1.一種多模態(tài)憶阻器存儲器，包括：
具有多個操作模式的憶阻器；以及
選擇憶阻器的多個操作模式中的操作模式的可重配置接口驅(qū)動器，
其中憶阻器操作在由可重配置接口驅(qū)動器選擇的操作模式中。
2.權(quán)利要求1的多模態(tài)憶阻器存儲器，其中多個中的操作模式是憶阻器的多級單元（MLC）模式，接口驅(qū)動器從MLC模式的多個憶阻器狀態(tài)之中進行選擇。
3.權(quán)利要求1的多模態(tài)憶阻器存儲器，其中多個中的操作模式是憶阻器的單級單元（SLC）模式。
4.權(quán)利要求3的多模態(tài)憶阻器存儲器，其中可重配置接口驅(qū)動器包括脈沖發(fā)生器以生成在SLC模式的憶阻器狀態(tài)對之間切換憶阻器的脈沖。
5.權(quán)利要求3的多模態(tài)憶阻器存儲器，其中可重配置接口驅(qū)動器提供淺憶阻器狀態(tài)，淺憶阻器狀態(tài)促進擴展憶阻器的壽命。
6.權(quán)利要求1的多模態(tài)憶阻器存儲器，其中可重配置接口驅(qū)動器包括多個讀取電路和另一多個寫入電路，每一個讀取電路對應(yīng)于憶阻器操作模式中的不同一個，并且每一個寫入電路對應(yīng)于憶阻器操作模式中的不同一個。
7.權(quán)利要求6的多模態(tài)憶阻器存儲器，其中可重配置接口驅(qū)動器還包括模式選擇器以在讀取電路和寫入電路中的一個或二者之中進行選擇，從而選擇憶阻器的對應(yīng)操作模式。
8.權(quán)利要求1的多模態(tài)憶阻器存儲器，其中通過可重配置接口驅(qū)動器的操作模式的選擇在啟動時間處、在設(shè)備配置時間處和在運行時期間中的一個或多個處靜態(tài)地提供。
9.一種多模態(tài)憶阻器存儲器系統(tǒng)，包括：
包括多個憶阻器的憶阻器陣列，多個中的憶阻器具有第一操作模式和第二操作模式；
在第一操作模式和第二操作模式中的一個中選擇性地操作憶阻器陣列的可選讀取/寫入電路；以及
控制可選讀取/寫入電路并且在第一操作模式和第二操作模式之間進行選擇的模式選擇器。
10.權(quán)利要求9的多模態(tài)憶阻器存儲器系統(tǒng)，其中可選讀取/寫入電路包括：
對應(yīng)于憶阻器陣列的多個憶阻器中的憶阻器的第一操作模式的第一讀取/寫入電路；以及
對應(yīng)于憶阻器陣列的多個憶阻器中的憶阻器的第二操作模式的第二讀取/寫入電路，
其中模式選擇器包括在對應(yīng)于第一操作模式的第一讀取/寫入電路和對應(yīng)于第二操作模式的第二讀取/寫入電路之間進行選擇的開關(guān)。
11.權(quán)利要求9的多模態(tài)憶阻器存儲器系統(tǒng)，其中第一操作模式是多級單元（MLC）模式并且第二操作模式是憶阻器陣列的單級單元（SLC）模式。
12.權(quán)利要求9的多模態(tài)憶阻器存儲器系統(tǒng)，其中第一和第二操作模式二者是單級單元（SLC）模式，可選讀取/寫入電路包括：
提供高數(shù)據(jù)吞吐量SLC模式的第一SLC模式讀取/寫入電路；以及
對應(yīng)于壽命擴展SLC模式的第二SLC模式讀取/寫入電路，
其中模式選擇器包括在第一和第二SLC模式讀取/寫入電路之間進行選擇的開關(guān)。
13.權(quán)利要求9的多模態(tài)憶阻器存儲器系統(tǒng)，其中模式選擇器包括非易失性存儲器以在沒有施加到多模態(tài)憶阻器存儲器系統(tǒng)的電力的情況下保持第一操作模式和第二操作模式中的對應(yīng)一個和可選讀取/寫入電路的選擇。
14.一種憶阻器存儲器的多模態(tài)操作的方法，方法包括：
選擇憶阻器存儲器的操作模式，所選操作模式是憶阻器存儲器的憶阻器的多個操作模式中的一個；以及
激活對應(yīng)于憶阻器存儲器的所選操作模式的接口驅(qū)動器的部分，
其中激活接口驅(qū)動器部分將接口驅(qū)動器配置成在所選操作模式中操作憶阻器存儲器。
15.權(quán)利要求14的憶阻器存儲器的多模態(tài)操作的方法，其中憶阻器存儲器的所選操作模式包括憶阻器存儲器的多級單元（MLC）模式、促進憶阻器存儲器的高數(shù)據(jù)吞吐量的單級單元（SLC）模式和促進憶阻器存儲器的擴展壽命操作的SLC模式中的一個。