內(nèi)嵌式觸控面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[000?]本實(shí)用新型是與觸控面板(Touch panel)有關(guān)，特別是關(guān)于一種內(nèi)嵌式(In-cell)觸控面板。
【背景技術(shù)】
[0002]請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為傳統(tǒng)具有On-Cell疊層結(jié)構(gòu)的電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，傳統(tǒng)On-Cell的電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)I由下至上依序是:基板10、薄膜晶體管(TFT)元件層11、液晶層12、彩色濾光層13、玻璃層14、觸控感應(yīng)層15、偏光片16、粘合劑17及上覆透鏡18。
[0003]由圖1可知:傳統(tǒng)具有On-CelI疊層結(jié)構(gòu)的電容式觸控面板則是將觸控感應(yīng)層15設(shè)置于玻璃層14的上方，亦即設(shè)置于液晶顯示模塊之外。雖然傳統(tǒng)具有On-Cell疊層結(jié)構(gòu)的電容式觸控面板的厚度已較單片式玻璃觸控面板(One Glass Solut1n，0GS)來得薄，但在現(xiàn)今手機(jī)、平板電腦及筆記型電腦等可攜式電子產(chǎn)品強(qiáng)調(diào)輕薄短小的趨勢下，傳統(tǒng)具有On-Cell疊層結(jié)構(gòu)的電容式觸控面板已達(dá)到其極限，無法滿足最薄化的觸控面板設(shè)計(jì)的需求。
[0004]因此，本實(shí)用新型提出一種內(nèi)嵌式(In-cell)觸控面板，以改善現(xiàn)有技術(shù)所遭遇的種種冋題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]根據(jù)本實(shí)用新型的一較佳具體實(shí)施例為一種內(nèi)嵌式觸控面板。于此實(shí)施例中，內(nèi)嵌式觸控面板包含多個(gè)像素(Pixel)。每個(gè)像素之一疊層結(jié)構(gòu)包含基板、薄膜晶體管元件層、液晶層、彩色濾光層及玻璃層。薄膜晶體管元件層設(shè)置于基板上。薄膜晶體管元件層內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電層及共同電壓電極(Common Electrode)，其中第一導(dǎo)電層是以網(wǎng)格狀(Mesh type)排列。彩色濾光層設(shè)置于液晶層上方。玻璃層設(shè)置于彩色濾光層上方。
[0006]于一實(shí)施例中，內(nèi)嵌式觸控面板為內(nèi)嵌式互電容(Mutual Capacitive)觸控面板，內(nèi)嵌式互電容觸控面板的觸控電極是由網(wǎng)格狀排列的第一導(dǎo)電層所形成，觸控電極包含第一方向電極及第二方向電極。
[0007]于一實(shí)施例中，觸控電極中的第一方向電極與第二方向電極互相交錯(cuò)以增加有效觸控區(qū)域的面積。
[0008]于一實(shí)施例中，觸控電極的區(qū)域劃分是根據(jù)第一導(dǎo)電層的相連或斷開來決定。
[0009]于一實(shí)施例中，觸控電極間的空缺區(qū)域設(shè)置有非形成觸控電極的部分的第一導(dǎo)電層，以與共同電壓電極相連。
[0010]于一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層是形成于共同電壓電極之后。
[0011]于一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層是形成于共同電壓電極之前。
[0012]于一實(shí)施例中，彩色濾光層包含彩色濾光片(Color Filter)及黑色矩陣光阻(Black Matrix Resist)，黑色矩陣光阻具有良好的光遮蔽性，第一導(dǎo)電層位于黑色矩陣光阻的下方。
[0013]于一實(shí)施例中，薄膜晶體管元件層內(nèi)還設(shè)置有第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層形成于第一導(dǎo)電層與共同電壓電極之前。
[0014]于一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層與共同電壓電極相連以降低阻值。
[0015]于一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層與薄膜晶體管元件層中的閘極同時(shí)形成。
[0016]于一實(shí)施例中，薄膜晶體管元件層中的閘極與另一閘極是彼此相鄰排列。
[0017]于一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層重疊且相連形成并聯(lián)以降低阻值。
[0018]于一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層與薄膜晶體管元件層中的源極及汲極同時(shí)形成。
[0019]于一實(shí)施例中，疊層結(jié)構(gòu)具有半源極驅(qū)動(dòng)(Half Source Driving,HSD)架構(gòu)時(shí)，疊層結(jié)構(gòu)會(huì)額外多空出源極線的空間。
[0020]于一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層是利用源極線空出的空間作為觸控電極的走線。
[0021]于一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層是利用源極線空出的空間與共同電壓電極相連以降低阻值。
[0022]于一實(shí)施例中，觸控電極的走線是采用集中布局或均勻布局的方式排列。
[0023]于一實(shí)施例中，觸控電極中的第一方向電極與第二方向電極之間設(shè)置有至少一多功能電極(Mult1-funct1n Electrode)。
[0024]于一實(shí)施例中，觸控電極的形狀可為任意幾何圖形。
[0025]于一實(shí)施例中，觸控電極的邊緣為不規(guī)則形狀。
[0026]于一實(shí)施例中，當(dāng)內(nèi)嵌式觸控面板運(yùn)作于觸控模式時(shí)，共同電壓電極切換為浮動(dòng)電位(Floating)或施加觸控相關(guān)信號(hào)。
[0027]于一實(shí)施例中，當(dāng)內(nèi)嵌式觸控面板運(yùn)作于觸控模式時(shí)，源極線(Sourceline)可切換為浮動(dòng)電位(Floating)或施加觸控相關(guān)信號(hào)。
[0028]于一實(shí)施例中，內(nèi)嵌式觸控面板的觸控模式與顯不模式分時(shí)驅(qū)動(dòng)，并且內(nèi)嵌式觸控面板利用顯示周期的空白區(qū)間(Blanking interval)運(yùn)作于觸控模式。
[0029]于一實(shí)施例中，空白區(qū)間包含垂直空白區(qū)間(Vertical Blanking Interval,VBI) N水平空白區(qū)間(Horizontal Blanking Interval, HBI)及長水平空白區(qū)間(LongHorizontal Blanking Interval)中的至少一種，長水平空白區(qū)間的時(shí)間長度等于或大于水平空白區(qū)間的時(shí)間長度，長水平空白區(qū)間重新分配多個(gè)水平空白區(qū)間而得或長水平空白區(qū)間包含垂直空白區(qū)間。
[0030]于一實(shí)施例中，第一方向電極為分區(qū)配置并與第二方向電極垂直交錯(cuò)。
[0031 ]于一實(shí)施例中，內(nèi)嵌式觸控面板進(jìn)一步包含驅(qū)動(dòng)芯片，設(shè)置于內(nèi)嵌式觸控面板的有效區(qū)域(AA)之外。
[0032]于一實(shí)施例中，第一方向電極的每一分區(qū)電極的走線是各自獨(dú)立連接至驅(qū)動(dòng)芯片。
[0033]于一實(shí)施例中，第一方向電極的至少兩分區(qū)電極的走線于有效區(qū)域之外彼此相連后再連接至驅(qū)動(dòng)芯片。
[0034]于一實(shí)施例中，至少兩分區(qū)電極的走線于有效區(qū)域之外是通過薄膜晶體管元件層內(nèi)原有的導(dǎo)電層彼此相連。
[0035]于一實(shí)施例中，至少兩分區(qū)電極的走線于有效區(qū)域之外彼此相連后是以一群或多群的形式連接至驅(qū)動(dòng)芯片。
[0036]相較于現(xiàn)有技術(shù)，根據(jù)本實(shí)用新型的內(nèi)嵌式觸控面板具有下列優(yōu)點(diǎn):
[0037](I)觸控感應(yīng)電極及其走線的設(shè)計(jì)簡單；
[0038](2)其布局方式不會(huì)影響顯示裝置原來的開口率；
[0039](3)降低公共電極本身的電阻電容負(fù)載(RC loading)；
[0040](4)在觸控作動(dòng)時(shí)，同時(shí)控制共同電壓電極(Common electrode)以降低內(nèi)嵌式觸控面板的整體電阻電容負(fù)載。
[0041]關(guān)于本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過以下的創(chuàng)作詳述及附圖得到進(jìn)一步的了解。
【附圖說明】
[0042]圖1為傳統(tǒng)具有On-Cell疊層結(jié)構(gòu)的電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。
[0043]圖2A為根據(jù)本實(shí)用新型的第一具體實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]圖2B為第一具體實(shí)施例的像素設(shè)計(jì)示意圖。
[0045]圖3A為根據(jù)本實(shí)用新型的第二具體實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。
[0046]圖3B為第二具體實(shí)施例的像素設(shè)計(jì)示意圖。
[0047]圖4A為根據(jù)本實(shí)用新型的第三具體實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。
[0048]圖4B為第三具體實(shí)施例的像素設(shè)計(jì)示意圖。
[0049]圖5A為根據(jù)本實(shí)用新型的第四具體實(shí)施例的內(nèi)嵌式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。
[0050]圖5B為第四具體實(shí)施例的像素設(shè)計(jì)示意圖。
[0051]圖6為根據(jù)本實(shí)用新型的第五具體實(shí)施例的應(yīng)用于半源極驅(qū)動(dòng)(HSD)架構(gòu)的像素設(shè)計(jì)示意圖。
[0052 ]圖7A及圖7B為包含有多功能電極(MFL)的內(nèi)嵌式互電容網(wǎng)格觸控電極設(shè)計(jì)的示意圖。
[0053]圖8A及圖SB為內(nèi)嵌式互電容網(wǎng)格觸控電極的邊緣可設(shè)計(jì)為直線或非直線的示意圖。
[0054]圖9A及圖9B分別圖示具有多個(gè)共同電壓電極區(qū)域的內(nèi)嵌式互電容觸控面板的示意圖及其運(yùn)作于觸控模式與顯示模式時(shí)的各信號(hào)的時(shí)序圖。
[0055]圖1OA及圖1OB分別圖示具有單一個(gè)共同電壓電極區(qū)域的內(nèi)嵌式互電容觸控面板的示意圖及其運(yùn)作于觸控模式與顯示模式時(shí)的各信號(hào)的時(shí)序圖。
[0056]圖1lA為內(nèi)嵌式互電容觸控面板的觸控模式與顯示模式分時(shí)驅(qū)動(dòng)的時(shí)序圖。
[0057]圖1lB分別圖示垂直空白區(qū)間、水平空白區(qū)間及長水平空白區(qū)間的示意圖。
[0058]圖12A至圖12C分別圖示第一方向觸控電極與第二方向觸控電極在內(nèi)嵌式互電容觸控面板的有效區(qū)域外的不同走線配置的示意圖。
[0059]主要元件符號(hào)說明:
[0060]I?5:疊層結(jié)構(gòu)
[0061 ] 10、20、30、40、50:基板
[0062]11、21、31、41、51:薄膜晶體管(TFT)元件層
[0063]12、