本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體存儲器設(shè)備及方法，且更特定來說，涉及讀取高速緩沖存儲器。

背景技術(shù)：

存儲器裝置通常被提供為計算機中的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路或其它電子裝置。存在許多不同類型的存儲器，其包含易失性及非易失性存儲器。易失性存儲器可需要電力以維持其數(shù)據(jù)(例如，信息)且包含隨機存取存儲器(RAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)及同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)以及其它存儲器。非易失性存儲器可通過在未被供電時保持所存儲的數(shù)據(jù)而提供持久性數(shù)據(jù)且可包含NAND快閃存儲器、NOR快閃存儲器、例如相變隨機存取存儲器(PCRAM)及電阻式隨機存取存儲器(RRAM)的電阻可變存儲器及例如自旋力矩轉(zhuǎn)移隨機存取存儲器(STTRAM)的磁性隨機存取存儲器(MRAM)以及其它存儲器。

可組合存儲器裝置以形成固態(tài)驅(qū)動器(SSD)。固態(tài)驅(qū)動器可包含例如NAND快閃存儲器及/或NOR快閃存儲器的非易失性存儲器及/或可包含例如DRAM的易失性存儲器以及多種其它類型的非易失性及易失性存儲器。在一些實例中，在SSD中可利用高速緩存。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的若干實施例的包含讀取高速緩沖存儲器的系統(tǒng)的框圖。

圖2說明根據(jù)本發(fā)明的若干實施例的讀取高速緩沖存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)流的實例圖。

圖3說明根據(jù)本發(fā)明的若干實施例的用于讀取高速緩沖存儲器的實例裝置。

具體實施方式

本發(fā)明包含用于讀取高速緩沖存儲器的方法及設(shè)備。一種設(shè)備包含讀取高速緩沖存儲器設(shè)備，其包括：第一DRAM陣列；第一NAND陣列及第二NAND陣列；及控制器，其經(jīng)配置以管理數(shù)據(jù)在所述DRAM陣列與所述第一NAND陣列之間及在所述第一NAND陣列與所述第二NAND陣列之間的移動。

本發(fā)明的實施例可包含將DRAM數(shù)據(jù)高速緩存到NAND中且提供位于主機與存儲存儲器裝置(例如，NAND、SSD等等)之間的存儲器裝置階層或?qū)拥姆桨浮Ｔ谝恍嵤├?，此可給出更多可用存儲器的印象。替代地或另外，本發(fā)明的實施例可提供此存儲器階層以包含比典型DRAM裝置更高的密度，同時維持比典型DRAM裝置更小的占據(jù)面積。舉例來說，本發(fā)明的實施例還可提供比其它方法更低的讀取高速緩存的能量使用。

本發(fā)明的實施例可提供比雙數(shù)據(jù)速率(DDR)DRAM或混合存儲器立方體(HMC)在相同容量下的更低的成本結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明的實施例可提供比通過輸入/輸出(I/O)空間例如在PCI Express(PCIe)或串行附接小型計算機系統(tǒng)接口(SAS)上存取的典型SSD或NAND裝置更短的讀取延時。類似地，本發(fā)明的實施例可提供比在直接主存儲器空間或I/O空間兩者上的典型NAND快閃存儲器更短的寫入延時。也可在本發(fā)明的實施例中提供歸因于在內(nèi)部使用NAND快閃存儲器來滿足云存儲高速緩存需要的與未經(jīng)管理“原始”NAND快閃存儲器解決方案相比的改進的耐久性(例如，循環(huán))。

本文中的圖式遵循其中第一個數(shù)字或前幾個數(shù)字對應(yīng)于圖式的圖號且剩余數(shù)字識別圖式中的元件或組件的編號慣例。不同圖式之間的類似元件或組件可通過使用類似數(shù)字來識別。如應(yīng)了解，可添加、交換及/或消除本文中的各種實施例中所展示的元件以便提供本發(fā)明的若干額外實施例。另外，如應(yīng)了解，圖式中提供的元件的比例及相對尺度希望說明本發(fā)明的某些實施例，且不應(yīng)視為具限制性意義。此外，如本文中所使用，“若干”某物可指此類事物中的一或多者。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的若干實施例的包含讀取高速緩存(RCM)的系統(tǒng)100的框圖。在本發(fā)明的實施例中，可高速緩存數(shù)據(jù)用于讀取應(yīng)用(例如，云存儲應(yīng)用)。例如，這可在不執(zhí)行代碼的情況下執(zhí)行。實例可包含待分配(例如，流式輸出)的媒體內(nèi)容(例如，電影、視頻游戲等等)的存儲。搜索及檢索此存儲在典型高速緩存裝置上可為耗時的，但本發(fā)明的實施例可(例如，使用存儲器裝置階層)通過將其放置成更接近處理器且減少從存儲器(例如，NAND)檢索所需的時間量而減少此時間。在本發(fā)明的一些實例中，系統(tǒng)100可包含具有RCM裝置的云存儲應(yīng)用。

系統(tǒng)100包含呈存儲器裝置102(例如，RCM裝置)的形式的設(shè)備。裝置102可包含控制器108(例如，ASIC)、陣列104(例如，DRAM陣列)及陣列106-1及106-2(例如，NAND陣列)。如本文中所使用，也可分別認(rèn)為RCM裝置102、陣列104、106-1及106-2、控制器108及/或陣列106-1及106-2內(nèi)的電路是“設(shè)備”。

在一些實施例中，陣列106-1及106-2可包含高速NAND陣列。在一些實例中，陣列106-1及106-2可包含控制電路。在一些實例中，控制器108可包含直接存儲器存取(DMA)以在RCM裝置102內(nèi)的陣列104、106-1與106-2之間快速移動內(nèi)容。在若干實施例中，直接裸片到裸片接合可用于將控制器108、陣列104及陣列106-1及106-2連結(jié)在一起，如本文中將進一步論述。

裝置102可經(jīng)由接口110(例如，HMC式接口、經(jīng)編程輸入/輸出(PIO)接口、外部總線接口(EIB)或?qū)Ｓ肍PGA以及其它接口)而與主機裝置118通信。因此，系統(tǒng)100可包含HMC或多裸片DRAM封裝(例如，雙裸片封裝(DDP)、四裸片封裝(QDP)等等)的類似容量/占據(jù)面積。這可(例如)導(dǎo)致減小的成本及功率，同時維持相同或類似容量/占據(jù)面積。較之其它方法(例如，I/O存儲存取)，此實例還可增加存儲存取。主機裝置118可包含(例如)現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)，其可與集成電路(IC)(例如，南橋/SSD主機IC)通信，其也可與SSD/硬盤驅(qū)動器通信。IC可(例如)經(jīng)由局域網(wǎng)(LAN)而與通用輸入/輸出接口(例如，I/O/本地I/O)通信，且也可經(jīng)由LAN或其它通信類型而與中央處理單元(CPU)及/或DRAM控制器通信。在若干實例中，控制器可經(jīng)由接口110而將RCM 102的行動報告給主機裝置118。在若干實施例中，雖然未在圖1中說明，但主機118可經(jīng)由接口110而直接與控制器108通信，而非與存儲器裝置102通信。

系統(tǒng)100可包含用于將數(shù)據(jù)(例如，DRAM數(shù)據(jù))高速緩存到陣列106(例如，NAND裝置)中的組件。例如，僅將滿足特定閾值(例如，準(zhǔn)則)的數(shù)據(jù)傳送到陣列106-1及106-2以避免頻繁擦除循環(huán)(例如，NAND擦除循環(huán))。在此實例中可通過利用(例如)專有內(nèi)部特征(例如，懸浮、修正等等)而改進陣列106-1及106-2中的讀取高速緩存。系統(tǒng)100可(例如)通過使用線接合技術(shù)而引起存儲器存取及DMA在陣列104、106-1與106-2之間內(nèi)部地移動的速度增加以降低后端封裝成本。

舉例來說，在若干實施例中且如將在本文中進一步論述，頁提升及裝置“乒乓”方案可用于從(例如，在RCM裝置102內(nèi))RCM裝置的陣列104(例如，DRAM高速緩存)到RCM裝置的陣列106-1(例如，NAND高速緩存)及在陣列106-1與106-2之間移動數(shù)據(jù)以減少NAND擦除循環(huán)且增加RCM裝置102預(yù)期壽命。另外，如本文中將進一步論述，當(dāng)內(nèi)部NAND陣列106-1及106-2開始磨損時，動態(tài)損壞頁標(biāo)記方案可用于實時標(biāo)記損壞NAND頁(例如，非整個塊)。作為響應(yīng)，可替換RCM裝置102，同時避免RCM裝置102突然發(fā)生故障。而是，隨著接近NAND陣列的耐久性限制，RCM裝置102可逐漸損失其NAND容量。例如，當(dāng)系統(tǒng)100的延時歸因于高速緩存大小減小(例如，在預(yù)設(shè)閾值處)而增加時，可替換RCM。

圖2說明根據(jù)本發(fā)明的若干實施例的讀取高速緩沖存儲器(例如，如圖1中所說明的RCM裝置102)內(nèi)的數(shù)據(jù)流的實例圖230。圖230包含DRAM裝置234、NAND裝置232-1及NAND裝置232-2。雖然在圖2中所說明的實例包含NAND及DRAM，但可使用不同類型及數(shù)目的存儲器裝置。實例數(shù)據(jù)流可克服NAND缺陷(例如，當(dāng)用作讀取高速緩存時)，例如(舉例來說)有限擦除循環(huán)(例如，無法在字節(jié)或頁級處被擦除)；頁編程挑戰(zhàn)(例如，頁在擦除之后僅可被編程一次)；潛在較低存儲器利用；在相同邏輯單元號(LUN)/平面中無同時讀取/寫入；對于數(shù)據(jù)替換的潛在長延時；循序字節(jié)級讀取、頁級寫入及塊級擦除；及不對稱讀取/寫入時序及功率以及其它。

在若干實施例中，整個DRAM裝置234(例如，兩個8Gb DRAM裸片的堆疊以達(dá)到2GB的總數(shù))存儲器空間可經(jīng)劃分以匹配隨附NAND空間中的頁大小分區(qū)數(shù)(例如，當(dāng)為了RCM容量的16GB的總數(shù)而使用128Gb NAND或為了NAND RCM容量的32GB的總數(shù)而使用256Gb NAND時的16KB頁大小)。在每一RCM裝置中(例如，在圖230內(nèi))，NAND裝置的兩個相同裸片(例如，裝置232-1及232-2)可用于支持乒乓方案，如將在本文中進一步論述。

在238處，可將高速緩存數(shù)據(jù)寫入到DRAM裝置234中。例如，可(例如，由用戶)請求數(shù)據(jù)，且可將此數(shù)據(jù)寫入到DRAM裝置234中。在此實例中，控制器可監(jiān)測進入到DRAM裝置234中的數(shù)據(jù)且基于包含(例如)存取數(shù)據(jù)的頻率、數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性、數(shù)據(jù)的大小及請求數(shù)據(jù)的頻率以及其它的若干特征(例如，因子)將數(shù)據(jù)分等級。

在240處，當(dāng)滿足特定閾值時，可將DRAM裝置234內(nèi)的數(shù)據(jù)移動(例如，提升)到“合格區(qū)”236。在若干實例中，移動數(shù)據(jù)可包含將數(shù)據(jù)分類。舉例來說，可不將數(shù)據(jù)物理移動到區(qū)236，而將其分類為類別(例如，類別/區(qū)236)。例如，如果DRAM裝置234內(nèi)的數(shù)據(jù)被存取及/或請求閾值次數(shù)，那么可將其移動(例如，分類)到區(qū)236。在一些實例中，如果DRAM裝置234內(nèi)的數(shù)據(jù)滿足穩(wěn)定性閾值(例如，足夠穩(wěn)定以隨后提升到NAND)，那么可將所述數(shù)據(jù)移動(例如，分類)到區(qū)236。例如，(例如，由控制器)在邏輯上組織數(shù)據(jù)。

在一些實施例中，可將數(shù)據(jù)封裝到區(qū)236中；例如，可將數(shù)據(jù)封裝到16KB封裝中以匹配NAND頁大小。此類封裝可提供增加的NAND效率。當(dāng)裝置234達(dá)到閾值容量(例如，DRAM裝置234或區(qū)236接近滿)時，可在244處將區(qū)236內(nèi)的數(shù)據(jù)提升到NAND裝置232-1。這樣做可為DRAM裝置234騰出空間以接收更多數(shù)據(jù)及/或從DRAM裝置234內(nèi)提升更多數(shù)據(jù)到區(qū)236。從DRAM裝置234移動到NAND裝置232-1的數(shù)據(jù)可經(jīng)組織以最大化可移動到NAND裝置232-1的數(shù)據(jù)的量(例如，被組織成由NAND支持的整個頁)。

可在242處逐出未滿足閾值要求的數(shù)據(jù)以空出DRAM裝置234上的空間。逐出可包含(例如)放棄或重寫不滿足提升到區(qū)236或NAND裝置232-1的閾值的數(shù)據(jù)。

在若干實施例中，當(dāng)DRAM高速緩存(例如，在DRAM裝置234處)空間接近滿(例如，僅留下預(yù)設(shè)數(shù)目或較少的頁分區(qū))時，將在已通過頻率百分比或特定時間量內(nèi)的頻率的預(yù)設(shè)閾值(例如，DRAM裝置234中最頻繁訪問數(shù)據(jù)的前30％或在給定時間周期內(nèi)被訪問至少500次)的合格頁分區(qū)中的最頻繁訪問頁分區(qū)提升(例如，移動)到主裝置(例如，主NAND裝置232-1)且使那些數(shù)據(jù)頁分區(qū)的空間保持為空(例如，臟)且因此當(dāng)新讀取高速緩存數(shù)據(jù)需要存儲于RCM的DRAM裝置234上時可使用。

當(dāng)需要高速緩存新數(shù)據(jù)時，可(例如，在242處)從DRAM裝置234逐出最不頻繁訪問的數(shù)據(jù)頁分區(qū)。當(dāng)更合格數(shù)據(jù)填充DRAM裝置234時，可將那個數(shù)據(jù)移動到可最終填滿的NAND裝置232-1。因此，在一些實施例中，僅最頻繁讀取/訪問的數(shù)據(jù)及/或最穩(wěn)定(例如，最穩(wěn)態(tài))數(shù)據(jù)將在NAND裝置232-1中。較不頻繁讀取/訪問的高速緩存數(shù)據(jù)將保留于DRAM裝置234上，其中最少訪問的數(shù)據(jù)頻繁由新高速緩存數(shù)據(jù)替換。這可減小替換(例如，擦除)RCM裝置的NAND裝置232-1上的數(shù)據(jù)的需要。

可在NAND裝置232-1內(nèi)動態(tài)標(biāo)記損壞頁。如本文中所使用，動態(tài)可包含響應(yīng)于特定影響(例如，控制器確定頁已損壞)而可變及/或不斷改變。在此類實例中，控制器(在圖2中未繪制)管理哪一者保留于NAND裝置232-1中。此損壞頁標(biāo)記可減少錯誤標(biāo)記且允許RCM裝置及其中的NAND及DRAM裝置內(nèi)的損壞頁的修復(fù)。在此類實例中，不標(biāo)記損壞數(shù)據(jù)的整個塊，而是標(biāo)記損壞頁，這可增加NAND裝置232-1的效率。在一些實例中，控制器可執(zhí)行損壞頁的標(biāo)記及修復(fù)。

例如，當(dāng)裝置(例如，NAND裝置232-1、232-2)在閾值數(shù)目的擦除循環(huán)(例如，耐久性規(guī)格)之后開始磨損時，一些頁上的數(shù)據(jù)在被寫入到裝置之后無法被讀取驗證，因此變?yōu)閾p壞頁。代替將整個塊永久標(biāo)記為損壞(例如，保持于非易失性表中)，僅標(biāo)記在那個特定裝置上的被寫入損壞頁后具有循環(huán)冗余檢查(CRC)錯誤或失敗的讀取驗證的那些特定頁。

損壞頁可由RCM中的控制器在RAM(例如，控制器上的存儲器)中跟蹤，且當(dāng)NAND裝置變?yōu)榭諘r(例如，在切換主位置及次位置時，這在本文中將進一步論述)，可擦除且再次重建關(guān)于空NAND裝置的損壞頁表。這是因為鄰近頁中的干擾有時可導(dǎo)致CRC錯誤或讀取驗證錯誤。當(dāng)擦除塊時，那些頁可再次為好的。

另外，在NAND單元完全失效之前，可存在單元困于一種狀態(tài)中但在另一擦除循環(huán)之后修復(fù)其本身的時間段。因此，將NAND單元標(biāo)記為損壞可能并非準(zhǔn)確評估。

在248處，可將滿足閾值要求的頁從NAND裝置232-1(例如，主裝置位置)提升到NAND裝置232-2(例如，次裝置位置)。舉例來說，當(dāng)NAND裝置232-1達(dá)到閾值容量(例如，接近滿)時，可提升頁。在一些實例中，NAND裝置232-1及232-2內(nèi)的數(shù)據(jù)使用可由控制器監(jiān)測(例如，跟蹤)。可在246處將未滿足閾值要求的頁從NAND裝置232-1降級(例如，移除)且發(fā)送到DRAM裝置234于“不合格”區(qū)內(nèi)。這可防止數(shù)據(jù)到NAND裝置的過度提升，這可(例如)防止及/或減少NAND磨損。

當(dāng)NAND裝置232-2達(dá)到閾值容量(例如，接近滿)時，可在250處將NAND裝置232-1中的剩余頁降級到DRAM裝置234于不合格區(qū)內(nèi)。在一些實例中，可在252處丟棄(例如，放棄、逐出、重寫等等)NAND裝置232-1中的剩余頁。作為響應(yīng)，可擦除含有NAND裝置232-1中的數(shù)據(jù)的塊。

在若干實施例中，可在任何給定時間處將NAND裝置232-1及232-2(例如，NAND裸片)用作一個主裝置及一個次裝置。例如，當(dāng)主NAND裝置232-1變得滿時(例如，與指示DRAM裝置234填滿相同及/或類似的條件)，主NAND裝置232-1中的前最多讀取/訪問數(shù)據(jù)頁得到提升到次NAND裝置232-2(例如，在248處)，且最少訪問數(shù)據(jù)頁得到降級(例如，移動、踢回等等)到DRAM裝置234?？蓪⑦@些最少訪問數(shù)據(jù)頁看作用于DRAM裝置234的新高速緩存數(shù)據(jù)。在若干實施例中，經(jīng)提升及經(jīng)降級數(shù)據(jù)頁兩者都可在主NAND裝置232-1上標(biāo)記為臟頁。當(dāng)主NAND裝置232-1上的給定塊的全部頁都為臟時，可擦除所述塊。

當(dāng)次NAND裝置232-2變?yōu)闈M時，可將剩余好的高速緩存數(shù)據(jù)降級回到DRAM裝置234，且可擦除主NAND裝置232-1的塊的剩余部分。在擦除主NAND裝置232-1上的全部塊之后，NAND裝置232-1及232-2的位置交換。老的、但現(xiàn)在空的主NAND裝置232-1變?yōu)樾碌拇蜰AND裝置，且老的、但現(xiàn)在填滿的次NAND裝置232-2變?yōu)樾碌闹鱊AND裝置?？煞磸?fù)重復(fù)此過程。將內(nèi)部裝置(例如，NAND裝置)中的數(shù)據(jù)維持為最穩(wěn)態(tài)/穩(wěn)定高速緩存數(shù)據(jù)，從而導(dǎo)致對于擦除所述內(nèi)部裝置中的那些數(shù)據(jù)的需要減少，從而與其它方法相比擴展了所述內(nèi)部裝置的耐久性(例如，壽命)且減小降級。

在若干實例中，可由控制器(例如，如圖1中所說明的控制器108)管理且跟蹤(例如，主機報告且響應(yīng))讀取高速緩存內(nèi)的提升及降級行動。除了芯片上存儲器(例如，控制器內(nèi))之外，DRAM裝置234的部分(例如，如圖1中所說明的DRAM陣列104的部分)可被保留以供控制器使用以存儲控制信息，例如指針、表、統(tǒng)計數(shù)據(jù)、計數(shù)器等等。此信息可使控制器能夠管理且跟蹤數(shù)據(jù)從DRAM裝置234往返NAND裝置232-1及232-2及在NAND裝置232-1與232-2之間的移動，以及將此信息報告回到主機裝置(例如，如圖1中所說明的主機裝置118)。DRAM裝置234的其余部分可用于(例如)高速緩存數(shù)據(jù)。

圖3說明根據(jù)本發(fā)明的若干實施例的用于讀取高速緩沖存儲器的實例裝置360(例如，系統(tǒng))。實例裝置360可包含5個已知合格裸片(KGD)堆疊，其包含NAND陣列366-1及366-2、DRAM陣列364-1及364-2及控制器370(例如，ASIC裸片)。然而，裝置360不限于5個KGD堆疊或NAND及DRAM存儲器。例如，在若干實例中，裝置360可包含3個、4個或4個以上NAND裝置。

為了獲得對NAND及DRAM的全部接合墊的存取，可使用重新分布層。此重新分布層可重新定位RCM裝置的接合墊。在重新分布DRAM及NAND陣列兩者的墊以僅排列于陣列的較短或較長側(cè)的一者上之后，DRAM陣列及NAND陣列以偏移方式堆疊，使得陣列直接彼此上下地堆疊，同時最底部陣列(例如，DRAM陣列364-1)將在一側(cè)(例如，左側(cè))上暴露其單行墊，同時陣列區(qū)域的其余部分由其頂部上的陣列(例如，DRAM陣列364-2)疊加覆蓋。

接近底部(例如，第二底部)陣列(例如，DRAM陣列364-2)將接著經(jīng)180度轉(zhuǎn)動且在相對側(cè)(例如，右側(cè))上暴露其單行墊，同時陣列區(qū)域的剩余部分由其頂部上的陣列(例如，NAND陣列366-1)疊加覆蓋。兩個底部陣列(例如，DRAM陣列364-1及364-2)經(jīng)定位使得第三陣列(例如，NAND陣列366-1)將平行于第一(例如，最底部)陣列(例如，DRAM陣列364-1)(例如，左側(cè))排列其單行墊，但不對于接合線372-1、…、372-4阻擋第一陣列(例如，DRAM陣列364-1)且第四陣列(例如，NAND陣列366-2)將平行于第二陣列(例如，DRAM陣列364-2)排列其墊，但不對于接合線372-1、…、372-4阻擋第二陣列(例如，DRAM陣列364-2)的墊?？刂破?70可坐于堆疊的最頂部上作為具有由扇出(彎曲)晶片級封裝(WLP)墊368擴展的墊間距的第五陣列(例如，裸片)?？刂破?70可將其x方向側(cè)(例如，左及右)的墊與在其下方的經(jīng)偏移堆疊的DRAM及NAND陣列上的每一墊點對點地直接裸片對裸片接合?？刂破?70的y方向側(cè)上的墊可接合到封裝的引線框用于外部信號(例如，球柵陣列(BGA)封裝球)存取(圖3中未說明)。

在實例實施例中，如圖3中所說明，DRAM陣列364-1可形成于以交錯方式(例如，偏移、歪斜)耦合到襯底362的第一裸片上。DRAM陣列364-2可形成于以交錯方式耦合到第一裸片的第二裸片上。NAND陣列366-1可形成于以交錯方式耦合到第二裸片的第三裸片上，且NAND陣列366-2可形成于以交錯方式耦合到第三裸片的第四裸片上。第一、第二、第三及第四裸片可(例如)經(jīng)由直接裸片到裸片接合而耦合到控制器。在一些實例中，控制器370可耦合到第四裸片，其可包含扇出彈性墊368且可經(jīng)由裸片到裸片接合線372-1、…、372-4而與裸片364-1、364-2、366-1及366-2連通。

本發(fā)明包含用于讀取高速緩沖存儲器的方法及設(shè)備。一種設(shè)備包含讀取高速緩沖存儲器設(shè)備，其包括：第一DRAM陣列；第一NAND陣列及一第二NAND陣列；及控制器，其經(jīng)配置以管理數(shù)據(jù)在所述DRAM陣列與所述第一NAND陣列之間及在所述第一NAND陣列與所述第二NAND陣列之間的移動。

應(yīng)理解，當(dāng)元件稱為在另一元件“上”、“連接到”另一元件或“與另一元件耦合”時，其可直接在所述另一元件上或與所述另一元件連接或耦合或可存在中介元件。相比之下，當(dāng)元件稱為“直接在另一元件上”、“直接連接到”另一元件或“直接與另一元件耦合”時，不存在中介元件或?qū)?。如本文中所使用，術(shù)語“及/或”包含若干相關(guān)聯(lián)的所列項的任何及全部組合。

如本文中所使用，術(shù)語“及/或”包含若干相關(guān)聯(lián)的所列項的任何及全部組合。如本文中所使用，除非另有指明，術(shù)語“或”意味著邏輯包含或。即，“A或B”可包含(僅A)、(僅B)或(A及B兩者)。換句話來說，“A或B”可意味著“A及/或B”或“若干A及B”。

應(yīng)理解，雖然術(shù)語第一、第二、第三等等可在本文中用于描述各種元件，但這些元件組件不應(yīng)由這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個元件與另一元件。因此，可在不背離本發(fā)明的教示的情況下把第一元件稱為第二元件。

雖然在本文中已說明且描述特定實施例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，經(jīng)計算以實現(xiàn)相同結(jié)果的布置可取代所展示的特定實施例。本發(fā)明希望涵蓋本發(fā)明的若干實施例的調(diào)適或變化。應(yīng)理解，上述描述是以說明性方式而非限制性方式作出。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在審閱上述描述后將明白上述實施例的組合及本文未明確描述的其它實施例。本發(fā)明的若干實施例的范圍包含其中使用上文結(jié)構(gòu)及方法的其它應(yīng)用。因此，應(yīng)參考所附權(quán)利要求書連同此類權(quán)利要求書所授權(quán)的等效物的全范圍而確定本發(fā)明的若干實施例的范圍。

在前述具體實施方式中，為簡化本發(fā)明的目的將一些特征一起集合于單個實施例中。本發(fā)明的此方法不應(yīng)被解釋為反映本發(fā)明的所揭示實施例必須使用比明確陳述于每一權(quán)利要求書中的更多的特征的意圖。而是，如所附權(quán)利要求書反映，本發(fā)明標(biāo)的物在于少于單個所揭示實施例的全部特征。因此，特此將所附權(quán)利要求書并入具體實施方式中，其中每一權(quán)利要求獨立地作為單獨實施例。