1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于包括：
存儲(chǔ)元，能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)；
字線(xiàn)，電連接在所述存儲(chǔ)元的柵極；以及
源極線(xiàn)，電連接在所述存儲(chǔ)元的一端；且
在所述存儲(chǔ)元的讀出動(dòng)作中，對(duì)所述源極線(xiàn)在第一閾值的判定時(shí)施加第一電壓，且在第二閾值的判定時(shí)施加與所述第一電壓不同的第二電壓，且
對(duì)所述字線(xiàn)在所述第一閾值及所述第二閾值的判定時(shí)施加第三電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于進(jìn)而包括電連接在所述存儲(chǔ)元的另一端的位線(xiàn)，且
在寫(xiě)入動(dòng)作中，對(duì)所述位線(xiàn)在所述第一閾值及所述第二閾值的判定結(jié)果為失敗的情況下施加第三電壓，在所述第一閾值及所述第二閾值中的一者的判定結(jié)果為通過(guò)、另一者的判定結(jié)果為失敗的情況下施加較所述第三電壓高的第四電壓，且在所述第一閾值及所述第二閾值的判定結(jié)果為通過(guò)的情況下施加較所述第四電壓高的第五電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
所述讀出動(dòng)作包括第一讀出動(dòng)作與第二讀出動(dòng)作，
在所述第一讀出動(dòng)作中，對(duì)所述判定時(shí)的所述源極線(xiàn)施加所述第一或第二電壓，
在所述第二讀出動(dòng)作中，在所述第一閾值的判定時(shí)對(duì)所述字線(xiàn)施加第三電壓，在所述第二閾值的判定時(shí)對(duì)所述字線(xiàn)施加與所述第三電壓不同的第四電壓，且對(duì)所述源極線(xiàn)在所述第一閾值及所述第二閾值的判定時(shí)施加所述第一電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于包括根據(jù)指令而執(zhí)行讀出動(dòng)作的控制電路，且
所述控制電路在接收到第一指令的情況下執(zhí)行所述第一讀出動(dòng)作，且在接收到第二指令的情況下執(zhí)行所述第二讀出動(dòng)作。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
所述第一讀出動(dòng)作的處理時(shí)間較所述第二讀出動(dòng)作短。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
在所述第二閾值高于所述第一閾值的情況下，所述第二電壓低于所述第一電壓，所述第二閾值低于所述第一閾值的情況下，所述第二電壓高于所述第一電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于進(jìn)而包括：
第一選擇晶體管，連接在所述存儲(chǔ)元的一端；
第二選擇晶體管，連接在所述源極線(xiàn)與所述存儲(chǔ)元之間；
第一選擇線(xiàn)，連接在所述第一選擇晶體管的柵極；以及
第二選擇線(xiàn)，連接在所述第二選擇晶體管的柵極；且
在所述讀出動(dòng)作中，對(duì)非選擇的第一選擇線(xiàn)及第二選擇線(xiàn)施加與所述源極線(xiàn)大致相同的電壓。