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      一種高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器的制造方法_2

      文檔序號:10170310閱讀:來源:國知局
      [0029]所述盒蓋5還包括覆蓋在所述封接層的PET面上的雙面膠層,所述雙面膠層的另一面貼有離型紙。通過上述操作可以使得所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器具備粘性。
      [0030]實施例2
      [0031]本實用新型所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器的一種實施例,如圖1和圖2所示,所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器包括狹長的盒體1和磁性偏置片4,所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器還包括與所述盒體1相匹配的盒蓋5,所述磁性偏置片4與所述盒蓋5通過粘結(jié)方式連接,所述盒蓋5與所述盒體1底部相連使得所述磁性偏置片4位于所述盒體1的腔體2內(nèi),所述磁性偏置片4為復(fù)合半硬磁偏置片,所述盒體1的腔體2內(nèi)設(shè)有非晶共振片3,所述非晶共振片3的橫斷面呈弧形,所述非晶共振片3的弧形外側(cè)與所述磁性偏置片4相對。
      [0032]所述非晶共振片3為2片,所述非晶共振片3的寬度為12mm,所述非晶共振片3的長度為40mm,所述非晶共振片3的厚度為30 μπι。
      [0033]所述磁性偏置片4的寬度為12mm,所述磁性偏置片4的長度為40mm,所述磁性偏置片4的厚度為80 μπι。
      [0034]所述磁性偏置片4為長方體形,所述非晶共振片3和所述磁性偏置片4呈層狀排列。
      [0035]所述非晶共振片3為FeNiMoB基非晶合金;所述復(fù)合半硬磁偏置片為FeNiAlTi基
      1=1Ο
      [0036]所述盒體1的腔體2寬度為13mm,所述盒體1的腔體2長度為45mm ;所述盒體1的寬度為14mm,所述盒體1的長度為50mm。
      [0037]所述盒體1是由PS/PE復(fù)合膜材料制成的塑料殼體。
      [0038]所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器還包括與所述盒體1相匹配的盒蓋5,所述盒蓋5包含由PE/PET復(fù)合膜材料制成的封接層,所述封接層的PE面與所述盒體底部的PE面熱封連接。
      [0039]實施例3
      [0040]本實用新型所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器的一種實施例,如圖1和圖2所示,所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器包括狹長的盒體1和磁性偏置片4,所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器還包括與所述盒體1相匹配的盒蓋5,所述磁性偏置片4與所述盒蓋5通過粘結(jié)方式連接,所述盒蓋5與所述盒體1底部相連使得所述磁性偏置片4位于所述盒體1的腔體2內(nèi),所述磁性偏置片4為復(fù)合半硬磁偏置片,所述盒體1的腔體2內(nèi)設(shè)有非晶共振片3,所述非晶共振片3的橫斷面呈弧形,所述非晶共振片3的弧形外側(cè)與所述磁性偏置片4相對。
      [0041]所述非晶共振片3為2片,所述非晶共振片3的寬度為8mm,所述非晶共振片3的長度為37mm,所述非晶共振片3的厚度為25 μπι。
      [0042]所述磁性偏置片4的寬度為8mm,所述磁性偏置片4的長度為37mm,所述磁性偏置片4的厚度為70 μπι。
      [0043]所述磁性偏置片4為長方體形形,所述非晶共振片3和所述磁性偏置片4呈層狀排列。
      [0044]所述非晶共振片3為FeNiMoB基非晶合金;所述復(fù)合半硬磁偏置片為FeNiAlTi基
      1=1Ο
      [0045]所述盒體1的腔體2寬度為9mm,所述盒體1的腔體2長度為40mm ;所述盒體1的寬度為12mm,所述盒體1的長度為45mm。
      [0046]所述盒體1是由PS/PE復(fù)合膜材料制成的塑料殼體。
      [0047]所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器還包括與所述盒體1相匹配的盒蓋5,所述盒蓋5包含由PE/PET復(fù)合膜材料制成的封接層,所述封接層的PE面與所述盒體底部的PE面熱封連接。
      [0048]所述盒蓋5還包括覆蓋在所述封接層的PET面上的雙面膠層,所述雙面膠層的另一面貼有離型紙。通過上述操作可以使得所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器具備粘性。
      [0049]最后所應(yīng)當(dāng)說明的是,以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案而非對本實用新型保護范圍的限制,盡管參照較佳實施例對本實用新型作了詳細說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,可以對本實用新型的技術(shù)方案進行修改或者等同替換,而不脫離本實用新型技術(shù)方案的實質(zhì)和范圍。
      【主權(quán)項】
      1.一種高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器,其特征在于,所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器包括狹長的盒體和磁性偏置片,所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器還包括與所述盒體相匹配的盒蓋,所述磁性偏置片與所述盒蓋相連,所述盒蓋與所述盒體底部相連使得所述磁性偏置片位于所述盒體的腔體內(nèi),所述磁性偏置片為復(fù)合半硬磁偏置片,所述盒體的腔體內(nèi)設(shè)有非晶共振片,所述非晶共振片的橫斷面呈弧形,所述非晶共振片的弧形外側(cè)與所述磁性偏置片相對。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器,其特征在于,所述非晶共振片為1?4片,所述非晶共振片的寬度為4?12mm,所述非晶共振片的長度為35?40mm,所述非晶共振片的厚度為20?30 μπι。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器,其特征在于,所述磁性偏置片的寬度為3.5?12mm,所述磁性偏置片的長度為25?40mm,所述磁性偏置片的厚度為60 ?80 μ mD4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器,其特征在于,所述磁性偏置片為長方體形,所述非晶共振片和所述磁性偏置片呈層狀排列。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器,其特征在于,所述磁性偏置片與所述盒體的腔體通過粘結(jié)方式連接。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器,其特征在于,所述非晶共振片為FeNiMoB基非晶合金;所述復(fù)合半硬磁偏置片為FeNiAlTi基合金。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器,其特征在于,所述盒體的腔體寬度為5?13mm,所述盒體的腔體長度為36?45mm ;所述盒體的寬度為10?14mm,所述盒體的長度為40?50mm。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器,其特征在于,所述盒體是由PS/PE復(fù)合膜材料制成的塑料殼體。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器,其特征在于,所述盒蓋包含由PE/PET復(fù)合膜材料制成的封接層,所述封接層的PE面與所述盒體底部的PE面熱封連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器,其特征在于,所述盒蓋還包括覆蓋在所述封接層的PET面上的雙面膠層,所述雙面膠層的另一面貼有離型紙。
      【專利摘要】本實用新型提供了一種高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器,所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器包括狹長的盒體和磁性偏置片,所述高靈敏度單腔體非晶聲磁傳感器還包括與所述盒體相匹配的盒蓋,所述磁性偏置片與所述盒蓋相連,所述盒蓋與所述盒體底部相連使得所述磁性偏置片位于所述盒體的腔體內(nèi),所述磁性偏置片為復(fù)合半硬磁偏置片,所述盒體的腔體內(nèi)設(shè)有非晶共振片,所述非晶共振片的橫斷面呈弧形,所述非晶共振片的弧形外側(cè)與所述磁性偏置片相對。本實用新型采用復(fù)合半硬磁作為磁性偏置片,可以直接設(shè)置在含有非晶共振片的腔體內(nèi)。將復(fù)合半硬磁與盒蓋粘結(jié)在一起,不僅不會阻礙非晶共振片的共振,還能夠使共振頻率穩(wěn)定,增加非晶聲磁傳感器的靈敏度。
      【IPC分類】G08B13/24
      【公開號】CN205080695
      【申請?zhí)枴緾N201520845728
      【發(fā)明人】王希楠, 汪洋, 涂海情
      【申請人】廣州齊達材料科技有限公司
      【公開日】2016年3月9日
      【申請日】2015年10月27日
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