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      具有非易失性存儲器單元與參考單元的集成電路的制作方法

      文檔序號:12609662閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.一種集成電路,其特征在于,包括:

      一第一存儲器單元,具有一第一阻抗;

      一感應(yīng)放大器電路,包括一第一參考單元,具有一第一參考阻抗;

      一存儲器,存儲該第一參考單元的一更新狀態(tài);以及

      一控制電路,編程該第一存儲器單元后,更新存于該存儲器內(nèi)的該更新狀態(tài)以表示一條件滿足后,該第一存儲器單元的該第一阻抗與該第一參考單元的該第一參考阻抗被更新。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該條件是下列其中之一:一經(jīng)過周期、該控制電路接收到該集成電路的一電源關(guān)閉所造成的一信號,或該控制電路接收到提供電源至該集成電路的一備用電源所發(fā)出的一信號。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該第一存儲器單元與該第一參考單元共享相同單元架構(gòu)。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該第一存儲器單元與該第一參考單元共享相同可編程阻抗材質(zhì)。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該第一阻抗存儲多個位,該第一參考單元存儲不同參考阻抗的多個參考單元之一,該感應(yīng)放大器電路比較該第一阻抗與該些不同參考阻抗,以決定該第一阻抗所代表的該些位,且該條件滿足后,該些參考單元被更新。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該第一阻抗存儲多個位,該第一參考單元存儲不同參考阻抗的多個參考單元之一,該感應(yīng)放大器電路比較該第一阻抗與該些不同參考阻抗,以決定該第一阻抗所代表的該些位,且接收到該第一存儲器單元的一編程指令后,該控制電路編程該第一存儲器單元。

      7.一種集成電路,其特征在于,包括:

      一第一存儲器單元,具有一第一阻抗;

      一感應(yīng)放大器電路,包括一第一參考單元,具有一第一參考阻抗;以及

      一控制電路,編程該第一存儲器單元后,編程該第一參考單元。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路,其中該第一存儲器單元與該第一參考單元共享相同單元架構(gòu)。

      9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路,其中該第一存儲器單元與該第一參考單元共享相同可編程阻抗材質(zhì)。

      10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路,其中該第一阻抗存儲多個位,該第一參考單元存儲不同參考阻抗的多個參考單元之一,該感應(yīng)放大器電路比較該第一阻抗與該些不同參考阻抗,以決定該第一阻抗所代表的該些位,且接收到該第一存儲器單元的一編程指令后,該控制電路編程該第一存儲器單元。

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