本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)。具體來講，本發(fā)明涉及包括軟磁性底層的磁記錄介質(zhì)。

背景技術(shù)：

近年來，由于信息技術(shù)(it)社會的發(fā)展、圖書館和檔案館等等的計算機化、以及商業(yè)文檔的長期保存，對增大用于數(shù)據(jù)存儲的磁帶介質(zhì)的容量的需求增加。為了滿足這種需求，提出了一種垂直磁記錄介質(zhì)，其中使具有高磁各向異性的cocrpt系金屬材料具有在相對于非磁性基底的表面垂直的方向上的晶體取向性。

例如，專利文獻1公開了一種作為垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄介質(zhì)，其中在非磁性基底上依次至少形成非晶形層(amorphouslayer)、籽晶層、基礎(chǔ)層、磁性層、磁性層和保護層。此外，專利文獻2公開了一種包括軟磁性底層的垂直磁記錄介質(zhì)。

專利文獻列表

專利文獻

專利文獻1：日本專利未審公開號2005-196885

專利文獻2：日本專利未審公開號2002-279615

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的問題

本發(fā)明旨在提供一種具有出色的記錄和再現(xiàn)特性的磁記錄介質(zhì)。

問題的解決方案

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種磁記錄介質(zhì)，包括

具有柔性的長形基底基板、軟磁性層和磁記錄層，

其中所述基底基板的長邊方向的矩形比等于或者小于30％。

本發(fā)明的效果

如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有出色的記錄和再現(xiàn)特性的磁記錄介質(zhì)。

附圖說明

[圖1]圖1a是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的磁記錄介質(zhì)的形狀的一個示例的平面圖。圖1b是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的一個示例的剖視圖。

[圖2]圖2是示出濺射裝置的結(jié)構(gòu)的一個示例的示意圖。

[圖3]圖3a是當從箭頭c1的方向來看時圖2中示出的濺射裝置的一部分的放大平面圖。圖3b是當從箭頭c2的方向來看時圖2中示出的濺射裝置的一部分的放大側(cè)視圖。

[圖4]圖4是示出磁場定向裝置的結(jié)構(gòu)的一個示例的透視圖。

[圖5]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的一個示例的剖視圖。

[圖6]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的一個示例的剖視圖。

[圖7]圖7a是示出實施例3至6中的磁帶的磁滯回線的圖。圖7b是示出比較例1至3中的磁帶的磁滯回線的圖。圖7c是示出實施例1、2、7、8和比較例4中的磁帶的磁滯回線的圖。

具體實施方式

在本發(fā)明中，基底基板的長邊方向的矩形比等于或者小于基底基板的短邊方向的矩形比。這里，矩形比是在磁記錄介質(zhì)的狀態(tài)下測量的矩形比。

在軟磁性層是單層結(jié)構(gòu)的情形中，優(yōu)選的是，基底基板的長邊方向的矩形比小于基底基板的短邊方向的矩形比。在這種情形下，基底基板的長邊方向的矩形比等于或者小于30％，優(yōu)選的是等于或者小于20％，更優(yōu)選的是等于或者小于10％，尤其優(yōu)選的是等于或者小于5％。

在軟磁性層具有包括第一軟磁性層、中間層和第二軟磁性層的多層結(jié)構(gòu)的情形中，優(yōu)選的是，基底基板的長邊方向的矩形比等于或者小于基底基板的短邊方向的矩形比。在這種情形下，基底基板的長邊方向的矩形比等于或者小于30％，優(yōu)選的是等于或者小于20％，更優(yōu)選的是等于或者小于10％，尤其優(yōu)選的是等于或者小于5％。順便提及，在軟磁性層具有上文所述的多層結(jié)構(gòu)的情形中，基底基板的長邊方向的矩形比很可能傾向于等于或者基本上等于基底基板的短邊方向的矩形比。

將按以下順序描述本發(fā)明的實施方式。

1第一實施方式

1.1概述

1.2磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)

1.3濺射裝置的結(jié)構(gòu)

1.4磁記錄介質(zhì)的制造方法

1.5效果

1.6變形例

2第二實施方式

2.1磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)

2.2效果

2.3變形例

3第三實施方式

3.1概述

3.2磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)

3.3效果

3.4變形例

[1.1概述]

(軟磁性底層的磁各向異性方向)

用作軟磁性底層(以下稱為“sul”，softmagneticunderlayer)的諸如cozrnb和fetan之類的材料依據(jù)成膜條件而展現(xiàn)出磁各向異性。在將這些材料用作垂直磁記錄介質(zhì)中的sul的情形中，由于如下所述的兩個原因，sul的難磁化軸方向最好是記錄/再現(xiàn)磁頭的移動方向，也就是機械方向(machinedirection，md，或稱為縱向)。

第一個原因是提高再現(xiàn)輸出。在包括sul的垂直磁記錄介質(zhì)中，初始磁導(dǎo)率越高，再現(xiàn)輸出越高。此外，難磁化軸方向上的初始磁導(dǎo)率高于易磁化軸方向上的初始磁導(dǎo)率。因此，從提高再現(xiàn)輸出的角度來講，將難磁化軸方向設(shè)置為機械方向(md)是有益的。

第二個原因是抑制由磁疇壁移動引起的噪聲。在sul中形成有磁疇壁，當所述磁疇壁在記錄和再現(xiàn)過程中移動的時候，可能導(dǎo)致噪聲。因此，抑制磁疇壁移動是介質(zhì)設(shè)計中的重要因素之一。由于磁疇壁很可能在易磁化軸方向上移動，而幾乎不會在難磁化軸方向上移動，因此將sul的難磁化軸方向設(shè)置為機械方向(md)是有益的。

(面內(nèi)方向的矩形比)

軟磁性膜的m-h回路依據(jù)磁各向異性是易磁化軸方向或者難磁化軸方向而顯著地變化。在易磁化軸方向上，清楚地展現(xiàn)出磁滯特性，并且與難磁化軸方向相比，矯磁力hc很強，而且矩形比變大。而另一方面，在難磁化軸方向上，矯磁力hc很弱，并且矩形比變得極小，這是因為在施加磁場幾乎為零的區(qū)域中，磁化值甚至幾乎為零。由于這種特性，可以根據(jù)面內(nèi)方向的磁特性，容易地確定磁各向異性方向。

在包括sul的垂直磁記錄介質(zhì)中，不僅具有sul，還具有記錄層，并且在通過使用振動樣品磁強計(vsm)等等測量介質(zhì)的平均磁特性的情形中，測量sul和記錄層的磁特性之和。然而，在假定實際用作磁記錄介質(zhì)的區(qū)域中，考慮到各個層中使用的材料、膜厚度和測量方向，記錄層的磁特性的值小于軟磁性層底層的磁特性的值，而在通過vsm測量的值中主要反映sul的磁特性。

然而，近來在包括sul的垂直磁記錄介質(zhì)中成為主流的硬盤驅(qū)動器(hdd)中，主要執(zhí)行通過使用極性克爾效應(yīng)(polarkerreffect)對記錄層執(zhí)行的磁特性評估來評估磁特性，而不是對包含sul的全部膜執(zhí)行磁特性評估。

考慮到上文所述的觀點，在第一實施方式中，為了在包括單層sul的垂直磁記錄介質(zhì)中提高再現(xiàn)輸出以及抑制由sul的磁疇壁移動引起的噪聲，將sul的難磁化軸方向與機械方向(md)對準，并且將機械方向(md)的矩形比設(shè)置為等于或者小于預(yù)定值。換言之，垂直磁記錄介質(zhì)的機械方向(md)的矩形比sq1被設(shè)置為小于與機械方向(md)正交的橫向(td)的矩形比sq2(sq1<sq2)，而且機械方向(md)的矩形比還被設(shè)置為等于或者小于預(yù)定值。

[1.2磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)]

在下文中，將參考圖1a和1b描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的磁記錄介質(zhì)10的一個示例性構(gòu)造。如圖1a中所示，磁記錄介質(zhì)10是長形的。在下文中，磁記錄介質(zhì)10的長邊方向?qū)⒎Q為機械方向(md)d1，短邊方向?qū)⒎Q為橫向(td)d2。這里，機械方向d1是記錄/再現(xiàn)磁頭相對于磁記錄介質(zhì)10的相對移動方法，也就是在記錄/再現(xiàn)時使磁記錄介質(zhì)10行進的方向。磁記錄介質(zhì)10包括平行于機械方向d1的難磁化軸a1、以及平行于橫向d2的易磁化軸a2。

磁記錄介質(zhì)10是所謂的雙層垂直磁記錄介質(zhì)，如圖1b所示，磁記錄介質(zhì)10包括基底基板11、在基底基板11的表面上提供的基礎(chǔ)層12、在基礎(chǔ)層12的表面上提供的單層sul13、在sul13的表面上提供的基礎(chǔ)層14、在基礎(chǔ)層14的表面上提供的中間層15、在中間層15的表面上提供的磁記錄層16、以及在磁記錄層16的表面上提供的保護層17。磁記錄介質(zhì)10可進一步包括在保護層17的表面上提供的潤滑層18。

磁記錄介質(zhì)10適合用作滿足將來更高要求的數(shù)據(jù)檔案存儲介質(zhì)。這種磁記錄介質(zhì)10例如能夠?qū)崿F(xiàn)目前涂布型存儲用磁帶的十倍等于或大于倍的表面記錄密度，即50gb/in²的表面記錄密度。在通過使用具有上述表面記錄密度的磁記錄介質(zhì)10形成通用線性記錄系統(tǒng)的盒式數(shù)據(jù)磁帶的情形中，可以為所述盒式數(shù)據(jù)磁帶的每一卷實現(xiàn)50tb等于或大于的大容量記錄。這種磁記錄介質(zhì)10適合用作使用單磁極型(spt)記錄磁頭和隧道磁阻(tmr)型再現(xiàn)磁頭的記錄/再現(xiàn)設(shè)備。

磁記錄介質(zhì)10的機械方向(md)d1的矩形比sq1小于磁記錄介質(zhì)10的橫向(td)的矩形比sq2(sq1<sq2)。此外，磁記錄介質(zhì)10的機械方向(md)d1的矩形比是等于或者小于30％，優(yōu)選的是等于或者小于20％，更優(yōu)選的是等于或者小于10％，尤其優(yōu)選的是等于或者小于5％。因此，可以實現(xiàn)出色的記錄和再現(xiàn)特性。這里，矩形比是在磁記錄介質(zhì)10的狀態(tài)下測量的矩形比，具體來講，也是通過在施加10koe或更大磁場的同時使用vsm測量的。

(基底基板)

作為基底的基底基板11例如是長形的膜。所述膜具有例如等于或大于3μm且等于或者小于8μm的厚度。作為基底基板11，優(yōu)選的是使用具有柔性的非磁性基底基板。例如，可以使用用于通用磁記錄介質(zhì)的柔性聚合樹脂材料作為非磁性基底基板的材料。這種聚合物材料的具體范例可以包括聚酯類、聚烯烴類、纖維素衍生物、乙烯基樹脂、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚碳酸酯等等。

(基礎(chǔ)層)

在基底基板11和sul13之間提供基礎(chǔ)層12。在sul13和中間層15之間提供基礎(chǔ)層14?；A(chǔ)層12和14包括包含ti和cr的合金，并且具有非晶態(tài)。此外，所述合金可以進一步包含氧(o)。所述氧例如是在通過諸如濺射法之類的成膜方法形成基礎(chǔ)層12的膜時,在基礎(chǔ)層12內(nèi)微量包含的摻雜氧?；A(chǔ)層14具有類似于中間層15的晶體結(jié)構(gòu)，目的并不是為了晶體生長，而是為了通過所述基礎(chǔ)層14的平坦性和非晶態(tài)來改善中間層15的垂直取向。這里，術(shù)語“合金”指的是包含ti和cr的固溶體(solidsolution)、共晶體、金屬互化物等等中的至少一種。此外，術(shù)語“非晶態(tài)”指的是通過電子衍射方法觀察到中空而無法識別晶體結(jié)構(gòu)的狀態(tài)。

包括包含ti和cr的合金并且具有非晶態(tài)的基礎(chǔ)層12可具有如下功能：抑制被吸附到基底基板11的o2氣體和h2o的影響；以及緩和基底基板11的表面的不平坦性以在基底基板11的表面上形成金屬性平滑表面。這種功能可以改善中間層15的垂直取向。然而，當使基礎(chǔ)層12、14具有結(jié)晶狀態(tài)時，伴隨晶體生長而產(chǎn)生的圓柱形狀變得顯著，基底基板11和sul13的表面上的不平坦性加重，因此中間層15的晶體取向性惡化。

基礎(chǔ)層12、14中包含的合金可以進一步包含除ti和cr以外的其它元素作為添加元素。這種添加元素的范例可以包括從由例如nb、ni、mo、al、w等等構(gòu)成的組中選出來的一種或多種元素。

(sul)

sul13是單層sul，并且設(shè)置在基礎(chǔ)層12和基礎(chǔ)層14之間。sul13的膜厚度優(yōu)選為等于或大于40nm，更優(yōu)選的是等于或大于40nm且等于或者小于140nm。sul13包括處于非晶態(tài)的軟磁性材料。作為軟磁性材料，例如可以使用co系材料、fe系材料等等。co系的材料的范例可以包括cozrnb、cozrta、cozrtanb等等。fe系材料的范例可以包括fecob、fecozr、fecota等等。

由于sul13具有非晶態(tài)，所以sul13沒有起到促進sul13上形成的層的外延生長的作用，但是需要不干擾sul13上形成的中間層15的晶體取向性。因此，需要一種防止軟磁性材料形成柱體的精細結(jié)構(gòu)。然而，在存在來自基底基板11的水分等等的脫氣影響的情形中，軟磁性材料可能變粗糙，可能干擾sul13上形成的中間層15的晶體取向性。為了抑制這種影響，優(yōu)選的是，在基底基板11的表面上形成基礎(chǔ)層12。在使用更易吸附水分和諸如氧氣之類的氣體的聚合物材料的膜作為基底基板11的情形中，特別優(yōu)選的是提供基礎(chǔ)層12以抑制由此導(dǎo)致的影響。

sul13具有沿機械方向(md)d1的難磁化軸a1和沿橫向(td)d2的易磁化軸a2。因此，可以實現(xiàn)出色的記錄和再現(xiàn)特性。提供沿上述方向的難磁化軸a1和易磁化軸a2可獲得如上所述的磁記錄介質(zhì)10的機械方向(md)d1和橫向(td)d2的矩形比。

(中間層)

在基礎(chǔ)層14和磁記錄層16之間提供中間層15。優(yōu)選的是，中間層15具有類似于磁記錄層16的晶體結(jié)構(gòu)。在磁記錄層16包含co系合金的情形中，優(yōu)選的是，中間層15包含具有與co系合金相似的六方密排(hcp)結(jié)構(gòu)的材料，并且該結(jié)構(gòu)的c軸被取向為相對于膜表面的垂直方向(即膜厚度方向)。這是因為，可以改善磁記錄層16的取向性，并且可以使得中間層15的晶格常數(shù)能夠良好地匹配于磁記錄層16的晶格常數(shù)。優(yōu)選的是，包含ru的材料被用作具有六方密排(hcp)結(jié)構(gòu)的材料，具體來講，ru單體或者ru合金是較優(yōu)選的。ru合金的范例可以是諸如ru-sio2、ru-tio2或者ru-zro2等等ru合金氧化物。

(磁記錄層)

在中間層15和保護層17之間提供磁記錄層16。磁記錄層16是所謂的垂直磁記錄層，從提高記錄密度的角度來講，優(yōu)選的是包含co系合金的粒狀磁性層。這種粒狀磁性層由包含co系合金的強磁性晶體粒子和包圍該強磁性晶體粒子的非磁性粒界(非磁性體)構(gòu)成。更具體地說，所述粒狀磁性層包括：包含co系合金的柱體(柱狀晶體)；適合于包圍所述柱體、并且將各個柱體相互磁性分隔的非磁性粒界(例如諸如sio2之類的氧化物)。在該結(jié)構(gòu)中，可以形成具有其中各個柱體相互磁性分隔的結(jié)構(gòu)的磁記錄層16。

co系合金具有六方密排(hcp)結(jié)構(gòu)，其c軸被取向為相對于膜表面的垂直方向(膜厚度方向)。優(yōu)選的是，作為co系合金，可使用至少包含co、cr和pt的cocrpt系合金。cocrpt系合金并不特別受限，cocrpt系合金可以進一步包含添加元素。所述添加元素的范例可以包括從由例如ni、ta等等構(gòu)成的組中選出來的一種或多種元素。

包圍強磁性晶體粒子的非磁性粒界包含非磁性金屬材料。應(yīng)注意的是，此處，金屬包括半金屬。作為非磁性金屬材料，例如可以使用金屬氧化物和金屬氮化物之中的至少之一，從更穩(wěn)定地保持粒狀結(jié)構(gòu)的角度來講，優(yōu)選使用金屬氧化物。所述金屬氧化物的范例可以包括包含從由si、cr、co、al、ti、ta、zr、ce、y、hf等等構(gòu)成的組中選出來的至少一種或多種元素的金屬氧化物，并且優(yōu)選的是至少包含si氧化物(即sio2)的金屬氧化物。其具體范例可以是sio2、cr2o3、coo、al2o3、tio2、ta2o5、zro2、hfo2等等。所述金屬氮化物的范例可以是包含從由si、cr、co、al、ti、ta、zr、ce、y、hf等等構(gòu)成的組中選擇的出來的至少一種或多種元素的金屬氮化物。其范例可以是sin、tin、aln等等。為了更穩(wěn)定地保持粒狀結(jié)構(gòu)，非磁性粒界優(yōu)選的是包括金屬氮化物和金屬氧化物之中的金屬氧化物。

優(yōu)選的是，強磁性晶體粒子中包含的cocrpt系合金以及非磁性粒界中包含的si氧化物具有以下式(1)中規(guī)定的平均組成。這是因為，可以抑制退磁場的影響，并且可以實現(xiàn)能夠確保足夠的再現(xiàn)輸出的飽和磁化量ms，由此能夠進一步改善記錄和再現(xiàn)特性。

(coxptycr100-x-y)100-z-(sio2)z...(1)

(在式(1)中，應(yīng)注意的是，x、y、z分別是符合以下各范圍內(nèi)的值：69≤x≤72，12≤y≤16，9≤z≤12。)

上述組成可以如下獲得。從磁記錄介質(zhì)10的保護層17側(cè)執(zhí)行通過離子束蝕刻，對蝕刻后的磁記錄層16的最外層表面執(zhí)行基于俄歇電子分光法的解析，并將相對于膜厚度的平均原子數(shù)比率視為所述元素的比率。具體來講，對co、pt、cr、si和o五種元素執(zhí)行解析，并通過其百分比來識別元素量。

(保護層)

保護層17例如包括碳材料或者二氧化硅(sio2)，從保護層17的膜強度的角度來講，優(yōu)選的是包含碳材料。所述碳材料的范例可以是石墨、類金剛石碳(dlc)、金剛石等等。

(潤滑層)

潤滑層18包括至少一種潤滑劑。根據(jù)需要，潤滑層18可以進一步包括各種添加劑，比如防腐劑。潤滑劑具有至少兩個羧基和一個酯鍵，并且包括至少一種由下面的通式(1)表示的羧基化合物。潤滑劑可以進一步包括除由下面的通式(1)表示的羧基化合物以外的種類的潤滑劑。

通式(1)：

[化學(xué)式1]

(在該式中，rf是非取代或者取代的、以及飽和的或者不飽和的含氟烴基或者烴基，es是酯鍵，r(可以省略)是非取代或取代的、以及飽和的或者不飽和的烴基。)

優(yōu)選的是，上述羧基化合物可以是由下面的通式(2)或者(3)表示的羧基化合物。

通式(2)：

[化學(xué)式2]

(在該式中，rf是非取代的或取代的、以及飽和的或不飽和的含氟烴基或者烴基。)

通式(3)：

[化學(xué)式3]

(在該式中，rf是非取代的或取代的、以及飽和的或不飽和的含氟烴基或者烴基。)

優(yōu)選的是，潤滑劑包括由上述通式(2)和(3)表示的羧基化合物之一或者兩者。

當將包含由通式(1)表示的羧基化合物的潤滑劑涂覆到磁記錄層16、保護層17等等上時，通過作為疏水基的含氟烴基或者烴基rf之間的凝聚力來呈現(xiàn)潤滑功能。在rf基是含氟烴基的情形中，總碳數(shù)是6至50，氟烴基(fluorohydrocarbongroup)的總碳數(shù)優(yōu)選的是4至20。rf基可以是飽和或者不飽和的，線性的、分支的或者環(huán)狀的，但是特別優(yōu)選的是所述rf基是飽和且線性的。

例如，在rf基是烴基的情形中，rf基優(yōu)選是由下面的通式(4)表示的基。

通式(4)：

[化學(xué)式4]

(在通式(4)中，應(yīng)注意的是，l是從8至30的范圍內(nèi)選出的整數(shù)，更優(yōu)選的是從12至20的范圍內(nèi)選出的整數(shù)。)

此外，在所述rf基是含氟烴基的情形中，所述rf基最好是由下文的通式(5)表示的基。

通式(5)：

[化學(xué)式5]

(在通式(5)中，應(yīng)注意的是，m和n分別是從以下各個范圍內(nèi)選出的整數(shù)：m＝2至20且n＝3至18，更優(yōu)選的是，m＝4至13且n＝3至10。)

氟烴基可以如上所述集中在一處，或者也可以如下面的通式(6)那樣分散，并且不僅可以是-cf3和-cf2，而且也可以是-chf2、-chf-等等。

通式(6)：

[化學(xué)式6]

(在通式(6)中，應(yīng)注意的是，滿足n1+n2＝n，m1+m2＝m。)

在通式(4)、(5)和(6)中如上所述限定碳數(shù)的一個原因在于：當構(gòu)成烷基或者含氟烷基的碳數(shù)(l，或者m和n之和)等于或大于上文所述的下限，其長度具有合適的長度，并且有效地發(fā)揮疏水基之間的凝聚力，呈現(xiàn)出色的潤滑功能，且提高了對于摩擦/摩擦損耗的耐久性。此外，另一原因在于：當所述碳數(shù)是等于或者小于上文所述的上限時，可以良好地確保由上述羧基化合物構(gòu)成的潤滑劑在溶劑中的溶解性。

特別是，rf基在包含氟原子的情形中，可獲得減少摩擦系數(shù)以及改善行進性能等等的效果。然而，優(yōu)選的是，通過在含氟烴基和酯鍵之間提供烴基、并且將含氟烴基與酯鍵分隔開，可確保酯鍵的穩(wěn)定性并且防止水解。

此外，rf基可以包括氟烷醚(fluoroalkylether)基或者全氟聚醚(perfluoropolyether)基。

雖然可以不包含r基，但是在包含r基的情形中，優(yōu)選的是具有較小碳數(shù)的烴鏈。

此外，rf基或者r基包含諸如氮、氧、硫、磷和鹵素之類的元素作為組成元素，并且除了上文所述的官能團之外可以進一步包括羥基、羧基、羰基、氨基、酯鍵等等。

優(yōu)選的是，由通式(1)表示的所述羧基化合物具體是以下示出的化合物之中的至少一種。換言之，優(yōu)選的是，潤滑劑包含以下示出的化合物之中的至少一種。

cf3(cf2)7(ch2)10cooch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)3(ch2)10cooch(cooh)ch2cooh

c17h35cooch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)7(ch2)2ococh2ch(c18h37)cooch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)7cooch(cooh)ch2cooh

chf2(cf2)7cooch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)7(ch2)2ococh2ch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)7(ch2)6ococh2ch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)7(ch2)11ococh2ch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)3(ch2)6ococh2ch(cooh)ch2cooh

c18h37ococh2ch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)7(ch2)4cooch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)3(ch2)4cooch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)3(ch2)7cooch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)9(ch2)10cooch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)7(ch2)12cooch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)5(ch2)10cooch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)7ch(c9h19)ch2ch＝ch(ch2)7cooch(cooh)ch2cooh

cf3(cf2)7ch(c6h13)(ch2)7cooch(cooh)ch2cooh

ch3(ch2)3(ch2ch2ch(ch2ch2(cf2)9cf3))2(ch2)7cooch(cooh)ch2cooh

由通式(1)表示的羧基化合物可溶于對環(huán)境負荷小的無氟溶劑，并且提供如下優(yōu)點：可通過使用諸如烴類溶劑、酮類溶劑、醇類溶劑和酯類溶劑之類的通用溶劑，執(zhí)行諸如涂布、浸漬和噴霧之類的操作。具體來講，范例可以列舉己烷、庚烷、辛烷、癸烷、十二烷、苯、甲苯、二甲苯、環(huán)己烷、甲基異丁基酮、甲醇、乙醇、異丙醇、二乙醚、四氫呋喃、二氧六環(huán)、環(huán)己酮等等的溶劑。

在保護層17包含碳材料的情形中，當保護層17涂覆有上述羧基化合物作為潤滑劑時，作為潤滑劑分子的極性基部的兩個羧基以及至少一個酯鍵基被吸附到保護層17上，并且可以通過疏水基之間的凝聚力形成耐用性特別出色的潤滑層18。

然而，潤滑劑不僅可以如上所述被保持作為磁記錄介質(zhì)10的表面上的潤滑層18，而且可以被包含和保持在構(gòu)成磁記錄介質(zhì)10的諸如磁記錄層16和保護層17之類的各層中。

[1.3濺射裝置的結(jié)構(gòu)]

在下文中，將參考圖2、3a、3b和4描述在制造上述磁記錄介質(zhì)10時使用的濺射裝置20的一個示例性構(gòu)造。濺射裝置20是連續(xù)繞組型濺射裝置，用于基礎(chǔ)層12、sul13、基礎(chǔ)層14、中間層15和磁記錄層16的成膜。如圖2中所示，濺射裝置20包括成膜室21、作為金屬罐(旋轉(zhuǎn)體)的卷盤22、陰極23a至23e、饋線筒24、繞線筒25、多個引導(dǎo)筒27a至27c和28a至28c、以及磁場定向裝置30。濺射裝置20例如是直流(dc)磁控管濺射方式的裝置，但是濺射方式不限于這種方式。

成膜室21經(jīng)由排出口26連接到真空泵(未示出)，并且通過該真空泵將成膜室21內(nèi)的氣氛設(shè)置為預(yù)定真空度。在成膜室21內(nèi)，設(shè)置具有可旋轉(zhuǎn)構(gòu)造的可旋轉(zhuǎn)的卷盤22、饋線筒24和繞線筒25。在成膜室21內(nèi)，提供適用于引導(dǎo)在饋線筒24和卷盤22之間輸送基底基板11的多個引導(dǎo)筒27a至27c，并且還提供適用于引導(dǎo)在卷盤22和繞線筒25之間輸送基底基板11的多個引導(dǎo)筒28a至28c。在濺射期間，通過繞線筒25，將從饋線筒24上卷出的基底基板11卷繞經(jīng)過引導(dǎo)筒27a至27c、卷盤22和引導(dǎo)筒28a至28c。卷盤22具有圓柱形狀，并沿著卷盤22的圓柱面狀的外周面?zhèn)魉途哂屑氶L的矩形形狀的基底基板11。卷盤22設(shè)有冷卻機構(gòu)(未示出)，并且在濺射期間被冷卻至例如大約-20℃。在成膜室21內(nèi)，以面對卷盤22的外周面的方式布置多個陰極23a至23e。這些陰極23a至23e分別具有預(yù)設(shè)靶。具體來講，陰極23a、23b、23c、23d、23e分別具有用于基礎(chǔ)層12、sul13、基礎(chǔ)層14、中間層15和磁記錄層16的成膜的預(yù)設(shè)靶。通過這些陰極23a至23e，可同時地形成多種膜，也就是基礎(chǔ)層12、sul13、基礎(chǔ)層14、中間層15和磁記錄層16的膜。

在陰極23b附近提供磁場定向裝置30。如圖3a和3b中所示，磁場定向裝置30適于能夠在卷盤22的圓柱形表面和陰極23b之間的空間中產(chǎn)生沿卷盤22的橫向(也就是沿卷盤22的外周面?zhèn)魉偷幕谆?1的橫向)的磁力線30m。陰極23b具有用于在與卷盤22的圓柱形表面相對的一側(cè)形成sul13的膜的靶40。

磁場定向裝置30是所謂的電磁體，如圖4中所示，包括磁軛31和纏繞磁軛31的線圈32。磁軛31具有以其兩個末端彼此面對的方式彎曲的大致c形。在具有上述構(gòu)造的磁場定向裝置中，當電流i流入線圈32時，在磁軛31的相對末端部分之間產(chǎn)生磁力線30m。

[1.4磁記錄介質(zhì)的制造方法]

在下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的磁記錄介質(zhì)10的一種示例性制造方法。首先，通過使用圖2中示出的濺射裝置20，在基底基板11的表面上順序地層疊基礎(chǔ)層12、sul13、基礎(chǔ)層14、中間層15和磁記錄層16。具體來講，如下所述層疊各層。首先，將成膜室21抽真空至預(yù)定壓力。然后，在將諸如ar氣之類的工藝氣體引入成膜室21的同時，使得陰極23a至23e中設(shè)置的靶濺射，在行進中的基底基板11的表面上順序地形成基礎(chǔ)層12、sul13、基礎(chǔ)層14、中間層15和磁記錄層16的膜。

應(yīng)注意的是，磁力線30m是在卷盤22的圓柱形表面與陰極23b之間的空間中通過磁場定向裝置30沿卷盤22的橫向(也就是，沿卷盤22的外周面?zhèn)魉偷幕谆?1的橫向)產(chǎn)生的。結(jié)果，形成具有沿機械方向(md)d1的難磁化軸a1并且具有沿橫向(td)d2的易磁化軸a2的sul13的膜。

接下來，在磁記錄層16的表面上形成保護層17。作為保護層17的形成方法，例如可以使用化學(xué)氣相沉積(cvd)方法或者物理氣相沉積(pvd)方法。接下來，根據(jù)需要，通過使用潤滑劑涂布保護層17的表面，形成潤滑層18。以上述方式，可以獲得圖1中示出的磁記錄介質(zhì)10。

[1.5效果]

在根據(jù)第一實施例的磁記錄介質(zhì)10中，機械方向(md)d1的矩形比sq1被設(shè)為小于橫向(td)d2的矩形比sq2(sq1<sq2)。在具有這種磁特性的磁記錄介質(zhì)10中，sul13的難磁化軸a1是機械方向(md)d1，易磁化軸a2是橫向(td)d2。此外，機械方向(md)d1的矩形比被設(shè)置為等于或者小于30％。由此，可以實現(xiàn)高再現(xiàn)輸出，而且可以抑制由sul13的磁疇壁移動所引起的噪聲。因此，可以實現(xiàn)出色的記錄和再現(xiàn)特性。

[1.6變形例]

在上述第一實施方式中，已經(jīng)描述了包括基礎(chǔ)層12的磁記錄介質(zhì)10，但是也可存在省略基礎(chǔ)層12的構(gòu)造。此外，上文已經(jīng)描述了包括基礎(chǔ)層14和中間層15兩者的磁記錄介質(zhì)10，但是也可存在省略基礎(chǔ)層14和中間層15之一或者兩者的構(gòu)造。在這種構(gòu)造中，也可如上所述省略基礎(chǔ)層12。

2.第二實施方式

[2.1磁記錄介質(zhì)的構(gòu)成]

如圖5中所示，根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的磁記錄介質(zhì)110與根據(jù)第一實施方式的磁記錄介質(zhì)10的不同之處在于：包括由基礎(chǔ)層114和中間層115構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。應(yīng)注意的是，與第一實施方式的部分相似的部分將通過第二實施例中的相同附圖標記來表示，并省略相同說明，不再贅述。

基礎(chǔ)層114包括第一基礎(chǔ)層(上側(cè)基礎(chǔ)層)114a和第二基礎(chǔ)層(下側(cè)基礎(chǔ)層)114b。第一基礎(chǔ)層114a設(shè)置在中間層115側(cè)，第二基礎(chǔ)層114b設(shè)置在軟磁性底層13側(cè)。

作為第二基礎(chǔ)層114b的材料，可以使用與第一實施方式中的基礎(chǔ)層14類似的材料。作為第一基礎(chǔ)層114a的材料，可以使用具有不同于第二基礎(chǔ)層114b的組成的材料。所述材料的具體范例可以是niw、ta等等。然而，第一基礎(chǔ)層114a可以被視為中間層而不是基礎(chǔ)層。

中間層115包括第一中間層(上側(cè)中間層)115a和第二中間層(下側(cè)中間層)115b。第一中間層115a設(shè)置在磁記錄層16側(cè)，第二中間層115b設(shè)置在基礎(chǔ)層114側(cè)。

作為第一中間層115a和第二中間層115b的材料，例如可以使用與上述第一實施方式中的中間層15相似的材料。然而，在第一中間層115a和第二中間層115b中的目的效果各自不同，因此各自的濺射條件不同。換言之，對于第一中間層115a重要的是實現(xiàn)促進作為其上層的磁記錄層16的粒狀結(jié)構(gòu)的膜結(jié)構(gòu)，而對于第二中間層115b重要的是實現(xiàn)具有高晶體取向性的膜結(jié)構(gòu)。

[2.2效果]

在根據(jù)第二實施例的磁記錄介質(zhì)110中，由于基礎(chǔ)層114包括具有雙層結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)層114，所以中間層115和磁記錄層16的取向性得到進一步改善，而且可以進一步增強磁特性。此外，由于中間層115包括具有雙層結(jié)構(gòu)的中間層115，所以磁記錄層16的取向性和粒狀結(jié)構(gòu)得到進一步改善，而且可以進一步增強磁特性。

[2.3變形例]

在第二實施例中，已經(jīng)描述了其中基礎(chǔ)層114和中間層115兩者都具有雙層結(jié)構(gòu)的示例性構(gòu)造，但是基礎(chǔ)層和中間層的構(gòu)造不局限于該示例。例如，基礎(chǔ)層和中間層之一可以具有雙層構(gòu)造，而另一個可以具有單層結(jié)構(gòu)。

3.第三實施例

[3.1概述]

在上文所述的第一實施方式中，已經(jīng)描述了其中sul13的難磁化軸a1設(shè)為沿機械方向(md)的磁記錄介質(zhì)10，以便抑制磁疇壁移動。在第三實施方式中，將描述其中不僅難磁化軸a1設(shè)為沿機械方向(md)而且采用反向平行耦合sul(以下稱為“apc-sul”，antiparallelcoupledsul)作為sul的磁記錄介質(zhì)，以便進一步抑制磁疇壁移動。

[3.2磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)]

如圖6中所示，根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的磁記錄介質(zhì)210與根據(jù)第二實施方式的磁記錄介質(zhì)110的不同之處在于：提供了apc-sul213。應(yīng)注意的是，與第二實施例的部分相似的部分將通過第三實施方式中的相同附圖標記來表示，并省略相同說明，不再贅述。

apc-sul213具有如下結(jié)構(gòu)：以中間介有薄的中間層213b的方式層疊兩個軟磁性層213a、213c，并且利用經(jīng)由中間層213b進行的交換耦合使得磁化以反向平行的方式強耦合。優(yōu)選的是，軟磁性層213a、213c具有基本上相同的膜厚度。軟磁性層213a、213c的總膜厚度優(yōu)選為40nm以上，更優(yōu)選為等于或大于40nm以上且等于或者小于70nm。在等于或大于40nm的情形中，可以獲得更出色的記錄和再現(xiàn)特性。而另一方面，在等于或者小于70nm的情形中，可以抑制由apc-sul213的成膜時間所引起的生產(chǎn)率降低。優(yōu)選的是，軟磁性層213a、213c的材料是相同的材料，并且作為該材料，可以使用與第一實施方式中的sul13相似的材料。中間層213b的膜厚度例如為等于或大于0.8nm且等于或者小于1.4nm，更優(yōu)選為等于或大于0.9nm且等于或者小于1.3nm，更優(yōu)選為約1.1nm。由于中間層213b的膜厚度是在等于或大于0.9nm且等于或者小于1.3nm的范圍內(nèi)選擇的，因此上側(cè)和下側(cè)的軟磁性層213a、213c之間的反向平行交換耦合變得充分，可以實現(xiàn)更出色的記錄和再現(xiàn)特性。中間層213b的材料的范例可以包括從由v、cr、mo、cu、ru、rh、re等等構(gòu)成的組中選出的一種或多種元素，特別優(yōu)選的是包含ru的材料。

磁記錄介質(zhì)10的機械方向(md)d1的矩形比sq1等于或者小于磁記錄介質(zhì)10的橫向(td)的矩形比sq2(sq1<sq2或者sq1≤sq2)。此外，磁記錄介質(zhì)210的機械方向(md)d1的矩形比和橫向(td)的矩形比都是等于或者小于30％，優(yōu)選的是等于或者小于20％，更優(yōu)選的是等于或者小于10％，尤其優(yōu)選的是等于或者小于5％。因此，可以實現(xiàn)更出色的記錄和再現(xiàn)特性。

在apc-sul213中，由于通過上側(cè)和下側(cè)的軟磁性層213a、213c之間的反向平行交換耦合消除了易磁化軸a2方向上的殘余磁化，所以殘余磁化傾向于幾乎是零。因此，在apc-sul213中，機械方向(md)d1的矩形比sq1傾向于等于或者基本上等于橫向(td)d2的矩形比sq2。

[3.3效果]

由于在根據(jù)第三實施方式的磁記錄介質(zhì)210中使用了apc-sul213，所以作為上層部分的軟磁性層213a與作為下層部分的軟磁性層213c之間以反向平行的方式交換耦合，并且在殘余磁化狀態(tài)下上下層的總磁化量成為零。結(jié)果，可以防止在apc-sul213內(nèi)的磁疇移動的情形中產(chǎn)生類似尖釘?shù)脑肼?。因此，可以進一步改善記錄和再現(xiàn)特性。

[3.4變形例]

在第二實施例中，已經(jīng)描述了其中基礎(chǔ)層114和中間層115兩者都具有雙層結(jié)構(gòu)的示例性構(gòu)造，但是基礎(chǔ)層和中間層的構(gòu)造不局限于該示例。例如，基礎(chǔ)層和中間層兩者都可以具有單層結(jié)構(gòu)，或者所述基礎(chǔ)層和所述中間層之一可以具有雙層結(jié)構(gòu)而另一個具有單層結(jié)構(gòu)。

實施例

在下文中，將使用實施例具體描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不局限于這些實施例。

(實施例1)

(ticr基礎(chǔ)層的成膜工藝)

首先，在以下成膜條件下，在作為非磁性基底基板提供的長形聚合物膜上形成5nm厚度的ticr基礎(chǔ)層的膜。

濺射方式：dc磁控管濺射方式

靶：ti50cr50靶

極限真空級別：5×10^-5pa

氣體種：ar

氣體壓力：0.5pa

(sul的成膜工藝)

接下來，在以下成膜條件下，在ticr基礎(chǔ)層上形成100nm厚度的cozrnb層的膜作為具有單層結(jié)構(gòu)的sul。此時，在濺射裝置的陽極和陰極之間施加與非磁性基底基板的橫向(td)平行的磁力。

濺射方式：dc磁控管濺射方式

靶：cozrnb靶

氣體種：ar

氣體壓力：0.1pa

輸入功率：96mw/mm²

磁通量密度：3mt

(ticr基礎(chǔ)層的成膜工藝)

接下來，在以下成膜條件下，在cozrnb層上形成3nm厚度的ticr基礎(chǔ)層的膜。

濺射方式：dc磁控管濺射方式

靶：ti50cr50靶

極限真空級別：5×10^-5pa

氣體種：ar

氣體壓力：0.5pa

(niw基礎(chǔ)層的成膜工藝)

接下來，在以下成膜條件下，在ticr基礎(chǔ)層上形成10nm厚度的niw基礎(chǔ)層的膜。

濺射方式：dc磁控管濺射方式

靶：niw靶

極限真空級別：5×10^-5pa

氣體種：ar

氣體壓力：0.5pa

(第一ru中間層的成膜工藝)

接下來，在以下成膜條件下，在niw基礎(chǔ)層上形成10nm厚度的第一ru中間層的膜。

濺射方式：dc磁控管濺射方式

靶：ru靶

氣體種：ar

氣體壓力：0.5pa

(第二ru中間層的成膜工藝)

接下來，在以下成膜條件下，在第一ru中間層上形成20nm厚度的第二ru中間層的膜。

濺射方式：dc磁控管濺射方式

靶：ru靶

氣體種：ar

氣體壓力：1.5pa

(磁記錄層的成膜工藝)

接下來，在以下成膜條件下，在第二ru中間層上形成14nm厚度的(cocrpt)-(sio2)磁記錄層的膜。

濺射方式：dc磁控管濺射方式

靶：(co70cr15pt10)90-(sio2)10靶

氣體種：ar

氣體壓力：1.5pa

(保護層的成膜工藝)

接下來，在以下成膜條件下，在(cocrpt)-(sio2)磁記錄層上形成5nm厚度的保護層的膜。

濺射方式：dc磁控管濺射方式

靶：碳靶

氣體種：ar

氣體壓力：1.0pa

(頂部涂層的成膜工藝)

接下來，將潤滑劑涂覆到保護層上，在保護層上形成頂部涂層的膜。由此，獲得了期望的磁帶。

(實施例2)

除了在sul的成膜工藝中沿長形聚合物膜的橫向(td)施加的磁力的磁場強度改為4.5mt之外，以類似于實施例1的方式獲得磁帶。

(實施例3、4、5)

除了形成apc-sul的膜而不是形成具有單層結(jié)構(gòu)的sul之外，以類似于實施例1的方式獲得磁帶。具體來講，如下所述形成apc-sul的膜。

(第一軟磁性層的成膜工藝)

首先，在以下成膜條件下，在ticr基礎(chǔ)層上形成50nm厚度的cozrnb層的膜作為第一軟磁性層。此時，在濺射裝置的陽極和陰極之間施加與長形聚合物膜的橫向(td)平行的磁力。

濺射方式：dc磁控管濺射方式

靶：cozrnb靶

氣體種：ar

氣體壓力：0.1pa

磁通量密度：4.5mt

(ru中間層的成膜工藝)

接下來，在以下成膜條件下，在cozrnb層上形成0.3nm、1.0nm或者1.5nm厚度的ru中間層的膜。

濺射方式：dc磁控管濺射方式

靶：ru靶

氣體種：ar

氣體壓力：0.3pa

(第二軟磁性層)

接下來，在以下成膜條件下，在ru中間層上形成50nm厚度的cozrnb層的膜作為第二軟磁性層。此時，在濺射裝置的陽極和陰極之間施加與長形聚合物膜的橫向(td)平行的磁力。

濺射方式：dc磁控管濺射方式

靶：cozrnb靶

氣體種：ar

氣體壓力：0.1pa

磁通量密度：4.5mt

(實施例6)

形成具有僅僅由ticr基礎(chǔ)層構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)層的膜，而不是形成具有由ticr基礎(chǔ)層和niw基礎(chǔ)層構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)層的膜。此外，形成具有僅僅由第二ru中間層構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)的中間層的膜，而不是形成具有由第一ru中間層和第二ru中間層構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)的中間層的膜。除了上述點之外，以類似于實施例5的方式獲得磁帶。

(實施例7、8)

除了作為sul形成的cozrnb層具有50nm或者33nm的膜厚度之外，以類似于實施例1的方式獲得磁帶。

(比較例1)

除了在sul的成膜工藝中將輸入功率設(shè)置為40mw/mm²、而且將與非磁性基底基板的td方向平行的磁力的磁場強度設(shè)置為2mt之外，以類似于實施例1的方式形成磁帶。

(比較例2)

除了在sul的成膜工藝中將輸入功率設(shè)置為55mw/mm²、而且將與非磁性基底基板的td方向平行的磁力的磁場強度設(shè)置為2mt之外，以類似于實施例1的方式形成磁帶。

(比較例3)

除了在sul的成膜工藝中將與非磁性基底基板的td方向平行的磁力的磁場強度設(shè)置為2mt之外，以類似于實施例1的方式形成磁帶。

(比較例4)

除了在sul的成膜工藝中磁力方向從長形聚合物膜的橫向(td)變?yōu)闄C械方向(md)之外，以類似于實施例1的方式獲得磁帶。

(特性評估)

對按照上述方式獲得的實施例1至8和比較例1至4的磁帶進行以下評估。

(磁特性)

通過施加等于或大于10koe的磁場，利用vsm測量磁帶的td方向和md方向的矩形比。圖7a至7c示出實施例3至6、比較例1至3、實施例1、2、7、8和比較例4的磁帶的磁滯回線。

在包括sul和記錄層的磁帶中，如下描述磁帶的矩形比幾乎與單個sul的矩形比sq相同的事實。這里，將以實施例2的磁帶為例進行描述。樣品具有圓形形狀，直徑尺寸為6.35mm。msv(sul)是單個sul的飽和磁化量ms與樣品體積v的乘積，mrv(sul)是殘余飽和磁化量mr與樣品體積v的乘積，msv(sul)和mrv(sul)在難磁化軸方向上分別為msv(sul)2.71memu，mrv(sul)0.27memu。因此，其矩形比sq為：sq(sul)＝mrv(sul)/msv(sul)＝0.1(10％)。

此外，單個記錄層的ms(rec.)與mrv(rec.)分別是msv(rec.)0.2memu，mr(rec.)0.01memu。當在sul和記錄層兩者共存的狀態(tài)下執(zhí)行測量時，飽和磁化量msv(tot.)和殘余磁化量mrv(tot.)分別是msv(tot.)2.73memu，mrv(tot.)0.28emu。因此，其矩形比sq(tot.)是0.102(約10％)，并且磁帶的矩形比基本上與單個sul情形中的矩形比sq(sul)相同。

(記錄和再現(xiàn)特性)

如下所述評價記錄和再現(xiàn)特性。首先，通過使用單極型記錄磁頭和隧道磁阻(tmr)型再現(xiàn)磁頭、并且通過壓電工作臺使這些磁頭來回振動以執(zhí)行記錄和再現(xiàn)，通過所謂的拖動測試器(dragtester)執(zhí)行測量。在超過100gb/in²的高記錄密度記錄領(lǐng)域中，即使在垂直磁記錄介質(zhì)中也主要由于記錄問題而難以實現(xiàn)充分的記錄和再現(xiàn)特性，需要將能夠產(chǎn)生在垂直方向上陡峭的磁場的單極型(spt)磁頭、與包括sul的雙層垂直磁記錄介質(zhì)相結(jié)合。此外，使用隧道磁阻(tmr)型再現(xiàn)磁頭看起來也是必要的，其中隧道磁阻(tmr)型再現(xiàn)磁頭具有比巨大磁阻磁頭更大的磁阻變化率和更高的再現(xiàn)靈敏度。由于這種原因，這里使用spt記錄磁頭和tmr再現(xiàn)磁頭進行評估。應(yīng)注意的是，這里，再現(xiàn)磁頭的讀取軌道寬度被設(shè)置為75nm。接下來，將記錄波長設(shè)置為300kfci(每英寸磁通量千變化，kilofluxchangesperinch)，并通過按照以下比率進行計算來獲得snr，所述比率是再現(xiàn)波長的峰間電壓、相對于根據(jù)在0kfci至600kfci的帶域上積分噪聲譜所獲得的值而求得的電壓的比率。接下來，基于下列標準，按三個分級評估所獲得的snr，表3中示出了其結(jié)果。應(yīng)注意的是，表3中的符號“×”、“○”和“⊙”對應(yīng)于以下標準。

×：snr小于16db

○：snr等于或大于16db且小于19db

⊙：snb等于或大于19db

一般來講，認為在諸如波形均衡和糾錯之類的處理之后的snr(所謂的數(shù)字snr)中，實現(xiàn)記錄和再現(xiàn)系統(tǒng)所需要的最低snr大約為16db。此外，在考慮到由磁帶和磁頭之間的滑動導(dǎo)致的輸出減少以及諸如磁帶變形之類的實用時的特性下降的情形中，最好是進一步設(shè)置snr裕度。當考慮到所述裕度時，認為snr優(yōu)選的是被設(shè)置為等于或大于19db。

然而，在本實施例的磁帶中，假定線記錄密度是600kbpi(每英寸位數(shù))，軌道密度是169ktpi(每英寸軌道數(shù))，并且軌道間距設(shè)置為再現(xiàn)磁頭的軌道寬度的兩倍，則可以實現(xiàn)600kbpi×169ktpi＝101gb/in²的表面記錄密度。

表1示出實施例1至8和比較例1至4的磁帶的磁記錄層、中間層和基礎(chǔ)層的構(gòu)成。

表2示出實施例1至8和比較例1至4的磁帶的sul層的構(gòu)成。

表3顯示實施例1至8和比較例1至4的磁帶的磁特性以及記錄和再現(xiàn)特性的評估結(jié)果。

[表3]

可以根據(jù)以上評估結(jié)果獲知下述幾點。

當機械方向的矩形比被設(shè)置為等于或者小于30％時，snr可以是等于或大于16％。當機械方向和橫向的矩形比都被設(shè)置為等于或者小于10％時，snr可以是等于或大于19％。為了將機械方向和橫向的矩形比都設(shè)置為等于或者小于10％，優(yōu)選的是：sul是apc-sul，中間層和基礎(chǔ)層都具有雙層結(jié)構(gòu)。

盡管已經(jīng)具體描述了本發(fā)明的實施方式、變形例和實施例，但是本發(fā)明不局限于上述實施方式、變形例和實施例，而是可以做出基于本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的各種變形例。

例如，前述實施例、變型例和實施例中的構(gòu)成、方法、工藝、形狀、材料、數(shù)值等等僅僅是為了例證說明的目的來描述的，可以根據(jù)需要采用與上述內(nèi)容不同的構(gòu)成、方法、工藝、形狀、材料、數(shù)值等等。

此外，在上述實施方式、變形例和實施例中的構(gòu)造、方法、工藝、形狀、材料、數(shù)值等等可以在不脫離本發(fā)明的要旨的情況下相互結(jié)合。

此外，本發(fā)明還可以采用如下構(gòu)造。

(1)

一種磁記錄介質(zhì)包括：

具有柔性的長形基底基板、軟磁性層和磁記錄層，

其中，所述基底基板的長邊方向的矩形比等于或者小于所述基底基板的短邊方向的矩形比，以及

所述基底基板的長邊方向的矩形比等于或者小于30％。

(2)

在(1)中所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述基底基板的長邊方向和短邊方向的矩形比都等于或者小于10％。

(3)

在(2)中所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述基底基板的長邊方向和短邊方向的矩形比都等于或者小于5％。

(4)

在(1)至(3)中任一項中的磁記錄介質(zhì)，其中所述軟磁性層的易磁化軸的方向是所述基底基板的長邊方向。

(5)

在(1)至(3)中任一項中的磁記錄介質(zhì)，其中所述軟磁性層包括第一軟磁性層、中間層和第二軟磁性層。

(6)

在(5)中所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述第一軟磁性層和所述第二軟磁性層的易磁化軸的方向都是所述基底基板的長邊方向。

(7)

在(1)至(6)中任一項中的磁記錄介質(zhì)，還包括：在所述軟磁性層和所述磁記錄層之間提供的基礎(chǔ)層和中間層之中的至少一種層。

(8)

在(7)中所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述基礎(chǔ)層包含ti和cr。

(9)

在(7)中所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述基礎(chǔ)層包括第一基礎(chǔ)層和第二基礎(chǔ)層。

(10)

在(9)中所述的磁記錄介質(zhì)，其中

所述第一基礎(chǔ)層設(shè)置在所述軟磁性層側(cè)，并且包含ti和cr，以及

所述第二基礎(chǔ)層設(shè)置在所述中間層側(cè)，并且包含ni和w。

(11)

在(7)至(10)中任一項中的磁記錄介質(zhì)，其中所述中間層包含ru。

(12)

在(7)至(10)中任一項中的磁記錄介質(zhì)，其中所述中間層包括第一中間層和第二中間層。

(13)

在(12)中所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述第一中間層和所述第二中間層包含ru。

(14)

在(1)至(13)中任一項中的磁記錄介質(zhì)，其中所述記錄層具有粒狀結(jié)構(gòu)，在所述粒狀結(jié)構(gòu)中，包含co、pt和cr的粒子被氧化物分隔。

(15)

在(1)至(14)中任一項中的磁記錄介質(zhì)，還包括在所述基底基板和所述軟磁性層之間提供的基礎(chǔ)層，

其中，所述基礎(chǔ)層具有非晶態(tài)，并且包含ti和cr。

(16)

在(1)至(15)中任一項中的磁記錄介質(zhì)，其中所述基底基板是膜。

(17)

在(1)至(16)中任一項中的磁記錄介質(zhì)，還包括潤滑層，所述潤滑層包含至少一種由下面的通式(1)表示的羧基化合物，

通式(1)：

[化學(xué)式1]

在該通式(1)中，rf是非取代或者取代的、以及飽和的或者不飽和的含氟烴基或者烴基，es是酯鍵，r是非取代或取代的、以及飽和的或者不飽和的烴基且可以省略。

(18)

在(1)至(16)中任一項中的磁記錄介質(zhì)，還包括潤滑層，所述潤滑層包含由下面的通式(2)和(3)表示的羧基化合物之一或者兩者，

通式(2)：

[化學(xué)式2]

在該通式(2)中，rf是非取代的或取代的、以及飽和的或不飽和的含氟烴基或者烴基，

通式(3)：

[化學(xué)式3]

在該通式(3)中，rf是非取代的或取代的、以及飽和的或不飽和的含氟烴基或者烴基。

(19)

在(17)或(18)中任一項中的磁記錄介質(zhì)，其中rf具有6至50的總碳數(shù)，并且具有4至20的氟烴基的總碳數(shù)，并且是飽和或者不飽和的含氟烴。

附圖標記說明

10磁記錄介質(zhì)

11基底基板

12，14基礎(chǔ)層

14a第一基礎(chǔ)層

14b第二基礎(chǔ)層

13軟磁性底層

15中間層

15a第一中間層

15b第二中間層

16磁記錄層

17保護層