本申請(qǐng)要求2015年8月17日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2015-0115392號(hào)的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)全文通過(guò)引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的典型實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，且更具體地，涉及一種支持休眠模式操作的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法。

背景技術(shù)：

計(jì)算機(jī)環(huán)境范式已經(jīng)轉(zhuǎn)變?yōu)榭呻S時(shí)隨地使用的普適計(jì)算系統(tǒng)。因此，諸如移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)和筆記本電腦等便攜式電子裝置的使用繼續(xù)快速增加。便攜式電子裝置通常使用利用用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)系統(tǒng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可用作便攜式電子裝置的主存儲(chǔ)裝置或輔助存儲(chǔ)裝置。

因?yàn)樗鼈儾痪哂谢顒?dòng)部件，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置提供良好的穩(wěn)定性、耐用性、高的信息存取速度及低功耗。具有這種優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的示例包括通用串行總線(USB)存儲(chǔ)裝置、具有各種接口的存儲(chǔ)卡以及固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

各種實(shí)施例涉及能夠容易地檢查當(dāng)存儲(chǔ)裝置處于休眠模式時(shí)電源供應(yīng)是否已經(jīng)被停止的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法。

在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)系統(tǒng)可包括：存儲(chǔ)裝置，其使用從主機(jī)接收的第一電壓來(lái)操作，其中，存儲(chǔ)裝置適用于存儲(chǔ)操作信息的值，并響應(yīng)于主機(jī)的請(qǐng)求從休眠狀態(tài)喚醒；以及控制器，其使用從主機(jī)接收 的第二電壓來(lái)操作，其中，控制器適用于檢查操作信息的值并當(dāng)存儲(chǔ)裝置從休眠狀態(tài)喚醒時(shí)根據(jù)操作信息的值選擇性地重置存儲(chǔ)裝置。

操作信息可被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置的第一存儲(chǔ)區(qū)域并當(dāng)存儲(chǔ)裝置喚醒時(shí)被傳輸至存儲(chǔ)裝置的第二存儲(chǔ)區(qū)域，其中，控制器不能訪問(wèn)第一存儲(chǔ)區(qū)域且可以訪問(wèn)第二存儲(chǔ)區(qū)域。

當(dāng)存儲(chǔ)裝置處于休眠狀態(tài)時(shí)，第一電壓可根據(jù)主機(jī)的操作被選擇性地供應(yīng)至存儲(chǔ)裝置。

當(dāng)?shù)谝浑妷何幢还?yīng)至存儲(chǔ)裝置時(shí)，存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)區(qū)域中的操作信息可被保留，以及當(dāng)?shù)谝浑妷何幢还?yīng)至存儲(chǔ)裝置時(shí)，存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域中的操作信息可被重置。

當(dāng)存儲(chǔ)裝置被喚醒時(shí)控制器可讀取存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域中的操作信息并重置存儲(chǔ)裝置，當(dāng)存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域中的操作信息被重置時(shí)控制器可重置存儲(chǔ)裝置，以及當(dāng)存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域中的操作信息未被重置時(shí)控制器可不重置存儲(chǔ)裝置。

控制器可控制使得存儲(chǔ)裝置根據(jù)來(lái)自主機(jī)的請(qǐng)求進(jìn)入休眠狀態(tài)。

當(dāng)在預(yù)設(shè)時(shí)間周期期間沒(méi)有請(qǐng)求被從主機(jī)提供至存儲(chǔ)裝置時(shí)，控制器可確定存儲(chǔ)裝置處于閑置狀態(tài)，以及當(dāng)存儲(chǔ)裝置處于閑置狀態(tài)時(shí)，控制器可控制存儲(chǔ)裝置進(jìn)入休眠狀態(tài)。

操作信息可包括存儲(chǔ)裝置的識(shí)別信息、容量信息和設(shè)置信息，以及操作信息可能無(wú)法由主機(jī)訪問(wèn)。

在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，存儲(chǔ)系統(tǒng)包括存儲(chǔ)裝置和控制器，操作方法可包括：使用從主機(jī)接收的第一電壓操作存儲(chǔ)裝置；以及使用從主機(jī)接收的第二電壓操作控制器，其中，控制器的操作可包括：當(dāng)存儲(chǔ)裝置根據(jù)主機(jī)的請(qǐng)求從休眠狀態(tài)喚醒時(shí)檢查存儲(chǔ)裝置的操作信息；以及根據(jù)操作信息的檢查的結(jié)果選擇性地重置存儲(chǔ)裝置。

操作方法可進(jìn)一步包括：將操作信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置的第一存儲(chǔ) 區(qū)域中，其中，控制器不可訪問(wèn)第一存儲(chǔ)區(qū)域，以及當(dāng)存儲(chǔ)裝置喚醒時(shí)，將操作信息傳輸至存儲(chǔ)裝置的第二存儲(chǔ)區(qū)域，其中，控制器能訪問(wèn)第二存儲(chǔ)區(qū)域。

當(dāng)存儲(chǔ)裝置處于休眠狀態(tài)時(shí)，第一電壓可根據(jù)主機(jī)的操作被選擇性地供應(yīng)至存儲(chǔ)裝置。

當(dāng)?shù)谝浑妷何幢还?yīng)至存儲(chǔ)裝置時(shí)，存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)區(qū)域中的操作信息可被保留，以及當(dāng)?shù)谝浑妷何幢还?yīng)至存儲(chǔ)裝置時(shí)，存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域中的操作信息可被重置。

操作信息的檢查可包括：當(dāng)存儲(chǔ)裝置喚醒時(shí)檢查存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域中的操作信息是否被重置。

存儲(chǔ)裝置的選擇性重置可包括：當(dāng)確定存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域中的操作信息被重置時(shí)，重置存儲(chǔ)裝置；以及當(dāng)確定存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域中的操作信息未被重置時(shí)，不重置存儲(chǔ)裝置。

控制器的操作可進(jìn)一步包括：控制存儲(chǔ)裝置使得存儲(chǔ)裝置根據(jù)來(lái)自主機(jī)的請(qǐng)求進(jìn)入休眠狀態(tài)。

控制器的操作可進(jìn)一步包括：當(dāng)在預(yù)設(shè)時(shí)間周期期間沒(méi)有請(qǐng)求被從主機(jī)提供至存儲(chǔ)裝置時(shí)確定存儲(chǔ)裝置處于閑置狀態(tài)，以及控制存儲(chǔ)裝置使得當(dāng)存儲(chǔ)裝置處于閑置狀態(tài)時(shí)存儲(chǔ)裝置進(jìn)入休眠狀態(tài)。

操作信息可包括存儲(chǔ)裝置的識(shí)別信息、容量信息和設(shè)置信息，以及操作信息可能無(wú)法由主機(jī)訪問(wèn)。

附圖說(shuō)明

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的框圖。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的示意圖。

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)塊的電路圖。

圖4-11是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的各方面的示 意圖。

圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的支持休眠模式操作的存儲(chǔ)系統(tǒng)的簡(jiǎn)圖。

圖13是描述圖12所示的存儲(chǔ)系統(tǒng)的喚醒操作的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將參照附圖更詳細(xì)地描述各種實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以不同的形式呈現(xiàn)且不應(yīng)被解釋為限于在本文中提出的實(shí)施例。而是，這些實(shí)施例被提供使得本公開(kāi)是徹底且完整的并將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在整個(gè)公開(kāi)中，相似的參考數(shù)字指的是本發(fā)明的各種附圖和實(shí)施例中的相似部件。

參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100可包括主機(jī)102和存儲(chǔ)系統(tǒng)110。

主機(jī)102可包括任何合適的電子裝置。例如，主機(jī)102可包括諸如移動(dòng)手機(jī)、MP3播放器、筆記本電腦等便攜式電子裝置。主機(jī)可包括諸如臺(tái)式電腦、游戲機(jī)、TV、放映機(jī)等非便攜式電子裝置。

存儲(chǔ)系統(tǒng)110可響應(yīng)來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求而被操作。例如，存儲(chǔ)系統(tǒng)可存儲(chǔ)待被主機(jī)102訪問(wèn)的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)系統(tǒng)110可用作主機(jī)102的主存儲(chǔ)系統(tǒng)或輔助存儲(chǔ)系統(tǒng)。存儲(chǔ)系統(tǒng)110可根據(jù)與主機(jī)102電聯(lián)接的主機(jī)接口的協(xié)議利用任何合適的儲(chǔ)存裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)?？墒褂靡粋€(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。可使用易失性或非易失性存儲(chǔ)裝置。例如，存儲(chǔ)系統(tǒng)110可利用固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、多媒體卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、減小尺寸的MMC(RS-MMC)和微型-MMC、安全數(shù)碼(SD)卡、小型-SD和微型-SD、通用串行總線(USB)儲(chǔ)存裝置、通用閃速儲(chǔ)存(UFS)裝置、標(biāo)準(zhǔn)閃存(CF)卡、智能媒體(SM)卡、記憶棒等來(lái)實(shí)現(xiàn)。

用于存儲(chǔ)系統(tǒng)110的儲(chǔ)存裝置可利用諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的易失性存儲(chǔ)裝置或諸如只讀存儲(chǔ)器(ROM)、掩膜只讀存儲(chǔ)器(MROM)、可編程只讀存儲(chǔ) 器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)、相變RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)等非易失性存儲(chǔ)裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。

存儲(chǔ)系統(tǒng)110可包括存儲(chǔ)待被主機(jī)102訪問(wèn)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置150，和可控制存儲(chǔ)裝置150中的數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存的控制器130。

控制器130和存儲(chǔ)裝置150可集成為單一半導(dǎo)體裝置。例如，控制器130和存儲(chǔ)裝置150可集成為被配置為固態(tài)硬盤(SSD)的一個(gè)半導(dǎo)體裝置。配置存儲(chǔ)系統(tǒng)110為SSD可通常允許主機(jī)102的操作速度的顯著增加。

控制器130和存儲(chǔ)裝置150可集成為配置為諸如以下的存儲(chǔ)卡的單一半導(dǎo)體裝置：個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)卡國(guó)際聯(lián)合會(huì)(PCMCIA)卡、標(biāo)準(zhǔn)閃存(CF)卡、智能媒體(SM)卡(SMC)、記憶棒、多媒體卡(MMC)、RS-MMC和微型-MMC、安全數(shù)碼(SD)卡、小型-SD、微型-SD和SDHC、通用閃速儲(chǔ)存(UFS)裝置等。

而且，例如，存儲(chǔ)系統(tǒng)110可以是或配置計(jì)算機(jī)、超便攜移動(dòng)PC(UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板、平板電腦、無(wú)線手機(jī)、移動(dòng)手機(jī)、智能手機(jī)、電子書、便攜式多媒體播放器(PMP)、便攜式游戲機(jī)、導(dǎo)航裝置、黑匣子、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字多媒體廣播(DMB)播放器、三維(3D)電視、智能電視、數(shù)字音頻記錄器、數(shù)字音頻播放器、數(shù)字圖像記錄器、數(shù)字圖像播放器、數(shù)字視頻記錄器、數(shù)字視頻播放器、儲(chǔ)存配置、數(shù)據(jù)中心、能夠在無(wú)線環(huán)境下傳輸并接收信息的裝置、配置家庭網(wǎng)絡(luò)的各種電子裝置中的一種、配置計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的各種電子裝置中的一種、配置遠(yuǎn)程信息處理網(wǎng)絡(luò)的各種電子裝置中的一種、RFID裝置或配置計(jì)算系統(tǒng)的各種組成元件中的一種。

存儲(chǔ)裝置可在寫入操作期間儲(chǔ)存由主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)，并在讀取 操作期間將儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)提供至主機(jī)102。存儲(chǔ)裝置150可包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)塊152、154和156。存儲(chǔ)塊152、154和156中的每個(gè)可包括多個(gè)頁(yè)。每個(gè)頁(yè)可包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)字線(WL)可電聯(lián)接至多個(gè)存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)裝置150可以是當(dāng)中斷電源時(shí)保留儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)裝置。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，存儲(chǔ)裝置可以是閃速存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)裝置可以是具有三維(3D)堆棧結(jié)構(gòu)的閃速存儲(chǔ)裝置。在下文中，參照?qǐng)D2-圖11描述具有三維(3D)堆棧結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)裝置150的示例。

存儲(chǔ)系統(tǒng)110的控制器可響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求而控制存儲(chǔ)裝置150。控制器130可將從存儲(chǔ)裝置150讀取的數(shù)據(jù)提供至主機(jī)102，并將主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在存儲(chǔ)裝置150中。為此，控制器130可控制存儲(chǔ)裝置150的諸如讀取、寫入、編程和擦除操作的全部操作。

可使用任何合適的控制器。例如，控制器130可包括主機(jī)接口單元132、處理器134、錯(cuò)誤糾正碼(ECC)單元138、電源管理單元140、NAND閃速閃控制器142以及存儲(chǔ)器144。

主機(jī)接口單元132可處理主機(jī)102提供的命令和/或數(shù)據(jù)。主機(jī)接口單元132可通過(guò)諸如以下的各種接口協(xié)議中的至少一個(gè)與主機(jī)102通信：通用串行總線(USB)、多媒體卡(MMC)、外圍組件互連高速(PCI-E)、串列SCSI(SAS)、串行高級(jí)技術(shù)附件(SATA)、并行高級(jí)技術(shù)附件(PATA)、小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口(SCSI)、增強(qiáng)型小型磁盤接口(ESDI)、集成驅(qū)動(dòng)電路(IDE)等。

ECC單元138可檢測(cè)并糾正在讀取操作期間從存儲(chǔ)裝置150讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤?？蓱?yīng)用各種檢測(cè)和糾正技術(shù)。例如，當(dāng)錯(cuò)誤位的數(shù)量大于或等于可糾正錯(cuò)誤位的閾值數(shù)量時(shí)ECC單元138可不糾正錯(cuò)誤位，并可輸出表示糾正錯(cuò)誤位失敗的錯(cuò)誤糾正失敗信號(hào)。

ECC單元138可在諸如低密度奇偶檢查(LDPC)碼、博斯-查德胡里-霍昆格姆(BCH)碼、渦輪(turbo)碼、里德-所羅門(RS)碼、卷積碼、遞歸系統(tǒng)碼(RSC)、網(wǎng)格編碼調(diào)制(TCM)、分組編碼調(diào)制 (BCM)等編碼調(diào)制的基礎(chǔ)上來(lái)執(zhí)行錯(cuò)誤糾正操作。ECC單元138可包括錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正操作所需的任何和所有適合的電路、系統(tǒng)或裝置。

PMU 140可提供并管理用于控制器130的電源，即，用于包括在控制器130中的組成元件的電源。

NFC 142可用作控制器130和存儲(chǔ)裝置150之間的存儲(chǔ)接口以允許控制器130響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求控制存儲(chǔ)裝置150。NFC 142可生成用于存儲(chǔ)裝置150的控制信號(hào)。例如當(dāng)存儲(chǔ)裝置150為閃速存儲(chǔ)器時(shí)，特別地，當(dāng)存儲(chǔ)裝置150為NAND閃速存儲(chǔ)器時(shí)，NFC可在處理器134的控制下處理數(shù)據(jù)。

存儲(chǔ)器144可用作存儲(chǔ)系統(tǒng)110和控制器130的工作存儲(chǔ)器，并儲(chǔ)存用于驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)系統(tǒng)110和控制器130的數(shù)據(jù)。控制器130可響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的請(qǐng)求控制存儲(chǔ)裝置150。例如，控制器130可將從存儲(chǔ)裝置150讀取的數(shù)據(jù)提供至主機(jī)102并將主機(jī)102提供的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在存儲(chǔ)裝置150中。當(dāng)控制器130控制存儲(chǔ)裝置150的操作時(shí)，存儲(chǔ)器144可儲(chǔ)存被控制器130和存儲(chǔ)裝置150用于諸如讀取、寫入、編程和擦除操作的數(shù)據(jù)。

存儲(chǔ)器144可利用易失性存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，存儲(chǔ)器144可利用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)來(lái)實(shí)現(xiàn)。如上所說(shuō)，存儲(chǔ)器144可儲(chǔ)存被主機(jī)102和存儲(chǔ)裝置150用于讀取和寫入操作的數(shù)據(jù)。為了儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)器144可包括程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寫入緩沖器、讀取緩沖器、映射(map)緩沖器等。

處理器134可控制存儲(chǔ)系統(tǒng)110的一個(gè)或多個(gè)一般操作。處理器134可響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)102的寫入請(qǐng)求或讀取請(qǐng)求而控制對(duì)存儲(chǔ)裝置150的寫入操作或讀取操作。處理器134可驅(qū)動(dòng)被稱為閃速轉(zhuǎn)換層(FTL)的固件以控制存儲(chǔ)系統(tǒng)110的一般操作。處理器134可利用微處理器來(lái)實(shí)現(xiàn)。處理器可利用中央處理單元(CPU)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

管理單元(未示出)可被包括在處理器134中，并可執(zhí)行例如存儲(chǔ) 裝置150的壞塊管理。因此，管理單元可發(fā)現(xiàn)包括在存儲(chǔ)裝置150中的對(duì)于進(jìn)一步使用處于不滿意狀態(tài)的壞存儲(chǔ)塊，并在壞存儲(chǔ)塊上執(zhí)行壞塊管理。當(dāng)存儲(chǔ)裝置150為閃速存儲(chǔ)器例如NAND閃速存儲(chǔ)器時(shí)，由于NAND邏輯功能的特征編程失敗可發(fā)生在寫入操作期間。壞塊管理可將編程失敗的存儲(chǔ)塊或壞存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)編程到新的存儲(chǔ)塊中。由于編程失敗產(chǎn)生的壞塊可使存儲(chǔ)裝置，尤其是具有3D堆棧結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)裝置的利用效率惡化，并因此負(fù)面地影響存儲(chǔ)系統(tǒng)100的可靠性。

參照?qǐng)D2，根據(jù)實(shí)施例，存儲(chǔ)裝置150可包括多個(gè)存儲(chǔ)塊，例如，第0到第N-1塊210-240。多個(gè)存儲(chǔ)塊210-240中的每個(gè)可包括多個(gè)頁(yè)，例如，2^M個(gè)頁(yè)(2^M頁(yè))。多個(gè)頁(yè)中的每個(gè)可包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)字線可電聯(lián)接至多個(gè)存儲(chǔ)單元。

根據(jù)可被儲(chǔ)存或表達(dá)在每個(gè)存儲(chǔ)單元中的位的數(shù)量，存儲(chǔ)塊可以是單層單元(SLC)存儲(chǔ)塊或多層單元(MLC)存儲(chǔ)塊。SLC存儲(chǔ)塊可包括利用各自能夠存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)的多個(gè)頁(yè)。MLC存儲(chǔ)塊可包括利用各自能夠存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)，例如兩位數(shù)據(jù)或多位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)的多個(gè)頁(yè)。包括利用各自能夠存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)的多個(gè)頁(yè)的MLC存儲(chǔ)塊可被應(yīng)用且將被稱為三層單元(TLC)存儲(chǔ)塊。

多個(gè)存儲(chǔ)塊210-240中的每個(gè)可在讀取操作期間儲(chǔ)存主機(jī)裝置102提供的數(shù)據(jù)，并可在讀取操作期間將儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)提供至主機(jī)102。

參照?qǐng)D3，存儲(chǔ)裝置150的存儲(chǔ)塊152可包括分別電聯(lián)接至位線BL0至BLm-1的多個(gè)單元字符串340。每列的單元字符串340可包括至少一個(gè)漏極選擇晶體管DST和至少一個(gè)源極選擇晶體管SST。多個(gè)存儲(chǔ)單元或多個(gè)存儲(chǔ)單元晶體管MC0至MCn-1可字符串聯(lián)地電聯(lián)接在選擇晶體管DST和SST之間。各自的存儲(chǔ)單元MC0至MCn-1可通過(guò)每個(gè)都儲(chǔ)存多位的數(shù)據(jù)信息的多層單元(MLC)來(lái)配置。字符串340可分別電聯(lián)接至相應(yīng)的位線BL0至BLm-1。以供參考，在圖3中，‘DSL’表示漏極選擇線，‘SSL’表示源極選擇線，且‘CSL’表示共源線。

盡管存儲(chǔ)塊152通過(guò)NAND閃速存儲(chǔ)單元來(lái)配置，但應(yīng)注意的是，存儲(chǔ)塊152在其他實(shí)施例中可通過(guò)NOR閃速存儲(chǔ)器、結(jié)合至少兩種存儲(chǔ)單元的混合閃速存儲(chǔ)器或控制器內(nèi)置存儲(chǔ)芯片中的一個(gè)NAND閃速存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)。同樣，半導(dǎo)體裝置的操作特征可不僅應(yīng)用于電荷存儲(chǔ)層通過(guò)導(dǎo)電浮柵來(lái)配置的閃速存儲(chǔ)裝置而且可應(yīng)用于電荷存儲(chǔ)層通過(guò)介電層來(lái)配置的電荷捕獲閃存(CTF)。

存儲(chǔ)裝置150的電壓供應(yīng)塊310可提供根據(jù)操作模式待被供應(yīng)至各自的字線的字線電壓，例如編程電壓、讀取電壓或過(guò)電壓。電壓供應(yīng)塊310可提供待被供應(yīng)至體材料(bulks)例如其中形成有存儲(chǔ)單元的阱區(qū)的電壓。電壓供應(yīng)塊310可在控制電路(未示出)的控制下執(zhí)行電壓生成操作。電壓供應(yīng)塊310可生成多個(gè)可變的讀取電壓以生成多個(gè)讀取數(shù)據(jù)，在控制電路的控制下選擇存儲(chǔ)單元陣列的存儲(chǔ)塊或扇區(qū)中的一個(gè)，選擇所選擇的存儲(chǔ)塊的字線中的一個(gè)，以及將字線電壓提供至所選擇的字線和未選擇的字線。

存儲(chǔ)裝置150的讀取/寫入電路320可由控制電路控制，且可根據(jù)操作模式用作傳感放大器或?qū)懭腧?qū)動(dòng)器。在驗(yàn)證/正常的讀取操作期間，讀取/寫入電路320可用作用于從存儲(chǔ)單元陣列讀取數(shù)據(jù)的傳感放大器。同樣，在編程操作期間，讀取/寫入電路320可用作根據(jù)待被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元陣列中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)位線的寫入驅(qū)動(dòng)器。讀取/寫入電路320可在編程操作期間從緩沖器(未示出)接收待被寫入存儲(chǔ)單元陣列中的數(shù)據(jù)，且可根據(jù)輸入的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)位線。為此，讀取/寫入電路320可包括分別對(duì)應(yīng)于列(或位線)或列對(duì)(或位線對(duì))的多個(gè)頁(yè)緩沖器322、324和326，且多個(gè)鎖存器(未示出)可包括在頁(yè)緩沖器322、324和326中的每個(gè)中。

圖4-圖11是示出存儲(chǔ)裝置150的各方面的示意圖。

如圖4-圖11所示，存儲(chǔ)裝置150可包括多個(gè)存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1，且存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1中的每個(gè)可以三維(3D)結(jié)構(gòu)或 縱向結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。各自的存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1可包括在第一至第三方向例如x軸方向、y軸方向和z軸方向延伸的結(jié)構(gòu)。

各自的存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1可包括在第二方向延伸的多個(gè)NAND字符串NS(圖8)。多個(gè)NAND字符串NS可在第一方向和第三方向上提供。每個(gè)NAND字符串NS可電聯(lián)接至位線BL、至少一個(gè)源極選擇線SSL、至少一個(gè)地選擇線GSL、多個(gè)字線WL、至少一個(gè)虛擬字線DWL以及公共源線CSL。各自的存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1可電聯(lián)接至多個(gè)位線BL、多個(gè)源極選擇線SSL、多個(gè)地選擇線GSL、多個(gè)字線WL、多個(gè)虛擬字線DWL以及多個(gè)公共源線CSL。

圖5是圖4所示的多個(gè)存儲(chǔ)塊BLK0至BLKN-1中的一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKi的立體圖。圖6是沿圖5所示的存儲(chǔ)塊BLKi的線I-I’的截面圖。

參照?qǐng)D5和圖6，存儲(chǔ)塊BLKi可包括在第一至第三方向延伸的結(jié)構(gòu)。

存儲(chǔ)塊可包括包含摻雜有第一類型雜質(zhì)的硅材料的基板5111。例如，基板5111可包括摻雜有p-型雜質(zhì)的硅材料或可以是p-型阱，例如，袋(pocket)p阱，且包括圍繞p-型阱的n-型阱。盡管在所示的實(shí)施例中假定基板5111是p-型硅，但應(yīng)注意的是基板5111不限于p-型硅。

在第一方向延伸的多個(gè)摻雜區(qū)域5311-5314可被設(shè)置在基板5111上。摻雜區(qū)域在第三方向上以均勻的間隔隔開(kāi)。多個(gè)摻雜區(qū)域5311-5314可包含不同于基板5111中使用的雜質(zhì)的第二類型的雜質(zhì)。例如，多個(gè)摻雜區(qū)域5311-5314可摻雜有n-型雜質(zhì)。盡管在此假定第一至第四摻雜區(qū)域5311-5314是n-型，但是應(yīng)注意的是第一至第四摻雜區(qū)域5311-5314并不限于n-型。

在第一摻雜區(qū)域5311和第二摻雜區(qū)域5312之間的基板5111上的區(qū)域中，在第一方向延伸的多個(gè)介電材料區(qū)域5112可在第二方向上以均勻的間隔隔開(kāi)。介電材料區(qū)域5112和基板5111還可在第二方向上以預(yù)定距離彼此隔開(kāi)。介電材料區(qū)域5112可包括任何合適的介電材料，例 如，二氧化硅。

在兩個(gè)連續(xù)的摻雜區(qū)域之間例如摻雜區(qū)域5311和5312之間的基板5111上的區(qū)域中，多個(gè)柱狀物5113在第一方向上以均勻的間隔隔開(kāi)。柱狀物5113在第二方向上延伸且可穿過(guò)介電材料區(qū)域5112使得它們可與基板5111電聯(lián)接。每個(gè)柱狀物5113可包括一種或多種材料。例如，每個(gè)柱狀物5113可包括內(nèi)層5115和外表面層5114。表面層5114可包括摻雜有雜質(zhì)的摻雜硅的材料。例如，表面層5114可包括摻雜有與基板5111相同的或相同類型的雜質(zhì)的硅材料。盡管在此假定例如表面層5114可包括p-型硅，但表面層5114不限于p-型硅且本領(lǐng)域技術(shù)人員可容易地想到基板5111和柱狀物5113的表面層5114可摻雜有n-型雜質(zhì)的其他實(shí)施例。

每個(gè)柱狀物5113的內(nèi)層5115可由介電材料制成。內(nèi)層5115可以是或包括介電材料，例如二氧化硅。

在第一摻雜區(qū)域5311和第二摻雜區(qū)域5312之間的區(qū)域中，介電層5116可沿介電材料區(qū)域5112、柱狀物5113和基板5111的暴露表面設(shè)置。介電層5116的厚度可小于介電材料區(qū)域5112之間的距離的一半。換言之，可設(shè)置不同于介電材料5112和介電層5116的材料的區(qū)域，可設(shè)置在(i)介電層5116(設(shè)置在介電材料區(qū)域5112的第一介電材料的底部表面上)和(ii)設(shè)置在介電材料區(qū)域5112的第二介電材料的頂部表面上的介電層5116之間。介電材料區(qū)域5112位于第一介電材料下面。

在連續(xù)的摻雜區(qū)域之間的諸如第一摻雜區(qū)域5311和第二摻雜區(qū)域5312之間的區(qū)域的區(qū)域中，多個(gè)導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291可設(shè)置在介電層5116的暴露表面上。多個(gè)導(dǎo)電材料區(qū)域在與多個(gè)介電材料區(qū)域5112的交叉配置中在第一方向上延伸且在第二方向上以均勻的間隔隔開(kāi)。介電層5116填充導(dǎo)電材料區(qū)域與介電材料區(qū)域5112之間的空間。因此例如，在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211可設(shè)置在鄰近基板5111的介電材料區(qū)域5112和基板5111之間。具體地，在第一方向延伸的導(dǎo)電 材料區(qū)域5211可設(shè)置在(i)設(shè)置在基板5111上的介電層5116和(ii)設(shè)置在鄰近基板5111的介電材料區(qū)域5112的底部表面上的介電層5116之間。

在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291中的每個(gè)可設(shè)置在(i)設(shè)置在介電材料區(qū)域5112中的一個(gè)的頂部表面上的介電層5116和(ii)設(shè)置在下一個(gè)介電材料區(qū)域5112的底部表面上的介電層5116之間。在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5221-5281可設(shè)置在介電材料區(qū)域5112之間。在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5291可設(shè)置在最上面的介電材料5112上。在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291可以是或包括金屬材料。在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291可以是或包括諸如多晶硅的導(dǎo)電材料。

在第二摻雜區(qū)域5312和第三摻雜區(qū)域5313之間的區(qū)域中，可設(shè)置與第一摻雜區(qū)域5311和第二摻雜區(qū)域5312之間的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。例如，在第二摻雜區(qū)域5312和第三摻雜區(qū)域5313之間的區(qū)域中，可設(shè)置在第一方向延伸的多個(gè)介電材料區(qū)域5112、連續(xù)地設(shè)置在第一方向且在第二方向上穿過(guò)多個(gè)介電材料區(qū)域5112的多個(gè)柱狀物5113、設(shè)置在多個(gè)介電材料區(qū)域5112和多個(gè)柱狀物5113的暴露表面上的介電層5116以及在第一方向延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料區(qū)域5212-5292。

在第三摻雜區(qū)域5313和第四摻雜區(qū)域5314之間的區(qū)域中，可設(shè)置與第一摻雜區(qū)域5311和第二摻雜區(qū)域5312之間相同的結(jié)構(gòu)。例如，在第三摻雜區(qū)域5313和第四摻雜區(qū)域5314之間的區(qū)域中，可設(shè)置在第一方向延伸的多個(gè)介電材料區(qū)域5112、順序地設(shè)置在第一方向且在第二方向上穿過(guò)多個(gè)介電材料區(qū)域5112的多個(gè)柱狀物5113、設(shè)置在多個(gè)介電材料區(qū)域5112和多個(gè)柱狀物5113的暴露表面上的介電層5116以及在第一方向延伸的多個(gè)導(dǎo)電材料區(qū)域5213-5293。

漏極5320可分別設(shè)置在多個(gè)柱狀物5113上。漏極5320可以是摻雜有第二類型雜質(zhì)的硅材料。漏極5320可以是摻雜有n-型雜質(zhì)的硅材料。 盡管為了方便起見(jiàn)假定漏極5320包括n-型硅，但應(yīng)注意的是，漏極5320不限于n-型硅。例如，每個(gè)漏極5320的寬度可大于每個(gè)對(duì)應(yīng)的柱狀物5113的寬度。每個(gè)漏極5320可以板(pad)的形狀設(shè)置在每個(gè)對(duì)應(yīng)的柱狀物5113的頂部表面上。

在第三方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可設(shè)置在漏極5320上。導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可在第一方向上順序地設(shè)置。各自的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可與相應(yīng)區(qū)域的漏極5320電聯(lián)接。漏極5320和在第三方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可通過(guò)接觸插頭電聯(lián)接。在第三方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可以是金屬材料。在第三方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可以是諸如多晶硅的導(dǎo)電材料。

在圖5和圖6中，各自的柱狀物5113可與介電層5116和在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293一起形成字符串。各自的柱狀物5113可與介電層5116和在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293一起形成NAND字符串NS。每個(gè)NAND字符串NS可包括多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。

圖7是圖6所示的晶體管結(jié)構(gòu)TS的剖視圖。

參照?qǐng)D7，在圖6所示的晶體管結(jié)構(gòu)TS中，介電層5116可包括第一至第一子介電層5117、第二子介電層5118和第三子介電層5119。

在每個(gè)柱狀物5113中的p型硅的表面層5114可作為主體。鄰近柱狀物5113的第一子介電層5117可作為隧穿介電層，且可包括熱氧化層。

第二子介電層5118可作為電荷儲(chǔ)存層。第二子介電層5118可作為電荷捕獲層，且可包括氮化物層或諸如氧化鋁層、氧化鉿層等金屬氧化物層。

鄰近導(dǎo)電材料5233的第三子介電層5119可作為阻斷介電層。鄰近在第一方向延伸的導(dǎo)電材料5233的第三子介電層5119可形成為單層或多層。第三子介電層5119可以是介電常數(shù)大于第一子介電層5117和第二子介電層5118的諸如氧化鋁層、氧化鉿層等的高k介電層。

導(dǎo)電材料5233可作為柵(gate)或控制柵。即，柵或控制柵5233、阻斷介電層5119、電荷存儲(chǔ)層5118、隧穿介電層5117和主體5114可形成晶體管或存儲(chǔ)單元晶體管結(jié)構(gòu)。例如，第一子介電層5117、第二子介電層5118和第三子介電層5119可形成氧化物-氮化物-氧化物(ONO)結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，為方便起見(jiàn)，在每個(gè)柱狀物5113中的p-型硅的表面層5114將被稱為第二方向上的主體。

存儲(chǔ)塊BLKi可包括多個(gè)柱狀物5113。即，存儲(chǔ)塊BLKi可包括多個(gè)NAND字符串NS。詳細(xì)地，存儲(chǔ)塊BLKi可包括在第二方向或垂直于基板5111的方向上延伸的多個(gè)NAND字符串NS。

每個(gè)NAND字符串NS可包括設(shè)置在第二方向上的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。每個(gè)NAND字符串NS的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS中的至少一個(gè)可作為字符串源晶體管SST。每個(gè)NAND字符串NS的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS中的至少一個(gè)可作為地選擇晶體管GST。

柵或控制柵可對(duì)應(yīng)于在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293。換言之，柵或控制柵可在第一方向上延伸且形成字線和至少兩個(gè)選擇線、至少一個(gè)源極選擇線SSL和至少一個(gè)地選擇線GSL。

在第三方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可電聯(lián)接至NAND字符串NS的一端。在第三方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331-5333可作為位線BL。即，在一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKi中，多個(gè)NAND字符串NS可電聯(lián)接至一個(gè)位線BL。

在第一方向延伸的第二類型摻雜區(qū)域5311-5314可被設(shè)置至NAND字符串NS的其他端。在第一方向延伸的第二類型摻雜區(qū)域5311-5314可作為公共源線CSL。

即，存儲(chǔ)塊BLKi可包括多個(gè)在垂直于基板5111的方向例如第二方向上延伸的NAND字符串NS，且可作為例如電荷捕獲類型存儲(chǔ)器的NAND閃速存儲(chǔ)塊，在NAND閃速存儲(chǔ)塊中，多個(gè)NAND字符串NS電 聯(lián)接至一個(gè)位線BL。

盡管圖5-圖7中示出了在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293設(shè)置在9層中，但應(yīng)注意的是，在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293不限于設(shè)置在9層中。例如，在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域可設(shè)置在8層、16層或任何多個(gè)層中。換言之，在一個(gè)NAND字符串NS中，晶體管的數(shù)量可以是8個(gè)、16個(gè)或更多。

盡管圖5-圖7中示出了3個(gè)NAND字符串NS電聯(lián)接至一個(gè)位線BL，但應(yīng)注意的是，實(shí)施例不限于具有電聯(lián)接至一個(gè)位線BL的3個(gè)NAND字符串NS。在存儲(chǔ)塊BLKi中，m個(gè)NAND字符串NS可電聯(lián)接至一個(gè)位線BL，m為正整數(shù)。根據(jù)電聯(lián)接至一個(gè)位線BL的NAND字符串NS的數(shù)量，也可控制在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293的數(shù)量和公共源線5311-5314的數(shù)量。

進(jìn)一步的，盡管圖5-圖7中示出了3個(gè)NAND字符串NS電聯(lián)接至一個(gè)在第一方向延伸的導(dǎo)電材料，但應(yīng)注意的是，實(shí)施例不限于具有電聯(lián)接至一個(gè)在第一方向延伸的導(dǎo)電材料的3個(gè)NAND字符串NS。例如，n個(gè)NAND字符串NS可電聯(lián)接至一個(gè)在第一方向延伸的導(dǎo)電材料，n為正整數(shù)。根據(jù)電聯(lián)接至一個(gè)在第一方向延伸的導(dǎo)電材料的NAND字符串NS的數(shù)量，也可控制位線5331-5333的數(shù)量。

圖8是示出如參照?qǐng)D5-圖7所述的具有第一結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊BLKi的等效電路簡(jiǎn)圖。

參照?qǐng)D8，塊BLKi在第一位線BL1和公共源線CSL之間可具有多個(gè)NAND字符串NS11-NS31。第一位線BL1可對(duì)應(yīng)于圖5和6的在第三方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5331。NAND字符串NS12-NS32可設(shè)置在第二位線BL2和公共源線CSL之間。第二位線BL2可對(duì)應(yīng)于圖5和6的在第三方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5332。NAND字符串NS13-NS33可設(shè)置在第三位線BL3和公共源線CSL之間。第三位線BL3可對(duì)應(yīng)于圖5和圖6的在第 三方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5333。

每個(gè)NAND字符串NS的源極選擇晶體管SST可電聯(lián)接至相應(yīng)的位線BL。每個(gè)NAND字符串NS的地選擇晶體管GST可電聯(lián)接至公共源線CSL。存儲(chǔ)單元MC可設(shè)置在每個(gè)NAND字符串NS的源極選擇晶體管SST和地選擇晶體管GST之間。

在該示例中，NAND字符串NS可由行和列的單元定義，且電聯(lián)接至一個(gè)位線的NAND字符串NS可形成一列。電聯(lián)接至第一位線BL1的NAND字符串NS11-NS31可相當(dāng)于第一列，電聯(lián)接至第二位線BL2的NAND字符串NS12-NS32可相當(dāng)于第二列，電聯(lián)接至第三位線BL3的NAND字符串NS13-NS33可相當(dāng)于第三列。電聯(lián)接至一個(gè)源極選擇線SSL的NAND字符串NS可形成一行。電聯(lián)接至第一源極選擇線SSL1的NAND字符串NS11-NS31可形成第一行，電聯(lián)接至第二源極選擇線SSL2的NAND字符串NS12-NS32可形成第二行，電聯(lián)接至第三源極選擇線SSL3的NAND字符串NS13-NS33可形成第三行。

在每個(gè)NAND字符串NS中，可定義高度。在每個(gè)NAND字符串NS中，鄰近地選擇晶體管GST的存儲(chǔ)單元MC1的高度可具有值‘1’。在每個(gè)NAND字符串NS中，當(dāng)從基板5111被測(cè)量時(shí)，存儲(chǔ)單元的高度可隨著存儲(chǔ)單元靠近源極選擇晶體管SST而增加。例如，在每個(gè)NAND字符串NS中，鄰近源極選擇晶體管SST的存儲(chǔ)單元MC6的高度可為7。

在相同行中的NAND字符串NS的源極選擇晶體管SST可共享源極選擇線SSL。在不同行中的NAND字符串NS的源極選擇晶體管SST可分別電聯(lián)接至不同的源極選擇線SSL1、SSL2和SSL3。

相同行中的NAND字符串NS中的相同高度處的存儲(chǔ)單元可共享字線WL。即，在相同高度處，電聯(lián)接至不同行中的NAND字符串NS的存儲(chǔ)單元MC的字線WL可電聯(lián)接。相同行的NAND字符串NS中相同高度處的虛擬存儲(chǔ)單元DMC可共享虛擬字線DWL。即，在相同高度或水平處，電聯(lián)接至不同行中的NAND字符串NS的虛擬存儲(chǔ)單元DMC的虛 擬字線DWL可電聯(lián)接。

位于相同水平或高度或?qū)犹幍淖志€WL或虛擬字線DWL可與設(shè)置有在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293的層處的另一個(gè)電聯(lián)接。在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293可通過(guò)接觸部共同電聯(lián)接至上層。在上層處，在第一方向延伸的導(dǎo)電材料區(qū)域5211-5291、5212-5292和5213-5293可電聯(lián)接。換言之，在相同行中的NAND字符串NS的地選擇晶體管GST可共享地選擇線GSL。進(jìn)一步地，在不同行中的NAND字符串NS的地選擇晶體管GST可共享地選擇線GSL。即，NAND字符串NS11-NS13、NS21-NS23和NS31-NS33可電聯(lián)接至地選擇線GSL。

公共源線CSL可電聯(lián)接至NAND字符串NS。在有源區(qū)域上和在基板5111上，第一至第四摻雜區(qū)域5311-5314可電聯(lián)接。第一至第四摻雜區(qū)域5311-5314可通過(guò)接觸部電聯(lián)接至上層，在上層處，第一至第四摻雜區(qū)域5311-5314可電聯(lián)接。

例如，如圖8所示，相同高度或水平的字線WL可電聯(lián)接。因此，當(dāng)選擇特定高度處的字線WL時(shí)，電聯(lián)接至字線WL的所有NAND字符串NS可被選擇。在不同行中的NAND字符串NS可電聯(lián)接至不同源極選擇線SSL。因此，在電聯(lián)接至相同字線WL的NAND字符串NS，通過(guò)選擇源極選擇線SSL1-SSL3中的一個(gè)，在未選擇的行中的NAND字符串NS可與位線BL1-BL3電隔離。換言之，通過(guò)選擇源極選擇線SSL1-SSL3中的一個(gè)，NAND字符串NS的行可被選擇。而且，通過(guò)選擇源極選擇線SSL1-SSL3中的一個(gè)，在選擇的行中的NAND字符串NS可在列的單元中被選擇。

在每個(gè)NAND字符串NS中，可設(shè)置虛擬存儲(chǔ)單元DMC。在圖8中，虛擬存儲(chǔ)單元DMC可在每個(gè)NAND字符串NS中被設(shè)置在第三存儲(chǔ)單元MC3和第四存儲(chǔ)單元MC4之間。即，第一至第三存儲(chǔ)單元MC1-MC3可設(shè)置在虛擬存儲(chǔ)單元DMC和地選擇晶體管GST之間。第四至第六存 儲(chǔ)單元MC4-MC6可設(shè)置在虛擬存儲(chǔ)單元DMC和源極選擇晶體管SSL之間。每個(gè)NAND字符串NS的存儲(chǔ)單元MC可被虛擬存儲(chǔ)單元DMC劃分成存儲(chǔ)單元組。在劃分的存儲(chǔ)單元組中，鄰近地選擇晶體管GST的存儲(chǔ)單元例如MC1-MC3可被稱為較低存儲(chǔ)單元組，且鄰近字符串選擇晶體管SST的存儲(chǔ)單元例如MC4-MC6可被稱為較高存儲(chǔ)單元組。

在下文中，將參照?qǐng)D9-11做出詳細(xì)說(shuō)明，圖9-11示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)裝置。

具體地，圖9是示意性說(shuō)明不同于上文參照?qǐng)D5-8所述的第一結(jié)構(gòu)的利用三維(3D)非易失性存儲(chǔ)裝置實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)裝置的立體圖。圖10是示出沿圖9的線VII-VII＇的存儲(chǔ)塊BLKj的剖視圖。

參照?qǐng)D9和10，存儲(chǔ)塊BLKj可包括在第一至第三方向延伸的結(jié)構(gòu)且可包括基板6311。基板6311可包括摻雜有第一類型雜質(zhì)的硅材料。例如，基板6311可包括摻雜有p-型雜質(zhì)的硅材料或可以是p-型阱例如袋p-阱，且包括圍繞p-型阱的n-型阱。盡管在所示實(shí)施例中假定基板6311為p-型硅，但應(yīng)注意的是，基板6311不限于p-型硅。

在x軸方向和y軸方向延伸的第一至第四導(dǎo)電材料區(qū)域6321-6324設(shè)置在基板6311上方。第一至第四導(dǎo)電材料區(qū)域6321-6324可在z軸方向上隔開(kāi)預(yù)定距離。

在x軸方向和y軸方向延伸的第五至第八導(dǎo)電材料區(qū)域6325-6328可設(shè)置在基板6311上方。第五至第八導(dǎo)電材料區(qū)域6325-6328可在z軸方向上隔開(kāi)預(yù)定距離。第五至第八導(dǎo)電材料區(qū)域6325-6328可在y軸方向上與第一至第四導(dǎo)電材料區(qū)域6321-6324隔開(kāi)。

可設(shè)置穿過(guò)第一至第四導(dǎo)電材料區(qū)域6321-6324的多個(gè)下部柱狀物DP。每個(gè)下部柱狀物DP在z軸方向上延伸。而且，可設(shè)置穿過(guò)第五至第八導(dǎo)電材料區(qū)域6325-6328的多個(gè)上部柱狀物UP。每個(gè)上部柱狀物UP在z軸方向上延伸。

下部柱狀物DP和上部柱狀物UP中的每個(gè)可包括內(nèi)部材料6361、中 間層6362和表面層6363。中間層6362可用作單元晶體管的通道。表面層6363可包括阻斷介電層、電荷存儲(chǔ)層和隧穿介電層。

下部柱狀物DP和上部柱狀物UP可通過(guò)管柵PG電聯(lián)接。管柵PG可被設(shè)置在基板6311中。例如，管柵PG可包括與下部柱狀物DP和上部柱狀物UP相同的材料。

在x軸方向和y軸方向延伸的第二類型的摻雜材料6312可設(shè)置在下部柱狀物DP上方。例如，第二類型的摻雜材料6312可包括n-型硅材料。第二類型的摻雜材料6312可用作公共源線CSL。

漏極6340可設(shè)置在上部柱狀物UP上方。漏極6340可包括n-型硅材料。在y軸方向上延伸的第一上部導(dǎo)電材料區(qū)域6351和第二上部導(dǎo)電材料區(qū)域6352可設(shè)置在漏極6340上方。

第一上部導(dǎo)電材料區(qū)域6351和第二上部導(dǎo)電材料區(qū)域6352可在x軸方向上分開(kāi)。第一上部導(dǎo)電材料區(qū)域6351和第二上部導(dǎo)電材料區(qū)域6352可由金屬形成。第一上部導(dǎo)電材料區(qū)域6351和第二上部導(dǎo)電材料區(qū)域6352和漏極6340可通過(guò)接觸插頭電聯(lián)接。第一上部導(dǎo)電材料區(qū)域6351和第二上部導(dǎo)電材料區(qū)域6352分別作為第一位線BL1和第二位線BL2。

第一導(dǎo)電材料6321可作為源極選擇線SSL，第二導(dǎo)電材料6322可作為第一虛擬位線DWL1，第三導(dǎo)電材料區(qū)域6323和第四導(dǎo)電材料區(qū)域6324分別作為第一主字線MWL1和第二主字線MWL2。第五導(dǎo)電材料區(qū)域6325和第六導(dǎo)電材料區(qū)域6326分別作為第三主字線MWL3和第四主字線MWL4，第七導(dǎo)電材料6327可作為第二虛擬位線DWL2，第八導(dǎo)電材料6328可作為漏極選擇線DSL。

下部柱狀物DP和鄰近下部柱狀物DP的第一至第四導(dǎo)電材料區(qū)域6321-6324形成下部字符串。上部柱狀物UP和鄰近上部柱狀物UP的第五至第八導(dǎo)電材料區(qū)域6325-6328形成上部字符串。下部字符串和上部字符串可通過(guò)管柵PG電聯(lián)接。下部字符串的一端可電聯(lián)接至作為公共 源線CSL的第二類型的摻雜材料6312。上部字符串的一端可通過(guò)漏極6340電聯(lián)接至對(duì)應(yīng)的位線。一個(gè)下部字符串和一個(gè)上部字符串形成一個(gè)單元字符串，其電聯(lián)接在作為共源線CSL的第二類型的摻雜材料6312和作為位線BL的上部導(dǎo)電材料層6351-6352中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)之間。

即，下部字符串可包括源極選擇晶體管SST、第一虛擬存儲(chǔ)單元DMC1、第一主存儲(chǔ)單元MMC1和第二主存儲(chǔ)單元MMC2。上部字符串可包括第三主存儲(chǔ)單元MMC3、第四主存儲(chǔ)單元MMC4、第二虛擬存儲(chǔ)單元DMC2和漏極選擇晶體管DST。

在圖9和10中，上部字符串和下部字符串可形成NAND字符串NS，NAND字符串NS可包括多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)TS。由于上文參照?qǐng)D7詳細(xì)地描述了包括在圖9和10中的NAND字符串NS中的晶體管結(jié)構(gòu)，所以在此將省略其詳細(xì)說(shuō)明。

圖11是示出具有如上參照?qǐng)D9和10所述的第二結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊BLKj的等效電路的電路圖。為方便起見(jiàn)，僅示出形成第二結(jié)構(gòu)中的存儲(chǔ)塊BLKj中的一對(duì)的第一字符串和第二字符串。

參照?qǐng)D11，在具有第二結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊BLKj中，單元字符串中的每個(gè)都利用如上參照?qǐng)D9和10所述的通過(guò)管柵PG電聯(lián)接的一個(gè)上部字符串和一個(gè)下部字符串來(lái)實(shí)現(xiàn)，可以這種方式設(shè)置單元字符串以定義多個(gè)對(duì)。

例如，在具有第二結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)塊BLKj中，存儲(chǔ)單元CG0-CG31沿第一通道CH1(未示出)堆疊，例如，至少一個(gè)源極選擇柵SSG1和至少一個(gè)漏極選擇柵DSG1可形成第一字符串ST1，以及存儲(chǔ)單元CG0-CG31沿第二通道CH2(未示出)堆疊，例如，至少一個(gè)源極選擇柵SSG2和至少一個(gè)漏極選擇柵DSG2可形成第二字符串ST2。

第一字符串ST1和第二字符串ST2可電聯(lián)接至相同漏極選擇線DSL和相同源極選擇線SSL。第一字符串ST1可電聯(lián)接至第一位線BL1，第二字符串ST2可電聯(lián)接至第二位線BL2。

盡管在圖11中描述了第一字符串ST1和第二字符串ST2可電聯(lián)接至相同漏極選擇線DSL和相同源極選擇線SSL，但可認(rèn)為第一字符串ST1和第二字符串ST2可電聯(lián)接至相同源極選擇線SSL和相同位線BL、第一字符串ST1可電聯(lián)接至第一漏極選擇線DSL1以及第二字符串ST2可電聯(lián)接至第二漏極選擇線SDL2。進(jìn)一步地，可認(rèn)為第一字符串ST1和第二字符串ST2可電聯(lián)接至相同漏極選擇線DSL和相同位線BL、第一字符串ST1可電聯(lián)接至第一源極選擇線SSL1以及第二字符串ST2可電聯(lián)接至第二源極選擇線SSL2。

圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的支持休眠模式操作的存儲(chǔ)系統(tǒng)的簡(jiǎn)圖。

圖12示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的支持休眠模式操作的存儲(chǔ)系統(tǒng)110和主機(jī)102的配置。

圖12中所示的存儲(chǔ)系統(tǒng)110可包括控制器130和存儲(chǔ)裝置150。控制裝置150可包括第一存儲(chǔ)區(qū)域1501和第二存儲(chǔ)區(qū)域1502。

存儲(chǔ)系統(tǒng)110可響應(yīng)于從主機(jī)102輸入的時(shí)鐘信號(hào)CLKH和命令CMDH存儲(chǔ)從主機(jī)102輸入的數(shù)據(jù)DATA，或輸出存儲(chǔ)其中的數(shù)據(jù)DATA至主機(jī)102。

包括在存儲(chǔ)系統(tǒng)110中的控制器130可響應(yīng)于從主機(jī)102輸入的時(shí)鐘信號(hào)CLKH和命令CMDH生成用于存儲(chǔ)裝置150中的內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)CLKC和內(nèi)部命令CMDC，并控制存儲(chǔ)裝置150以使用內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)CLKC和內(nèi)部命令CMDC來(lái)執(zhí)行在主機(jī)102和存儲(chǔ)裝置150之間輸入/輸出數(shù)據(jù)DATA的操作。

存儲(chǔ)裝置150可使用從主機(jī)102接收的第一電壓VCC來(lái)操作。控制器130可使用從主機(jī)102接收的第二電壓VCCQ來(lái)操作。照此，存儲(chǔ)裝置150和控制器130可使用不同的電壓。

當(dāng)存儲(chǔ)系統(tǒng)110進(jìn)入休眠模式時(shí)，從主機(jī)102供應(yīng)至存儲(chǔ)裝置150的第一電壓VCC可被停止以用于最小化存儲(chǔ)裝置110的功率消耗。休眠模 式中的存儲(chǔ)系統(tǒng)110通常根據(jù)主機(jī)102的請(qǐng)求喚醒。為了喚醒存儲(chǔ)系統(tǒng)110，即使從主機(jī)102供應(yīng)至存儲(chǔ)裝置150的第一電壓VCC被停止，供應(yīng)至控制器130的第二電壓VCCQ需要被保留。因此，主機(jī)102供應(yīng)不同的電壓至存儲(chǔ)裝置150和控制器130的方法可被使用。

存儲(chǔ)系統(tǒng)110可在下面兩種情況中進(jìn)入休眠模式。在第一種情況中，為了控制存儲(chǔ)系統(tǒng)110進(jìn)入休眠模式，主機(jī)102傳輸特定命令至控制器130。即，根據(jù)主機(jī)102的請(qǐng)求，存儲(chǔ)系統(tǒng)110可進(jìn)入休眠模式。

在第二種情況中，存儲(chǔ)系統(tǒng)110中的控制器130自行進(jìn)入休眠模式，而不考慮主機(jī)102的請(qǐng)求。例如，當(dāng)在預(yù)設(shè)時(shí)間或更多期間沒(méi)有來(lái)自主機(jī)102的對(duì)存儲(chǔ)裝置150的訪問(wèn)發(fā)生時(shí)，或當(dāng)在預(yù)設(shè)時(shí)間或更多期間存儲(chǔ)裝置150沒(méi)有執(zhí)行操作即閑置狀態(tài)時(shí)，控制器130可感測(cè)狀態(tài)并自行進(jìn)入休眠模式。

在第一種情況中，由于存儲(chǔ)系統(tǒng)110已經(jīng)根據(jù)主機(jī)102的請(qǐng)求進(jìn)入休眠模式，主機(jī)102識(shí)別存儲(chǔ)系統(tǒng)110已經(jīng)進(jìn)入休眠模式。因此，主機(jī)102可選擇性地執(zhí)行停止將第一電壓VCC供應(yīng)至存儲(chǔ)裝置150的操作。即，根據(jù)主機(jī)102的操作，第一電壓VCC可被連續(xù)供應(yīng)至存儲(chǔ)裝置150，或不被供應(yīng)至存儲(chǔ)裝置150。如上所述，為了減少存儲(chǔ)系統(tǒng)110中使用的功率，需要停止第一電壓VCC的供應(yīng)。然而，由于這種操作是主機(jī)102的操作，存儲(chǔ)系統(tǒng)110沒(méi)有方法可預(yù)先知道主機(jī)102是否將停止第一電壓VCC的供應(yīng)。

在第二種情況中，由于存儲(chǔ)系統(tǒng)110不考慮主機(jī)102的請(qǐng)求而已經(jīng)自行進(jìn)入休眠模式，主機(jī)102不能知道存儲(chǔ)系統(tǒng)110是否已經(jīng)進(jìn)入休眠模式。因此，主機(jī)102不能隨意地停止對(duì)存儲(chǔ)裝置150的第一電壓VCC的供應(yīng)。然而，當(dāng)存儲(chǔ)系統(tǒng)110進(jìn)入休眠模式的條件超出預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)，其可表明存儲(chǔ)系統(tǒng)110沒(méi)有從主機(jī)102接收請(qǐng)求。因此，希望存儲(chǔ)系統(tǒng)110將進(jìn)入休眠模式，主機(jī)102可停止第一電壓VCC的供應(yīng)。即，即使在第二種情況中，如在第一種情況中一樣，存儲(chǔ)系統(tǒng)110也沒(méi)有方法可 知道主機(jī)102是否將停止第一電壓VCC的供應(yīng)。

如上所述，盡管存儲(chǔ)系統(tǒng)110進(jìn)入了休眠模式，但第一電壓VCC的供應(yīng)沒(méi)有被一直停止，而是根據(jù)主機(jī)102的操作選擇性地被停止。特別地，由于供應(yīng)至存儲(chǔ)裝置150的第一電壓VCC和供應(yīng)至控制器130的第二電壓VCCQ通過(guò)獨(dú)立的路徑被供應(yīng)，控制器130不能確定第一電壓VCC的供應(yīng)將被停止。

當(dāng)?shù)谝浑妷篤CC的供應(yīng)被停止然后被恢復(fù)時(shí)，存儲(chǔ)裝置150需要被重置。即，當(dāng)?shù)谝浑妷篤CC的供應(yīng)被停止時(shí)，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置150的臨時(shí)存儲(chǔ)空間中的操作信息READ_ID可被刪除。因此，當(dāng)?shù)谝浑妷篤CC的供應(yīng)被停止然后被恢復(fù)時(shí)，被刪除的操作信息READ_ID需要被歸一化。

例如，在存儲(chǔ)裝置150的制造工藝期間在識(shí)別信息、容量信息和設(shè)置信息被確定之后，存儲(chǔ)裝置150的識(shí)別信息、容量信息和設(shè)置信息在存儲(chǔ)裝置150的操作期間不能被隨意地改變。因此，操作信息READ_ID可被存儲(chǔ)在不能自存儲(chǔ)裝置150的外部訪問(wèn)的特定空間，例如，第一存儲(chǔ)區(qū)域1501，且然后當(dāng)重置存儲(chǔ)裝置150時(shí)被讀入到能由外部訪問(wèn)的空間，例如，第二存儲(chǔ)區(qū)域1502。

由于當(dāng)停止第一電壓VCC的供應(yīng)時(shí)存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)區(qū)域1501中的信息一定不能被刪除，第一存儲(chǔ)區(qū)域1501需要具有非易失性特性。然而，優(yōu)選的是，第二存儲(chǔ)區(qū)域1502占據(jù)相對(duì)小的區(qū)域并以相對(duì)高的速度操作，而不是當(dāng)停止第一電壓VCC的供應(yīng)時(shí)保留存儲(chǔ)其中的值。因此，第二存儲(chǔ)區(qū)域1502可被設(shè)置為具有易失性特性的空間，例如寄存器。

如上所述，當(dāng)存儲(chǔ)裝置150被重置以響應(yīng)重置信號(hào)RESET時(shí)，存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)區(qū)域1501中的操作信息READ_IN可被讀取并存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域1502。此時(shí)，響應(yīng)于重置信號(hào)RESET的第一存儲(chǔ)區(qū)域1501輸出操作信息READ_IN操作可被認(rèn)為是在存儲(chǔ)裝置150中不考慮控制器 130的控制被自發(fā)執(zhí)行的操作。以這種方式，存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域1502中的操作信息READ_IN可被存儲(chǔ)裝置150外部的控制器130讀取，并用于重置操作后的諸如讀取或?qū)懭氩僮鞯牟僮鳌?/p>

簡(jiǎn)言之，當(dāng)來(lái)自主機(jī)102的第一電壓VCC的供應(yīng)被停止且存儲(chǔ)裝置150進(jìn)入休眠模式時(shí)，存儲(chǔ)裝置150可能需要重置操作。然而，盡管存儲(chǔ)裝置150已經(jīng)進(jìn)入了休眠模式，但來(lái)自主機(jī)102的第一電壓VCC的供應(yīng)不是必須被停止。當(dāng)來(lái)自主機(jī)102的第一電壓VCC的供應(yīng)未被停止且存儲(chǔ)裝置150已經(jīng)進(jìn)入了休眠模式時(shí)，存儲(chǔ)裝置150不需要被重置。

為此，當(dāng)存儲(chǔ)裝置150從休眠模式喚醒時(shí)，控制器130需要檢查是否已經(jīng)停止第一電壓至存儲(chǔ)裝置150的供應(yīng)。根據(jù)檢查結(jié)果，控制器130需要確定存儲(chǔ)裝置150的重置操作是否必要。

然而，當(dāng)功率檢查電路檢查是否使用功率時(shí)，由于當(dāng)存儲(chǔ)裝置150從休眠模式喚醒時(shí)需要操作功率檢查電路，所以不能保證功率檢查電路的正常操作。

因此，當(dāng)存儲(chǔ)裝置150根據(jù)主機(jī)102的請(qǐng)求被從休眠模式喚醒時(shí)，控制器130可檢查存儲(chǔ)裝置150的操作信息READ_ID，且然后根據(jù)檢查結(jié)果確定是否重置存儲(chǔ)裝置150。

如上所述，存儲(chǔ)裝置150的操作信息READ_ID可包括存儲(chǔ)裝置150的識(shí)別信息、容量信息和設(shè)置信息。一旦在存儲(chǔ)裝置150的制造工藝期間操作信息READ_ID被確定，操作信息READ_ID在存儲(chǔ)裝置150的操作期間一定不能被隨意改變。因此，操作信息READ_ID可被存儲(chǔ)在不能自存儲(chǔ)裝置150的外部訪問(wèn)的第一存儲(chǔ)區(qū)域1501中，然后當(dāng)重置存儲(chǔ)裝置150時(shí)被讀入能由外部訪問(wèn)的第二存儲(chǔ)區(qū)域1502中。

此外，第一存儲(chǔ)區(qū)域1501可具有即使停止第一電壓VCC的供應(yīng)也保留存儲(chǔ)其中的值的非易失性特性。第二存儲(chǔ)區(qū)域1502可具有當(dāng)停止第一電壓VCC的供應(yīng)時(shí)刪除存儲(chǔ)其中的值的易失性特性。

因此，當(dāng)停止第一電壓VCC的供應(yīng)且存儲(chǔ)裝置150進(jìn)入休眠模式 時(shí)，存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域1502中的操作信息READ_ID可具有被刪除且被重置的值。另一方面，當(dāng)?shù)谝浑妷篤CC的供應(yīng)未被停止且存儲(chǔ)裝置150進(jìn)入休眠模式時(shí)，存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域1502中的操作信息READ_ID可具有未被重置的任意值。

使用操作信息READ_ID的特性，當(dāng)存儲(chǔ)裝置150從休眠模式喚醒時(shí)控制器130可從第二存儲(chǔ)區(qū)域1502讀取操作信息READ_ID，以及可以檢查操作信息READ_ID是否被重置。當(dāng)操作信息READ_ID被重置時(shí)，其可表明當(dāng)存儲(chǔ)裝置150進(jìn)入休眠模式時(shí)第一電壓VCC的供應(yīng)被停止。因此，存儲(chǔ)裝置150可被重置。另一方面，當(dāng)操作信息READ_ID具有未被重置的任意值時(shí)，其可表明當(dāng)存儲(chǔ)裝置150進(jìn)入休眠模式時(shí)第一電壓VCC的供應(yīng)未被停止。因此，存儲(chǔ)裝置150可不被重置。

以供參考，控制器130可包括用于控制存儲(chǔ)裝置150的操作的各種元件。然而，由于已經(jīng)參照?qǐng)D1描述了元件，所以，在此將省略其的詳細(xì)描述。

在本實(shí)施例中，已經(jīng)描述了操作信息READ_ID包括存儲(chǔ)裝置150的識(shí)別信息、容量信息和設(shè)置信息。這僅是示例，且根據(jù)存儲(chǔ)裝置的類型和特性，操作信息READ_ID可包括其它值。

此外，由主機(jī)102提供的喚醒休眠狀態(tài)中的存儲(chǔ)裝置150的請(qǐng)求可包括一般操作請(qǐng)求。例如，一般操作請(qǐng)求可以是用于存儲(chǔ)裝置的讀取或?qū)懭氩僮髡?qǐng)求。

圖13是用于描述圖12所示的存儲(chǔ)系統(tǒng)的喚醒操作的流程圖。參照?qǐng)D13，存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作可開(kāi)始于根據(jù)主機(jī)102的請(qǐng)求喚醒休眠狀態(tài)中的存儲(chǔ)裝置150。當(dāng)根據(jù)主機(jī)102的請(qǐng)求喚醒存儲(chǔ)裝置150時(shí)，存儲(chǔ)系統(tǒng)可檢查存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置150中的第二存儲(chǔ)區(qū)域1502中的操作信息READ_ID的值。

此時(shí)，當(dāng)在存儲(chǔ)裝置150處于休眠模式時(shí)來(lái)自主機(jī)102的第一電壓VCC的供應(yīng)已經(jīng)被停止時(shí)，存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域1502中的操作信息 READ_ID可具有重置值。另一方面，當(dāng)在存儲(chǔ)裝置150處于休眠模式時(shí)來(lái)自主機(jī)102的第一電壓VCC的供應(yīng)從未被停止時(shí)，存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)區(qū)域1502中的操作信息READ_ID可具有非重置值。

因此，存儲(chǔ)系統(tǒng)可檢查當(dāng)存儲(chǔ)裝置150被喚醒時(shí)操作信息READ_ID的值是否被重置以及是否檢查操作信息READ_ID。

當(dāng)操作信息READ_ID的值被重置時(shí)，存儲(chǔ)系統(tǒng)可重置存儲(chǔ)裝置。當(dāng)操作信息READ_ID的值未被重置時(shí)，存儲(chǔ)系統(tǒng)可不重置存儲(chǔ)裝置。

在通過(guò)上述過(guò)程喚醒存儲(chǔ)裝置150時(shí)，存儲(chǔ)裝置150可根據(jù)主機(jī)102的請(qǐng)求正常執(zhí)行一般操作。

當(dāng)如上所述應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例時(shí)，存儲(chǔ)系統(tǒng)可檢查當(dāng)存儲(chǔ)裝置150被從休眠狀態(tài)喚醒時(shí)存儲(chǔ)裝置150中的操作信息READ_ID的值是否被重置。通過(guò)操作，存儲(chǔ)系統(tǒng)可容易地檢查當(dāng)存儲(chǔ)裝置150處于休眠狀態(tài)時(shí)至存儲(chǔ)裝置150的電源供應(yīng)是否已經(jīng)被停止。通過(guò)檢查結(jié)果，存儲(chǔ)系統(tǒng)可選擇當(dāng)存儲(chǔ)裝置150被從休眠狀態(tài)喚醒時(shí)是否執(zhí)行重置操作。這種操作可防止存儲(chǔ)系統(tǒng)150被頻繁重置。

盡管為了說(shuō)明目的已經(jīng)描述了各種實(shí)施例，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見(jiàn)的是，在不脫離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以做出各種改變和變型。