一種125k低頻激活器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及雙頻射頻識別標(biāo)簽的激活技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種125K低頻激活器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場上的RFID (Rad1 Frequency IDent ificat 1n)標(biāo)簽無論是有源標(biāo)簽還是無源標(biāo)簽，大都是單一工作頻率。無源標(biāo)簽主要有125KHz、13.56MHz和915MHz三個頻段的產(chǎn)品，其主要特點(diǎn)是壽命長。其中125KHz和13.56MHz產(chǎn)品的存儲容量小，讀寫距離短，不能適應(yīng)遠(yuǎn)距離讀寫要求；其中915MHz產(chǎn)品雖然在讀寫距離上有了很大改善，但存儲容量還很有限，不能滿足大容量存儲需求。有源標(biāo)簽主要有2.4GHz產(chǎn)品，該產(chǎn)品存儲容量大、讀寫距離遠(yuǎn)。但由于該類產(chǎn)品目前主要是主動發(fā)送數(shù)據(jù)，功耗大，壽命受到一定的限制，壽命一般為3?5年，不能滿足長壽命的使用要求。
[0003]針對現(xiàn)有的單一工作頻率的RFID標(biāo)簽的特點(diǎn)，近來市場上出現(xiàn)了一些雙頻RFID標(biāo)簽。雖然市場上的雙頻RFID標(biāo)簽，讀寫距離比無源標(biāo)簽遠(yuǎn)，使用壽命比有源標(biāo)簽的長，存儲容量比有源標(biāo)簽大。但是從性能上還存在許多不足，比如存儲容量不夠大，最大16KB ;壽命還不夠長，最大6年。
[0004]針對上述雙頻RFID標(biāo)簽性能存在的不足，出現(xiàn)了一種有源被動式雙頻RFID標(biāo)簽，在一個標(biāo)簽內(nèi)嵌入一個低頻RFID芯片和一個高頻RFID芯片。該雙頻RFID標(biāo)簽工作時，低頻RFID芯片接收到讀寫器發(fā)來的命令時，發(fā)出喚醒信號將高頻有源RFID芯片喚醒，高頻有源RFID芯片被喚醒后將數(shù)據(jù)發(fā)回給讀寫器，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)交互。該有源被動式雙頻RFID標(biāo)簽的最大特點(diǎn)是數(shù)據(jù)存儲容量大，讀寫距離遠(yuǎn)，標(biāo)簽的工作壽命長，解決了單一頻率的有源標(biāo)簽工作壽命短的難題，還解決了無源標(biāo)簽讀寫距離近的缺點(diǎn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于激活有源被動式雙頻RFID標(biāo)簽的125K低頻激活器，并且本實(shí)用新型按照既定的通信協(xié)議與RFID Reader進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)通信，使數(shù)據(jù)傳輸可靠，從而提高了系統(tǒng)的安全性；還可激活處于激活距離內(nèi)的有源RFID標(biāo)簽，向其發(fā)送指令或數(shù)據(jù)。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種125K低頻激活器包括微處理器，所述微處理器包括FLASH存儲單元，所述微處理器通過串行通訊端將跳頻信號和激勵器ID寫入所述FLASH存儲單元；所述微處理器包括用于輸出125K載波信號的第一輸出端，以及用于輸出載有所述跳頻信號和所述激勵器ID的波形信號的第二輸出端；還包括用于將所述125K載波信號、載有所述跳頻信號和所述激勵器ID的波形信號合成激勵信號的波形合成模塊，所述波形合成模塊的輸入端同時與所述微處理器的所述第一輸出端和所述第二輸出端電連接；用于將合成的激勵信號調(diào)制成125K載波激勵信號的OOK調(diào)制模塊，所述OOK調(diào)制模塊的輸入端與所述波長合成模塊的輸出端電連接；用于放大125K載波激勵信號的放大模塊，所述放大模塊的輸入端與所述OOK調(diào)制模塊輸出端連接；若干用于向外發(fā)射125K載波激勵信號的射頻天線，每根所述射頻天線均通射頻天線接口與所述放大模塊的輸出端電連接；每根所述射頻天線均不間斷發(fā)射125K載波激勵信號。
[0007]優(yōu)選方式為，所述OOK調(diào)制模塊包括MAX9930芯片，所述MAX9930芯片的輸入端和輸出端作為所述OOK調(diào)制模塊的輸入端和輸出端。
[0008]優(yōu)選方式為，所述波形合成模塊包括運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器的正向輸入端作為所述波形合成模塊的輸入端，所述運(yùn)算放大器的輸出端與電阻R4的一端電連接，所述電阻R4的另一端與電阻R3的一端電連接，所述電阻R3的另一端接地；所述電阻R3和所述電阻R4的連接點(diǎn)與所運(yùn)算放大器的反向輸入端電連接。
[0009]優(yōu)選方式為，包括六根所述射頻天線。
[0010]采用上述技術(shù)方案后，本實(shí)用新型的有益效果是:由于本實(shí)用新型的125K低頻激活器包括微處理器，微處理器包括FLASH存儲單元，微處理器通過串行通訊端將跳頻信號和激勵器ID寫入FLASH存儲單元。該微處理器與波形合成模塊電連接，并且通過第一輸出端輸出125K載波信號給波形合成模塊，同時通過第二輸出端輸出載有跳頻信號和所述激勵器ID的波形信號給波形合成模塊。波形合成模塊接收到兩路波形后，將兩路波形合成一路激勵信號，并將合成的激勵信號傳輸給OOK (On-Off Keying)調(diào)制模塊。該OOK調(diào)制模塊接收到激勵信號后，采用OOK調(diào)制方式將合成的激勵信號調(diào)制成載有跳頻信號和激勵器ID的125K載波激勵信號。OOK調(diào)制模塊還將125K載波激勵信號傳輸給放大模塊，使125K載波激勵信號被放大，并由放大模塊傳輸給射頻天線接口，最終從各射頻天線不間斷的發(fā)射出去，形成標(biāo)簽激勵區(qū)，當(dāng)有電子標(biāo)簽進(jìn)入其激勵區(qū)時即被喚醒。因本實(shí)用新型所發(fā)射的125K載波激勵信號中，加載有跳頻信號和激勵器ID信息，使125K載波激勵信號為非標(biāo)準(zhǔn)的125KHZ波形，形成特殊的通訊協(xié)議，使符合相關(guān)通信要求的才可以被讀取到；從而實(shí)現(xiàn)了對電子標(biāo)簽的加密，提高了系統(tǒng)的安全性，使數(shù)據(jù)傳輸可靠。
【附圖說明】
[0011]圖1是本實(shí)用新型的125K低頻激活器的原理框圖；
[0012]圖2是本實(shí)用新型的125K低頻激活器的波形合成模塊的原理圖；
[0013]圖3是本實(shí)用新型的125K低頻激活器的OOK調(diào)制模塊的原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0015]如圖1所示，一種125K低頻激活器包括微處理器，本例選用單片機(jī)STC12C5A6082，該單片機(jī)STC12C5A6082包括四個I/O 口，其中串行通訊端為RXD和TXD，單片機(jī)STC12C5A6082內(nèi)設(shè)有FLASH存儲單元。在本實(shí)用新型投入使用之前，將將跳頻表的跳頻信號、激勵器ID通過RXD和TXD寫入(燒錄)FLASH存儲單元內(nèi)。在投入使用后，微處理器