本發(fā)明涉及一種電子電路，尤其涉及一種感測(cè)放大器電路。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有技術(shù)中，NOR型快閃存儲(chǔ)器通常利用Y解碼器以及字線來(lái)選擇存儲(chǔ)器晶胞陣列當(dāng)中的兩個(gè)存儲(chǔ)器晶胞，其一作為參考晶胞，另一作為存取晶胞(accessed cell)。NOR型快閃存儲(chǔ)器的感測(cè)放大器電路通常都包括兩個(gè)電流電壓轉(zhuǎn)換器，以在預(yù)充電期間之后，分別汲取參考晶胞以及存取晶胞所提供的電流，并且將所汲取的電流轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。接著，感測(cè)放大器電路再依據(jù)轉(zhuǎn)換所得的電壓信號(hào)來(lái)判斷存取晶胞的狀態(tài)。但是依據(jù)此種電路架構(gòu)(即兩個(gè)電流電壓轉(zhuǎn)換器)，受限于位線的大電容負(fù)載，感測(cè)放大器電路的預(yù)充電期間通常花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間，其判斷速度因此受限。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種感測(cè)放大器電路，其可快速判斷存儲(chǔ)器晶胞的狀態(tài)。

本發(fā)明的感測(cè)放大器電路包括第一感測(cè)通道、第二感測(cè)通道以及感測(cè)放大器。第一感測(cè)通道耦接至存取位線。第一感測(cè)通道包括驅(qū)動(dòng)放大器電路。在預(yù)充電期間，驅(qū)動(dòng)放大器電路驅(qū)動(dòng)存取位線，以在預(yù)充電期間之后產(chǎn)生感測(cè)電壓。第二感測(cè)通道耦接至參考位線，用以提供參考電壓。感測(cè)放大器耦接至第一感測(cè)通道以及第二感測(cè)通道。感測(cè)放大器用以在預(yù)充電期間之后依據(jù)感測(cè)電壓以及參考電壓來(lái)判斷存取位線所耦接的存取晶胞(cell)的狀態(tài)。

基于上述，在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，在預(yù)充電期間，驅(qū)動(dòng)放大器電路驅(qū)動(dòng)存取位線，以在預(yù)充電期間之后產(chǎn)生感測(cè)電壓。感測(cè)放大器依據(jù)感測(cè)電壓以及參考電壓來(lái)判斷存取晶胞的狀態(tài)，以提高判斷速度。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的感測(cè)放大器電路的概要示意圖；

圖2為圖1實(shí)施例的感測(cè)放大器電路感測(cè)第一狀態(tài)的存取晶胞時(shí)各電氣信號(hào)的概要波形圖；

圖3為圖1實(shí)施例的感測(cè)放大器電路感測(cè)第二狀態(tài)的存取晶胞時(shí)各電氣信號(hào)的概要波形圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

100：感測(cè)放大器電路；

110：第一感測(cè)通道；

112：驅(qū)動(dòng)放大器；

113：驅(qū)動(dòng)放大器電路；

114：開(kāi)關(guān)；

120：第二感測(cè)通道；

122：電流電壓轉(zhuǎn)換器；

130：感測(cè)放大器；

210：存取晶胞；

220：參考晶胞；

VNH：控制信號(hào)；

VCA：感測(cè)電壓；

VCR：參考電壓；

ICR：參考電流；

BLc：存取位線；

BLr：參考位線；

WLc：存取字線；

WLr：參考字線；

Yc、Yr：信號(hào)；

VSS：電壓；

T1：預(yù)充電期間；

T2：信號(hào)發(fā)展期間。

具體實(shí)施方式

以下提出多個(gè)實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，然而本發(fā)明不僅限于所例示的多個(gè)實(shí)施例。又實(shí)施例之間也允許有適當(dāng)?shù)慕Y(jié)合。在本案說(shuō)明書(shū)全文(包括權(quán)利要求書(shū))中所使用的“耦接”一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則應(yīng)該被解釋成該第一裝置可以直接連接于該第二裝置，或者該第一裝置可以透過(guò)其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。此外，“信號(hào)”一詞可指至少一電流、電壓、電荷、溫度、數(shù)據(jù)、電磁波或任何其他一或多個(gè)信號(hào)。

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的感測(cè)放大器電路的概要示意圖。請(qǐng)參考圖1，本實(shí)施例的感測(cè)放大器電路100包括第一感測(cè)通道110、第二感測(cè)通道120以及感測(cè)放大器130。在本實(shí)施例中，第一感測(cè)通道110耦接至存取位線BLc。第一感測(cè)通道110包括驅(qū)動(dòng)放大器電路113，用以提供感測(cè)電壓VCA至感測(cè)放大器130。第二感測(cè)通道120耦接至參考位線BLr，用以提供參考電壓VCR至感測(cè)放大器130。感測(cè)放大器130耦接至第一感測(cè)通道110以及第二感測(cè)通道120。感測(cè)放大器130用以依據(jù)感測(cè)電壓VCA以及參考電壓VCR來(lái)判斷存取位線BLc所耦接的存取晶胞210的狀態(tài)。其中，電壓VSS是系統(tǒng)低電壓，例如為接地電壓。

在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)放大器電路113包括驅(qū)動(dòng)放大器112以及開(kāi)關(guān)114。驅(qū)動(dòng)放大器112包括第一輸入端、第二輸入端以及輸出端。第一輸入端接收參考電壓VCR，以及第二輸入端耦接至輸出端。在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)放大器112例如是單位增益放大器(unity gain amplifier)，然而本發(fā)明并不加以限制。此外，本實(shí)施例的開(kāi)關(guān)114耦接至驅(qū)動(dòng)放大器112的輸出端，受控于控制信號(hào)VNH。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)114例如可以是選自P型金氧半晶體管以及N型金氧半晶體管兩者其中之一。依據(jù)開(kāi)關(guān)114種類(lèi)的不同，控制信號(hào)VNH用以控制開(kāi)關(guān)114導(dǎo)通狀態(tài)的電壓電平亦隨之調(diào)整。舉例而言，以N型金氧半晶體管實(shí)施的開(kāi)關(guān)114為例，高電平的控制信號(hào)VNH用以開(kāi)啟開(kāi)關(guān)114，低電平的控制信號(hào)VNH用以關(guān)閉開(kāi)關(guān)114。反之，以P型金氧半晶體管實(shí)施的開(kāi)關(guān)114為例，低電平的控制信號(hào)VNH用以開(kāi)啟開(kāi)關(guān)114，高電平的控制信號(hào)VNH用以關(guān)閉開(kāi)關(guān)114。

在本實(shí)施例中，第二感測(cè)通道120包括電流電壓轉(zhuǎn)換器122。電流電壓 轉(zhuǎn)換器122耦接至感測(cè)放大器130，用以將參考位線BLr所提供的參考電流ICR轉(zhuǎn)換為參考電壓VCR。在本實(shí)施例中，電流電壓轉(zhuǎn)換器122可由所屬技術(shù)領(lǐng)域的任一種電流電壓轉(zhuǎn)換器電路來(lái)加以實(shí)施，本發(fā)明并不加以限制，其內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)及其實(shí)施方式可以由所屬技術(shù)領(lǐng)域的通常知識(shí)獲致足夠的教示、建議與實(shí)施說(shuō)明，因此不再贅述。

在本實(shí)施例中，存取晶胞210及參考晶胞220例如是NOR型快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器晶胞陣列當(dāng)中的兩個(gè)存儲(chǔ)器晶胞。NOR型快閃存儲(chǔ)器的每一個(gè)存儲(chǔ)器晶胞與一個(gè)字線及一個(gè)位線連結(jié)。在本實(shí)施例中，存取晶胞210與存取字線WLc及存取位線BLc連結(jié)，參考晶胞220與參考字線WLr及參考位線BLr連結(jié)。NOR型快閃存儲(chǔ)器例如是利用Y解碼器(Y decoder)提供的信號(hào)Yc及Yr以及存取字線WLc、參考字線WLr來(lái)選擇存儲(chǔ)器晶胞陣列當(dāng)中的兩個(gè)存儲(chǔ)器晶胞，即存取晶胞210及參考晶胞220。

在本實(shí)施例中，感測(cè)放大器130依據(jù)感測(cè)電壓VCA以及參考電壓VCR來(lái)判斷存取晶胞210的狀態(tài)是第一狀態(tài)或第二狀態(tài)。在本實(shí)施例中，第一狀態(tài)例如是“0”狀態(tài)，對(duì)應(yīng)存取晶胞210的寫(xiě)入狀態(tài)(programed state)，第二狀態(tài)例如是“1”狀態(tài)，對(duì)應(yīng)存取晶胞210的抹除狀態(tài)(erased state)，惟本發(fā)明并不加以限制。在一實(shí)施例中，“0”狀態(tài)也可以設(shè)定為對(duì)應(yīng)存取晶胞210的抹除狀態(tài)，“1”狀態(tài)也可以設(shè)定為對(duì)應(yīng)存取晶胞210的寫(xiě)入狀態(tài)。

下面說(shuō)明感測(cè)放大器130如何依據(jù)感測(cè)電壓VCA以及參考電壓VCR來(lái)判斷存取晶胞210的狀態(tài)。

圖2為圖1實(shí)施例的感測(cè)放大器電路感測(cè)第一狀態(tài)的存取晶胞時(shí)各電氣信號(hào)的概要波形圖。請(qǐng)參考圖1及圖2，在本實(shí)施例中，感測(cè)放大器電路100的操作期間大致可分為預(yù)充電期間T1以及在預(yù)充電期間T1之后的信號(hào)發(fā)展期間T2。在預(yù)充電期間T1，控制信號(hào)VNH開(kāi)啟開(kāi)關(guān)114。驅(qū)動(dòng)放大器113的第一輸入端接收參考電壓VCR以作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出，經(jīng)由開(kāi)關(guān)114來(lái)驅(qū)動(dòng)存取字線WLc。因此，在預(yù)充電期間T1，感測(cè)電壓VCA逐漸上升至高電平，以在預(yù)充電期間T1之中靠近信號(hào)發(fā)展期間T2的部分期間，其電壓電平與參考電壓VCR實(shí)質(zhì)上相同。在本實(shí)施例中，在預(yù)充電期間T1，感測(cè)電壓VCA的電壓轉(zhuǎn)換速率小于參考電壓VCR的電壓轉(zhuǎn)換速率。另一方面，在預(yù)充電期間T1，參考字線WLr上的電壓電平大部分期間是處于低電平狀態(tài)，以關(guān)閉 參考晶胞220。此際，參考電壓VCR的電壓電平是等于第一狀態(tài)的電壓電平。

接著，在信號(hào)發(fā)展期間T2，控制信號(hào)VNH關(guān)閉開(kāi)關(guān)114，并且存取晶胞210及參考晶胞220都被開(kāi)啟。在信號(hào)發(fā)展期間T2，電流電壓轉(zhuǎn)換器122持續(xù)工作以調(diào)整參考電壓VCR的電壓電平。在本實(shí)施例中，參考電壓VCR線性下降，并據(jù)此作為判斷存取晶胞210狀態(tài)的基準(zhǔn)。在一實(shí)施例中，參考電壓VCR會(huì)線性下降至預(yù)設(shè)的電壓電平而達(dá)到飽和狀態(tài)，本發(fā)明并不加以限制。另一方面，在信號(hào)發(fā)展期間T2，若存取晶胞210是處于第一狀態(tài)，例如是寫(xiě)入狀態(tài)，感測(cè)電壓VCA實(shí)質(zhì)上會(huì)維持在高電平，并且大于參考電壓VCR的電壓電平。因此，在本實(shí)施例中，感測(cè)放大器130在預(yù)充電期間T1之后的任一時(shí)間點(diǎn)，可依據(jù)感測(cè)電壓VCA和參考電壓VCR的大小關(guān)系(例如感測(cè)電壓VCA大于參考電壓VCR)來(lái)判斷存取晶胞210處于第一狀態(tài)。在一實(shí)施例中，感測(cè)電壓VCA可能受到鄰近位線耦合的影響而略為下降，如圖2中的虛線所示，惟其電壓電平仍高于參考電壓VCR，感測(cè)放大器130仍可準(zhǔn)確判斷存取晶胞210狀態(tài)，不受影響。

圖3為圖1實(shí)施例的感測(cè)放大器電路感測(cè)第二狀態(tài)的存取晶胞時(shí)各電氣信號(hào)的概要波形圖。請(qǐng)參考圖1至圖3，本實(shí)施例的感測(cè)放大器電路100的操作方式類(lèi)似于圖2實(shí)施例，然而兩者之間的差異主要例如在于存取晶胞210是處于第二狀態(tài)，例如是抹除狀態(tài)。

具體而言，在信號(hào)發(fā)展期間T2，若存取晶胞210是處于第二狀態(tài)，例如是抹除狀態(tài)，感測(cè)電壓VCA實(shí)質(zhì)上會(huì)線性下降，其下降幅度較感測(cè)電壓VCA大，如圖3所示，因此感測(cè)電壓VCA的電壓電平小于參考電壓VCR。因此，在本實(shí)施例中，感測(cè)放大器130在預(yù)充電期間T1之后的任一時(shí)間點(diǎn)，可依據(jù)感測(cè)電壓VCA和參考電壓VCR的大小關(guān)系(例如感測(cè)電壓VCA小于參考電壓VCR)來(lái)判斷存取晶胞210處于第二狀態(tài)。

另外，本實(shí)施例的感測(cè)放大器電路100的其他操作方式可以由圖2實(shí)施例的敘述中獲致足夠的教示、建議與實(shí)施說(shuō)明，因此不再贅述。

綜上所述，在本發(fā)明的范例實(shí)施例中，第一感測(cè)通道不包括電流電壓轉(zhuǎn)換器。在預(yù)充電期間，驅(qū)動(dòng)放大器電路驅(qū)動(dòng)存取位線，以在預(yù)充電期間之后產(chǎn)生感測(cè)電壓。感測(cè)放大器在預(yù)充電期間之后依據(jù)感測(cè)電壓以及參考電壓的大小關(guān)系來(lái)判斷存取晶胞的是處于第一狀態(tài)還是第二狀態(tài)。在預(yù)充電期間之 后，若感測(cè)電壓大于參考電壓，感測(cè)放大器判斷存取晶胞處于第一狀態(tài)。在預(yù)充電期間之后，若感測(cè)電壓小于參考電壓，感測(cè)放大器判斷存取晶胞處于第二狀態(tài)。感測(cè)放大器電路依據(jù)此方式來(lái)區(qū)別存儲(chǔ)器晶胞的狀態(tài)，可提高判斷速度。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。