本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置、方法和系統(tǒng)，且更特定來(lái)說(shuō)，涉及用于調(diào)整裝置內(nèi)感測(cè)電壓的方法、裝置和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：
存儲(chǔ)器裝置通常作為內(nèi)部電路、半導(dǎo)體電路、集成電路和/或外部可移除裝置而提供于計(jì)算機(jī)或其它電子裝置中。存在許多不同類型的存儲(chǔ)器，尤其包含隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)，和快閃存儲(chǔ)器?？扉W存儲(chǔ)器裝置可作為易失性和非易失性存儲(chǔ)器而用于各種各樣的電子應(yīng)用?？扉W存儲(chǔ)器裝置通常使用允許高存儲(chǔ)密度、高可靠性和低功率消耗的單晶體管存儲(chǔ)器單元。針對(duì)快閃存儲(chǔ)器的使用包含用于以下各者的存儲(chǔ)器：固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼相機(jī)、蜂窩式電話、便攜式音樂(lè)播放器(例如，MP3播放器)，和電影播放器，以及其它電子裝置。例如程序代碼、用戶數(shù)據(jù)和/或系統(tǒng)數(shù)據(jù)(例如，基本輸入/輸出系統(tǒng)(BIOS))等數(shù)據(jù)通常存儲(chǔ)于快閃存儲(chǔ)器裝置中。兩種普通類型的快閃存儲(chǔ)器陣列架構(gòu)為“NAND”架構(gòu)和“NOR”架構(gòu)(針對(duì)每一架構(gòu)的基本存儲(chǔ)器單元配置被布置的邏輯形式而如此稱呼)。NAND陣列架構(gòu)以矩陣來(lái)布置其存儲(chǔ)器單元陣列，使得所述陣列的“行”中每一存儲(chǔ)器單元的控制柵極耦合到(且在一些狀況下形成)存取線，存取線在此項(xiàng)技術(shù)中通常被稱作“字線”。然而，每一存儲(chǔ)器單元未通過(guò)其漏極直接耦合到數(shù)據(jù)線(其在此項(xiàng)技術(shù)中通常被稱作數(shù)字線，例如，位線)。取而代之，陣列的存儲(chǔ)器單元串聯(lián)地耦合在一起。NAND陣列架構(gòu)中的存儲(chǔ)器單元可經(jīng)編程到目標(biāo)(例如，所要)狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，可將電荷放置在存儲(chǔ)器單元的電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)上或可從存儲(chǔ)器單元的電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)移除電荷以將所述存儲(chǔ)器單元置于數(shù)個(gè)經(jīng)編程狀態(tài)中的一者。舉例來(lái)說(shuō)，單層存儲(chǔ)器單元(SLC)可表示兩個(gè)狀態(tài)，例如，1或0?？扉W存儲(chǔ)器單元也可存儲(chǔ)兩個(gè)以上狀態(tài)，例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、 0110和1110。這些存儲(chǔ)器單元可被稱作多層存儲(chǔ)器單元(MLC)。MLC可在不增加存儲(chǔ)器單元數(shù)目的情況下允許制造較高密度存儲(chǔ)器，這是因?yàn)槊恳淮鎯?chǔ)器單元可表示一個(gè)以上數(shù)字，例如，一個(gè)以上位。舉例來(lái)說(shuō)，能夠表示四個(gè)數(shù)字的存儲(chǔ)器單元可具有十六個(gè)經(jīng)編程狀態(tài)。感測(cè)操作(例如，讀取和/或程序驗(yàn)證操作)可使用感測(cè)電壓以確定快閃存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)。然而，數(shù)個(gè)機(jī)制(例如，讀取干擾、程序干擾和/或電荷損失(例如，電荷泄漏))可造成存儲(chǔ)器單元的電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)上的所存儲(chǔ)電荷(例如，閾值電壓(Vt))改變。由于所存儲(chǔ)電荷的改變，先前所使用的感測(cè)電壓(例如，在發(fā)生所存儲(chǔ)電荷的改變之前所使用的感測(cè)電壓)可不再提供存儲(chǔ)器單元的準(zhǔn)確和/或可靠的感測(cè)。也就是說(shuō)，先前所使用的感測(cè)電壓在后續(xù)感測(cè)操作期間使用時(shí)可引起存儲(chǔ)器單元的錯(cuò)誤感測(cè)。舉例來(lái)說(shuō)，先前感測(cè)電壓的使用可引起存儲(chǔ)器單元處于不同于目標(biāo)狀態(tài)的狀態(tài)(例如，不同于所述存儲(chǔ)器單元被編程到的目標(biāo)狀態(tài)的狀態(tài))下的確定。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的一個(gè)方面涉及一種裝置，其包括：存儲(chǔ)器單元；以及控制器，其經(jīng)配置以：使用感測(cè)電壓而對(duì)所述存儲(chǔ)器單元執(zhí)行感測(cè)操作以確定具有大于所述感測(cè)電壓的閾值電壓(Vt)的所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)量；且至少部分地基于存儲(chǔ)器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定所述存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。本發(fā)明的另一方面涉及一種用于操作裝置的方法，其包括：對(duì)數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行數(shù)個(gè)感測(cè)操作，其中使用不同感測(cè)電壓來(lái)執(zhí)行每一感測(cè)操作；對(duì)于所述不同感測(cè)電壓中的每一者，確定具有大于所述相應(yīng)感測(cè)電壓的閾值電壓(Vt)的所述數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元的數(shù)量；以及至少部分地基于存儲(chǔ)器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定所述數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。本發(fā)明的另一方面涉及一種用于操作裝置的方法，其包括：確定具有大于第一感測(cè)電壓的閾值電壓(Vt)的存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量、具有大于第二感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量，和具有大于第三感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第三數(shù)量；以及如果存儲(chǔ)器單元的所述第三數(shù)量與所述第二數(shù)量之間的差大于存儲(chǔ)器單元的所述第二數(shù)量與所述第一數(shù)量之間的差，那么將用以確定所述存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓調(diào)整到在所述第一感測(cè)電壓與所述第二感測(cè)電壓之間的電壓。本發(fā)明的另一方面涉及一種裝置，其包括：存儲(chǔ)器單元；以及控制器，其經(jīng)配置以：對(duì)數(shù)個(gè)所述存儲(chǔ)器單元執(zhí)行數(shù)個(gè)感測(cè)操作，其中使用不同感測(cè)電壓來(lái)執(zhí)行每一感測(cè)操 作；確定具有大于在所述相應(yīng)感測(cè)操作中所使用的所述相應(yīng)感測(cè)電壓的閾值電壓(Vt)的所述數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元的數(shù)量；比較存儲(chǔ)器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量與所存儲(chǔ)值，其中所述所存儲(chǔ)值對(duì)應(yīng)于編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的所述數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元的數(shù)量；且至少部分地基于所述比較而調(diào)整用以確定所述數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。本發(fā)明的另一方面涉及一種用于操作裝置的方法，其包括：使用感測(cè)電壓來(lái)執(zhí)行感測(cè)操作以確定具有大于所述感測(cè)電壓的閾值電壓(Vt)的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量；比較存儲(chǔ)器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量與所存儲(chǔ)值；以及如果存儲(chǔ)器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量處于所述所存儲(chǔ)值的特定范圍內(nèi)，那么將用以確定所述存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的先前感測(cè)電壓調(diào)整到所述感測(cè)電壓。附圖說(shuō)明圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器陣列的部分的示意圖。圖2說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的數(shù)個(gè)閾值電壓分布和感測(cè)電壓的圖式。圖3說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的數(shù)個(gè)閾值電壓分布和感測(cè)電壓的圖式。圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的數(shù)個(gè)閾值電壓分布和感測(cè)電壓的圖式。圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的框圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明包含用于調(diào)整裝置內(nèi)感測(cè)電壓的方法、裝置和系統(tǒng)。一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例包含存儲(chǔ)器單元和控制器，所述控制器經(jīng)配置以使用感測(cè)電壓而對(duì)所述存儲(chǔ)器單元執(zhí)行感測(cè)操作以確定具有大于所述感測(cè)電壓的閾值電壓(Vt)的所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)量，且至少部分地基于存儲(chǔ)器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定所述存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。本發(fā)明的實(shí)施例可用以跟蹤和/或補(bǔ)償存儲(chǔ)器裝置和/或系統(tǒng)中的閾值電壓(Vt)改變(例如，偏移)。跟蹤和/或補(bǔ)償Vt改變可提供益處，例如，增加準(zhǔn)確性和/或可靠性(例如，減小錯(cuò)誤率)，和/或增加存儲(chǔ)器裝置和/或系統(tǒng)壽命，以及其它益處。在本發(fā)明的以下詳細(xì)描述中，參看附圖，附圖形成本發(fā)明的部分，且其中通過(guò)說(shuō)明 來(lái)展示可如何實(shí)踐本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施例。足夠詳細(xì)地描述這些實(shí)施例以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明的實(shí)施例，且應(yīng)理解，可利用其它實(shí)施例，且可在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下進(jìn)行過(guò)程改變、電改變和/或結(jié)構(gòu)改變。如本文所使用，“數(shù)個(gè)”某物可指代一個(gè)或一個(gè)以上此類事物。舉例來(lái)說(shuō)，數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器裝置可指代一個(gè)或一個(gè)以上存儲(chǔ)器裝置。本文的諸圖遵循一編號(hào)慣例，其中第一數(shù)字對(duì)應(yīng)于圖號(hào)且剩余數(shù)字識(shí)別圖式中的元件或組件。可通過(guò)使用相似數(shù)字來(lái)識(shí)別不同圖之間的相似元件或組件。舉例來(lái)說(shuō)，100可參考圖1中的元件“00”，且圖4中可將相似元件參考為400。應(yīng)了解，可添加、交換和/或消除本文的各種實(shí)施例所示的元件，以便提供本發(fā)明的數(shù)個(gè)額外實(shí)施例。此外，應(yīng)了解，諸圖所提供的元件的比例和相對(duì)尺度既定說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，且不應(yīng)被視為限制性意義。圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器陣列100的部分的示意圖。圖1的實(shí)施例說(shuō)明NAND架構(gòu)非易失性存儲(chǔ)器陣列。然而，本文所描述的實(shí)施例不限于此實(shí)例。如圖1所示，存儲(chǔ)器陣列100包含存取線(例如，字線105-1、…、105-N)和相交數(shù)據(jù)線(例如，局部位線107-1、107-2、107-3、…、107-M)。出于在數(shù)字環(huán)境中尋址的簡(jiǎn)易性起見(jiàn)，字線105-1、…、105-N的數(shù)目和局部位線107-1、107-2、107-3、…、107-M的數(shù)目可為二的某個(gè)冪，例如，256個(gè)字線乘4,096個(gè)位線。存儲(chǔ)器陣列100包含NAND串109-1、109-2、109-3、…、109-M。每一NAND串包含非易失性存儲(chǔ)器單元111-1、…、111-N，每一非易失性存儲(chǔ)器單元以通信方式耦合到相應(yīng)字線105-1、…、105-N。每一NAND串(和其組成存儲(chǔ)器單元)也與局部位線107-1、107-2、107-3、…、107-M相關(guān)聯(lián)。每一NAND串109-1、109-2、109-3、…、109-M的非易失性存儲(chǔ)器單元111-1、…、111-N從源極到漏極串聯(lián)地連接在源極選擇柵極(SGS)(例如，場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)113)與漏極選擇柵極(SGD)(例如，F(xiàn)ET119)之間。如圖1所說(shuō)明的實(shí)施例所示，源極選擇柵極113的源極連接到共同源極線123。源極選擇柵極113的漏極連接到對(duì)應(yīng)NAND串109-1的存儲(chǔ)器單元111-1的源極。漏極選擇柵極119的漏極在漏極接點(diǎn)121-1處連接到對(duì)應(yīng)NAND串109-1的位線107-1。漏極選擇柵極119的源極連接到對(duì)應(yīng)NAND串109-1的最后存儲(chǔ)器單元111-N(例如，浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管)的漏極。在一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例中，非易失性存儲(chǔ)器單元111-1、…、111-N的構(gòu)造包含源極、漏極、浮動(dòng)?xùn)艠O或其它電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，和控制柵極。非易失性存儲(chǔ)器單元111-1、…、111-N使其控制柵極分別耦合到字線105-1、…、105-N。非易失性存儲(chǔ)器單元111-1、…、 111-N的“列”分別構(gòu)成NAND串109-1、109-2、109-3、…、109-M，且分別耦合到給定局部位線107-1、107-2、107-3、…、107-M。非易失性存儲(chǔ)器單元的“行”為共同地耦合到給定字線105-1、…、105-N的那些存儲(chǔ)器單元。術(shù)語(yǔ)“列”和“行”的使用不希望暗示非易失性存儲(chǔ)器單元的特定線性(例如，垂直和/或水平)定向。除了存儲(chǔ)器單元串將并聯(lián)地耦合在選擇柵極之間以外，將相似地布置NOR陣列架構(gòu)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，耦合到選定字線(例如，105-1、…、105-N)的存儲(chǔ)器單元子集可作為群組而被一起編程和/或感測(cè)(例如，讀取)。編程操作(例如，寫(xiě)入操作)可包含將數(shù)個(gè)程序脈沖(例如，16V到20V)施加到選定字線，以便將耦合到那個(gè)選定存取線的選定存儲(chǔ)器單元的閾值電壓(Vt)增加到對(duì)應(yīng)于目標(biāo)程序狀態(tài)的所要程序電壓電平。例如讀取或程序驗(yàn)證操作等感測(cè)操作可包含感測(cè)位線的電壓和/或電流改變。感測(cè)選定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)可包含將數(shù)個(gè)感測(cè)電壓(例如，讀取電壓)提供到選定字線，同時(shí)將數(shù)個(gè)電壓(例如，讀取通過(guò)電壓)提供到耦合到串的未選定存儲(chǔ)器單元的字線，所述數(shù)個(gè)電壓足以獨(dú)立于所述未選定存儲(chǔ)器單元的閾值電壓而將所述未選定存儲(chǔ)器單元置于傳導(dǎo)狀態(tài)下?？筛袦y(cè)對(duì)應(yīng)于所讀取和/或驗(yàn)證的選定存儲(chǔ)器單元的位線以確定所述選定存儲(chǔ)器單元是否響應(yīng)于施加到選定字線的特定感測(cè)電壓而傳導(dǎo)。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)字線電壓來(lái)確定選定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)，位線電流在所述字線電壓下達(dá)到與特定狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的特定參考電流。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，在對(duì)NAND串中的選定存儲(chǔ)器單元所執(zhí)行的感測(cè)操作中，加偏壓于所述串的未選定存儲(chǔ)器單元，以便使其處于傳導(dǎo)狀態(tài)下。在此感測(cè)操作中，可基于在對(duì)應(yīng)于串的位線上所感測(cè)的電流和/或電壓而確定選定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，可基于在給定時(shí)間周期內(nèi)位線電流改變是否達(dá)特定量或達(dá)到特定電平而確定選定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)。當(dāng)選定存儲(chǔ)器單元處于傳導(dǎo)狀態(tài)下時(shí)，電流在串的一個(gè)末端處的源極線接點(diǎn)與串的另一末端處的位線接點(diǎn)之間流動(dòng)。因而，與感測(cè)選定存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的電流經(jīng)載運(yùn)通過(guò)串中的其它存儲(chǔ)器單元中的每一者、存儲(chǔ)器單元堆疊之間的擴(kuò)散區(qū)域，和選擇晶體管。圖2說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的數(shù)個(gè)閾值電壓分布和感測(cè)電壓的圖式201。圖2所示的實(shí)例可表示(例如)存儲(chǔ)器單元111-1、…、111-N。如圖2所示，閾值電壓(Vt)分布225-0、225-1、225-2和225-3分別表示存儲(chǔ)器單元可被編程到的四個(gè)目標(biāo)狀態(tài)，例如，L0、L1、L2和L3。在圖2所說(shuō)明的實(shí)例中，Vt分布225-3可被稱作存儲(chǔ)器單元可被編程到的最大Vt(例如，“Vtmax”)，這是因?yàn)槠錇? 包含具有最大量值的Vt的范圍。在操作中，可一起擦除選定塊中的存儲(chǔ)器單元，使得所述存儲(chǔ)器單元在經(jīng)編程之前具有在Vt分布225-0內(nèi)的Vt電平。因而，分布225-0可被稱作經(jīng)擦除狀態(tài)且可表示特定所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)(目標(biāo)狀態(tài)L0)，例如，例如二進(jìn)制“11”等所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。目標(biāo)狀態(tài)L1可對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)01，目標(biāo)狀態(tài)L2可對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)00，且目標(biāo)狀態(tài)L3可對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)10。然而，實(shí)施例不限于這些數(shù)據(jù)指派。Vt分布225-0、225-1、225-2和225-3可表示編程到對(duì)應(yīng)目標(biāo)狀態(tài)的存儲(chǔ)器單元的數(shù)目，其中平均起來(lái)，Vt分布曲線的高度指示編程到在Vt分布內(nèi)的特定電壓的存儲(chǔ)器單元的數(shù)目。Vt分布曲線的寬度227指示表示特定目標(biāo)狀態(tài)的電壓的范圍，例如，針對(duì)L2的Vt分布曲線225-2的寬度表示對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)00的電壓的范圍。圖2中說(shuō)明數(shù)個(gè)感測(cè)電壓。這些感測(cè)電壓可包含程序驗(yàn)證電壓和/或讀取電壓，以及其它感測(cè)電壓。舉例來(lái)說(shuō)，說(shuō)明程序驗(yàn)證電壓PV1、PV2和PV3，以及讀取電壓R1、R2和R3?？稍谝粋€(gè)或一個(gè)以上編程脈沖之后執(zhí)行程序驗(yàn)證操作以幫助確定存儲(chǔ)器單元是否已經(jīng)編程于所要Vt范圍內(nèi)，以幫助防止存儲(chǔ)器單元接收其它編程脈沖(例如，“過(guò)度編程”所述存儲(chǔ)器單元)。舉例來(lái)說(shuō)，可用電壓PV1來(lái)對(duì)待編程到L1目標(biāo)狀態(tài)的存儲(chǔ)器單元進(jìn)行程序驗(yàn)證。在圖2所說(shuō)明的實(shí)例中，電壓電平R1、R2和R3表示可用以在感測(cè)操作期間區(qū)分狀態(tài)L0、L1、L2和L3的感測(cè)電壓(例如，讀取電壓)。在對(duì)NAND串中的選定存儲(chǔ)器單元所執(zhí)行的感測(cè)操作中，可用通過(guò)電壓“Vpass”229來(lái)加偏壓于所述串的未選定存儲(chǔ)器單元，以便使其處于傳導(dǎo)狀態(tài)下。存儲(chǔ)器單元的Vt可歸因于數(shù)個(gè)機(jī)制而隨時(shí)間而改變(例如，偏移)。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器單元的電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)(例如，浮動(dòng)?xùn)艠O)可隨時(shí)間而損失電荷。此電荷損失可造成存儲(chǔ)器單元的Vt改變(例如，降低)。另外，隨著存儲(chǔ)器單元隨時(shí)間而經(jīng)歷編程和/或感測(cè)操作，程序干擾和/或讀取干擾機(jī)制可造成所述存儲(chǔ)器單元的Vt改變(例如，增加)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，其它機(jī)制也可造成存儲(chǔ)器單元的Vt隨時(shí)間而改變。在一些例子中，此Vt改變可變更存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，如果存儲(chǔ)器單元經(jīng)編程到目標(biāo)狀態(tài)L2(例如，數(shù)據(jù)00)，那么電荷損失可造成存儲(chǔ)器單元的Vt降低到小于R2的電平，或可能降低到在對(duì)應(yīng)于狀態(tài)L1的Vt225-1內(nèi)的電平(例如，數(shù)據(jù)01)。因此，此Vt改變可引起在使用圖2所說(shuō)明的感測(cè)電壓(例如，讀取電壓R1、R2和R3，和/或程序驗(yàn)證電壓PV1、PV2和PV3)而對(duì)存儲(chǔ)器單元所執(zhí)行的感測(cè)操作期間感測(cè)錯(cuò)誤數(shù)據(jù)。舉例來(lái)說(shuō)，使用圖2所說(shuō)明的感測(cè)電壓來(lái)執(zhí)行感測(cè)操作可引起存儲(chǔ)器單元表示不同于所述存儲(chǔ)器單元被編程到的目標(biāo)狀態(tài)的狀態(tài)的確定。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)編程到目標(biāo) 狀態(tài)L2且已經(jīng)歷電荷損失的存儲(chǔ)器單元所執(zhí)行的感測(cè)操作可確定所述存儲(chǔ)器單元表示狀態(tài)L1(如果在所述感測(cè)操作中使用讀取電壓R2)。也就是說(shuō)，使用讀取電壓R2可引起經(jīng)編程以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)00的存儲(chǔ)器單元被錯(cuò)誤地感測(cè)為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)01。圖3說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的閾值電壓(Vt)分布325-1和325-2以及感測(cè)電壓S0(327-0)、S1(327-1)、S2(327-2)、S3(327-3)和S4(327-4)的圖式301。舉例來(lái)說(shuō)，圖3所示的實(shí)例可表示已歸因于例如電荷損失、程序干擾和/或讀取干擾等機(jī)制而經(jīng)歷Vt改變(例如，偏移)的存儲(chǔ)器單元。在通過(guò)Vt分布225-1和225-2表示的存儲(chǔ)器單元已經(jīng)歷Vt改變之后，Vt分布325-1和325-2可分別對(duì)應(yīng)于如先前結(jié)合圖2所描述的Vt分布225-1和225-2。另外，盡管圖3中出于簡(jiǎn)單性起見(jiàn)而未圖示，但圖式301也可包含在通過(guò)Vt分布225-0和/或225-3表示的存儲(chǔ)器單元已經(jīng)歷Vt改變之后對(duì)應(yīng)于先前結(jié)合圖2所描述的Vt分布225-0和/或225-3的額外Vt分布。如圖3所示，Vt分布325-1和325-2已相對(duì)于圖2所示的Vt分布225-1和225-2而偏移，例如，歸因于在Vt分布325-1和325-2中所表示的存儲(chǔ)器單元的Vt偏移。舉例來(lái)說(shuō)，如圖3所示，Vt分布325-1和325-2的部分重疊。因此，如本文中先前所描述，用以確定在發(fā)生Vt改變之前存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓(例如，圖2所說(shuō)明的感測(cè)電壓)可不再提供存儲(chǔ)器單元的準(zhǔn)確和/或可靠的感測(cè)。舉例來(lái)說(shuō)，編程到目標(biāo)狀態(tài)L2的存儲(chǔ)器單元可被感測(cè)為處于狀態(tài)L1下。然而，將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓調(diào)整到不同感測(cè)電壓(例如，到不同于圖2所說(shuō)明的感測(cè)電壓的感測(cè)電壓)可用以跟蹤和/或補(bǔ)償Vt改變，進(jìn)而提供準(zhǔn)確和/或可靠的感測(cè)。將提供存儲(chǔ)器單元的準(zhǔn)確和/或可靠的感測(cè)的感測(cè)電壓(例如，將感測(cè)最少量錯(cuò)誤數(shù)據(jù)的感測(cè)電壓)可至少部分地基于具有大于所述感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量而確定。也就是說(shuō)，用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓的調(diào)整可至少部分地基于具有大于所述感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。舉例來(lái)說(shuō)，可使用數(shù)個(gè)不同感測(cè)電壓(例如，感測(cè)電壓S0、S1、S2、S3和/或S4)而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行數(shù)個(gè)感測(cè)操作(例如，五)以確定具有大于每一感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。可接著至少部分地基于存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓(例如，先前結(jié)合圖2所描述的讀取電壓R2)。作為實(shí)例，使用感測(cè)電壓S0而對(duì)存儲(chǔ)器單元所執(zhí)行的感測(cè)操作可確定7,000個(gè)存儲(chǔ)器單元具有大于感測(cè)電壓S0的Vt，使用感測(cè)電壓S1而對(duì)存儲(chǔ)器單元所執(zhí)行的感測(cè)操作可確定7,200個(gè)存儲(chǔ)器單元具有大于感測(cè)電壓S1的Vt，使用感測(cè)電壓S2所執(zhí)行的感測(cè) 操作可確定7,300個(gè)存儲(chǔ)器單元具有大于感測(cè)電壓S2的Vt，使用感測(cè)電壓S3所執(zhí)行的感測(cè)操作可確定7,400個(gè)存儲(chǔ)器單元具有大于感測(cè)電壓S3的Vt，且使用感測(cè)電壓S4所執(zhí)行的感測(cè)操作可確定7,600個(gè)存儲(chǔ)器單元具有大于感測(cè)電壓S4的Vt?？山又辽俨糠值鼗诰哂写笥诿恳桓袦y(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。舉例來(lái)說(shuō)，可確定具有大于每一感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量之間的差。作為實(shí)例，可確定具有大于感測(cè)電壓S1的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量與具有大于感測(cè)電壓S0的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量之間的差，可確定具有大于感測(cè)電壓S2的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量與具有大于感測(cè)電壓S1的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量之間的差，可確定具有大于感測(cè)電壓S3的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量與具有大于感測(cè)電壓S2的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量之間的差，和/或可確定具有大于感測(cè)電壓S4的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量與具有大于感測(cè)電壓S3的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量之間的差。在此實(shí)例中，這些差分別為200、100、100和200?？山又辽俨糠值鼗诮?jīng)確定差而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。舉例來(lái)說(shuō)，可確定與經(jīng)確定差相關(guān)聯(lián)的趨勢(shì)，且可接著至少部分地基于所述趨勢(shì)而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓?？山又辽俨糠值鼗谧钚〗?jīng)確定差交叉的點(diǎn)而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。也就是說(shuō)，可接著至少部分地基于經(jīng)確定最小差而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。舉例來(lái)說(shuō)，可將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓調(diào)整到在如下感測(cè)電壓之間的電壓：在所述感測(cè)電壓之間，最小經(jīng)確定差交叉。也就是說(shuō)，可將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓調(diào)整到在與經(jīng)確定最小差相關(guān)聯(lián)的感測(cè)電壓之間的電壓。在先前實(shí)例中，可將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓調(diào)整到在感測(cè)電壓S1與S3之間的電壓，例如，感測(cè)電壓S2。作為額外實(shí)例，可使用第一感測(cè)電壓(例如，感測(cè)電壓S0)而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一感測(cè)操作以確定具有大于第一感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量。也可使用小于第一感測(cè)電壓的第二感測(cè)電壓(例如，感測(cè)電壓S1)而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二感測(cè)操作以確定具有大于第二感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量。也可使用小于第二感測(cè)電壓的第三感測(cè)電壓(例如，感測(cè)電壓S2)而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第三感測(cè)操作以確定具有大于第三感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第三數(shù)量。可接著確定和比較存儲(chǔ)器單元的第三數(shù)量和第二數(shù)量之間的差與存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量和第一數(shù)量之間的差。如果存儲(chǔ)器單元的第三數(shù)量與第二數(shù)量之間的差大于存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量與第 一數(shù)量之間的差，那么可使用大于第一感測(cè)電壓的第四感測(cè)電壓而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第四感測(cè)操作以確定具有大于第四感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第四數(shù)量。可接著確定存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量與第四數(shù)量之間的差且將其與存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量與第一數(shù)量之間的差相比較。如果存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量與第四數(shù)量之間的差等于存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量與第一數(shù)量之間的差，那么可將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓(例如，讀取電壓R2)調(diào)整到第一感測(cè)電壓，例如，從讀取電壓R2調(diào)整到感測(cè)電壓S0。如果存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量與第四數(shù)量之間的差大于存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量與第一數(shù)量之間的差，那么可將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓調(diào)整到在第一感測(cè)電壓與第二感測(cè)電壓之間的電壓。作為實(shí)例，可執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上額外感測(cè)操作以確定在第一感測(cè)電壓與第二感測(cè)電壓之間的經(jīng)調(diào)整電壓，例如，以使在第一感測(cè)電壓與第二感測(cè)電壓之間的經(jīng)調(diào)整電壓進(jìn)一步精確。舉例來(lái)說(shuō)，可使用在第一感測(cè)電壓與第二感測(cè)電壓中間的感測(cè)電壓(例如，第五感測(cè)電壓)而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第五感測(cè)操作以確定具有大于第五感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第五數(shù)量?？山又_定和比較存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量和第五數(shù)量之間的差與存儲(chǔ)器單元的第五數(shù)量和第一數(shù)量之間的差。如果存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量與第五數(shù)量之間的差大于存儲(chǔ)器單元的第五數(shù)量與第一數(shù)量之間的差，那么可調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。如果存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量與第四數(shù)量之間的差小于存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量與第一數(shù)量之間的差，那么可使用大于第四感測(cè)電壓的第六感測(cè)電壓而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第六感測(cè)操作以確定具有大于第六感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第六數(shù)量。以類似于本文中先前所描述的方式，可接著確定存儲(chǔ)器單元的第四數(shù)量與第六數(shù)量之間的差且將其與存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量與第四數(shù)量之間的差相比較，且可調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。如果存儲(chǔ)器單元的第三數(shù)量與第二數(shù)量之間的差小于存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量與第一數(shù)量之間的差，那么可使用小于第三感測(cè)電壓的第四感測(cè)電壓(例如，感測(cè)電壓S3)而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第四感測(cè)操作以確定具有大于第四感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第四數(shù)量?？山又_定存儲(chǔ)器單元的第四數(shù)量與第三數(shù)量之間的差且將其與存儲(chǔ)器單元的第三數(shù)量與第二數(shù)量之間的差相比較。如果存儲(chǔ)器單元的第四數(shù)量與第三數(shù)量之間的差大于存儲(chǔ)器單元的第三數(shù)量與第二數(shù)量之間的差，那么可將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓(例如，讀取電壓R2)調(diào)整到在第二感測(cè)電壓與第三感測(cè)電壓之間的電壓。作為實(shí)例，以類似于本文中先前所描述的方式的方式，可使用一個(gè)或一個(gè)以上額外感測(cè)電壓(例如，在第二感測(cè)電壓與第三 感測(cè)電壓中間的感測(cè)電壓)來(lái)執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上額外感測(cè)操作以確定在第二感測(cè)電壓與第三感測(cè)電壓之間的經(jīng)調(diào)整電壓，例如，以使在第二感測(cè)電壓與第三感測(cè)電壓之間的經(jīng)調(diào)整電壓進(jìn)一步精確。如果存儲(chǔ)器單元的第四數(shù)量與第三數(shù)量之間的差小于存儲(chǔ)器單元的第三數(shù)量與第二數(shù)量之間的差，那么可使用小于第四感測(cè)電壓的第五感測(cè)電壓(例如，感測(cè)電壓S4)而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第五感測(cè)操作以確定具有大于第五感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第五數(shù)量。以類似于本文中先前所描述的方式的方式，可接著確定存儲(chǔ)器單元的第五數(shù)量與第四數(shù)量之間的差且將其與存儲(chǔ)器單元的第四數(shù)量與第三數(shù)量之間的差相比較，且可調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的閾值電壓(Vt)分布425-1和425-2以及感測(cè)電壓S0(457-0)、S1(457-1)和S2(457-2)的圖式401。舉例來(lái)說(shuō)，以類似于先前結(jié)合圖3所描述的方式的方式，圖4所示的實(shí)例可表示已歸因于例如電荷損失、程序干擾和/或讀取干擾等機(jī)制而經(jīng)歷Vt改變(例如，偏移)的存儲(chǔ)器單元。也就是說(shuō)，在通過(guò)Vt分布225-1和225-2表示的存儲(chǔ)器單元已經(jīng)歷Vt改變之后，Vt分布425-1和425-2可分別對(duì)應(yīng)于先前結(jié)合圖2所描述的Vt分布225-1和225-2。然而，如本文中先前所描述，將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓調(diào)整到不同感測(cè)電壓(例如，到不同于圖2所說(shuō)明的感測(cè)電壓的感測(cè)電壓)可用以跟蹤和/或補(bǔ)償Vt改變，進(jìn)而提供存儲(chǔ)器單元的準(zhǔn)確和/或可靠的感測(cè)。將提供存儲(chǔ)器單元的準(zhǔn)確和/或可靠的感測(cè)的感測(cè)電壓(例如，將感測(cè)最少量錯(cuò)誤數(shù)據(jù)的感測(cè)電壓)可至少部分地基于具有大于所述感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量而確定。也就是說(shuō)，用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓的調(diào)整可至少部分地基于具有大于所述感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。舉例來(lái)說(shuō)，可使用數(shù)個(gè)不同感測(cè)電壓(例如，感測(cè)電壓S0、S1和/或S2)而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行數(shù)個(gè)感測(cè)操作(例如，三)以確定具有大于每一感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量?？山又辽俨糠值鼗诖鎯?chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓，例如，先前結(jié)合圖2所描述的讀取電壓R2。作為實(shí)例，使用感測(cè)電壓S0而對(duì)存儲(chǔ)器單元所執(zhí)行的感測(cè)操作可確定7,000個(gè)存儲(chǔ)器單元具有大于感測(cè)電壓S0的Vt，使用感測(cè)電壓S1而對(duì)存儲(chǔ)器單元所執(zhí)行的感測(cè)操作可確定7,400個(gè)存儲(chǔ)器單元具有大于感測(cè)電壓S1的Vt，且使用感測(cè)電壓S2而對(duì)存儲(chǔ)器單元所執(zhí)行的感測(cè)操作可確定7,300個(gè)存儲(chǔ)器單元具有大于感測(cè)電壓S2的Vt。具有大于感測(cè)電壓的Vt的經(jīng)確定數(shù)量的存儲(chǔ)器單元可包含(例如)具有位于感測(cè)電 壓右側(cè)的Vt的所有存儲(chǔ)器單元，例如，在圖式401中Vt電平位于感測(cè)電壓右側(cè)的所有存儲(chǔ)器單元。可至少部分地基于存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。舉例來(lái)說(shuō)，可將存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量各自與所存儲(chǔ)值相比較。所存儲(chǔ)值可對(duì)應(yīng)于編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。經(jīng)界定Vt區(qū)域可為(例如)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器單元的經(jīng)編程狀態(tài)的Vt分布(例如，先前結(jié)合圖2所描述的Vt分布225-2和/或225-3)、對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器單元的經(jīng)編程狀態(tài)的Vt分布的一部分，或?qū)?yīng)于存儲(chǔ)器單元的多個(gè)經(jīng)編程狀態(tài)的多個(gè)Vt分布。作為實(shí)例，所存儲(chǔ)值可為7,315，例如，7,315個(gè)存儲(chǔ)器單元可能已經(jīng)編程到在先前結(jié)合圖2所描述的Vt分布225-2或Vt分布225-3內(nèi)的Vt。可接著至少部分地基于所述比較而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。舉例來(lái)說(shuō)，如果存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量處于所存儲(chǔ)值的特定范圍內(nèi)，那么可將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓調(diào)整到用以執(zhí)行確定處于所存儲(chǔ)值的特定范圍內(nèi)的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量的感測(cè)操作的感測(cè)電壓。所存儲(chǔ)值的特定范圍可為(例如)與錯(cuò)誤校正操作(例如，將要對(duì)隨后使用經(jīng)調(diào)整感測(cè)電壓所感測(cè)的數(shù)據(jù)執(zhí)行的后續(xù)錯(cuò)誤校正操作)的通過(guò)相關(guān)聯(lián)的范圍。也就是說(shuō)，所存儲(chǔ)值的特定范圍可對(duì)應(yīng)于位的數(shù)量(例如，60)。在先前實(shí)例中，具有大于S0的Vt的存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量(例如，7,000)和具有大于S1的Vt的存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量(例如，7,400)不處于所存儲(chǔ)值(例如，7,315)的特定范圍(例如，60)內(nèi)。然而，具有大于S2的Vt的存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量(例如，7,300)處于所存儲(chǔ)值的特定范圍內(nèi)。因此，可將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓調(diào)整到感測(cè)電壓S2。作為額外實(shí)例，可使用第一感測(cè)電壓(例如，感測(cè)電壓S0)而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第一感測(cè)操作以確定具有大于第一感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量?？山又容^存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量與所存儲(chǔ)值。如本文中先前所描述，所存儲(chǔ)值可對(duì)應(yīng)于編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。如果存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量處于所存儲(chǔ)值的特定范圍內(nèi)，那么可將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓調(diào)整到第一感測(cè)電壓。如本文中先前所描述，所存儲(chǔ)值的特定范圍可為(例如)與錯(cuò)誤校正操作的通過(guò)相關(guān)聯(lián)的范圍。如果存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量不處于所存儲(chǔ)值的特定范圍內(nèi)，那么可使用第二感測(cè)電壓(例如，感測(cè)電壓S1)而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行第二感測(cè)操作以確定具有大于第二感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量。如果存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量大于所存儲(chǔ)值，那么第二 感測(cè)電壓可大于第一感測(cè)電壓，且如果存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量小于所存儲(chǔ)值，那么第二感測(cè)電壓可小于第一感測(cè)電壓。另外，第二感測(cè)電壓與第一感測(cè)電壓被隔開(kāi)所達(dá)的電壓量可至少部分地基于存儲(chǔ)器單元的第一數(shù)量處于所存儲(chǔ)值的特定范圍外所達(dá)的量?？山又容^存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量與所存儲(chǔ)值。如果存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量處于所存儲(chǔ)值的特定范圍內(nèi)，那么可將用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓調(diào)整到第二感測(cè)電壓。如果存儲(chǔ)器單元的第二數(shù)量不處于所存儲(chǔ)值的特定范圍內(nèi)，那么可使用一個(gè)或一個(gè)以上感測(cè)電壓(例如，感測(cè)電壓S3)來(lái)重復(fù)此過(guò)程。圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置503的框圖。如圖5所示，存儲(chǔ)器裝置503包含存儲(chǔ)器陣列500，和耦合到存儲(chǔ)器陣列500的控制器562。如圖5所示，存儲(chǔ)器陣列500可任選地包含計(jì)數(shù)器564。計(jì)數(shù)器564可位于(例如)存儲(chǔ)器陣列500中的一個(gè)或一個(gè)以上字線的末端處。存儲(chǔ)器陣列500可為(例如)先前結(jié)合圖1所描述的存儲(chǔ)器陣列100。盡管圖5中展示一個(gè)存儲(chǔ)器陣列，但本發(fā)明的實(shí)施例不受此限制，例如，存儲(chǔ)器裝置503可包含耦合到控制器562的一個(gè)以上存儲(chǔ)器陣列。控制器562可包含(例如)控制電路和/或固件，且可包含于與存儲(chǔ)器陣列500相同的物理裝置(例如，相同的裸片)上，或可包含于以通信方式耦合到包含存儲(chǔ)器陣列500的物理裝置的單獨(dú)物理裝置上?？刂破?62可通過(guò)調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓(例如，讀取電壓)來(lái)跟蹤和/或補(bǔ)償存儲(chǔ)器陣列500中的存儲(chǔ)器單元中的閾值電壓(Vt)改變(例如，偏移)。如本文中先前所描述，用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓的調(diào)整可至少部分地基于具有大于數(shù)個(gè)感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。舉例來(lái)說(shuō)，控制器562可使用數(shù)個(gè)不同感測(cè)電壓而對(duì)存儲(chǔ)器陣列500中的數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行數(shù)個(gè)感測(cè)操作以確定具有大于每一相應(yīng)感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。以類似于先前結(jié)合圖3和/或4所描述的方式，控制器562可接著至少部分地基于存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。舉例來(lái)說(shuō)，控制器562可確定存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量之間的差，且至少部分地基于經(jīng)確定差而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓?；蛘吆?或另外，控制器562可比較存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定數(shù)量與所存儲(chǔ)值，且至少部分地基于所述比較而調(diào)整用以確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。如先前結(jié)合圖4所描述，所存儲(chǔ)值可對(duì)應(yīng)于編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量?？赏ㄟ^(guò)位于存儲(chǔ)器陣列500中的計(jì)數(shù)器564來(lái)確定編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。舉例來(lái)說(shuō)，計(jì)數(shù)器564可隨著編程到在經(jīng)界定Vt區(qū) 域內(nèi)的Vt的存儲(chǔ)器單元被編程而計(jì)數(shù)所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。另外，所存儲(chǔ)值可存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器陣列500中。也就是說(shuō)，存儲(chǔ)器陣列500中的一個(gè)或一個(gè)以上存儲(chǔ)器單元可存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量的數(shù)據(jù)?？刂破?62可使用經(jīng)調(diào)整感測(cè)電壓來(lái)確定存儲(chǔ)器陣列500中的數(shù)個(gè)存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，控制器562可使用經(jīng)調(diào)整感測(cè)電壓而對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行感測(cè)操作以感測(cè)存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)?？刂破?62可響應(yīng)于對(duì)與存儲(chǔ)器單元的經(jīng)確定(例如，經(jīng)感測(cè))狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)所執(zhí)行的錯(cuò)誤校正操作的失敗而執(zhí)行(例如，自動(dòng)地)數(shù)個(gè)感測(cè)操作以確定具有大于每一感測(cè)電壓的Vt的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。如本文中先前所描述，錯(cuò)誤校正操作的失敗可由(例如)存儲(chǔ)器單元的Vt偏移造成。圖5所說(shuō)明的實(shí)施例可包含未經(jīng)說(shuō)明以便不混淆本發(fā)明的實(shí)施例的額外電路。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器裝置503可包含用以鎖存通過(guò)I/O電路在I/O連接器上提供的地址信號(hào)的地址電路。可通過(guò)行解碼器和列解碼器來(lái)接收和解碼地址信號(hào)以存取存儲(chǔ)器陣列500。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，地址輸入連接器的數(shù)目可取決于存儲(chǔ)器裝置503和/或存儲(chǔ)器陣列500的密度和架構(gòu)。結(jié)論本發(fā)明包含用于調(diào)整裝置內(nèi)感測(cè)電壓的方法、裝置和系統(tǒng)。一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例包含存儲(chǔ)器單元和控制器，所述控制器經(jīng)配置以使用感測(cè)電壓而對(duì)所述存儲(chǔ)器單元執(zhí)行感測(cè)操作以確定具有大于所述感測(cè)電壓的閾值電壓(Vt)的所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)量，且至少部分地基于存儲(chǔ)器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定所述存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)的感測(cè)電壓。盡管本文已說(shuō)明和描述特定實(shí)施例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，可用經(jīng)計(jì)算以達(dá)成相同結(jié)果的布置來(lái)取代所示的特定實(shí)施例。本發(fā)明希望涵蓋本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施例的調(diào)適或變化。應(yīng)理解，已以說(shuō)明性方式而非以限制性方式進(jìn)行以上描述。在審閱以上描述后，以上實(shí)施例的組合和本文中未特定地描述的其它實(shí)施例對(duì)于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見(jiàn)。本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施例的范圍包含供使用以上結(jié)構(gòu)和方法的其它應(yīng)用。在前述詳細(xì)描述中，出于使本發(fā)明流暢的目的而在單一實(shí)施例中將一些特征分組在一起。本發(fā)明的此方法不應(yīng)被解釋為反映本發(fā)明的所揭示實(shí)施例必須使用比每一權(quán)利要求中明確地?cái)⑹龅奶卣鞫嗟奶卣鞯囊鈭D。相反地，如所附權(quán)利要求書(shū)所反映，本發(fā)明的標(biāo)的在于比單一所揭示實(shí)施例的所有特征少的特征。因此，所附權(quán)利要求特此并入到詳 細(xì)描述中，其中每一權(quán)利要求作為單獨(dú)實(shí)施例而獨(dú)自地有效。