲線圖。本實(shí)施例是以第一電極121與第二電極122之間的互電容值在觸控未發(fā)生時(shí)介于0.1皮法拉至10皮法拉之間為例說明。在圖2中，曲線Cl表示一般觸控面板在觸控后互電容下降比例與自電容容許提升倍率的關(guān)系曲線，而曲線C2表示本實(shí)用新型實(shí)施例的觸控面板100在觸控后互電容下降比例與自電容容許提升倍率的關(guān)系曲線。由圖示的曲線趨勢可知，在觸控后，無論是傳統(tǒng)觸控面板或本實(shí)用新型實(shí)施例的觸控面板100的第一電極與第二電極之間的互電容值會(huì)下降，而電極(圖2是以第一電極與第二電極其中之一為例作說明)的自電容值會(huì)上升。
[0096]如圖2所示，就觸控后互電容下降比率為47%來說，一般觸控面板的自電容容許提升約2.5倍，而本實(shí)用新型實(shí)施例的觸控面板100的自電容容許提升可達(dá)20倍，因此可減少誤報(bào)點(diǎn)問題發(fā)生。以第一電極121的自電容容許提升倍率而言，在觸控未發(fā)生時(shí)，第一電極121具有第一基準(zhǔn)自感電容值；在觸控發(fā)生時(shí)，第一電極121具有第一提升自感電容值，第一電極121的自電容容許提升倍率為第一提升自感電容值與第一基準(zhǔn)自感電容值的比值。本實(shí)施例中，第一電極121的自電容容許提升倍率小于37，然亦可等于或大于37 ;相似地，以第二電極122的自電容容許提升倍率而言，在觸控未發(fā)生時(shí)，第二電極122具有第二基準(zhǔn)自感電容值；在觸控發(fā)生時(shí)，第二電極122具有第二提升自感電容值，第二電極122的自電容容許提升倍率為第二提升自感電容值與第二基準(zhǔn)自感電容值的比值。本實(shí)施例中，第二電極122的自電容容許提升倍率小于37，然亦可等于或大于37。
[0097]就自電容容許提升倍率的量測方式而言，舉例來說，將電感電容電阻測量計(jì)(LCRMeter)(未繪示)的一端連接其中一觸控單元區(qū)120的第一電極121或第二電極122，而將電感電容電阻測量計(jì)的另一端接地(grounding),然后讀取第一電極121或第二電極122的電容值作為一基準(zhǔn)自感電容值；接著，以非導(dǎo)體或帶電荷體接近，或者隔著覆蓋層130去碰觸觸控單元區(qū)120，然后讀取第一電極121或第二電極122的變化自容值作為一提升自感電容值；可重復(fù)上述步驟數(shù)次(如10次以上)，然后分別計(jì)算多個(gè)基準(zhǔn)自感電容值的平均值作為一基準(zhǔn)自感電容平均值，及計(jì)算多個(gè)提升自感電容值的一平均值作為一提升自感電容平均值；接著，計(jì)算該提升自感電容平均值與該基準(zhǔn)自感電容平均值的一比值，此比值即作為自電容容許提升倍率。一實(shí)施例中，亦可于省略蓋板、減少覆蓋層130厚度、或省略覆蓋層130的情況下進(jìn)行自電容容許提升倍率的量測。
[0098]此外，若省略或減薄一般觸控面板的蓋板，在觸控后，易導(dǎo)致自電容值提升倍率的增加，進(jìn)而引發(fā)誤報(bào)點(diǎn)的問題產(chǎn)生(若觸控后的自電容提升倍率超出自電容容許提升倍率即會(huì)發(fā)生誤報(bào)點(diǎn))。舉例來說，如圖2所示，于省略或減薄蓋板的情況下，在觸控后(以觸控后互電容下降比率為47%而言，如Pl觸控點(diǎn))，自電容值提升倍率約20倍，已高于曲線Cl的容許范圍，此時(shí)會(huì)發(fā)生誤報(bào)點(diǎn)。
[0099]本實(shí)用新型實(shí)施例的觸控面板100，由于第一電極121及第二電極122具有低的自電容值，使自電容值容許提升倍率提高；就觸控后互電容下降比率為47%來說，觸控面板100的自電容容許可提高至約20倍。在此設(shè)計(jì)下，即使省略蓋板、減少覆蓋層130厚度、或省略覆蓋層130，觸控面板100在觸控后(以Pl觸控點(diǎn)而言)，自電容值提升倍率仍低于曲線C2的范圍，因此可改善誤報(bào)點(diǎn)問題。一實(shí)施例中，覆蓋層130的觸控面130s相距第一電極121或第二電極122的距離Hl ( 100微米，或是小至約0.01微米，仍可避免觸控時(shí)發(fā)生誤報(bào)點(diǎn)問題。
[0100]此外，可通過多種方式來設(shè)計(jì)或降低電極的自電容值及互電容值。例如，電極的寬度、電極面積與觸控單元區(qū)的面積比例、電極的延伸方式、電極的厚度及/或電極墊的尺寸。
[0101]就電極寬度而言，如圖1A-1，圖1A的局部a’的放大圖所示，一實(shí)施例中，第一電極121的寬度tl及/或第二電極122的寬度t2可介于5微米至200微米之間，藉以減少電極的自電容值。一實(shí)施例中，第一電極121的寬度tl及/或第二電極122的寬度t2可相異或大致上相同。
[0102]就電極面積而言，第一電極121與第二電極122于觸控單元區(qū)120內(nèi)占據(jù)一電極面積Al，其中電極面積與觸控單元區(qū)120的單元面積A2(如圖1A所示)的比值(A1/A2)可例如等于或小于50%，如此可有效提升自電容值容許提升倍率。一實(shí)施例中，單元面積A2可例如介于約9平方毫米(mm2)至約49平方毫米之間。
[0103]就電極延伸方式而言，第一電極121與第二電極122可圍繞出任何形狀。例如，本實(shí)施例中，第一電極121可圍繞出至少一凹部121r及至少一凸部121p，而第二電極122可圍繞出至少一凹部122r及至少一凸部122p。本實(shí)施例中，一觸控單元區(qū)120的第一電極121的凸部121p的數(shù)量例如有六個(gè)，而凹部121r的數(shù)量例如有四個(gè)。另一實(shí)施例中，凸部121p的數(shù)量可以少于或多于六個(gè)，而凹部121r的數(shù)量可以少于或多于四個(gè)。此外，一觸控單元區(qū)120的第二電極122的凸部122p的數(shù)量例如有八個(gè)，而凹部122r的數(shù)量例如有六個(gè)。另一實(shí)施例中，凸部122p的數(shù)量可以少于或多于八個(gè)，而凹部122r的數(shù)量可以少于或多于六個(gè)。第一電極121的凸部121p可進(jìn)入第二電極122的對(duì)應(yīng)的凹部122r，且第二電極122的凸部122p可進(jìn)入第一電極121的對(duì)應(yīng)的凹部121r，使第一電極121與第二電極122之間的間距h縮小且大致上保持一致。一實(shí)施例中，間距h例如是介于5微米至200微米之間。另一實(shí)施例中，同一個(gè)觸控單元區(qū)120內(nèi)的間距h可以是變化的，例如，同一個(gè)觸控單元區(qū)120內(nèi)可具有多個(gè)不同的間距h，如同時(shí)具有5微米與200微米的間距。
[0104]另一實(shí)施例中，全部或一些觸控單元區(qū)120的任一者可包括多個(gè)電極墊123，其中一電極墊123可形成于第一子電極1211的至少一個(gè)凸部121p與第二子電極1212至少一個(gè)相對(duì)的凸部121p之間，并連接前述的至少兩凸部121p，而另一電極墊123可形成于第一子電極1211另一個(gè)凸部121p與第二子電極1212另一個(gè)相對(duì)的凸部121p之間，并連接兩凸部121p。
[0105]就電極厚度而言，如圖1B所示，第一電極121的厚度T2可介于約0.01微米至5微米之間，而第二電極122的厚度T3可介于約0.01微米至5微米之間。
[0106]就電極墊的尺寸而言，如圖1A所示，電極墊123沿第一方向Dl的長度LI可例如介于100微米至1000微米，而電極墊123的寬度t3