本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種存儲器單元、存儲器單元結(jié)構(gòu)以及存儲器單元陣列。

背景技術(shù)：

電阻式隨機存取存儲器(rram)因其在各方面的性能優(yōu)勢，如存儲單元結(jié)構(gòu)簡單、工作速度快、功耗低、信息保持穩(wěn)定、具有不揮發(fā)性、而且易于實現(xiàn)三維立體集成和多值存儲等，已經(jīng)成為存儲器的研究熱點。電阻式隨機存取存儲器中變阻材料的阻值可以通過對其上底部電極施加電壓或者電流的不同而改變，呈現(xiàn)出低阻和高阻兩種狀態(tài)，用著兩種狀態(tài)存儲邏輯“0”和邏輯“1”。

電阻式隨機存取存儲器(rram)一般需要一個選擇器以消除潛行漏電流路徑(sneakleakagepath)，通常以一個nmos晶體管或一個pn二極管作為rram的選擇器，我們稱其為1t1r或1d1r，其中，1t1r結(jié)構(gòu)的rram單元包括一個晶體管和一個rram，1d1r結(jié)構(gòu)的rram單元包括一個pn二極管和一個rram。rram選擇器要求高的置位(set)和復(fù)位(re-set)電流、小的選擇器尺寸，相對高的擊穿電壓(breakdownvoltage，簡稱bv)以及低漏電，然而隨著器件尺寸縮小到40nm以下，1t1r結(jié)構(gòu)和1d1r結(jié)構(gòu)不能滿足這些高的要求。

而目前1t1r結(jié)構(gòu)中的晶體管驅(qū)動電流只能達到目標(biāo)值的1/5到1/3，漏電流卻比目標(biāo)值高出0.5到1倍，晶體管的尺寸也比要求的尺寸大10倍。

對于1d1r結(jié)構(gòu)中的ram單元應(yīng)該是一個單極(unipolar)/非極性(nonpolar)單元，但目前rram是雙極性(bipolar)，這意味著它需要通過高的正向電流(forwardcurrent)實現(xiàn)set過程，通過高的反向電流(reversecurrent)實現(xiàn)reset過程，而二極管只能提供一個方向的高電流。

因此，有必要提出一種新的存儲器單元，以解決上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術(shù)方案的保護范圍。

為了克服目前存在的問題，本發(fā)明一方面提供一種存儲器單元，其特征在于，包括：

第一二極管，第二二極管以及一隨機存取存儲器組件，其中，所述第一二極管和所述隨機存取存儲器組件的串聯(lián)電路電連接到位線和字線之間，流經(jīng)所述第一二極管和所述隨機存取存儲器組件的電流路徑構(gòu)成置位路徑，所述第二二極管和所述隨機存取存儲器組件的串聯(lián)電路電連接到所述字線和復(fù)位線之間，流經(jīng)所述隨機存取存儲器組件和所述第二二極管的電流路徑構(gòu)成復(fù)位路徑。

進一步，所述第一二極管和所述第二二極管均包括第一電極和第二電極，所述第一二極管的第二電極和所述第二二極管的第一電極電連接所述隨機存取存儲器組件的一端，所述隨機存取存儲器組件的另一端電連接所述字線，所述第一二極管的第一電極電連接所述位線，所述第二二極管的第二電極電連接所述復(fù)位線。

進一步，所述第一電極為正極，所述第二電極為負極，或者，所述第一電極為負極，所述第二電極為正極。

進一步，所述隨機存取存儲器組件為電阻式隨機存取存儲器、相變隨機存取存儲器或磁隨機存取存儲器中的一種。

進一步，所述位線與所述復(fù)位線間隔平行設(shè)置，并且所述位線、所述字線和所述復(fù)位線彼此相互絕緣。

本發(fā)明另一方面提供一種存儲器單元結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體襯底；

第一二極管，設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底中；

第二二極管，設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底中、所述第一二極管的一側(cè)，其中，所述第一二極管和所述第二二極管均包括第一電極和第二電 極；

第一隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一二極管和所述第二二極管之間的所述半導(dǎo)體襯底中，用于隔離所述第一二極管和所述第二二極管；

位線，設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底上并沿第一方向延伸；

復(fù)位線，設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底上并沿所述第一方向延伸，且與所述位線間隔平行；

互連金屬層，設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底的上方、所述位線和所述復(fù)位線之間，并與所述位線和所述復(fù)位線相隔離；

第一接觸孔，設(shè)置于所述位線和所述第一二極管之間，以電連接所述第一二極管的第一電極與所述位線；

第二接觸孔，設(shè)置于所述復(fù)位線和所述第二二極管之間，以電連接所述復(fù)位線和所述第二二極管的第二電極；

第三接觸孔，設(shè)置于所述互連金屬層與所述第一二極管之間，以電連接所述互連金屬層和所述第一二極管的第二電極；

第四接觸孔，設(shè)置于所述互連金屬層與所述第二二極管之間，以電連接所述互連金屬層和所述第二二極管的第一電極；

隨機存取存儲器組件，設(shè)置于所述互連金屬層的上方，所述隨機存取存儲器組件的一端電連接所述互連金屬層；

字線，設(shè)置于所述隨機存取存儲器組件的上方，電連接所述隨機存取存儲器組件的另一端，所述字線沿與所述第一方向垂直的第二方向延伸。

進一步，所述位線對應(yīng)位于所述第一二極管的上方，所述復(fù)位線對應(yīng)位于所述第二二極管的上方。

進一步，所述第一電極為正極，所述第二電極為負極，或者，所述第一電極為負極，所述第二電極為正極。

進一步，所述第一二極管包括：設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底中的第一n型阱區(qū)，以及設(shè)置于所述第一n型阱區(qū)內(nèi)的第一p型摻雜區(qū)和第一n型摻雜區(qū)，所述第一p型摻雜區(qū)和所述第一n型摻雜區(qū)靠近所述半導(dǎo)體襯底表面且間隔設(shè)置，所述第一p型摻雜區(qū)作為所述第一二極管的正極，所述第一n型摻雜區(qū)作為所述第一二極管的負極。

進一步，所述第二二極管包括：設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底中的第二 n型阱區(qū)，以及設(shè)置于所述第二n型阱區(qū)內(nèi)的第二p型摻雜區(qū)和第二n型摻雜區(qū)，所述第二p型摻雜區(qū)和所述第二n型摻雜區(qū)靠近所述半導(dǎo)體襯底表面且間隔設(shè)置，所述第二p型摻雜區(qū)作為所述第二二極管的正極，所述第二n型摻雜區(qū)作為所述第二二極管的負極。

進一步，所述第一n型摻雜區(qū)靠近所述第二p型摻雜區(qū)，或者，所述第一p型摻雜區(qū)靠近所述第二n型摻雜區(qū)。

進一步，在所述半導(dǎo)體襯底中還設(shè)置有p型場區(qū)，所述p型場區(qū)位于所述第一n型阱區(qū)和所述第二n型阱區(qū)的下方，所述p型場區(qū)的頂面貼近所述第一n型阱區(qū)和所述第二n型阱區(qū)的底面。

進一步，所述隨機存取存儲器組件為電阻式隨機存取存儲器、相變隨機存取存儲器或磁隨機存取存儲器中的一種。

進一步，在所述第一n型阱區(qū)內(nèi)設(shè)置有第二隔離結(jié)構(gòu)，所述第二隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一p型摻雜區(qū)和第一n型摻雜區(qū)之間，且未貫穿所述第一n型阱區(qū)。

進一步，在所述第二n型阱區(qū)內(nèi)設(shè)置有第三隔離結(jié)構(gòu)，所述第三隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于第二p型摻雜區(qū)和第二n型摻雜區(qū)之間，且未貫穿所述第二n型阱區(qū)。

本發(fā)明再一方面提供一種存儲器單元陣列，包括：

m行n列存儲器單元，其中，每個所述存儲器單元包括：第一二極管，第二二極管以及一隨機存取存儲器組件，其中，所述第一二極管和所述隨機存取存儲器組件的串聯(lián)電路電連接到位線和字線之間，流經(jīng)所述第一二極管和所述隨機存取存儲器組件的電流路徑構(gòu)成置位路徑，所述第二二極管和所述隨機存取存儲器組件的串聯(lián)電路電連接到所述字線和復(fù)位線之間，流經(jīng)所述隨機存取存儲器組件和所述第二二極管的電流路徑構(gòu)成復(fù)位路徑，其中m、n均為大于1的自然數(shù)。

進一步，所述第一二極管和所述第二二極管均包括第一電極和第二電極，在每個所述存儲器單元中：所述第一二極管的第二電極和所述第二二極管的第一電極電連接所述隨機存取存儲器組件的一端。

進一步，還包括相互隔離的m行字線、n列位線以及n列復(fù)位線，所述位線和所述復(fù)位線平行間隔設(shè)置，其中，

設(shè)置于同一列的所述存儲器單元的第一二極管的第一電極電連接其所在列的位線；

設(shè)置于同一列的所述存儲器單元的第二二極管的第二電極電連接其所在列的復(fù)位線；

設(shè)置于同一行的所述存儲器單元的所述隨機存取存儲器組件的另一端電連接其所在行的字線。

進一步，所述第一電極為正極，所述第二電極為負極，或者，所述第一電極為負極，所述第二電極為正極。

進一步，所述隨機存取存儲器組件為電阻式隨機存取存儲器、相變隨機存取存儲器或磁隨機存取存儲器中的一種。

綜上所述，本發(fā)明的存儲器單元包括兩個二極管和一個電阻式隨機存取存儲器組件，可以實現(xiàn)雙極性隨機存取存儲器的需求，其中一個二極管用于實現(xiàn)讀操作和置位操作，另一個二極管用于實現(xiàn)復(fù)位操作，本發(fā)明的存儲器單元提高了正向電流，且降低了漏電流，且具有較小的尺寸。

附圖說明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。

附圖中：

圖1a示出了常規(guī)的1t1r結(jié)構(gòu)的rram單元陣列的電路圖；

圖1b示出了常規(guī)的1d1r結(jié)構(gòu)的rram單元陣列的電路圖；

圖2a示出了本發(fā)明一具體實施例中的存儲器單元的電路圖；

圖2b示出了本發(fā)明另一具體實施例中的存儲器單元的電路圖；

圖3示出了本發(fā)明一具體實施例中的存儲器單元結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖4a示出了本發(fā)明一具體實施例中的存儲器單元陣列的電路圖；

圖4b示出了本發(fā)明另一具體實施例中的存儲器單元陣列的電路圖。

具體實施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向為在其它元件或特征“上”。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該” 也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目的任何及所有組合。

這里參考作為本發(fā)明的理想實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的橫截面圖來描述發(fā)明的實施例。這樣，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或容差導(dǎo)致的從所示形狀的變化。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)當(dāng)局限于在此所示的區(qū)的特定形狀，而是包括由于例如制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，顯示為矩形的注入?yún)^(qū)在其邊緣通常具有圓的或彎曲特征和/或注入濃度梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元改變。同樣，通過注入形成的埋藏區(qū)可導(dǎo)致該埋藏區(qū)和注入進行時所經(jīng)過的表面之間的區(qū)中的一些注入。因此，圖中顯示的區(qū)實質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖顯示器件的區(qū)的實際形狀且并不意圖限定本發(fā)明的范圍。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。

如圖1a所示為常規(guī)的1t1r結(jié)構(gòu)的rram單元陣列的電路圖，目前1t1r結(jié)構(gòu)中的晶體管驅(qū)動電流只能達到目標(biāo)值的1/5到1/3，漏電流卻比目標(biāo)值高出0.5到1倍，晶體管的尺寸也比要求的尺寸大10倍，因此，在小尺寸單元的1t1r結(jié)構(gòu)的rram單元陣列，很難實現(xiàn)高的驅(qū)動電流(一般大于數(shù)百μa)和低漏電流(一般低于10pa)。

如圖1b所示為常規(guī)的1d1r結(jié)構(gòu)的rram單元陣列的電路圖，對于1d1r結(jié)構(gòu)中的ram單元應(yīng)該是一個單極(unipolar)/非極性(nonpolar)單元，但目前rram是雙極性(bipolar)，這意味著它需要通過高的正向電流(forwardcurrent)實現(xiàn)set過程，通過高的反向電流(reversecurrent)實現(xiàn)reset過程，而二極管只能提供一個方向的高電流，因此，1d1r結(jié)構(gòu)的rram單元不能提供高的反向電流來滿足雙極性rram存儲單元set/reset功能的需求。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種存儲器單元，之后在實施 例一中對存儲器單元做詳細介紹。

實施例一

下面，參考圖2a和圖2b對本發(fā)明的存儲器單元做詳細介紹，其中，圖2a示出了本發(fā)明一具體實施例中的存儲器單元的電路圖；圖2b示出了本發(fā)明另一具體實施例中的存儲器單元的電路圖。

本發(fā)明的存儲器單元主要包括：第一二極管，第二二極管以及一隨機存取存儲器組件，其中，所述第一二極管和所述隨機存取存儲器組件的串聯(lián)電路電連接到位線和字線之間，流經(jīng)所述第一二極管和所述隨機存取存儲器組件的電流路徑構(gòu)成置位路徑，所述第二二極管和所述隨機存取存儲器組件的串聯(lián)電路電連接到所述字線和復(fù)位線之間，流經(jīng)所述隨機存取存儲器組件和所述第二二極管的電流路徑構(gòu)成復(fù)位路徑。

進一步，所述第一二極管和所述第二二極管均包括第一電極和第二電極，所述第一二極管的第二電極和所述第二二極管的第一電極電連接所述隨機存取存儲器組件的一端，所述隨機存取存儲器組件的另一端電連接所述字線，所述第一二極管的第一電極電連接所述位線，所述第二二極管的第二電極電連接所述復(fù)位線。

其中，所述第一電極為正極，所述第二電極為負極，或者，所述第一電極為負極，所述第二電極為正極。

具體地，在一個示例中，如圖2a所示，本發(fā)明的所述存儲器單元包括：第一二極管201，第二二極管202以及一隨機存取存儲器組件203，其中，所述第一二極管201和所述隨機存取存儲器組件203的串聯(lián)電路電連接到位線bl和字線wl之間，從所述位線bl開始流經(jīng)所述第一二極管201和所述隨機存取存儲器組件203到所述字線wl的電流路徑構(gòu)成置位(set)路徑，如圖2a中箭頭曲線a1所示，所述第二二極管202和所述隨機存取存儲器組件203的串聯(lián)電路電連接到所述字線wl和復(fù)位線rl之間，從所述字線wl開始流經(jīng)所述隨機存取存儲器組件203和所述第二二極管202到所述復(fù)位線rl的電流路徑構(gòu)成復(fù)位(reset)路徑，如圖2a中箭頭曲線b1所示。

如圖2a所示，所述第一二極管201和所述第二二極管202均包 括正極和負極，所述第一二極管201的負極和所述第二二極管202的正極電連接所述隨機存取存儲器組件203的一端，所述隨機存取存儲器組件203的另一端電連接所述字線wl，所述第一二極管201的正極電連接所述位線bl，所述第二二極管202的負極電連接所述復(fù)位線rl。

在另一個示例中，如圖2b所示，本發(fā)明的所述存儲器單元包括：第一二極管201，第二二極管202以及一隨機存取存儲器組件203，其中，所述第一二極管201和所述隨機存取存儲器組件203的串聯(lián)電路電連接到位線bl和字線wl之間，從所述字線wl開始流經(jīng)所述隨機存取存儲器組件203和第一二極管201到所述位線bl的電流路徑構(gòu)成置位(set)路徑，如圖2b中箭頭曲線a2所示，所述第二二極管202和所述隨機存取存儲器組件203的串聯(lián)電路電連接到所述字線wl和復(fù)位線rl之間，從所述復(fù)位線rl開始流經(jīng)所述第二二極管202和所述隨機存取存儲器組件203到所述字線wl的電流路徑構(gòu)成復(fù)位(reset)路徑，如圖2b中箭頭曲線b2所示。

如圖2b所示，所述第一二極管201和所述第二二極管202均包括正極和負極，所述第一二極管201的正極和所述第二二極管202的負極電連接所述隨機存取存儲器組件203的一端，所述隨機存取存儲器組件203的另一端電連接所述字線wl，所述第一二極管201的負極電連接所述位線bl，所述第二二極管202的正極電連接所述復(fù)位線rl。

其中，復(fù)位線rl為與所述位線bl沿相同的方向延伸且間隔平行設(shè)置，所述復(fù)位線rl具有導(dǎo)電性。

進一步地，所述位線bl、所述字線wl和所述復(fù)位線rl彼此相互絕緣。

值得一提的是，本發(fā)明中二極管的類型可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何類型的pn二極管，鍺二極管(ge管)和硅二極管(si管)。

示例性地，隨機存取存儲器組件203可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何類型的隨機存取存儲器，例如，所述隨機存取存儲器組件203可以為電阻式隨機存取存儲器(rram)、相變隨機存取存儲器(pcram)或磁隨機存取存儲器(mram)中的一種。

值得一提的是，電阻式隨機存取存儲器可以利用過渡金屬氧化物的可變電阻特性(例如，電阻值隨電壓變化)來存儲數(shù)據(jù)。電阻式隨機存取存儲器可以包括順序形成的底部電極、電阻材料層和頂部電極。電阻材料層可以由過渡金屬氧化物形成，底部電極和頂部電極可以由導(dǎo)電材料(例如，金屬或金屬氧化物)形成。

在一個示例中，較佳地所述隨機存取存儲器組件203使用電阻式隨機存取存儲器，則所述第一二極管201的負極和所述第二二極管202的正極電連接電阻式隨機存取存儲器203的一端，例如，第一二極管201的負極和第二二極管202的正極均電連接電阻式隨機存取存儲器203的底部電極，所述電阻式隨機存取存儲器203的另一端電連接所述字線wl，例如，具體地可為電阻式隨機存取存儲器203的頂部電極電連接字線wl，進一步地，所述第一二極管201的正極電連接所述位線bl，所述第二二極管202的負極電連接所述復(fù)位線rl。

進而，從所述位線bl開始流經(jīng)所述第一二極管201和所述電阻式隨機存取存儲器203到所述字線wl的電流路徑構(gòu)成置位(set)路徑，由此路徑可以實現(xiàn)置位操作以及讀操作，如圖2a中箭頭曲線a1所示，從所述字線wl開始流經(jīng)所述電阻式隨機存取存儲器203和所述第二二極管202到所述復(fù)位線rl的電流路徑構(gòu)成復(fù)位(reset)路徑，由此路徑實現(xiàn)復(fù)位操作，如圖2a中箭頭曲線b1所示。

類似地，對于如圖2b中的存儲器單元中的隨機存取存儲器組件203也可使用電阻式隨機存取存儲器，則所述第一二極管201的正極和所述第二二極管202的負極電連接電阻式隨機存取存儲器203的一端，例如，第一二極管201的正極和第二二極管202的負極均電連接電阻式隨機存取存儲器203的底部電極，所述電阻式隨機存取存儲器203的另一端電連接所述字線wl，例如，具體地可為電阻式隨機存取存儲器203的頂部電極電連接字線wl。也可以為第一二極管201的正極和第二二極管202的負極均電連接電阻式隨機存取存儲器203頂部電極，電阻式隨機存取存儲器203的底部電極電連接字線wl。

進一步地，所述第一二極管201的負極電連接所述位線bl，所述第二二極管202的正極電連接所述復(fù)位線rl。

綜上所述，本發(fā)明的存儲器單元包括兩個二極管和一個電阻式隨機存取存儲器，在本發(fā)明中可簡稱2d1r結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的存儲器單元可以實現(xiàn)雙極性rram的需求，其中一個二極管用于實現(xiàn)讀操作和置位操作，另一個二極管用于實現(xiàn)復(fù)位操作，本發(fā)明的存儲器單元提高正向電流(也即驅(qū)動電流)達到ma級，且降低漏電流到pa級，且可使用具有較小尺寸的二極管，因此存儲器單元的也會相應(yīng)的具有較小的尺寸。

實施例二

鑒于上述存儲器單元的優(yōu)點，本發(fā)明還相應(yīng)提供一種存儲器單元結(jié)構(gòu)，下面參考圖3對本發(fā)明的存儲器單元結(jié)構(gòu)作詳細介紹，其中，圖3示出了本發(fā)明一具體實施例中的存儲器單元結(jié)構(gòu)的剖視圖。

作為示例，如圖3所示，本發(fā)明的存儲器單元結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底300。

半導(dǎo)體襯底300的構(gòu)成材料可以采用未摻雜的單晶硅、摻雜有雜質(zhì)的單晶硅、絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。作為示例，在本實施例中，半導(dǎo)體襯底300的構(gòu)成材料選用單晶硅。

本發(fā)明的存儲器單元結(jié)構(gòu)的還包括第一二極管31和第二二極管32，第一二極管31和第二二極管32設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底300中，所述第二二極管32設(shè)置于所述第一二極管31的一側(cè)，其中，所述第一二極管31和所述第二二極管32均包括第一電極和第二電極。

進一步地，在半導(dǎo)體襯底300中形成有隔離結(jié)構(gòu)301，所述隔離結(jié)構(gòu)301設(shè)置于所述第一二極管31和所述第二二極管32之間的所述半導(dǎo)體襯底300中，用于隔離所述第一二極管31和所述第二二極管32，隔離結(jié)構(gòu)301可以為淺溝槽隔離(sti)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(locos)隔離結(jié)構(gòu)。

在一個示例中，所述第一二極管31包括：設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底300中的第一n型阱區(qū)3021，以及設(shè)置于所述第一n型阱區(qū)3021內(nèi)的第一p型摻雜區(qū)3031和第一n型摻雜區(qū)3032，所述第一p型摻雜區(qū)3031和所述第一n型摻雜區(qū)3032靠近所述半導(dǎo)體襯底300表 面且間隔設(shè)置，所述第一p型摻雜區(qū)3031作為所述第一二極管31的正極，所述第一n型摻雜區(qū)3032作為所述第一二極管31的負極。

進一步地，還可選擇性地在所述第一n型阱區(qū)3021內(nèi)設(shè)置隔離結(jié)構(gòu)3051，所述隔離結(jié)構(gòu)3051設(shè)置于所述第一p型摻雜區(qū)3031和第一n型摻雜區(qū)3032之間，用于隔離所述第一p型摻雜區(qū)3031和第一n型摻雜區(qū)3032，且隔離結(jié)構(gòu)3051從半導(dǎo)體襯底300的表面開始向下延伸，但并未貫穿第一n型阱區(qū)3021，所述隔離結(jié)構(gòu)3051可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何類型的隔離結(jié)構(gòu)，例如淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)等。

在一個示例中，所述第二二極管32包括：設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底300中的第二n型阱區(qū)3022，以及設(shè)置于所述第二n型阱區(qū)3022內(nèi)的第二p型摻雜區(qū)3041和第二n型摻雜區(qū)3042，所述第二p型摻雜區(qū)3041和所述第二n型摻雜區(qū)3042靠近所述半導(dǎo)體襯底300表面且間隔設(shè)置，所述第二p型摻雜區(qū)3041作為所述第二二極管32的正極，所述第二n型摻雜區(qū)3042作為所述第二二極管32的負極。

進一步地，還可選擇性地在所述第二n型阱區(qū)3022內(nèi)設(shè)置隔離結(jié)構(gòu)3052，所述隔離結(jié)構(gòu)3052設(shè)置于所述第二p型摻雜區(qū)3041和第二n型摻雜區(qū)3042之間，用于隔離所述第二p型摻雜區(qū)3041和第二n型摻雜區(qū)3042，且隔離結(jié)構(gòu)3052從半導(dǎo)體襯底300的表面開始向下延伸，但并未貫穿第二n型阱區(qū)3022，所述隔離結(jié)構(gòu)3052可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何類型的隔離結(jié)構(gòu)，例如淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)等。

在一個示例中，所述第一n型摻雜區(qū)3032靠近所述第二p型摻雜區(qū)3041，且通過隔離結(jié)構(gòu)301隔離。

在另一個示例中，還可以使所述第一p型摻雜區(qū)3031靠近所述第二n型摻雜區(qū)3042。

在一個示例中，所述第一n型摻雜區(qū)3032和所述第二n型摻雜區(qū)3042均為n+型摻雜區(qū)，所述第一p型摻雜區(qū)3031和第二p型摻雜區(qū)3041均為p+型摻雜區(qū)。

在一個示例中，還可選擇性地在所述半導(dǎo)體襯底300中設(shè)置有p型場區(qū)312，所述p型場區(qū)312位于所述第一n型阱區(qū)3021和所述 第二n型阱區(qū)3022的下方，所述p型場區(qū)312的頂面貼近所述第一n型阱區(qū)3021和所述第二n型阱區(qū)3022的底面。

值得一提的是，上述提及的n型阱區(qū)、n型摻雜區(qū)、p型摻雜區(qū)和p型場區(qū)等均可通過多步離子注入過程實現(xiàn)，阱區(qū)的摻雜類型不同，其相應(yīng)摻雜的離子則也不同。

進一步地，本發(fā)明的存儲器單元結(jié)構(gòu)還包括位線307，所述位線307設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底300上并沿第一方向延伸，較佳地，所述位線307對應(yīng)位于所述第一二極管31的上方。

進一步地，在所述位線307和所述第一二極管31之間設(shè)置有第一接觸孔3061，以電連接所述第一二極管31的第一電極與所述位線307。示例性地，當(dāng)所述第一電極為正極時，所述第一二極管31的正極對應(yīng)為第一p型摻雜區(qū)3031。

示例性地，本發(fā)明的存儲器單元結(jié)構(gòu)還包括復(fù)位線308，復(fù)位線308設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底300上并沿所述第一方向延伸，且與所述位線307間隔平行，較佳地，所述復(fù)位線308對應(yīng)位于所述第二二極管32的上方，也即第二二極管32的第二電極的上方，如圖3所示，第二電極可以為負極。

進一步地，在所述復(fù)位線308和所述第二二極管32之間設(shè)置有第二接觸孔3062，以電連接所述復(fù)位線308和所述第二二極管32的第二電極，示例性地，第二電極為負極時，也即第二接觸孔3062電連接復(fù)位線308與第二n型摻雜區(qū)3042。

在一個示例中，在所述半導(dǎo)體襯底300的上方、所述位線307和所述復(fù)位線308之間設(shè)置于互連金屬層309，互連金屬層309與所述位線307和所述復(fù)位線308相隔離。

值得一提的是，位線307、復(fù)位線308和互連金屬層309可形成于同一表面上，也即可以同步形成，其材質(zhì)可以為任意適合的具有導(dǎo)電性的材料，例如金屬材料或者半導(dǎo)體材料，金屬材料包括但不限于銅(cu)、鋁(al)等，半導(dǎo)體材料包括但不限于摻雜的或者未摻雜的多晶硅等。

進一步地，在所述互連金屬層309與所述第一二極管31之間，設(shè)置有第三接觸孔3063，以電連接所述互連金屬層309和所述第一 二極管31的第二電極，示例性地，如圖3所示，第二電極為負極，也即第三接觸孔3063電連接所述互連金屬層309和第一n型摻雜區(qū)3032。

進一步地，在所述互連金屬層309與所述第二二極管32之間設(shè)置有第四接觸孔3064，以電連接所述互連金屬層309和所述第二二極管32的第一電極，示例性地，第一電極為正極時，第四接觸孔3064也即電連接所述互連金屬層309和第二p型摻雜區(qū)3041。

值得一提的是，前述的第一接觸孔3061、第二接觸孔3062、第三接觸孔3063和第四接觸孔3064可以為任意的具有導(dǎo)電性的接觸孔，例如材質(zhì)為銅、鋁或者鎢等，還可使用互連金屬結(jié)構(gòu)例如銅互連金屬結(jié)構(gòu)等替代示出的第一接觸孔3061、第二接觸孔3062、第三接觸孔3063和第四接觸孔3064，實現(xiàn)二極管與其之上的位線307、復(fù)位線308或互聯(lián)金屬層309的電連接。

進一步地，上述所涉及的內(nèi)容中，所述第一電極為正極，所述第二電極為負極，或者，所述第一電極為負極，所述第二電極為正極。

在一個示例中，本發(fā)明的存儲器單元結(jié)構(gòu)還包括所述隨機存取存儲器組件310，其設(shè)置于所述互連金屬層309的上方，所述隨機存取存儲器組件310的一端電連接所述互連金屬層309。

在一個示例中，本發(fā)明的存儲器單元結(jié)構(gòu)還包括字線311，其設(shè)置于所述隨機存取存儲器組件310的上方，電連接所述隨機存取存儲器組件310的另一端，所述字線311沿與所述第一方向垂直的第二方向延伸。

示例性地，隨機存取存儲器組件310可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何類型的隨機存取存儲器，例如，所述隨機存取存儲器組件203可以為電阻式隨機存取存儲器(rram)、相變隨機存取存儲器(pcram)或磁隨機存取存儲器(mram)中的一種。

其中，本實施例中，較佳地，所述隨機存取存儲器組件310為電阻式隨機存取存儲器。

電阻式隨機存取存儲器可以利用過渡金屬氧化物的可變電阻特性(例如，電阻值隨電壓變化)來存儲數(shù)據(jù)。

rram具有不同電阻值的兩種或多種狀態(tài)，這些不同的電阻值對 應(yīng)于不同的數(shù)字值。通過對rram施加預(yù)定的電壓或電流，rram從一種狀態(tài)切換到另一種狀態(tài)。例如，rram具有相對高電阻的狀態(tài)(被稱為“高阻態(tài)”)和相對低電阻的狀態(tài)(被稱為“低阻態(tài)”)。通過對電極施加預(yù)定的電壓或電流，rram可以從高阻態(tài)切換到低阻態(tài)，或者從低阻態(tài)切換到高阻態(tài)。

在一個示例中，所述電阻式隨機存取存儲器包括：設(shè)置于所述互連金屬層309上的底部電極，設(shè)置于所述底部電極上的電阻材料層，以及設(shè)置于所述電阻材料層上的頂部電極，其中所述底部電極電連接所述互連金屬層309，所述頂部電極電連接所述字線311，進一步，底部電極可直接接觸互連金屬層309而實現(xiàn)電連接。

底部電極可以由金(au)、鉑(pt)、釕(ru)、銥(ir)、鈦(ti)、鋁(al)、銅(cu)、鉭(ta)、鎢(w)、銥鉭合金(ir-ta)或銦錫氧化物(ito)；或者這些的任何合金、氧化物、氮化物、氟化物、碳化物、硼化物或硅化物，諸如tan、tin、tialn、tiw；或者它們的組合制成。在一個實施例中，底部電極包括氮化鉭層和氮化鈦層。

電阻材料層形成在底部電極上并且與底部電極直接接觸。電阻材料層的厚度可以在約20nm至100nm之間。電阻材料層可以包括w、ta、ti、ni、co、hf、ru、zr、zn、fe、sn、al、cu、ag、mo、cr的氧化物中的一種或多種。在一些情況中，可以包括硅以形成復(fù)合材料。在一些實施例中，可以使用氧化鉿和/或氧化鋯。

在電阻材料層上方可選擇性的設(shè)置保護層。在多個實施例中，保護層是金屬，例如鈦、鉿、鉑和鉭。保護層的厚度可以在約20埃和約150埃之間或者在約40埃和約80埃之間。

在電阻材料層或可選的保護層上方設(shè)置頂部電極。頂部電極可以由諸如金(au)、鉑(pt)、釕(ru)、銥(ir)、鈦(ti)、鋁(al)、銅(cu)、鉭(ta)、鎢(w)、銥鉭合金(ir-ta)或銦錫氧化物(ito)；或者這些的任何合金、氧化物、氮化物、氟化物、碳化物、硼化物或硅化物，諸如tan、tin、tialn、tiw；或者它們的組合的材料形成。頂部電極的厚度可以在約100nm至500nm之間的范圍內(nèi)。

值得注意的是，本發(fā)明的存儲器單元結(jié)構(gòu)除了本實施例中提到的膜層或者構(gòu)件外，還可能包括其他的元件或者膜層結(jié)構(gòu)，例如，還可 包括多層層間介電層，前述的接觸孔可形成于層間介電層中，層間介電層可以使用例如sio2、碳氟化合物(cf)、摻碳氧化硅(sioc)、或碳氮化硅(sicn)等?；蛘撸部梢允褂迷谔挤衔?cf)上形成了sicn薄膜的膜等。碳氟化合物以氟(f)和碳(c)為主要成分。碳氟化合物也可以使用具有非晶體(非結(jié)晶性)構(gòu)造的物質(zhì)。層間介電層還可以使用例如摻碳氧化硅(sioc)等多孔質(zhì)構(gòu)造。

在一個示例中，第一二極管31的負極和第二二極管32的正極均電連接電阻式隨機存取存儲器310的底部電極，電阻式隨機存取存儲器310的頂部電極電連接字線311，進一步地，所述第一二極管31的正極電連接所述位線307，所述第二二極管32的負極電連接所述復(fù)位線308。

進而，從所述位線307開始流經(jīng)所述第一二極管31和所述電阻式隨機存取存儲器310到所述字線311的電流路徑構(gòu)成置位(set)路徑，由此路徑可以實現(xiàn)置位操作以及讀操作，從所述字線wl開始流經(jīng)所述電阻式隨機存取存儲器310和所述第二二極管32到所述復(fù)位線rl的電流路徑構(gòu)成復(fù)位(reset)路徑，由此路徑實現(xiàn)復(fù)位操作。

盡管圖3中，僅示出了對應(yīng)如圖2a中電路結(jié)構(gòu)的存儲器單元結(jié)構(gòu)，還可以通過對圖3中的結(jié)構(gòu)進行變形和修改而獲得如圖2b中的電路結(jié)構(gòu)，例如，將位線和復(fù)位線的位置調(diào)換，或者將第一n型摻雜區(qū)和第一p型摻雜區(qū)的位置進行調(diào)換，相應(yīng)將第二n型摻雜區(qū)和第二p型摻雜區(qū)的位置進行調(diào)換等方式均可獲得對應(yīng)如圖2b所示的存儲器單元的結(jié)構(gòu)，因此對于在本發(fā)明的存儲器單元結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進行的任何變形和修改也均落在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。

綜上所述，本發(fā)明的存儲器單元包括兩個二極管和一個電阻式隨機存取存儲器，在本發(fā)明中可簡稱2d1r結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的存儲器單元可以實現(xiàn)雙極性rram的需求，其中一個二極管用于實現(xiàn)讀操作和置位操作，另一個二極管用于實現(xiàn)復(fù)位操作，本發(fā)明的存儲器單元提高正向電流(也即驅(qū)動電流)達到ma級，且降低漏電流到pa級，且可使用具有較小尺寸的二極管，因此存儲器單元結(jié)構(gòu)也會相應(yīng)的具有較小的尺寸。

實施例三

鑒于本發(fā)明的存儲器單元的各種優(yōu)越特點，本發(fā)明還還提供一種存儲器單元陣列，本發(fā)明的存儲器單元陣列包括前述實施例一所述的存儲器單元。

下面，參考圖4a和圖4b對本發(fā)明的存儲器單元陣列做詳細說明，圖4a示出了本發(fā)明一具體實施例中的存儲器單元陣列的電路圖；圖4b示出了本發(fā)明另一具體實施例中的存儲器單元陣列的電路圖。

作為示例，如圖4a和圖4b所示，本發(fā)明的存儲器單元陣列包括：m行n列存儲器單元20，其中，每個所述存儲器單元20包括：第一二極管201，第二二極管202以及一隨機存取存儲器組件203，其中，所述第一二極管201和所述隨機存取存儲器組件203的串聯(lián)電路電連接到位線和字線之間，流經(jīng)所述第一二極管201和所述隨機存取存儲器組件203的電流路徑構(gòu)成置位路徑，所述第二二極管202和所述隨機存取存儲器組件203的串聯(lián)電路電連接到所述字線和復(fù)位線之間，流經(jīng)所述隨機存取存儲器組件203和所述第二二極管202的電流路徑構(gòu)成復(fù)位路徑。

其中，m、n均為大于1的自然數(shù)，盡管圖4中僅示出了部分的存儲器單元陣列，但對于其他任意數(shù)目的陣列也同樣落在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。

為了簡便，在圖4a和圖4b中盡管只對一個存儲器單元20進行了標(biāo)注，但我們可以想到的是其他的存儲器單元20也包括大體上包括相同類型的第一二極管201，第二二極管202以及一隨機存取存儲器組件203。

進一步地，所述第一二極管201和所述第二二極管202均包括第一電極和第二電極，在每個所述存儲器單元20中：所述第一二極管201的第二電極和所述第二二極管202的第一電極電連接所述隨機存取存儲器組件203的一端。

在一個示例中，本發(fā)明的存儲器單元陣列還包括相互隔離的m行字線wl、n列位線bl以及n列復(fù)位線rl，所述位線bl和所述復(fù)位線rl平行間隔設(shè)置，且不同的所述位線、所述字線和所述復(fù)位線彼此相互絕緣。

其中，所述第一電極為正極，所述第二電極為負極，或者，所述第一電極為負極，所述第二電極為正極。

在一個示例中，所述第一電極為正極，所述第二電極為負極，如圖4a所示，設(shè)置于同一列的所述存儲器單元20的第一二極管201的正極電連接其所在列的位線bl，如圖4a所示，從左到右，第n-1列的3個存儲器單元20的第一二極管201的正極電連接其所在列的位線bln-1，第n列的3個存儲器單元20的第一二極管201的正極電連接其所在列的位線bln，第n+1列3個存儲器單元20的第一二極管201的正極電連接其所在列的位線bln+1，依次類推。

進一步地，如圖4a所示，設(shè)置于同一列的所述存儲器單元20的第二二極管202的負極電連接其所在列的復(fù)位線rl，如圖4a所示，從左到右，第n-1列的3個存儲器單元20的第二二極管202的負極電連接其所在列的位線rln-1，第n列的3個存儲器單元20的第二二極管202的負極電連接其所在列的位線rln，第n+1列3個存儲器單元20的第二二極管202的負極電連接其所在列的位線rln+1，依次類推。

進一步地，如圖4a所示，設(shè)置于同一行的所述存儲器單元20的所述隨機存取存儲器組件203的另一端電連接其所在行的字線wl，如圖4a所示，從上到下，第n-1行的3個存儲器單元20的所述隨機存取存儲器組件203的另一端電連接其所在行的字線wln-1，第n行的3個存儲器單元20的所述隨機存取存儲器組件203的另一端電連接其所在行的字線wln，第n+1行的3個存儲器單元20的所述隨機存取存儲器組件203的另一端電連接其所在行的字線wln+1，依次類推。

在另一個示例中，如圖4b所示，所述第一電極為負極，所述第二電極為正極，設(shè)置于同一列的所述存儲器單元20的第一二極管201的負極電連接其所在列的位線bl，如圖4b所示，從左到右，第n-1列的3個存儲器單元20的第一二極管201的負極電連接其所在列的位線bln-1，第n列的3個存儲器單元20的第一二極管201的負極電連接其所在列的位線bln，第n+1列3個存儲器單元20的第一二極管201的負極電連接其所在列的位線bln+1，依次類推。

進一步，設(shè)置于同一列的所述存儲器單元20的第二二極管202的正極電連接其所在列的復(fù)位線rl，如圖4b所示，從左到右，第n-1列的3個存儲器單元20的第二二極管202的正極電連接其所在列的位線rln-1，第n列的3個存儲器單元20的第二二極管202的正極電連接其所在列的位線rln，第n+1列3個存儲器單元20的第二二極管202的正極電連接其所在列的位線rln+1，依次類推。

進一步地，如圖4b所示，設(shè)置于同一行的所述存儲器單元20的所述隨機存取存儲器組件203的另一端電連接其所在行的字線wl，如圖4b所示，從上到下，第n-1行的3個存儲器單元20的所述隨機存取存儲器組件203的另一端電連接其所在行的字線wln-1，第n行的3個存儲器單元20的所述隨機存取存儲器組件203的另一端電連接其所在行的字線wln，第n+1行的3個存儲器單元20的所述隨機存取存儲器組件203的另一端電連接其所在行的字線wln+1，依次類推。

值得一提的是，本發(fā)明中二極管的類型可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何類型的pn二極管，鍺二極管(ge管)和硅二極管(si管)。

示例性地，隨機存取存儲器組件203可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何類型的隨機存取存儲器，例如，所述隨機存取存儲器組件203可以為電阻式隨機存取存儲器(rram)、相變隨機存取存儲器(pcram)或磁隨機存取存儲器(mram)中的一種。

值得一提的是，電阻式隨機存取存儲器可以利用過渡金屬氧化物的可變電阻特性(例如，電阻值隨電壓變化)來存儲數(shù)據(jù)。電阻式隨機存取存儲器可以包括順序形成的底部電極、電阻材料層和頂部電極。電阻材料層可以由過渡金屬氧化物形成，底部電極和頂部電極可以由導(dǎo)電材料(例如，金屬或金屬氧化物)形成。

本實施例中，較佳地所述隨機存取存儲器組件203使用電阻式隨機存取存儲器，則如圖4a所示的陣列中，從所述位線bl開始流經(jīng)所述第一二極管201和所述電阻式隨機存取存儲器203到所述字線wl的電流路徑構(gòu)成置位(set)路徑，由此路徑可以實現(xiàn)置位操作以及讀操作，從所述字線wl開始流經(jīng)所述電阻式隨機存取存儲器203和所述第二二極管202到所述復(fù)位線rl的電流路徑構(gòu)成復(fù)位 (reset)路徑，由此路徑實現(xiàn)復(fù)位操作。

在另一個示例中，如圖4b所示的陣列中，從所述字線wl開始流經(jīng)所述電阻式隨機存取存儲器203和所述第一二極管201到所述位線bl的電流路徑構(gòu)成置位(set)路徑，由此路徑可以實現(xiàn)置位操作以及讀操作，從所述復(fù)位線rl開始流經(jīng)所述第二二極管202和所述電阻式隨機存取存儲器203到所述字線wl的電流路徑構(gòu)成復(fù)位(reset)路徑，由此路徑實現(xiàn)復(fù)位操作。

因此，本發(fā)明的存儲器單元陣列包括多個存儲器單元，每個存儲器單元具有兩個二極管和一個電阻式隨機存取存儲器的，該存儲器單元可以實現(xiàn)雙極性rram的需求，其中一個二極管用于實現(xiàn)讀操作和置位操作，另一個二極管用于實現(xiàn)復(fù)位操作，由于存儲器單元提高正向電流(也即驅(qū)動電流)達到ma級，且降低漏電流到pa級，且存儲器單元的也會相應(yīng)的具有較小的尺寸，因此，本發(fā)明的存儲器單元陣列也具體同樣的優(yōu)點，可以提高驅(qū)動電流，降低漏電流，且具有較小的尺寸。

本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。