觸控面板的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種觸控面板，特別是有關于一種包含新穎導線設計的觸控面板。
【背景技術】
[0002]有關觸控面板的相關產(chǎn)品已大量使用在日常工作與生活中，一般來說，觸控面板結構包括形成在基板表面的感應區(qū)域，感應區(qū)域用來感應人體的手指或類似于筆的書寫工具以達到觸控效果。
[0003]常見的投射電容式觸控面板是在基板表面設置彼此絕緣、交叉或不交叉的多個透明電極(例如銦錫氧化物(ITO)電極)，所述透明電極再藉由周邊導線與控制器連接。當物體靠近或觸碰觸控面板時，會造成觸碰位置電極之間的電容變化，電容變化訊號藉由周邊導線傳送至控制器加以運算，而確定觸碰位置的坐標。
[0004]隨著觸控面板產(chǎn)品屏幕愈做愈大，既要能單手操控又要保有較佳持握尺寸，觸控面板廠商無不盡量將其邊框縮減，期望能達到最大屏幕尺寸與最佳持握尺寸。
[0005]在傳統(tǒng)電容式觸控面板中，由于金屬材料具有良好導電性，因此，一般會采用金屬材料常見如鉬-鋁-鉬(Mo-A1-Mo)金屬疊層制作周邊導線。鋁是一種導電性很好的材料，但與基材的附著力較差，且極易氧化，而用于提高其與基材附著力和保護其不被氧化的鉬材料，導電性較差。通常為了滿足觸控面板對周邊導線的面電阻(電阻率/膜厚)的要求(小于等于0.3歐)，鉬-鋁-鉬合金的膜厚約須300nm，其中兩層鉬材料各50nm才能起到提升附著力和抗氧化腐蝕的效果，相應的鋁材料需200nm才能使金屬疊層符合面電阻要求。并且，鉬、鋁材質有較大差異，相同的蝕刻液對不同層的蝕刻速率差異較大，當進行蝕刻制程時，蝕刻液由表層向里蝕刻至底層過程中，也會造成蝕刻液向易蝕刻層側邊侵蝕，產(chǎn)生側蝕現(xiàn)象，整體厚度越大，側蝕問題越嚴重。為了避免發(fā)生蝕刻不盡或側邊過度蝕刻的問題，以鉬-鋁-鉬合金制作出的導線必須具備較寬線寬與線距(蝕刻后的線寬、線距須達約25μπι)無法做到細線路、細間距及觸控面板邊框窄化的效果。值得注意的是，此等問題不僅存在于上述投射電容式觸控面板中，同樣亦存在于電阻式、紅外線式及表面聲波式等其他常見的觸控面板結構中。此外，傳統(tǒng)高厚度導線所須用的靶材量相對較多，且靶材價格昂貴。
【實用新型內容】
[0006]鑒于上述問題，本實用新型一實施例，提供一種觸控面板，包括:一基板，定義有一觸控區(qū)與一周邊區(qū)，周邊區(qū)包圍觸控區(qū)；復數(shù)條周邊導線，設置于基板的周邊區(qū)，其中所述周邊導線包括一金屬層與一第一鎳銅鈦層，金屬層設置于基板上，第一鎳銅鈦層設置于金屬層遠離基板之一側；以及一感應層，設置于基板的觸控區(qū)，并電性連接所述周邊導線。
[0007]根據(jù)本實用新型的一實施例，提供一種觸控面板，包括:一基板，定義有一觸控區(qū)與一周邊區(qū)，周邊區(qū)包圍觸控區(qū)；復數(shù)條周邊導線，設置于基板的周邊區(qū)，其中所述周邊導線包括一第一鎳銅鈦層、一金屬層與一第二鎳銅鈦層，第一鎳銅鈦層設置于基板上，金屬層設置于第一鎳銅鈦層上，第二鎳銅鈦層設置于金屬層遠離第一鎳銅鈦層之一側；以及一感應層，設置于基板的觸控區(qū)，并電性連接所述周邊導線。
[0008]為讓本實用新型之上述目的、特征及優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附的圖式，作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0009]圖1是根據(jù)本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0010]圖2是根據(jù)本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0011]圖3是根據(jù)本實用新型的一實施例，一種感應電極結構態(tài)樣的上視圖；
[0012]圖4是根據(jù)本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0013]圖5是根據(jù)本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0014]圖6是根據(jù)本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0015]圖7是根據(jù)本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0016]圖8是根據(jù)本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0017]圖9是根據(jù)本實用新型的一實施例，一種感應電極結構態(tài)樣的上視圖；
[0018]圖10是根據(jù)本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖與【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細描述。
[0020]請參閱圖1，圖1為上述觸控面板的剖面示意圖。本實用新型一實施例提供一種觸控面板10。觸控面板10包括:一基板12，定義有一觸控區(qū)14與一周邊區(qū)16，周邊區(qū)16包圍觸控區(qū)14;復數(shù)條周邊導線18，設置于基板12的周邊區(qū)16，其中周邊導線18包括一金屬層20與一第一鎳銅鈦層22，金屬層20設置于基板12上，第一鎳銅鈦層22設置于金屬層20遠離基板12之一側，即金屬層是夾設于基板12與第一鎳銅鈦層22之間；以及一感應層24，設置于基板12的觸控區(qū)14，并電性連接周邊導線18。
[0021]在部分實施例中，基板12可為一玻璃基板或一薄膜基板。
[0022]鎳銅鈦(11；[01^1-(3(^。61—1:；^311；[11111，1^1')合金，具有低阻抗，對玻璃、薄膜等基材具備高附著力以及抗氧化、抗腐蝕等特性。其相比于鉬材料電阻率更低，同時抗氧化腐蝕能力更強，可以以更薄的厚度就起到相同的抗氧化腐蝕效果。在部分實施例中，第一鎳銅鈦層22的厚度介于10?30納米，較佳介于15?25納米，較佳為20納米。第一鎳銅鈦層22可包含多種比例的鎳銅鈦合金，在一較佳實施例中，NCT中鎳銅鈦的比例為35 %?50 %的鎳、4 %?1 %的銅、44%?55%的鈦。
[0023]在部分實施例中，金屬層20的材料可為銅、鋁、金或銀，綜合材料成本、電阻率、附著力、蝕刻速率等因素，金屬層20的材料較佳是銅，其厚度為120?150nm，就可使周邊導線18的面電阻符合觸控面板的要求(小于等于0.3歐)。
[0024]在部分實施例中，與圖1不同之處在于，金屬層20與基板12之間更包括設置有一第二鎳銅鈦層26，形成周邊導線18’，如圖2所示。第二鎳銅鈦層26主要用以提升金屬層20與基板12之間的附著力，其厚度介于10?30納米，較佳是介于15?25納米，較佳為20納米。第二鎳銅鈦層26可包含多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35%?50%的鎳、4%?10 %的銅、44%?55%的鈦。
[0025]在部分實施例中，圖1與圖2中的感應層24可由單一方向延伸的感應電極所構成，例如沿X方向或沿Y方向延伸(未圖示)。在此實施例中，上述感應電極可由透明導電材料所構成，例如銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZ0)、錦錫氧化物(cadmium tin oxide，CT0)或慘雜招鋅氧化物(aluminum-doped zinc oxide,AZO)、金屬網(wǎng)格(metal mesh)或納米銀線(SNW)。
[0026]在部分實施例中，感應層24可包括復數(shù)條第一感應電極28與復數(shù)條第二感應電極30，第一感應電極28沿一第一方向32延伸，例如沿X方向延伸，第二感應電極30沿一第二方向34延伸，例如沿Y方向延伸，且第一感應電極28與第二感應電極30相交，如圖3所示。圖3為第一感應電極28與第二感應電極30結構態(tài)樣的上視圖。
[0027]在此實施例中，第一感應電極28包括復數(shù)個第一導電單元36與復數(shù)條架橋導線38，架橋導線38連接第一導電單元36。第一感應電極28的第一導電單元36與第二感應電極30可由透明導電材料所構成，例如銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、錦錫氧化物(cadmium tin oxide，CT0)或摻雜招鋅氧化物(aluminum-doped zinc oxide，AZ0)、金屬網(wǎng)格(metal mesh)或納米銀線(SNW)。
[0028]在部分實施例中，第一感應電極28與第二感應電極30之間更包括設置有復數(shù)個絕緣單元40以使第一感應電極28與第二感應電極30之間電性絕緣，請同時參照圖1、2。絕緣單元40可由透明絕緣材料所構成。
[0029]在部分實施例中，架橋導線38設置于絕緣單元40遠離基板12之一側。架橋導線38包括一第二金屬層42與一第三鎳銅鈦層44，第二金屬層42設置于絕緣單元40遠離基板12之一側，第三鎳銅鈦層44設置于第二金屬層42遠離絕緣單元40之一側，如圖1、2所示。第二金屬層42的材料為銅、鋁、金或銀，較佳為銅。第三鎳銅鈦層44的厚度介于10?30納米，較佳是介于15?25納米，較佳為20納米。第三鎳銅鈦層44可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35 %?50 %的鎳、4 %?10 %的銅、44 %?55 %的鈦。
[0030]在部分實施例中，與圖1、2不同之處在于，第二金屬層42與絕緣單元40之間更包括設置有一第四鎳銅鈦層46，形成架橋導線38’，如圖4、5所示。第四鎳銅鈦層46的厚度介于10?30納米，較佳是介于15?25納米，較佳為20納米。第四鎳銅鈦層46可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35 %?50 %的鎳、4 %?10 %的銅、44 %?55 %的鈦。
[0031]在部分實施例中，與圖1不同之處在于，將架橋導線38”設置于絕緣單元40與基板12之間，如圖6所示。圖中，架橋導線38”包括一第三金屬層48與一第五鎳銅鈦層50，第三金屬層48設置于基板12上，第五鎳銅鈦層50設置于第三金屬層48遠離基板12之一側。第三金屬層48可包括銅、鋁、金或銀，較佳是由銅所構成。第五鎳銅鈦層50的厚度介于10?30納米，較佳是介于15?25納米，較佳為20納米。第五鎳銅鈦層50可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35 %?50 %的鎳、4 %?10 %的銅、44 %?55 %的鈦。
[0032]在部分實施例中，與圖6不同之處在于，第三金屬層48與基板12之間更包括設置有一第六鎳銅鈦層52，形成架橋導線38” ’，如圖7所示。第六鎳銅鈦層52的厚度介于10?30納米，較佳是介于15?25納米，較佳為20納米。第六鎳銅鈦層52可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35 %?50 %的鎳、4 %?10 %的銅、44 %?55 %的鈦。
[0033]以圖1為例，因周邊導線18采用的第一鎳銅鈦層22與金屬層20的蝕刻速度差異較小，且整體厚度較薄，蝕刻不盡和過度側蝕的問題得到的極大的改善，周邊導線18的線寬和線距都可以縮減至更小的范圍。在部分實施例中，周邊導線18的線寬介于5?20微米，較佳為10微米。周邊導線18的線距介于5?20微米，較佳為10微米。
[0034]請參閱圖8，圖8為上述觸控面板的剖面示意圖。本實用新型的一實施例提供一種觸控面板100。觸控面板100包括:一基板120，定義有一觸控區(qū)140與一周邊區(qū)160，周邊區(qū)160包圍觸控區(qū)140，在此實施例