1.一種用于磁性隧道結(jié)的材料層堆疊體，所述材料層堆疊體包括：
在固定磁性層和自由磁性層之間的介質(zhì)層；
相鄰于所述固定磁性層的過濾層；以及
相鄰于所述自由磁性層的插入層，
其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個包括具有1特斯拉或更小的磁通量密度的材料。
2.如權(quán)利要求1所述的材料層堆疊體，其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個的材料的磁通量密度在0.1特斯拉到1特斯拉的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1或2中的任一項所述的材料層堆疊體，其中所述插入層和所述過濾層中的每一個均包括具有1特斯拉或更小的磁通量密度的材料。
4.如權(quán)利要求1所述的材料層堆疊體，其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個的材料是非晶形的。
5.如權(quán)利要求4所述的材料層堆疊體，其中所述材料包括鈷鋯鉭。
6.如權(quán)利要求1或2中的任一項所述的材料層堆疊體，其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個的材料是至少部分結(jié)晶的。
7.如權(quán)利要求1或2中的任一項所述的材料層堆疊體，其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個的材料是合金。
8.如權(quán)利要求1或2中的任一項所述的材料層堆疊體，其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個與對應的磁性層之間的表面各向異性大于每平方米0.5毫焦。
9.一種非易失性存儲器設備，包括：
材料堆疊體，其包括：
在固定磁性層和自由磁性層之間的介質(zhì)層；
相鄰于所述固定磁性層的過濾層；
相鄰于所述自由磁性層的插入層，其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個包括具有1特斯拉或更小的磁通量密度的材料；
設置在所述材料堆疊體的第一側(cè)上的第一電極；
設置在所述材料堆疊體的第二側(cè)上的第二電極；以及
耦合到所述第一電極或所述第二電極的晶體管設備。
10.如權(quán)利要求9所述的設備，其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個的材料的磁通量密度在0.1特斯拉到1特斯拉的范圍內(nèi)。
11.如權(quán)利要求9或10中的任一項所述的設備，其中所述插入層和所述過濾層中的每一個均包括具有1特斯拉或更小的磁通量密度的材料。
12.如權(quán)利要求9或10中的任一項所述的設備，其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個的材料是非晶形的。
13.如權(quán)利要求9或10中的任一項所述的設備，其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個的材料是至少部分結(jié)晶的。
14.如權(quán)利要求9或10中的任一項所述的設備，其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個的材料是合金。
15.如權(quán)利要求9或10中的任一項所述的設備，其中所述插入層和所述過濾層中的至少一個與對應的固定磁性層和自由磁性層之間的表面各向異性大于每平方米0.5毫焦。
16.一種方法，包括：
在存儲器設備的第一電極上形成包括具有1特斯拉或更小的磁通量密度的材料的插入層；
在所述插入層上形成材料層堆疊體，所述材料層堆疊體包括在固定磁性層和自由磁性層之間的介質(zhì)層，其中所述插入層與所述自由磁性層并置并接觸；以及
在所述材料堆疊體上形成第二電極。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括形成過濾層，其中所述過濾層與所述固定磁性層并置并接觸。
18.如權(quán)利要求16或17中的任一項所述的方法，其中所述插入層的材料是非晶形的。
19.如權(quán)利要求16或17中的任一項所述的方法，其中所述插入層的材料是至少部分結(jié)晶的。
20.如權(quán)利要求16或17中的任一項所述的方法，其中所述插入層的材料是合金。
21.一種非易失性存儲器設備，所述非易失性存儲器設備通過權(quán)利要求16-20中的任一項所述的方法來制造。