本申請要求2015年11月10日提交的申請?zhí)枮?0-2015-0157217的韓國專利申請的優(yōu)先權，其通過引用整體合并于此。

技術領域

本公開的實施例涉及半導體器件，更具體地，涉及一種被配置成產(chǎn)生用于執(zhí)行刷新操作的刷新脈沖的半導體器件。

背景技術：

與靜態(tài)隨機存取存儲(SRAM)器件和快閃存儲器件不同的是，半導體器件中的動態(tài)隨機存取存儲(DRAM)器件即便其電源電壓得到供應也可能隨著時間的流逝而丟失其儲存的數(shù)據(jù)。這可能是由于與單元晶體管一起組成DRAM器件的存儲單元的單元電容器的漏電流引起的。因此，必須周期性地對DRAM器件的單元電容器重新充電以保持或刷新其儲存的數(shù)據(jù)。此操作可以被稱作刷新操作。刷新操作可以通過在存儲單元的數(shù)據(jù)保持時間之內(nèi)激活字線至少一次以放大存儲單元中儲存的數(shù)據(jù)來執(zhí)行。數(shù)據(jù)保持時間可以對應于在無刷新操作的情況下單元電容器可以保持展現(xiàn)正確邏輯數(shù)據(jù)所需的最小電荷的最大時間。

刷新操作可以分為自動刷新操作或自刷新操作。自動刷新操作可以通過從控制DRAM器件的控制器輸出的刷新命令來執(zhí)行，而在省電模式中自刷新操作可以通過DRAM器件中包含的計數(shù)器來執(zhí)行。

同時，可能有必要根據(jù)半導體器件的內(nèi)部溫度變化來控制半導體器件中的電路模塊的操作條件。諸如數(shù)字溫度傳感器調(diào)節(jié)器(DTSR)、模擬溫度傳感器調(diào)節(jié)器(ATSR)或數(shù)字溫度補償自刷新(DTCSR)的溫度傳感器已經(jīng)廣泛用于根據(jù)半導體器件內(nèi)部溫度變化來控制諸如DRAM器件的半導體器件的操作條件。

技術實現(xiàn)要素：

各種實施例針對半導體器件，所述半導體器件響應于被產(chǎn)生用來執(zhí)行刷新操作的刷新脈沖來重置計數(shù)器的操作。

根據(jù)一個實施例，一種半導體器件包括：解碼信號發(fā)生電路，適用于在刷新區(qū)段期間響應于振蕩信號而執(zhí)行計數(shù)操作以產(chǎn)生解碼信號；刷新脈沖發(fā)生電路，適用于響應于解碼信號和溫度碼而產(chǎn)生用于執(zhí)行刷新操作的刷新脈沖；以及重置脈沖發(fā)生電路，適用于響應于刷新脈沖而產(chǎn)生初始化解碼信號的重置脈沖。

根據(jù)另一實施例，一種半導體器件包括振蕩電路和刷新脈沖發(fā)生電路。振蕩電路響應于刷新區(qū)段信號而產(chǎn)生振蕩信號。刷新脈沖發(fā)生電路響應于振蕩信號而將解碼信號與溫度碼進行比較以產(chǎn)生用于執(zhí)行刷新操作的刷新脈沖。解碼信號響應于刷新脈沖而被初始化。

根據(jù)另一實施例，一種半導體器件包括：計數(shù)器，適用于在刷新區(qū)段期間響應于振蕩信號而執(zhí)行計數(shù)操作以產(chǎn)生計數(shù)信號；刷新脈沖發(fā)生電路，適用于響應于計數(shù)信號和溫度碼而產(chǎn)生用于執(zhí)行刷新操作的刷新脈沖；以及重置脈沖發(fā)生電路，適用于響應于刷新脈沖而產(chǎn)生初始化計數(shù)信號的重置脈沖。

附圖說明

基于附圖和所附詳細描述，本公開的各種實施例將變得更加明顯，在附圖中：

圖1是圖示根據(jù)一個實施例的半導體器件的配置的框圖；

圖2是圖示圖1的半導體器件中包括的振蕩電路的配置的框圖；

圖3是圖示圖2中所示的振蕩電路的操作的時序圖；

圖4是圖示圖1的半導體器件中包括的解碼信號發(fā)生電路的配置的框圖；

圖5是圖示圖1的半導體器件中包括的溫度碼選擇電路的配置的電路圖；

圖6是圖示圖1至圖5中所示的半導體器件的操作的邏輯表；

圖7和圖8是圖示圖1至圖5中所示的半導體器件的操作的時序圖；

圖9是圖示根據(jù)另一實施例的半導體器件的配置的框圖；

圖10是圖示根據(jù)又一實施例的半導體器件的配置的框圖；

圖11是圖示圖10中所示的半導體器件的操作的邏輯表；以及

圖12是圖示包括圖1、圖9和圖10中所示的半導體器件中的至少一種的電子系統(tǒng)的配置的框圖。

具體實施方式

在下文中將參照附圖來描述本公開的各種實施例。然而，本文中描述的實施例僅用于說明的目的，而非意在限制本公開的范圍。

如圖1中所示，根據(jù)一個實施例的半導體器件可以包括振蕩電路1、重置脈沖發(fā)生電路2、解碼信號發(fā)生電路3、刷新脈沖發(fā)生電路4和溫度碼選擇電路5。

振蕩電路1可以響應于刷新區(qū)段信號SREF而產(chǎn)生振蕩信號OSCP和延遲振蕩信號OSCPD。更具體地，振蕩電路1可以在刷新區(qū)段信號SREF被使能時產(chǎn)生振蕩信號OSCP，以及可以將振蕩信號OSCP延遲預定延遲時間而產(chǎn)生延遲振蕩信號OSCPD。刷新區(qū)段信號SREF可以被設置成在刷新區(qū)段期間被使能。刷新區(qū)段可以被設置成從刷新模式開始的時間開始延伸直到刷新模式終止的時間的時間段。振蕩信號OSCP可以包括在刷新區(qū)段期間周期性創(chuàng)建的脈沖。振蕩信號OSCP被延遲以產(chǎn)生延遲振蕩信號OSCPD的預定延遲時間可以根據(jù)實施例而設置為不同。在刷新模式中執(zhí)行的刷新操作可以包括自刷新操作和自動刷新操作。

重置脈沖發(fā)生電路2可以響應于接收刷新脈沖SREFP而產(chǎn)生重置脈沖RSTP。更具體地，如果刷新脈沖SREFP創(chuàng)建，則重置脈沖發(fā)生電路2可以產(chǎn)生用于將解碼信號DS<4:1>初始化的重置脈沖RSTP。刷新脈沖SREFP可以被產(chǎn)生以用于執(zhí)行刷新操作。

在刷新區(qū)段期間，解碼信號發(fā)生電路3可以響應于延遲振蕩信號OSCPD而產(chǎn)生解碼信號DS<4:1>。更具體地，解碼信號發(fā)生電路3可以同步于延遲振蕩信號OSCPD中包括的每個脈沖而執(zhí)行計數(shù)操作，以及可以執(zhí)行解碼操作以產(chǎn)生解碼信號DS<4:1>。

刷新脈沖發(fā)生電路4可以響應于振蕩信號OSCP而將解碼信號DS<4:1>與溫度碼TC<4:1>進行比較以產(chǎn)生刷新脈沖SREFP。更具體地，每當振蕩信號OSCP的脈沖被輸入至刷新脈沖發(fā)生電路4時，刷新脈沖發(fā)生電路4可以基于解碼信號DS<4:1>是否與溫度碼TC<4:1>相對應來判斷以產(chǎn)生刷新脈沖SREFP。例如，如果解碼信號DS<4:1>的邏輯電平與溫度碼TC<4:1>的邏輯電平相對應，則刷新脈沖發(fā)生電路4可以產(chǎn)生刷新脈沖SREFP。用于產(chǎn)生刷新脈沖SREFP的解碼信號DS<4:1>和溫度碼TC<4:1>的邏輯電平可以根據(jù)實施例來不同地設置。

溫度碼選擇電路5可以響應于刷新脈沖SREFP而從溫度感測信號TS<4:1>產(chǎn)生溫度碼TC<4:1>。更具體地，如果刷新脈沖SREFP被創(chuàng)建，則溫度碼選擇電路5可以輸出溫度感測信號TS<4:1>作為溫度碼TC<4:1>。溫度碼TC<4:1>可以具有與半導體器件的內(nèi)部溫度相對應的邏輯電平組合。可以從半導體器件中包括的溫度傳感器6來產(chǎn)生溫度感測信號TS<4:1>。

參見圖2，振蕩電路1可以包括脈沖發(fā)生器11、周期信號發(fā)生器12、周期脈沖發(fā)生器13、脈沖合成器14和延遲單元15。在此處所使用的，單元可以指電路，如此延遲單元15也可以被稱作延遲電路。這對于本文中敘述的任何其他單元也是成立的。

脈沖發(fā)生器11可以響應于刷新區(qū)段信號SREF而產(chǎn)生初始脈沖PUL_INT。更具體地，脈沖發(fā)生器11可以同步于在刷新模式中刷新區(qū)段信號SREF被使能的時間而產(chǎn)生初始脈沖PUL_INT。

周期信號發(fā)生器12可以響應于刷新區(qū)段信號SREF而產(chǎn)生周期信號PDS。更具體地，周期信號發(fā)生器12可以在刷新區(qū)段信號SREF被使能的刷新區(qū)段期間產(chǎn)生周期信號PDS。周期信號PDS的周期可以具有預定周期，所述預定周期可以被設置為根據(jù)實施例而不同。

周期脈沖發(fā)生器13可以響應于周期信號PDS而產(chǎn)生周期脈沖信號PUL_PD。更具體地，周期脈沖發(fā)生器13可以產(chǎn)生包括同步于周期信號PDS的下降沿(對應于表示邏輯“高”電平變成邏輯“低”電平的電平轉(zhuǎn)變點)而創(chuàng)建的多個脈沖的周期脈沖信號PUL_PD。然而，在一些實施例中，周期脈沖發(fā)生器13可以產(chǎn)生包括同步于周期信號PDS的上升沿(對應于表示邏輯“低”電平變成邏輯“高”電平的電平轉(zhuǎn)變點)而創(chuàng)建的多個脈沖的周期脈沖信號PUL_PD。

脈沖合成器14可以將初始脈沖PUL_INT與周期脈沖信號PUL_PD合成以產(chǎn)生振蕩信號OSCP。振蕩信號OSCP可以被產(chǎn)生為包括初始脈沖PUL_INT和周期脈沖信號PUL_PD的多個脈沖。

延遲單元15可以將振蕩信號OSCP延遲預定延遲時間以產(chǎn)生延遲振蕩信號OSCPD。振蕩信號OSCP被延遲以產(chǎn)生延遲振蕩信號OSCPD的預定時間可以被設置為根據(jù)實施例而不同。

在下文中將參照圖3來更充分地描述振蕩電路1的操作。

如果刷新區(qū)段信號SREF被使能為具有邏輯“高”電平而使半導體器件處于刷新模式中，則可以同步于刷新區(qū)段信號SREF的上升沿而產(chǎn)生初始脈沖PUL_INT和周期信號PDS。周期脈沖信號PUL_PD可以從周期信號PDS中產(chǎn)生，且可以被產(chǎn)生為包括同步于周期信號PDS的下降沿而創(chuàng)建的脈沖。

可以將初始脈沖PUL_INT與周期脈沖信號PUL_PD合成以產(chǎn)生振蕩信號OSCP。振蕩信號OSCP可以包括初始脈沖PUL_INT和周期脈沖信號PUL_PD的脈沖。可以將振蕩信號OSCP延遲預定延遲時間以產(chǎn)生延遲振蕩信號OSCPD。

參見圖4，解碼信號發(fā)生電路3可以包括計數(shù)器31和解碼器32。

計數(shù)器31可以響應于延遲振蕩信號OSCPD和重置脈沖RSTP而產(chǎn)生順序計數(shù)的計數(shù)信號CNT<4:1>。更具體地，計數(shù)器31可以輸出每當延遲振蕩信號OSCPD的脈沖輸入至計數(shù)器31時就計數(shù)的計數(shù)信號CNT<4:1>。在本實施例中，計數(shù)器31可以被配置成：每當延遲振蕩信號OSCPD中包括的脈沖被輸入至計數(shù)器31時，從初始邏輯電平組合“0000”順序地對計數(shù)信號CNT<4:1>逐位遞增計數(shù)。例如，如果延遲振蕩信號OSCPD的第一脈沖被輸入至計數(shù)器31，則可以將計數(shù)信號CNT<4:1>遞增計數(shù)為具有邏輯電平組合“0001”，如果延遲振蕩信號OSCPD的第二脈沖被輸入至計數(shù)器31，則可以將計數(shù)信號CNT<4:1>遞增計數(shù)為具有邏輯電平組合“0010”，以及如果延遲振蕩信號OSCPD的第三脈沖被輸入至計數(shù)器31，則可以將計數(shù)信號CNT<4:1>遞增計數(shù)為具有邏輯電平組合“0011”。因為將計數(shù)信號CNT<4:1>遞增計數(shù)為具有邏輯電平組合“0010”，所以意味著計數(shù)信號CNT<4:1>中僅第二位CNT<2>具有邏輯“高”電平，而剩余位CNT<4>、CNT<3>和CNT<1>全都具有邏輯“低”電平。在一些實施例中，計數(shù)器31可以被配置成：每當延遲振蕩信號OSCPD的脈沖被輸入至計數(shù)器31時，從初始邏輯電平組合“1111”開始順序地對計數(shù)信號CNT<4:1>逐位遞減計數(shù)。

解碼器32可以對計數(shù)信號CNT<4:1>進行解碼以產(chǎn)生解碼信號DS<4:1>。如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0001”，則在解碼信號DS<4:1>的四個位之中僅第一位DS<1>可以具有邏輯“高”電平，如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0011”，則在解碼信號DS<4:1>的四個位之中僅第二位DS<2>可以具有邏輯“高”電平，如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0111”，則在解碼信號DS<4:1>的四個位之中僅第三位DS<3>可以具有邏輯“高”電平，以及如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“1111”，則在解碼信號DS<4:1>的四個位之中僅第四位DS<4>可以具有邏輯“高”電平。根據(jù)計數(shù)信號CNT<4:1>的邏輯電平組合而產(chǎn)生的解碼信號DS<4:1>的邏輯電平組合可以被設置為根據(jù)實施例而不同。

參見圖5，溫度碼選擇電路5可以包括緩沖器51和鎖存單元52。

緩沖器51可以包括反相器IV51。如果刷新脈沖SREFP產(chǎn)生，則緩沖器51可以反相地緩沖溫度感測信號TS<4:1>以輸出反相緩沖的信號。溫度感測信號TS<4:1>可以具有與半導體器件的內(nèi)部溫度相對應的邏輯電平組合。溫度感測信號TS<4:1>可以從半導體器件中包括的溫度傳感器6來產(chǎn)生。

鎖存單元52可以包括反相器IV52和IV53。鎖存單元52可以反相地緩沖節(jié)點nd51(緩沖器51的輸出信號被輸入至節(jié)點nd51)的信號，以及鎖存單元52可以經(jīng)由節(jié)點nd52輸出反相緩沖的信號作為溫度碼TC<4:1>。如果刷新脈沖SREFP未產(chǎn)生，則鎖存單元52可以反相地緩沖節(jié)點nd52的信號以將反相緩沖的信號輸出給節(jié)點nd51。

在下文中將參照圖6、圖7和圖8來描述具有前述配置的半導體器件的操作。

如果刷新區(qū)段信號SREF被使能以使半導體器件處于刷新模式中，則可以產(chǎn)生振蕩信號OSCP和延遲振蕩信號OSCPD?？梢酝ㄟ^同步于延遲振蕩信號OSCPD而執(zhí)行的計數(shù)操作來產(chǎn)生計數(shù)信號CNT<4:1>，以及可以通過對計數(shù)信號CNT<4:1>進行解碼來產(chǎn)生解碼信號DS<4:1>?？梢酝接谡袷幮盘朞SCP而將解碼信號DS<4:1>與溫度碼TC<4:1>進行比較，以及可以通過該比較操作來產(chǎn)生刷新脈沖SREFP。

參見圖6，在表中列出了同步于延遲振蕩信號OSCPD而順序計數(shù)的計數(shù)信號CNT<4:1>的各種邏輯電平組合。在表中還列出了與計數(shù)信號CNT<4:1>的邏輯電平組合相對應的解碼信號DS<4:1>和溫度碼TC<4:1>的各種邏輯電平組合。

如果在計數(shù)操作之后計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0001”，則解碼信號DS<4:1>可以被產(chǎn)生為具有邏輯電平組合“0001”，而解碼信號DS<4:1>的邏輯電平組合可以對應于與半導體器件具有90攝氏度的內(nèi)部溫度的情況相對應的溫度碼TC<4:1>的邏輯電平組合。因此，當半導體器件的內(nèi)部溫度是90攝氏度時，如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0001”，則刷新脈沖SREFP可以被創(chuàng)建。計數(shù)信號CNT<4:1>可以通過同步于刷新脈沖SREFP產(chǎn)生的重置脈沖RSTP而被初始化為具有初始邏輯電平組合“0000”。

如果在計數(shù)操作之后計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0011”，則解碼信號DS<4:1>可以被產(chǎn)生為具有邏輯電平組合“0010”，以及解碼信號DS<4:1>的邏輯電平組合可以對應于與半導體器件具有60攝氏度的內(nèi)部溫度的情況相對應的溫度碼TC<4:1>的邏輯電平組合。因此，當半導體器件的內(nèi)部溫度是60攝氏度時，如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0011”，則刷新脈沖SREFP可以被創(chuàng)建。計數(shù)信號CNT<4:1>可以通過同步于刷新脈沖SREFP產(chǎn)生的重置脈沖RSTP而被初始化為具有初始邏輯電平組合“0000”。

如果在計數(shù)操作之后計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0111”，則解碼信號DS<4:1>可以被產(chǎn)生為具有邏輯電平組合“0100”，以及解碼信號DS<4:1>的邏輯電平可以對應于與半導體器件具有40攝氏度的內(nèi)部溫度的情況相對應的溫度碼TC<4:1>的邏輯電平組合。因此，當半導體器件的內(nèi)部溫度是40攝氏度時，如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0111”，則刷新脈沖SREFP可以被創(chuàng)建。計數(shù)信號CNT<4:1>可以通過同步于刷新脈沖SREFP產(chǎn)生的重置脈沖RSTP而被初始化為具有初始邏輯電平組合“0000”。

如果在計數(shù)操作之后計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“1111”，則解碼信號DS<4:1>可以被產(chǎn)生為具有邏輯電平組合“1000”，以及解碼信號DS<4:1>的邏輯電平組合可以對應于與半導體器件具有30攝氏度的內(nèi)部溫度的情況相對應的溫度碼TC<4:1>的邏輯電平組合。因此，當半導體器件的內(nèi)部溫度是30攝氏度時，如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“1111”，則刷新脈沖SREFP可以被創(chuàng)建。計數(shù)信號CNT<4:1>可以通過同步于刷新脈沖SREFP產(chǎn)生的重置脈沖RSTP而被初始化為具有初始邏輯電平組合“0000”。

參見圖7，可以根據(jù)半導體器件的各種內(nèi)部溫度而通過重置脈沖RSTP來初始化計數(shù)信號CNT<4:1>。

當半導體器件的內(nèi)部溫度是60攝氏度時，溫度碼TC<4:1>可以具有邏輯電平組合“0010”。因此，由于解碼信號DS<2:1>的邏輯電平組合和溫度碼TC<2:1>的邏輯電平組合與邏輯電平組合“10”相對應，因此在計數(shù)操作之后計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0011”的時間“T11”處可以執(zhí)行刷新操作。刷新脈沖RSTP可以在時間“T12”處被創(chuàng)建。在時間“T12”處，溫度碼TC<4:1>可以通過重置脈沖RSTP而被初始化為具有初始邏輯電平組合“0000”。

當半導體器件的內(nèi)部溫度是90攝氏度時，溫度碼TC<4:1>可以具有邏輯電平組合“0001”。因此，由于解碼信號DS<2:1>和溫度碼TC<2:1>的邏輯電平組合與邏輯電平組合“01”相對應，因此在計數(shù)操作之后計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0001”的時間“T13”處可以執(zhí)行刷新操作。重置脈沖RSTP可以在時間“T14”處被創(chuàng)建。在時間“T14”處，溫度碼TC<4:1>可以通過重置脈沖RSTP而被初始化為具有初始邏輯電平“0000”。

參見圖8，如果刷新模式的進入和退出頻繁出現(xiàn)，則可以執(zhí)行刷新操作。

如果半導體器件在時間“T21”處進入刷新模式，則可以從初始邏輯電平組合開始對計數(shù)信號CNT<4:1>順序計數(shù)直到產(chǎn)生解碼信號DS<4:1>為止，其中，解碼信號DS<4:1>具有與對應于半導體器件的內(nèi)部溫度的溫度碼TC<4:1>相同的邏輯電平組合。如果通過對計數(shù)信號CNT<4:1>進行解碼而產(chǎn)生的解碼信號DS<4:1>在從時間點“T21”開始經(jīng)過時間段“t1”的時間處具有與溫度碼TC<4:1>相同的邏輯電平組合，則刷新脈沖SREFP可以被創(chuàng)建來執(zhí)行刷新操作。如果刷新脈沖SREFP創(chuàng)建，則重置脈沖RSTP可以被創(chuàng)建來初始化計數(shù)信號CNT<4:1>?？梢詮乃⑿虏僮鲌?zhí)行之后的時間“T22”延伸直到刷新模式終止的時間“T23”的時間段“t2”期間，順序地對計數(shù)信號CNT<4:1>計數(shù)。從刷新模式終止的時間“T23”開始可以結(jié)束計數(shù)信號CNT<4:1>的計數(shù)操作。

如果半導體器件在時間“T24”處再次進入刷新模式，則可以再次對計數(shù)信號CNT<4:1>計數(shù)。如果通過對計數(shù)信號CNT<4:1>進行解碼而產(chǎn)生的解碼信號DS<4:1>在從時間“T24”開始經(jīng)過時間段“t3”的時間處具有與溫度碼TC<4:1>相同的邏輯電平組合，則刷新脈沖SREFP可以被創(chuàng)建來執(zhí)行刷新操作。當半導體器件再次進入刷新模式時，可以從通過在先前刷新模式中執(zhí)行的計數(shù)操作來設置的最后邏輯電平組合開始對計數(shù)信號CNT<4:1>計數(shù)。因此，時間段“t2”與時間段“t3”的總和可以等于時間段“t1”。

如上所述，即使半導體器件退出刷新模式，計數(shù)信號CNT<4:1>也可能不被初始化而具有最后邏輯電平組合。因此，如果半導體器件再次進入下一刷新模式，則可以從先前刷新模式中設置的最后邏輯電平組合開始來再次對計數(shù)信號CNT<4:1>計數(shù)。即，可能沒必要每當半導體器件進入刷新模式就從初始邏輯電平組合開始對計數(shù)信號CNT<4:1>計數(shù)。因此，即使半導體器件頻繁地進入和退出刷新模式，也可以降低半導體器件的功耗。

如圖9中所示，根據(jù)另一實施例的半導體器件可以包括振蕩電路61、重置脈沖發(fā)生電路62、解碼信號發(fā)生電路63、刷新脈沖發(fā)生電路64和溫度碼選擇電路65。

振蕩電路61可以響應于刷新區(qū)段信號SREF而產(chǎn)生振蕩信號OSCP。更具體地，振蕩電路61可以在刷新區(qū)段信號SREF被使能時產(chǎn)生振蕩信號OSCP。刷新區(qū)段信號SREF可以被設置為在刷新區(qū)段期間被使能。振蕩信號OSCP可以包括在刷新區(qū)段期間(即，在刷新模式中)周期性創(chuàng)建的脈沖。在刷新模式中執(zhí)行的刷新操作可以包括自刷新操作和自動刷新操作。

重置脈沖發(fā)生電路62可以響應于刷新脈沖SREFP而產(chǎn)生重置脈沖RSTP。更具體地，如果刷新脈沖SREFP創(chuàng)建，則重置脈沖發(fā)生電路62可以產(chǎn)生重置脈沖RSTP。刷新脈沖SREFP可以被產(chǎn)生來執(zhí)行刷新操作。

解碼信號發(fā)生電路63可以響應于振蕩信號OSCP而產(chǎn)生解碼信號DS<4:1>。更具體地，解碼信號發(fā)生電路63可以同步于振蕩信號OSCP中包括的每個脈沖而執(zhí)行計數(shù)操作，以及可以執(zhí)行解碼操作以產(chǎn)生解碼信號DS<4:1>。

刷新脈沖發(fā)生電路64可以響應于振蕩信號OSCP而將解碼信號DS<4:1>與溫度碼TC<4:1>進行比較以產(chǎn)生刷新脈沖SREFP。更具體地，每當振蕩信號OSCP的脈沖被輸入至刷新脈沖發(fā)生電路64時，刷新脈沖發(fā)生電路64可以判斷解碼信號DS<4:1>的邏輯電平組合是否與溫度碼TC<4:1>的邏輯電平組合相對應以產(chǎn)生刷新脈沖SREFP。例如，如果解碼信號DS<4:1>與溫度碼TC<4:1>相對應，則刷新脈沖發(fā)生電路64可以產(chǎn)生刷新脈沖SREFP。用于產(chǎn)生刷新脈沖SREFP的解碼信號DS<4:1>和溫度碼TC<4:1>的邏輯電平可以被設置為根據(jù)實施例而不同。

溫度碼選擇電路65可以響應于刷新脈沖SREFP而從溫度感測信號TS<4:1>產(chǎn)生溫度碼TC<4:1>。更具體地，如果刷新脈沖SREFP創(chuàng)建，則溫度碼選擇電路65可以輸出溫度感測信號TS<4:1>作為溫度碼TC<4:1>。溫度碼TC<4:1>可以具有與半導體器件的內(nèi)部溫度相對應的邏輯電平組合?？梢詮陌雽w器件中包括的溫度傳感器66來產(chǎn)生溫度感測信號TS<4:1>。

如圖10中所示，根據(jù)又一實施例的半導體器件可以包括振蕩電路71、重置脈沖發(fā)生電路72、計數(shù)器73、刷新脈沖發(fā)生電路74和溫度碼選擇電路75。

振蕩電路71可以響應于刷新區(qū)段信號SREF而產(chǎn)生振蕩信號OSCP和延遲振蕩信號OSCPD。更具體地，振蕩電路71可以在刷新區(qū)段信號SREF被使能時產(chǎn)生振蕩信號OSCP，以及振蕩電路71可以將振蕩信號OSCP延遲預定延遲時間以產(chǎn)生延遲振蕩信號OSCPD。刷新區(qū)段信號SREF可以被設置為在刷新區(qū)段期間被使能。振蕩信號OSCP可以包括在刷新區(qū)段期間(即，在刷新模式中)周期性創(chuàng)建的脈沖。振蕩信號OSCP被延遲以產(chǎn)生延遲振蕩信號OSCPD的預定延遲時間可以根據(jù)實施例來不同地設置。在刷新模式中執(zhí)行的刷新操作可以包括自刷新操作和自動刷新操作。

重置脈沖發(fā)生電路72可以響應于刷新脈沖SREFP而產(chǎn)生重置脈沖RSTP。更具體地，如果刷新脈沖SREFP創(chuàng)建，則重置脈沖發(fā)生電路72可以產(chǎn)生重置脈沖RSTP。刷新脈沖SREFP可以被產(chǎn)生來執(zhí)行刷新操作。

計數(shù)器73可以在刷新區(qū)段期間響應于延遲振蕩信號OSCPD而產(chǎn)生計數(shù)信號CNT<4:1>。更具體地，計數(shù)器73可以同步于延遲振蕩信號OSCPD中包括的脈沖而輸出順序計數(shù)的計數(shù)信號CNT<4:1>。

刷新脈沖發(fā)生電路74可以響應于振蕩信號OSCP而將計數(shù)信號CNT<4:1>與溫度碼TC<4:1>進行比較以產(chǎn)生刷新脈沖SREFP。更具體地，每當振蕩信號OSCP的脈沖被輸入至刷新脈沖發(fā)生電路74時，刷新脈沖發(fā)生電路74可以判斷計數(shù)信號CNT<4:1>是否與溫度碼TC<4:1>相對應以產(chǎn)生刷新脈沖SREFP。例如，如果計數(shù)信號CNT<4:1>與溫度碼TC<4:1>相對應，則刷新脈沖發(fā)生電路74可以產(chǎn)生刷新脈沖SREFP。用于產(chǎn)生刷新脈沖SREFP的計數(shù)信號CNT<4:1>和溫度碼TC<4:1>的邏輯電平可以根據(jù)實施例來不同地設置。

溫度碼選擇電路75可以響應于刷新脈沖SREFP而從溫度感測信號TS<4:1>來產(chǎn)生溫度碼TC<4:1>。更具體地，如果刷新脈沖SREFP創(chuàng)建，則溫度碼選擇電路75可以輸出溫度感測信號TS<4:1>作為溫度碼TC<4:1>。溫度碼TC<1:4>可以具有與半導體器件的內(nèi)部溫度相對應的邏輯電平組合?？梢詮陌雽w器件中包括的溫度傳感器76來產(chǎn)生溫度感測信號TS<4:1>。

參見圖11，列出了同步于延遲振蕩信號OSCPD而順序計數(shù)的計數(shù)信號CNT<4:1>的各種邏輯電平組合，并且還列出了與計數(shù)信號CNT<4:1>的邏輯電平組合相對應的溫度碼TC<4:1>的各種邏輯電平組合。在本實施例中，計數(shù)器73可以被配置成：每當延遲振蕩信號OSCPD中包括的脈沖被輸入至計數(shù)器73時，從初始邏輯電平組合“0000”開始順序地對計數(shù)信號CNT<4:1>逐位遞增計數(shù)。在一些實施例中，計數(shù)器73可以被配置成：每當延遲振蕩信號OSCPD的脈沖被輸入至計數(shù)器73時，從初始邏輯電平組合“1111”開始順序地對計數(shù)信號CNT<4:1>逐位遞減計數(shù)。

如果在計數(shù)操作之后計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0001”，則溫度碼TC<4:1>可以具有與半導體器件具有90攝氏度的內(nèi)部溫度的情況相對應的邏輯電平組合“0001”。因此，當半導體器件的內(nèi)部溫度是90攝氏度時，如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0001”，則刷新脈沖SREFP可以被創(chuàng)建。這是因為具有邏輯電平組合“0001”的計數(shù)信號CNT<4:1>對應于具有邏輯電平組合“0001”的溫度碼TC<4:1>。計數(shù)信號CNT<4:1>可以通過同步于刷新脈沖SREFP產(chǎn)生的重置脈沖RSTP而被初始化為具有初始邏輯電平組合“0000”。

如果在計數(shù)操作之后計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0011”，則溫度碼TC<4:1>可以具有與半導體器件具有60攝氏度的內(nèi)部溫度的情況相對應的邏輯電平組合“0010”。因此，當半導體器件的內(nèi)部溫度是60攝氏度時，如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0011”，則刷新脈沖SREFP可以被創(chuàng)建。這是因為具有邏輯電平組合“0011”的計數(shù)信號CNT<4:1>與具有邏輯電平組合“0010”的溫度碼TC<4:1>相對應。計數(shù)信號CNT<4:1>可以通過同步于刷新脈沖SREFP產(chǎn)生的重置脈沖RSTP而被初始化為具有初始邏輯電平組合“0000”。

如果在計數(shù)操作之后計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0111”，則溫度碼TC<4:1>可以具有與半導體器件具有40攝氏度的內(nèi)部溫度的情況相對應的邏輯電平組合“0100”。因此，當半導體器件的內(nèi)部溫度是40攝氏度時，如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“0111”，則刷新脈沖SREFP可以被創(chuàng)建。這是因為具有邏輯電平組合“0111”的計數(shù)信號CNT<4:1>與具有邏輯電平組合“0100”的溫度碼TC<4:1>相對應。計數(shù)信號CNT<4:1>可以通過同步于刷新脈沖SREFP產(chǎn)生的重置脈沖RSTP而被初始化為具有初始邏輯電平組合“0000”。

如果在計數(shù)操作之后計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“1111”，則溫度碼TC<4:1>可以具有與半導體器件具有30攝氏度的內(nèi)部溫度的情況相對應的邏輯電平組合“1000”。因此，當半導體器件的內(nèi)部溫度是30攝氏度時，如果計數(shù)信號CNT<4:1>具有邏輯電平組合“1111”，則刷新脈沖SREFP可以被創(chuàng)建。這是因為具有邏輯電平組合“1111”的計數(shù)信號CNT<4:1>與具有邏輯電平組合“1000”的溫度碼TC<4:1>相對應。計數(shù)信號CNT<4:1>可以通過同步于刷新脈沖SREFP產(chǎn)生的重置脈沖RSTP而被初始化為具有初始邏輯電平組合“0000”。

可以將參照圖1至圖11而描述的半導體器件中的至少一種應用于包括存儲系統(tǒng)、圖形系統(tǒng)、計算系統(tǒng)或移動系統(tǒng)等的電子系統(tǒng)。例如，如圖12中所示，根據(jù)一個實施例的電子系統(tǒng)1000可以包括數(shù)據(jù)儲存單元1001、存儲器控制器1002、緩沖存儲器1003和輸入/輸出(I/O)接口1004。

根據(jù)從存儲器控制器1002產(chǎn)生的控制信號，數(shù)據(jù)儲存單元1001可以儲存從存儲器控制器1002輸出的數(shù)據(jù)或者可以讀取儲存的數(shù)據(jù)并輸出給存儲器控制器1002。數(shù)據(jù)儲存單元1001可以包括圖1、圖9或圖10中所示的半導體器件。同時，數(shù)據(jù)儲存單元1001可以包括即使當其電源中斷時仍能保持儲存的數(shù)據(jù)的非易失性存儲器。非易失性存儲器可以為快閃存儲器(諸如NOR型快閃存儲器或NAND型快閃存儲器)、相變隨機存取存儲器(PRAM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)、自旋轉(zhuǎn)移矩隨機存取存儲器(STTRAM)或磁性隨機存取存儲器(MRAM)等。

存儲器控制器1002可以經(jīng)由I/O接口1004接收從外部設備(例如，主機設備)輸出的命令，以及可以對從主機設備輸出的命令進行解碼以控制用于將數(shù)據(jù)輸入至數(shù)據(jù)儲存單元1001或緩沖存儲器1003中的操作或者用于將儲存在數(shù)據(jù)儲存單元1001或緩沖存儲器1003中的數(shù)據(jù)輸出的操作。雖然圖12用單個模塊圖示了存儲器控制器1002，但是存儲器控制器1002可以包括用于控制由非易失性存儲器組成的數(shù)據(jù)儲存單元1001的一個控制器和用于控制由非易失性存儲器組成的緩沖存儲器1003的另一個控制器。

緩沖存儲器1003可以暫時地儲存由存儲器控制器1002處理的數(shù)據(jù)。即，緩沖存儲器1003可以暫時地儲存從數(shù)據(jù)儲存單元1001輸出的數(shù)據(jù)或要輸入至數(shù)據(jù)儲存單元1001的數(shù)據(jù)。緩沖存儲器1003可以根據(jù)控制信號來儲存從存儲器控制器1002輸出的數(shù)據(jù)。緩沖存儲器1003可以讀取儲存的數(shù)據(jù)并輸出給存儲器控制器1002。緩沖存儲器1003可以包括諸如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、移動DRAM或靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的易失性存儲器。

I/O接口1004可以將存儲器控制器1002物理地且電氣地連接至外部設備(即，主機)。因此，存儲器控制器1002可以經(jīng)由I/O接口1004接收從外部設備(即，主機)供應的控制信號和數(shù)據(jù)，以及可以經(jīng)由I/O接口1004來將從存儲器控制器1002產(chǎn)生的數(shù)據(jù)輸出給外部設備(即，主機)。即，電子系統(tǒng)1000可以經(jīng)由I/O接口1004來與主機通信。I/O接口1004可以包括各種接口協(xié)議(諸如通用串行總線(USB)、多媒體卡(MMC)、外圍組件互連快速(PCI-E)、串行連接SCSI(SAS)、串行AT附件(SATA)、并行AT附件(PATA)、小型計算機系統(tǒng)接口(SCSI)、增強型小設備接口(ESDI)和集成驅(qū)動電路(IDE))中的任意一種。

電子系統(tǒng)1000可以用作主機的輔助儲存設備或外部儲存設備。電子系統(tǒng)1000可以包括固態(tài)盤(SSD)、USB存儲器、安全數(shù)字(SD)卡、迷你安全數(shù)字(mSD)卡、微型安全數(shù)字(微型SD)卡、安全數(shù)字大容量(SDHC)卡、記憶棒卡、智能媒體(SM)卡、多媒體卡(MMC)、嵌入式多媒體卡(eMMC)或緊湊式閃存(CF)卡等。