本發(fā)明涉及用于高密度存儲(chǔ)裝置的間隙架構(gòu)，且特別是涉及用于高密度存儲(chǔ)裝置以減少上游預(yù)熱的間隙架構(gòu)。

背景技術(shù)：

在一般系統(tǒng)的存儲(chǔ)裝置中，存儲(chǔ)裝置，例如硬式磁盤機(jī)(harddiskdrive)，被存儲(chǔ)及安置在存儲(chǔ)機(jī)架中，因此，每列存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)裝置之間有相同或相似的實(shí)體間隙(physicalgap)。對(duì)于高密度存儲(chǔ)裝置而言(high-densitystorage)(通常五列或更多列的硬式磁盤機(jī)列以及每列15臺(tái)或更多臺(tái)的硬式磁盤機(jī))，存儲(chǔ)裝置的數(shù)量由于每列存儲(chǔ)裝置之間的小間隙(gap)可造成高系統(tǒng)阻抗(systemimpedance)的問題。小間隙將產(chǎn)生冷卻存儲(chǔ)裝置的挑戰(zhàn)，因?yàn)槔鋮s來源，例如風(fēng)扇，以及后續(xù)列的硬盤(harddrive)之間由于小間隙致使氣流受阻。因此，后續(xù)列的存儲(chǔ)裝置可能過熱(overheat)，如此整體系統(tǒng)無法達(dá)到最佳效能。

傳統(tǒng)方法用以減少高密度存儲(chǔ)裝置中的系統(tǒng)阻抗是在第一列或第二列的存儲(chǔ)裝置中減少存儲(chǔ)裝置數(shù)量。然而，因?yàn)楝F(xiàn)存的存儲(chǔ)裝置在每一列中的裝置之間維持相同的間隙，這方法僅有益于移除的存儲(chǔ)裝置列的后側(cè)，無益于所有下游(downstream)存儲(chǔ)裝置列。所以，需要一個(gè)減少在高密度存儲(chǔ)裝置中系統(tǒng)阻抗的改進(jìn)方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的其他特征及優(yōu)點(diǎn)將在以下敘述中闡述，并且一部分將從敘述中明顯看出，或者可通過實(shí)踐此處揭露的原理來獲知?？梢岳脵?quán)利要求中特別指出的手段和組合來實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的這些和其他特征將從以下描述和所附權(quán)利要求中變得更充分地清楚，或者可通過實(shí)踐此處闡述的原理來獲知。

本發(fā)明揭露了利用硬式磁盤機(jī)架構(gòu)，用于高密度存儲(chǔ)的減少上游預(yù)熱的系統(tǒng)、方法及非暫時(shí)性電腦可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)，在一實(shí)施例中，系統(tǒng)可包括一實(shí)體機(jī)架，用以安放存儲(chǔ)裝置，該機(jī)架具有提供用以冷卻該些存儲(chǔ)裝置的一氣流。該系統(tǒng)可包括安裝在該機(jī)架中的一第一列存儲(chǔ)裝置以及一第二列存儲(chǔ)裝置。在該機(jī)架中，該第二列存儲(chǔ)裝置可較該第一列存儲(chǔ)裝置位于遠(yuǎn)于該氣流。該第一列可包括比該第二列較少數(shù)量的存儲(chǔ)裝置。在該第一列中的任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置在該第一列中的任意兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置之間可具有一第二間隙距離，該第二間隙距離寬于該第一間隙距離。

該系統(tǒng)可包括一機(jī)架的一第一列中的一第一組存儲(chǔ)裝置，如此該第一組存儲(chǔ)裝置的任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置在彼此之間具有一第一均勻分配距離。該系統(tǒng)可包括該機(jī)架的一第二列中的一第二組存儲(chǔ)裝置，如此該第二組存儲(chǔ)裝置的任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置在彼此之間具有該第一距離。該第二列可位于該第一列之后且較該第一列遠(yuǎn)于一氣流的一來源。該系統(tǒng)可監(jiān)測與該第二組存儲(chǔ)裝置有關(guān)的一溫度。當(dāng)該溫度上升高于一門檻值，該系統(tǒng)可從該第一列中的該第一組存儲(chǔ)裝置移除一存儲(chǔ)裝置以及調(diào)整在第一列中該第一組存儲(chǔ)裝置的剩余的存儲(chǔ)裝置的配置(placement)。該第一列的該些剩余的存儲(chǔ)裝置的任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置在彼此之間可有一第二距離，該第二距離大于該第一距離。

在一實(shí)施例中，該系統(tǒng)可包括該機(jī)架的一第三列中的一第三組存儲(chǔ)裝置，如此該第三組存儲(chǔ)裝置的任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置在彼此之間具有該第一距離。該第三列可位于該第二列之后，可較該第二列遠(yuǎn)于該氣流的該來源。該系統(tǒng)可監(jiān)測與該第二組存儲(chǔ)裝置相關(guān)的一第一溫度。當(dāng)該第一溫度上升高于一第一門檻值，該系統(tǒng)可從該第一組存儲(chǔ)裝置移除一第一存儲(chǔ)裝置，且可在該第一列中調(diào)整該第一組存儲(chǔ)裝置的剩余的存儲(chǔ)裝置的配置。該第一列的該些剩余的存儲(chǔ)裝置的任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置在彼此之間可具有一第二距離，該第二距離大于該第一距離。該系統(tǒng)可監(jiān)測與該第三組存儲(chǔ)裝置相關(guān)的一第二溫度。當(dāng)該第二溫度上升高于一第二門檻值，該系統(tǒng)可從該第二列中的該第二組存儲(chǔ)裝置移除一第二存儲(chǔ)裝置。雖然該系統(tǒng)可自動(dòng)地調(diào)整該些存儲(chǔ)裝置的配置，該調(diào)整也可由操作人員手動(dòng)地完成。在調(diào)整之后，該些存儲(chǔ)裝置之間的該間隙距離在每一列中可系均勻分配的(uniform)，盡管完全均勻分配可以允許一定的誤差。

附圖說明

參考附圖中所示的具體實(shí)施例，本發(fā)明上述以及其它優(yōu)點(diǎn)和特征將變明顯。應(yīng)當(dāng)理解這些附圖僅描繪了本發(fā)明的例示性實(shí)施例，因此不應(yīng)被視為是對(duì)本發(fā)明的范圍的限制，將通過使用附圖來具體且詳細(xì)地描述和解釋原理，在附圖中：

圖1為一范例高密度存儲(chǔ)裝置架構(gòu)的示意圖；

圖2為有移除的硬式存儲(chǔ)裝置的一范例高密度存儲(chǔ)裝置架構(gòu)的示意圖；

圖3為有移除的存儲(chǔ)裝置及分散的(spread)存儲(chǔ)間隙的一范例高密度存儲(chǔ)裝置架構(gòu)的示意圖；

圖4為用以減少上游預(yù)熱(upstreampreheat)的一范例方法實(shí)施例的示意圖；

圖5為用以減少上游預(yù)熱(upstreampreheat)的另一范例方法實(shí)施例的示意圖。

符號(hào)說明

100：高密度存儲(chǔ)單元

102：第一列

104：第二列

106：第三列

108：氣流

110：間隙

200：高密度存儲(chǔ)裝置架構(gòu)

202：第一列

204：第二列

206：第三列

208：氣流

210：移除的存儲(chǔ)裝置

212：間隙

214：存儲(chǔ)裝置

300：高密度存儲(chǔ)機(jī)架

302：第一列

304：第二列

306：第三列

308：氣流

310：第一間隙距離

312：第二間隙距離

314：第三間隙距離

400：方法

402～408：步驟

500：方法

502～514：步驟

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的技術(shù)述及本領(lǐng)域中用以在高密度存儲(chǔ)裝置中減少系統(tǒng)阻抗以及增進(jìn)全面系統(tǒng)性能的需要。本發(fā)明公開了用于高密度存儲(chǔ)裝置架構(gòu)以減少上游預(yù)熱的系統(tǒng)、方法及電腦可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)。如圖1所示，一例示性系統(tǒng)的簡要介紹描述在此處被揭露。通過不同間隙的存儲(chǔ)裝置架構(gòu)以減少由于上游預(yù)熱(upstreampreheat)的系統(tǒng)阻抗的詳細(xì)描述以及例示型變化將于下文描述。在此將描述這些變型及闡述各種實(shí)施例。

磁盤陣列(diskarray)是包含大量(alargegroup)存儲(chǔ)裝置，例如硬式磁盤機(jī)，的硬件元件。磁盤陣列提供數(shù)據(jù)可用性(dataavailability)、通過冗余組件的彈性(resiliencythroughredundantcomponents)以及易于維護(hù)的優(yōu)點(diǎn)。高密度存儲(chǔ)裝置涉及在相對(duì)緊湊的空間中安放(house)大量存儲(chǔ)裝置的一存儲(chǔ)機(jī)架(storagerack)。舉例來說，存儲(chǔ)機(jī)架可能有至少5列的硬式磁盤機(jī)，每一列包含至少15個(gè)硬式磁盤機(jī)。對(duì)于這樣的高密度存儲(chǔ)裝置，管理存儲(chǔ)機(jī)架每一個(gè)部分內(nèi)的溫度是重要的(critical)，因?yàn)闄C(jī)架的任一部分，一旦溫度達(dá)到某一點(diǎn)，由于高溫，位于此部分的個(gè)別存儲(chǔ)裝置可能開始故障(malfunction)或在欠佳的環(huán)境水平(suboptimallevel)執(zhí)行。所以，使用冷卻機(jī)構(gòu)(coolingmechanism)保持高密度存儲(chǔ)裝置的整體溫度水平是重要的。冷卻可經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)風(fēng)扇的空氣完成，風(fēng)扇從存儲(chǔ)機(jī)架外側(cè)產(chǎn)生氣流并使氣流被傳遞進(jìn)機(jī)架。根據(jù)氣流來源的配置，個(gè)別的存儲(chǔ)元件(例如硬盤)可接收不同數(shù)量的冷卻氣流。相對(duì)于氣流的來源，對(duì)于位于另一行列存儲(chǔ)元件之后的行列存儲(chǔ)元件，氣流可能必須流經(jīng)阻礙的其他存儲(chǔ)元件之間的間隙。然而，高系統(tǒng)阻抗因?yàn)閭€(gè)別硬盤(drive)之間的小間隙而發(fā)生，其將致使系統(tǒng)不能達(dá)到它的最佳性能。

圖1為一范例高密度存儲(chǔ)單元100，具有第一列(row)102、第二列104及第三列106，第一列102實(shí)體上位于最靠近氣流108。然而，本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者應(yīng)當(dāng)理解，高密度存儲(chǔ)單元100可有小于或大于三列的裝置。每一列的高密度存儲(chǔ)單元100可安放一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)元件或存儲(chǔ)裝置，例如硬式磁盤機(jī)、固態(tài)硬盤(solid-statedrive)、磁性存儲(chǔ)裝置(magneticstoragedevice)、光學(xué)存儲(chǔ)裝置(opticalstoragedevice)、基于集成電路的存儲(chǔ)裝置等。在本實(shí)施例中，每一列102、104、106安裝(mount)有16個(gè)存儲(chǔ)裝置或存儲(chǔ)元件。安裝在列102、104、106上的存儲(chǔ)裝置之間有間隙110，因此允許氣流108傳遞至列102、104、106中的存儲(chǔ)裝置。舉例來說，氣流108可前進(jìn)通過在第一列102中的存儲(chǔ)裝置之間的間隙以抵達(dá)第二列104中的存儲(chǔ)裝置，以及繼續(xù)前進(jìn)通過第二列104中的存儲(chǔ)裝置之間的間隙以抵達(dá)安裝在第三列106中的存儲(chǔ)裝置。由于氣流108僅可前進(jìn)通過存儲(chǔ)裝置之間的間隙，存儲(chǔ)裝置它們本身造成對(duì)于氣流108的阻抗(impedance)。當(dāng)整體阻抗的量在高密度存儲(chǔ)單元100之間增加，較少的氣流108才能抵達(dá)存儲(chǔ)裝置，尤其是那些位于較遠(yuǎn)于氣流108來源的存儲(chǔ)裝置，產(chǎn)生的結(jié)果將使整體溫度提高。存儲(chǔ)裝置之間的間隙110的尺寸也對(duì)阻抗有直接的影響。因此，一般來說，存儲(chǔ)裝置之間的較大的間隙將減少阻抗，從而允許較多的氣流108被傳遞，反之亦然。

雖然本發(fā)明中的范例實(shí)施例以具有多列的存儲(chǔ)裝置描述，本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者應(yīng)當(dāng)理解，存儲(chǔ)裝置也可安置成行。換句話說，盡管圖1及后續(xù)的附圖為高密度存儲(chǔ)單元的俯視圖(top-downview)，個(gè)別的存儲(chǔ)元件以列安置，若圖1-圖3以側(cè)視圖繪示，存儲(chǔ)元件被以行安置(例如第一行102、第二行104、第三行106)，本發(fā)明中描述的原理可同樣適用。

在圖1中，第二列104較第一列102遠(yuǎn)于氣流108的來源，以及第三列106最遠(yuǎn)于氣流108的來源。間隙110存在每一列102、104、103中的存儲(chǔ)裝置之間。間隙110在每一列之間可以均勻分配或可以不同。舉例來說，最接近氣流來源的間隙可大于最遠(yuǎn)于氣流來源的間隙。也可是相反的情況。深淺不一的灰色代表不同程度的溫度，較淺灰色的存儲(chǔ)裝置(即較少且較小的點(diǎn))代表溫度較冷的存儲(chǔ)裝置，以及較深灰色的磁盤(即較多且較大的點(diǎn))代表溫度較熱的存儲(chǔ)裝置。位于接近氣流108的上游存儲(chǔ)裝置，例如在列102中的那些裝置，能保持一個(gè)較理想的溫度。在另一方面，較位于氣流108的下游存儲(chǔ)裝置，例如在列106中的那些裝置，由于熱量使其不利地影響更多。此外，在每一列中，較位于存儲(chǔ)單元100中心的那些存儲(chǔ)裝置易于更熱，因其更難散熱。因此，舉例來說，圖1為在第三列106中，在中間的存儲(chǔ)裝置以較位于邊緣的存儲(chǔ)裝置相對(duì)濃厚的灰色繪示。部分存儲(chǔ)裝置的溫度可能高于代表存儲(chǔ)裝置的安全及/或可靠操作溫度限制的臨界溫度(thresholdtemperature)。

圖2為部分存儲(chǔ)裝置被移除的高密度存儲(chǔ)裝置架構(gòu)或機(jī)架200范例。相似于圖1的高密度存儲(chǔ)裝置100，高密度存儲(chǔ)裝置架構(gòu)200也有第一列202、第二列204及第三列206，每一列具有安裝在其之中的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)裝置，其中第三列206最遠(yuǎn)于氣流208來源。移除靠近氣流208來源的存儲(chǔ)裝置磁盤210(例如由第一列202)可讓氣流較佳地傳遞至下游存儲(chǔ)裝置(例如安裝在第三列206的存儲(chǔ)裝置)以及減少系統(tǒng)阻抗。然而，若存儲(chǔ)元件之間的間隙212保持相同，整體系統(tǒng)降溫增益是小的。舉例來說，從第一列202移除兩個(gè)存儲(chǔ)裝置或元件210可改善位于第二列204中且直接在移除的裝置210后方的存儲(chǔ)裝置214的溫度水平，以及減少整體系統(tǒng)阻抗。相似地，從第一列202移除裝置210也可改善第三列206中的存儲(chǔ)裝置的散熱。然而，第二列204及第三列206的冷卻效果未能被最大化，因?yàn)樵诘谝涣?02其他位置的間隙212的尺寸仍保持相同。

圖3為有移除的存儲(chǔ)裝置及分散的硬式磁盤機(jī)間隙的一高密度存儲(chǔ)裝置架構(gòu)范例。相似于圖2的高密度存儲(chǔ)機(jī)架200，圖3的例示性高密度存儲(chǔ)機(jī)架300也設(shè)有第一列302、第二列304及第三列306，第一列302位于在最接近氣流308來源以及第三列306最遠(yuǎn)于氣流308來源。每一列安放一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)裝置。一個(gè)或多個(gè)風(fēng)扇(未繪示)可產(chǎn)生氣流308用以冷卻存儲(chǔ)裝置。第一列的存儲(chǔ)裝置可安裝在機(jī)架300中。第一列可具有安置在機(jī)架300中的第一組存儲(chǔ)裝置。在第一列302中任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置可具有在第一列302中的第一間隙距離310。第一間隙距離310可以是均勻分配(uniform)的貫穿第一列302。在其它的實(shí)施例中，第一間隙距離310可小于第一列302中的均勻分配。換句話說，一個(gè)或多個(gè)間隙仍可大于或小于平均間隙尺寸，允許一定程度的誤差。第一列302可包括可調(diào)整的支架(mount)用以安裝第一組的存儲(chǔ)裝置，因此可調(diào)整的支架可被左右移動(dòng)以調(diào)整第一列302中連續(xù)的存儲(chǔ)裝置之間的第一間隙距離310。當(dāng)?shù)谝涣?02被調(diào)整，第一間隙距離310仍可在第一列302保持均勻分配。

第二列304的存儲(chǔ)裝置也可被安裝在機(jī)架300中。第二列304可具有安置在機(jī)架300中的第二組存儲(chǔ)裝置。在機(jī)架300中，第二列304的存儲(chǔ)裝置可位于較第一列302的存儲(chǔ)裝置遠(yuǎn)于氣流308來源。第二列304包括較第一列302更多的存儲(chǔ)裝置。在此實(shí)施例中，第一列302包括12個(gè)存儲(chǔ)裝置，而第二列304包括14個(gè)存儲(chǔ)裝置。在第二列304中任兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置可具有在第二列304中的第二間隙距離312。第二間隙距離312可以為均勻分配的貫穿第二列304，并且第二間隙距離312等于或窄于第一間隙距離310。這是合理的，因?yàn)榈谝涣?02包括較第二列304更少的存儲(chǔ)裝置，而第一列302的尺寸與第二列304的尺寸保持相同。因?yàn)榈谝婚g隙距離310較寬，氣流308在上游的流動(dòng)性可提高。另外，第二間隙距離312可小于均勻分配的貫穿第二列304。換句話說，在第二列304中的一個(gè)或多個(gè)間隙仍可大于或小于平均間隙尺寸，允許一定程度的誤差，只要平均間隙尺寸仍然等于或窄于第一間隙距離310。

第二列304也可包括可調(diào)整的支架用以安裝第二組存儲(chǔ)裝置，因此可調(diào)整支架可被移動(dòng)以調(diào)整第二列304中的連續(xù)存儲(chǔ)裝置之間的第二間隙距離312。當(dāng)間隙距離312被調(diào)整時(shí)，第二間隙距離312可保持均勻分配的貫穿第二列304。第一列302及第二列304在尺寸上可以相同(identical)。換句話說，盡管第一列302及第二列304可包含不同數(shù)量的存儲(chǔ)裝置，它們?nèi)跃哂邢嗤膶挾然蚋叨龋虼嗽趦闪械淖钔鈧?cè)的設(shè)備的外圍邊緣可以保持彼此齊平。

第三列306的存儲(chǔ)裝置也可被安裝在機(jī)架300。第三列306可具有安置在機(jī)架300中的第三組存儲(chǔ)裝置。在機(jī)架300中，第三列306的存儲(chǔ)裝置可位于較第二列304的存儲(chǔ)裝置遠(yuǎn)于氣流308來源。第三列306可包括較第二列304更多的存儲(chǔ)裝置。在本實(shí)施例中，第三列306包括16個(gè)存儲(chǔ)裝置，其多于安裝于第二列304的存儲(chǔ)裝置。在第三列306中任兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置可具有在第三列306中第三間隙距離314。第三間隙距離314可等于或窄于第二間隙距離312。第三列306可包括可調(diào)整的支架用以安裝第三組存儲(chǔ)裝置，因此可調(diào)整的支架可被移動(dòng)以調(diào)整在第三列306中任兩個(gè)連續(xù)存儲(chǔ)裝置之間的第三間隙距離314。第三列306可與第一列302及/或第二列304相同尺寸，盡管具有不同數(shù)量的安裝在其中的存儲(chǔ)裝置。

在機(jī)架300中的一些或全部的存儲(chǔ)裝置可形成一磁盤陣列，例如網(wǎng)絡(luò)附加存儲(chǔ)(networkattachedstorage,nas)陣列、存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(astorageareanetwork,san)陣列、如容錯(cuò)式磁盤陣列(redundantarrayofindependentdisks,raid)的存儲(chǔ)虛擬化(storagevirtualization)等。個(gè)別的存儲(chǔ)裝置或元件可是一個(gè)或多個(gè)硬式磁盤機(jī)、固態(tài)硬盤、磁性存儲(chǔ)裝置、光學(xué)存儲(chǔ)裝置、基于集成電路的存儲(chǔ)裝置等。當(dāng)有兩列的存儲(chǔ)裝置時(shí)，氣流308來源可被配置以引導(dǎo)(direct)氣流308通過第一列302的存儲(chǔ)裝置之間的間隙，而后通過第二列304存儲(chǔ)裝置之間的間隙。當(dāng)有三列或更多列的存儲(chǔ)裝置時(shí)，氣流308來源可被配置以引導(dǎo)(direct)氣流308通過第一列302存儲(chǔ)裝置之間的間隙、通過第二列304存儲(chǔ)裝置之間的間隙，而后通過第三列306存儲(chǔ)裝置之間的間隙，以減少阻抗。

已揭露一些基本系統(tǒng)元件及概念，本發(fā)明現(xiàn)轉(zhuǎn)往繪示于第圖4、圖5中的例示性方法實(shí)施例。為了清楚起見，本方法以如繪示于圖3的高密度存儲(chǔ)裝置300描述，以下稱為系統(tǒng)300，其被配置以實(shí)施本方法。然而，本范例方法可由在這之前揭露的任何軟件或硬件元件、裝置實(shí)施，例如圖1的機(jī)架系統(tǒng)100或圖2的機(jī)架系統(tǒng)200等。本文所概述的步驟是例示性的，并且可以它們的任意順序的任何組合實(shí)施，包括排除、添加或修改某些步驟的組合。

圖4為用以減少上游預(yù)熱的一范例方法實(shí)施例。系統(tǒng)300可安裝第一組存儲(chǔ)裝置在機(jī)架的第一列中，如此第一組存儲(chǔ)裝置的任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置具有一第一距離(步驟402)。系統(tǒng)300可安裝第二組存儲(chǔ)裝置在機(jī)架的第二列中，如此第二組存儲(chǔ)裝置的任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置具有一第一距離，第二列位于第一列之后，且較第一列遠(yuǎn)于氣流來源(步驟404)。系統(tǒng)300可監(jiān)測(monitor)與第二組存儲(chǔ)裝置相關(guān)的溫度(步驟406)。當(dāng)溫度上升高于一門檻值時(shí)，系統(tǒng)300可以從第一列中的第一組存儲(chǔ)裝置移除一存儲(chǔ)裝置，且可調(diào)整在第一列中第一組存儲(chǔ)裝置的剩余存儲(chǔ)裝置在第一列中的位置，致使第一列剩余存儲(chǔ)裝置的任兩個(gè)連續(xù)存儲(chǔ)裝置具有一第二距離，第二距離大于第一距離(步驟408)。

在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，第一距離可以是平均分配的或可變化。相似地，第二距離可以是平均分配的或可變化。

存儲(chǔ)裝置的移除可由機(jī)架本身執(zhí)行，例如通過自動(dòng)地調(diào)整支架的水平及/或垂直位置，存儲(chǔ)裝置通過支架依附于機(jī)架。這樣的自動(dòng)調(diào)整可以不同的方式完成，包括使用內(nèi)建于機(jī)架每一列的伺服馬達(dá)(servomotor)。自動(dòng)調(diào)整模式，不論是通過伺服馬達(dá)或是機(jī)器人(robot)，可通過精確的計(jì)算裝置控制。計(jì)算裝置可偵測支架的目前位置、計(jì)算存儲(chǔ)裝置之間的預(yù)期間隔(desiredspacing)及調(diào)整后的新位置，以及操作馬達(dá)或機(jī)器手臂(robotarms)以進(jìn)行必要的調(diào)整。此外，支架可由操作人員手動(dòng)調(diào)整或以自動(dòng)調(diào)整方法的組合。通過增加在第一列中存儲(chǔ)裝置之間的間隙距離，氣流傳遞至第一列后方的第二列可改善及幫助減輕第二列中的裝置的熱度(heatlevel)。溫度可以是第二組存儲(chǔ)裝置的一預(yù)先選擇的存儲(chǔ)裝置，預(yù)先選擇的存儲(chǔ)裝置被安裝在第二列的中間部分。此外，溫度可以是第二組存儲(chǔ)裝置的一平均溫度。門檻值可以是一溫度，低于此溫度，存儲(chǔ)裝置可安全地及/或可靠地操作。

然而，當(dāng)在存儲(chǔ)裝置被移除及剩余的存儲(chǔ)裝置的位置被調(diào)整后，溫度未降至低于門檻值，系統(tǒng)300可從第一列中剩余的存儲(chǔ)裝置移除一另外的存儲(chǔ)裝置，得到第一列中進(jìn)一步剩余的存儲(chǔ)裝置且可在第一列中調(diào)整進(jìn)一步剩余的存儲(chǔ)裝置的位置。任何第一列進(jìn)一步剩余的存儲(chǔ)裝置的兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置可具有第三距離，第三距離大于第二距離。因此，氣流可經(jīng)由第一列中的第一組存儲(chǔ)裝置之間的間隙被傳遞至第二列中的第二組存儲(chǔ)裝置。在剩余的存儲(chǔ)裝置的位置被調(diào)整后，相較被調(diào)整前，更多的氣流可經(jīng)由第一列中的第一組存儲(chǔ)裝置之間的間隙抵達(dá)第二列中的第二組存儲(chǔ)裝置。如果有必要，更多的存儲(chǔ)裝置可從第一列被移除，以持續(xù)減少阻抗及改善系統(tǒng)300中的氣流?？蓪?duì)任何剩余的存儲(chǔ)裝置做進(jìn)一步的調(diào)整，以及裝置之間的間隙距離可進(jìn)一步的增加。

氣流的來源可以是一個(gè)或多個(gè)安裝在機(jī)架中的風(fēng)扇。另外，氣流可由機(jī)架外的來源產(chǎn)生，例如外部風(fēng)扇。第一組存儲(chǔ)裝置或第二組存儲(chǔ)裝置中的一些或所有存儲(chǔ)裝置可形成一磁盤陣列，例如nas陣列、san陣列，或其他如raid的存儲(chǔ)虛擬化陣列等。

圖5為減少上游預(yù)設(shè)的另一范例實(shí)施例。系統(tǒng)300可以安裝第一組存儲(chǔ)裝置在機(jī)架的第一列中，如此第一組存儲(chǔ)裝置的任何兩個(gè)連續(xù)存儲(chǔ)裝置彼此之間可具有第一距離(步驟502)。系統(tǒng)可安裝第二組存儲(chǔ)裝置在機(jī)架的第二列中，如此第二組存儲(chǔ)裝置的任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置彼此之間可具有第一距離，第二列于第一列后方且較第一列遠(yuǎn)于氣流來源(步驟504)。系統(tǒng)可安裝第三組存儲(chǔ)裝置在機(jī)架的第三列中，如此第三組存儲(chǔ)裝置中任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置彼此之間可具有第一距離，第三列于第二列后方且較第二列遠(yuǎn)于氣流來源(步驟506)。接著，系統(tǒng)300可監(jiān)測與第二組存儲(chǔ)裝置相關(guān)的一第一溫度(步驟508)。當(dāng)?shù)谝粶囟壬吒哂诘谝婚T檻值，系統(tǒng)300可從第一列中的第一組存儲(chǔ)裝置移除一第一存儲(chǔ)裝置，且第一列中剩余的第一存儲(chǔ)裝置彼此之間可有一第二距離，第二距離大于第一距離(步驟510)。增加間隙距離可改善抵達(dá)第一列后方的第二列的氣流平均量。然后系統(tǒng)300可監(jiān)測與第三組存儲(chǔ)裝置相關(guān)的一第二溫度(步驟512)。當(dāng)?shù)诙囟壬吒哂诘诙T檻值，系統(tǒng)從第二列中的第二組存儲(chǔ)裝置移除一第二存儲(chǔ)裝置。第二門檻值可等于第一門檻值。另外，第二門檻值可高于或低于第一門檻值。第一門檻值及第二門檻值可分別關(guān)聯(lián)于一溫度，低于此溫度，存儲(chǔ)裝置才可安全地及/或可靠地操作。系統(tǒng)300可在第二列中調(diào)整剩余的第二組存儲(chǔ)裝置的位置，致使第二列中剩余的第二組存儲(chǔ)裝置的任何兩個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)裝置彼此之間具有一第三距離，第三距離大于第一距離且等于或小于第二距離(步驟514)。每一個(gè)第一列、第二列及第三列可安置相同的最大數(shù)量的存儲(chǔ)裝置。即使當(dāng)一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)裝置被從第一列或第二列移除，整體尺寸仍可保持相同，因?yàn)檠b置間的間隙對(duì)應(yīng)地被調(diào)整。氣流可抵達(dá)第一列，然后經(jīng)由第一列中的第一組存儲(chǔ)裝置之間的第一間隙抵達(dá)第二列，且隨后經(jīng)由第二列中的第二組存儲(chǔ)裝置間的第二間隙抵達(dá)第三列。

為了清楚解釋起見，在一些范例中，本技術(shù)可以包括個(gè)別的功能區(qū)塊表示，個(gè)別的功能區(qū)塊包括功能區(qū)塊，功能區(qū)塊包括裝置、裝置元件、步驟或以軟件實(shí)現(xiàn)的方法中的程序或硬件及軟件的組合。電腦可讀取存儲(chǔ)裝置及介質(zhì)明確地排除暫時(shí)性的介質(zhì)，例如能量、載波信號(hào)、電磁波和信號(hào)本身。

根據(jù)上述實(shí)施例的方法可利用存儲(chǔ)或其他方式由電腦可讀取介質(zhì)或裝置獲得的電腦可執(zhí)行指令來實(shí)現(xiàn)。這樣的指令可包括，舉例來說，指令和數(shù)據(jù)，其造成或以其他方式配置一般目的電腦、特殊目的電腦或執(zhí)行某些功能或某些組功能的特殊目的處理裝置。被使用的部分電腦資源可通過網(wǎng)絡(luò)存取。電腦可執(zhí)行指令可以是，舉例來說，二進(jìn)制、中間格式指令，例如組合語言(assemblylanguage)、固件(firmware)、或原始碼(sourcecode)。用以存儲(chǔ)指令、使用的資訊及/或依據(jù)所述實(shí)施例的方法過程中產(chǎn)生的資訊的電腦可讀取介質(zhì)的例子包括磁性或光學(xué)磁盤、閃存存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器、非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的usb裝置、網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)裝置等。

實(shí)現(xiàn)根據(jù)這些揭露的方法的裝置可以包括硬件、固件及/或軟件，且可采取任何的各種尺寸(formfactor)。各種尺寸的典型例子包括筆記型電腦(laptop)、智慧型手機(jī)(smartphones)、小尺寸個(gè)人電腦(smallformfactorpersonalcomputer)、個(gè)人數(shù)字助理(personaldigitalassistant)、機(jī)架安裝裝置(rackmountdevice)、獨(dú)立操作裝置(standalonedevice)等等。本文所述的功能是也可實(shí)現(xiàn)在周邊或附加卡(peripheralsoradd-incard)。通過進(jìn)一步舉例的方式，這樣的功能也可實(shí)現(xiàn)在執(zhí)行在單一裝置中的不同芯片或不同程序之中的電路板。

雖然結(jié)合以上實(shí)施方式及實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。體現(xiàn)本發(fā)明特征與優(yōu)點(diǎn)的典型實(shí)施方式已在以上的說明書詳細(xì)敘述。典型實(shí)施方式在不同的實(shí)施例中具有各種的變化，其皆不脫離本發(fā)明的范圍，且其中的說明及附圖在本質(zhì)上是當(dāng)作說明之用，而非用以限制本發(fā)明。再者，權(quán)利要求記載的「至少一」一組合表示一個(gè)此組合或多個(gè)此組合皆滿足權(quán)利要求。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本文參照一實(shí)施例或范例的特征或配置可被實(shí)施在本文其他實(shí)施例或范例中或與其他實(shí)施例或范例合并。即，如本文所用以描述特定特征或配置的術(shù)語，諸如實(shí)施例(embodiment)、變形(variation)、方面(aspect)、范例(example)、配置(configuration)、實(shí)施(implementation)、事例(case)及其他可意味著實(shí)施例的術(shù)語，非限制特定或個(gè)別的實(shí)施例的任何相關(guān)的特征或配置，以及不應(yīng)被解釋為建議這樣的特征或配置不能與參照其他實(shí)施例、變形、方面、范例、配置、實(shí)施、事例等描述的特征或配置組合。也就是說，本文參照特定范例(例如實(shí)施例、變形、方面、范例、配置、實(shí)施、事例等)所述的特征可與參照另一范例所述的特征被組合。精確地說，本領(lǐng)域通常知識(shí)者將容易理解到，本文所述的各種實(shí)施例或范例，以及它們的相關(guān)聯(lián)的特征，可以相互組合。

一個(gè)片語，例如「方面」，并不意味著這樣的方面是必不可少的標(biāo)的技術(shù)或這樣的方面應(yīng)用于標(biāo)的技術(shù)的所有配置。與一個(gè)方面有關(guān)的揭露可以應(yīng)用于所有配置，或者一個(gè)或多個(gè)配置。一個(gè)片語，例如「方面」，可以指一個(gè)或多個(gè)的方面，反之亦然。一個(gè)片語，例如「配置」，并不意味著這樣的配置是本標(biāo)的技術(shù)或這樣的配置應(yīng)用于標(biāo)的技術(shù)的所有配置。與一個(gè)配置有關(guān)的揭露可以應(yīng)用于所有配置，或者一個(gè)或多個(gè)配置。一個(gè)片語，例如「配置」，可以指一個(gè)或多個(gè)的方面，反之亦然?！咐拘?exemplary)」一詞在本文中用于表示「用作范例或說明」。本文中描述為「例示性」的任何方面或設(shè)計(jì)沒有必要解釋為優(yōu)選的或優(yōu)于其它方面或設(shè)計(jì)。再者，權(quán)利要求記載的「至少一」一組合表示一個(gè)此組合或多個(gè)此組合皆滿足權(quán)利要求。

實(shí)現(xiàn)根據(jù)這些揭露的方法的設(shè)備可以包括硬件、固件及/或軟件，并且可以采取任何的各種尺寸。各種尺寸的典型例子包括筆記型電腦(laptop)、智慧型手機(jī)(smartphones)、小尺寸個(gè)人電腦(smallformfactorpersonalcomputer)、個(gè)人數(shù)字助理(personaldigitalassistant)、機(jī)架安裝裝置(rackmountdevice)、獨(dú)立操作裝置(standalonedevice)等等。本文所述的功能是也可實(shí)現(xiàn)在周邊或附加卡(peripheralsoradd-incard)。通過進(jìn)一步舉例的方式，這樣的功能也可實(shí)現(xiàn)在執(zhí)行在單一裝置中的不同芯片或不同程序之中的電路板。

雖然結(jié)合以上實(shí)施方式及實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。體現(xiàn)本發(fā)明特征與優(yōu)點(diǎn)的典型實(shí)施方式已在以上的說明書詳細(xì)敘述。典型實(shí)施方式在不同的實(shí)施例中具有各種的變化，其皆不脫離本發(fā)明的范圍，且其中的說明及附圖在本質(zhì)上是當(dāng)作說明之用，而非用以限制本發(fā)明。再者，權(quán)利要求記載的「至少一」一組合表示一個(gè)此組合或多個(gè)此組合皆滿足權(quán)利要求。

當(dāng)理解的是，本文參照一實(shí)施例或范例的特征或配置可被實(shí)施在本文其他實(shí)施例或范例中或與其他實(shí)施例或范例合并。即，如本文所用以描述特定特征或配置的術(shù)語，諸如實(shí)施例(embodiment)、變形(variation)、方面(aspect)、范例(example)、配置(configuration)、實(shí)施(implementation)、事例(case)及其他可意味著實(shí)施例的術(shù)語，非限制特定或個(gè)別的實(shí)施例的任何相關(guān)的特征或配置，以及不應(yīng)被解釋為建議這樣的特征或配置不能與參照其他實(shí)施例、變形、方面、范例、配置、實(shí)施、事例等描述的特征或配置組合。也就是說，本文參照特定范例(例如實(shí)施例、變形、方面、范例、配置、實(shí)施、事例等)所述的特征可與參照另一范例所述的特征被組合。精確地說，本領(lǐng)域通常知識(shí)者將容易理解到，本文所述的各種實(shí)施例或范例，以及它們的相關(guān)聯(lián)的特征，可以相互組合。