分案申請(qǐng)的相關(guān)信息

本案是分案申請(qǐng)。該分案的母案是申請(qǐng)日為2012年8月17日、申請(qǐng)?zhí)枮?01280040304.x、發(fā)明名稱為“用于感測(cè)電路中的驟回事件的設(shè)備、裝置及方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)案。

本文中所揭示的標(biāo)的物涉及存儲(chǔ)器裝置，且更明確地說(shuō)，涉及用于感測(cè)電路的驟回事件的設(shè)備、裝置及方法。

背景技術(shù)：

存儲(chǔ)器裝置可包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元。舉例來(lái)說(shuō)，多個(gè)存儲(chǔ)器單元可布置成陣列配置及/或堆疊配置。存儲(chǔ)器裝置還可包括可(舉例來(lái)說(shuō))在存取存儲(chǔ)器單元中使用的接口。舉例來(lái)說(shuō)，接口可(例如)作為讀取操作的一部分存取存儲(chǔ)器單元以確定存儲(chǔ)器單元的經(jīng)編程狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，接口可(例如)作為寫入操作的一部分存取存儲(chǔ)器單元以確立存儲(chǔ)器單元中的經(jīng)編程狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，接口可耦合到可使用存儲(chǔ)器裝置的一個(gè)或一個(gè)以上其它電路裝置(例如，處理器、收發(fā)器等)。

在一些實(shí)例例子中，存儲(chǔ)器裝置可提供為可耦合到其它電路裝置的單獨(dú)組件(例如，芯片、半導(dǎo)體裸片等)。在一些其它例子中，舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器裝置可連同一個(gè)或一個(gè)以上其它電路裝置一起提供為多個(gè)芯片封裝的一部分、一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體裸片、單芯片系統(tǒng)，僅舉幾個(gè)例子。

在一些例子中，存儲(chǔ)器裝置可包括相變存儲(chǔ)器(pcm)。在一些例子中，存儲(chǔ)器單元可包括pcm組件(例如，硫?qū)倩锝M件，例如雙向存儲(chǔ)器開(kāi)關(guān)(oms)等)及選擇組件(例如，閾值組件，例如雙向閾值開(kāi)關(guān)(ots))。舉例來(lái)說(shuō)，此存儲(chǔ)器單元可稱為pcm及開(kāi)關(guān)(pcms)存儲(chǔ)器單元。

附圖說(shuō)明

將參考以下各圖描述非限制性且非窮盡性實(shí)施方案，其中除非另有指定，否則相似元件符號(hào)是指在所有各種圖中的相似部分。

圖1是根據(jù)實(shí)施方案的展示包括實(shí)例電路的實(shí)例設(shè)備的示意圖。

圖2是根據(jù)實(shí)施方案的展示具有可在圖1的存儲(chǔ)器裝置中使用的存儲(chǔ)器單元及感測(cè)電路的實(shí)例電路的示意圖。

圖3是根據(jù)實(shí)施方案的圖解說(shuō)明由(例如)如圖2中的實(shí)例存儲(chǔ)器單元展現(xiàn)的實(shí)例驟回事件的曲線圖。

圖4是根據(jù)實(shí)施方案的圖解說(shuō)明與(例如)如圖2中的存儲(chǔ)器單元及感測(cè)電路相關(guān)聯(lián)的電信號(hào)的一些實(shí)例時(shí)間線的一組曲線圖。

圖5是根據(jù)實(shí)施方案的圖解說(shuō)明供與(例如)如圖2中的感測(cè)電路一起使用的限制電路的實(shí)例非線性特性的曲線圖。

圖6是根據(jù)實(shí)施方案的可在圖1的存儲(chǔ)器裝置中使用的方法的圖式。

具體實(shí)施方式

本說(shuō)明書(shū)通篇中對(duì)“一個(gè)實(shí)施方案”、“一實(shí)施方案”或“一些實(shí)施方案”的提及意指結(jié)合所描述實(shí)施方案所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可包含于所主張標(biāo)的物的至少一個(gè)實(shí)施方案中。因此，在本說(shuō)明書(shū)通篇中的各個(gè)地方出現(xiàn)的短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)例實(shí)施方案中”、“在一實(shí)例實(shí)施方案中”或“在一些實(shí)例實(shí)施方案中”未必全部是指相同實(shí)施方案。此外，可將特定特征、結(jié)構(gòu)或特性組合在一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方案中。

圖1是根據(jù)實(shí)施方案的展示包括實(shí)例存儲(chǔ)器裝置116的實(shí)例設(shè)備100的示意圖。如所展示，存儲(chǔ)器裝置116可提供為電子裝置118的一部分或供在電子裝置118中使用。

電子裝置118可表示可存取存儲(chǔ)器裝置116的任何電子裝置或其部分(例如)以傳送表示一些形式的信息(例如，編碼為位、數(shù)據(jù)、值、元素、符號(hào)、字符、物項(xiàng)、數(shù)字、編號(hào)或類似物)的一個(gè)或一個(gè)以上電信號(hào)。舉例來(lái)說(shuō)，電子裝置118可包括計(jì)算機(jī)、通信裝置、機(jī)器等，其中存儲(chǔ)器裝置116可(例如)經(jīng)由接口140由電路裝置150存取。電路裝置150可表示可耦合到存儲(chǔ)器裝置116的任何電路。因此，電路裝置150可包括一些形式的處理電路(例如，微處理器、微控制器等)、一些形式的通信電路(例如，接收器、發(fā)射器、總線接口等)、一些形式的譯碼電路(例如，模/數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)/模轉(zhuǎn)換器、慣性傳感器、相機(jī)、麥克風(fēng)、顯示裝置等)、另一存儲(chǔ)器裝置(例如，非易失性存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)媒體等)及/或其組合，僅舉幾個(gè)實(shí)例。

在一些實(shí)例例子中，存儲(chǔ)器裝置116可提供為可耦合到電路裝置150的單獨(dú)組件(例如，芯片、半導(dǎo)體裸片等)。在一些其它例子中，舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器裝置116可連同一個(gè)或一個(gè)以上其它電路裝置一起提供為多個(gè)芯片封裝的一部分、一個(gè)或一個(gè)以上半導(dǎo)體裸片及/或單芯片系統(tǒng)，僅舉幾個(gè)例子。

如所展示，舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器裝置116可包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元102-1到102-z。為簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，在此說(shuō)明中，術(shù)語(yǔ)“存儲(chǔ)器單元102(“memorycell102”或“memorycells102”)”可用作對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)器單元102-1到102-z中的一者或一者以上的泛指。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器單元102可選擇性地以表示一些形式的信息(例如，例如二進(jìn)制邏輯位(例如，“1”或“0”))的狀態(tài)進(jìn)行編程。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，存儲(chǔ)器單元102可能夠選擇性地以三種或三種以上狀態(tài)進(jìn)行編程，其中所述狀態(tài)中的至少一者可表示兩個(gè)或兩個(gè)以上二進(jìn)制邏輯位。

在此實(shí)例中，存儲(chǔ)器單元102-1到102-z布置為存儲(chǔ)器單元陣列114的一部分。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，存儲(chǔ)器單元陣列114可根據(jù)例如位線及/或字線的連接?xùn)鸥竦男褪蕉贾谩Ｔ谝恍?shí)例實(shí)施方案中，存儲(chǔ)器單元陣列114可包括存儲(chǔ)器單元102的堆疊(例如，多個(gè)分層布置)。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，存儲(chǔ)器單元102可(例如)經(jīng)由適用位線(bl)節(jié)點(diǎn)106及字線(wl)節(jié)點(diǎn)108使用接口140存取。

雖然在本文中使用短語(yǔ)“位線”及“字線”，但應(yīng)理解，此些特征未必打算限于如可在特定電子裝置中采用的任何特定“位”或“字”布置。因此，舉例來(lái)說(shuō)，在較一般意義上，“位線”或“字線”可稱為“行線”或“列線”，或反之亦然。

舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器單元102-1可包括選擇組件110及存儲(chǔ)器組件112。以非限制性實(shí)例方式，如圖1中所圖解說(shuō)明，在一些實(shí)施方案中，選擇組件110可包括ots且存儲(chǔ)器組件112可包括oms。因此，在一些實(shí)例實(shí)施方案中，存儲(chǔ)器單元114可包括pcms存儲(chǔ)器單元。

如圖1中所圖解說(shuō)明，選擇組件110可與存儲(chǔ)器組件112串聯(lián)耦合且包括第一節(jié)點(diǎn)120及第二節(jié)點(diǎn)122。如所展示，舉例來(lái)說(shuō)，第一節(jié)點(diǎn)120可耦合到位線(bl)節(jié)點(diǎn)106且因此，可稱為“位線節(jié)點(diǎn)”；且舉例來(lái)說(shuō)，第二節(jié)點(diǎn)122可耦合到字線(wl)節(jié)點(diǎn)108且因此，可稱為“字線節(jié)點(diǎn)”。在一些其它實(shí)例實(shí)施方案中，存儲(chǔ)器單元102-1可以相反方式布置，使得第二節(jié)點(diǎn)122在其改為耦合到bl節(jié)點(diǎn)106的情況下可為“位線節(jié)點(diǎn)”，且第一節(jié)點(diǎn)120在其改為耦合到wl節(jié)點(diǎn)108的情況下可為“字線節(jié)點(diǎn)”。應(yīng)理解，在一些實(shí)施方案中，第一節(jié)點(diǎn)120或第二節(jié)點(diǎn)122可直接耦合(例如，經(jīng)由導(dǎo)電元件)或間接耦合(例如，經(jīng)由一個(gè)或一個(gè)以上其它經(jīng)耦合電路元件)到bl節(jié)點(diǎn)106或wl節(jié)點(diǎn)108。

舉例來(lái)說(shuō)，接口140可表示允許對(duì)存儲(chǔ)器單元102進(jìn)行存取的電路。舉例來(lái)說(shuō)，接口140可提供一個(gè)或一個(gè)以上存儲(chǔ)器單元的選擇性讀取(例如)以支持讀取操作。舉例來(lái)說(shuō)，接口140可提供一個(gè)或一個(gè)以上存儲(chǔ)器單元的選擇性編程(例如)以支持寫入操作。因此，舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，接口140可接收程序命令且作為響應(yīng)，將編程(電)電位施加到存儲(chǔ)器單元。

根據(jù)一些實(shí)例實(shí)施方案，可在存儲(chǔ)器裝置116中提供感測(cè)電路130以確定存儲(chǔ)器單元102的狀態(tài)。因此，舉例來(lái)說(shuō)，感測(cè)電路130可支持接口140可經(jīng)由其存取存儲(chǔ)器單元102的一個(gè)或一個(gè)以上存儲(chǔ)器操作(例如，讀取操作、寫入操作等)。

舉例來(lái)說(shuō)，感測(cè)電路130可對(duì)在一些條件下存儲(chǔ)器單元102中可能發(fā)生的驟回事件作出響應(yīng)。驟回事件可在一些條件下產(chǎn)生突然“負(fù)電阻”。雖然驟回事件的物理原點(diǎn)可能未完全理解，如圖3中所圖解說(shuō)明且如在本文中的后續(xù)部分中所描述，但發(fā)生驟回事件往往顯著影響存儲(chǔ)器單元的電流-電壓行為。因此，舉例來(lái)說(shuō)，可提供感測(cè)電路130，所述感測(cè)電路對(duì)存儲(chǔ)器單元102中發(fā)生的驟回事件作出響應(yīng)而產(chǎn)生起始施加到存儲(chǔ)器單元102的電位的改變的一個(gè)或一個(gè)以上反饋信號(hào)。以實(shí)例方式，一個(gè)或一個(gè)以上反饋信號(hào)可起始電位的改變以減小電位、使電位斷開(kāi)連接、停止電位的產(chǎn)生等。舉例來(lái)說(shuō)，在一些例子中，響應(yīng)于確定存儲(chǔ)器單元102中已發(fā)生驟回事件，來(lái)自感測(cè)電路130的一個(gè)或一個(gè)以上反饋信號(hào)可通過(guò)影響可用于將電位施加到存儲(chǔ)器單元102的一個(gè)或一個(gè)以上開(kāi)關(guān)而起始對(duì)施加到存儲(chǔ)器單元102的電位的改變。因此，舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，感測(cè)電路130可通過(guò)提供一個(gè)或一個(gè)以上反饋信號(hào)減小編程(電)電位可施加到存儲(chǔ)器單元的時(shí)間量或減小存儲(chǔ)器單元的電力消耗。

在一些實(shí)例實(shí)施方案中，感測(cè)電路130可經(jīng)提供以與單個(gè)存儲(chǔ)器單元102一起使用。因此，舉例來(lái)說(shuō)，可在存儲(chǔ)器裝置116內(nèi)提供多個(gè)感測(cè)電路。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，感測(cè)電路130的全部或部分可經(jīng)提供以與多個(gè)存儲(chǔ)器單元102一起使用。

接下來(lái)將注意力放在圖2上，圖2展示可(舉例來(lái)說(shuō))提供于存儲(chǔ)器裝置116(圖1)內(nèi)的設(shè)備200。

如所展示，舉例來(lái)說(shuō)，設(shè)備200可包括耦合于第一節(jié)點(diǎn)(例如，位線節(jié)點(diǎn)106)與第二節(jié)點(diǎn)(例如，字線節(jié)點(diǎn)108)之間的存儲(chǔ)器單元102-1。舉例來(lái)說(shuō)，第一節(jié)點(diǎn)可耦合到開(kāi)關(guān)204-1且第二節(jié)點(diǎn)可耦合到開(kāi)關(guān)204-2。如所圖解說(shuō)明，舉例來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)204-1可至少部分地基于信號(hào)206-1作出斷開(kāi)及閉合響應(yīng)，且舉例來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)204-2可至少部分地基于信號(hào)206-2作出斷開(kāi)及閉合響應(yīng)。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，開(kāi)關(guān)204-1及204-2可為切換電路204的一部分。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，信號(hào)206-1及206-2可為組合的或單獨(dú)的。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，信號(hào)206-1或信號(hào)206-2可由感測(cè)電路130產(chǎn)生，例如，作為反饋信號(hào)206。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，信號(hào)206(即，信號(hào)206-1或信號(hào)206-2)可由控制器220產(chǎn)生。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，接口140(圖1)可包括控制器220及/或切換電路204的全部或部分。

使開(kāi)關(guān)204-1及204-2閉合完成用于由電位源202提供的電位的穿過(guò)存儲(chǔ)器單元102-1的電路路徑。因此，舉例來(lái)說(shuō)，電位可通過(guò)使開(kāi)關(guān)204-1及204-2閉合而施加于存儲(chǔ)器單元102-1的位線節(jié)點(diǎn)與字線節(jié)點(diǎn)之間且通過(guò)使開(kāi)關(guān)204-1或開(kāi)關(guān)204-2斷開(kāi)而改變(例如，移除)。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，接口140(圖1)可包括電位源202的全部或部分。舉例來(lái)說(shuō)，電位源202可包括一個(gè)或一個(gè)以上dc電壓源、脈沖電壓源、一個(gè)或一個(gè)以上切換電容器等。

舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器單元102-1可響應(yīng)于施加到選擇組件110及pcm112(圖1)的適用電壓電平的電位而展現(xiàn)可檢測(cè)到的驟回事件。驟回事件的發(fā)生或不存在可指示存儲(chǔ)器單元102-1的狀態(tài)。

舉例來(lái)說(shuō)，接下來(lái)將注意力放在圖3上，圖3是圖解說(shuō)明在適用電壓電平(例如，vapplied)可施加到選擇組件110及pcm112(圖1)的情況下可或可不由存儲(chǔ)器單元102-1展現(xiàn)的實(shí)例驟回事件300的曲線圖。在圖3中所展示的曲線圖中，水平軸描繪增加的正電壓電平，且垂直軸描繪增加的正電流電平。在此實(shí)例中，vapplied在水平軸上展示為具有介于第一閾值電壓(vt1)與第二閾值電壓(vt2)的電壓電平之間的電壓電平，所述vt1可與存儲(chǔ)器單元102-1的第一可能狀態(tài)相關(guān)聯(lián)，所述vt2可與存儲(chǔ)器單元102-1的第二可能狀態(tài)相關(guān)聯(lián)。應(yīng)注意，可存在其它閾值電壓，例如，如由第三閾值電壓(vt3)表示，所述vt3可與存儲(chǔ)器單元102-1的仍其它可能狀態(tài)相關(guān)聯(lián)，例如，例如在多級(jí)單元(mlc)布置中等。

如由線302所圖解說(shuō)明，如果存儲(chǔ)器單元102-1響應(yīng)于vapplied的施加而處于第一狀態(tài)中，那么驟回事件可在vt1處發(fā)生，此可增加穿過(guò)存儲(chǔ)器單元102-1的電流(例如，如由線308的猛增所圖解說(shuō)明)。如果存儲(chǔ)器單元102-1響應(yīng)于vapplied的施加而處于第二狀態(tài)中，那么驟回事件可不在vt1處發(fā)生(例如，如由線304所圖解說(shuō)明)。然而，在其它例子中，如果存儲(chǔ)器單元102-1處于第二狀態(tài)中且如果vapplied將要超過(guò)vt2，那么驟回事件可在vt2處發(fā)生，此可增加穿過(guò)存儲(chǔ)器單元102-1的電流(例如，如由線308的猛增所圖解說(shuō)明)。在仍其它例子中，如果存儲(chǔ)器單元102-1處于第三狀態(tài)中且如果vapplied將要超過(guò)vt3，那么驟回事件可在vt3處發(fā)生(參見(jiàn)線306)，此可增加穿過(guò)存儲(chǔ)器單元102-1的電流(例如，如由線308的猛增所圖解說(shuō)明)。如所圖解說(shuō)明，線308可與保持電壓vx相關(guān)聯(lián)。

驟回事件300提供為僅用以圖解說(shuō)明一個(gè)或一個(gè)以上驟回事件電平可在各種條件下發(fā)生的實(shí)例，且如同本文中所提供的所有實(shí)例一樣，所主張標(biāo)的物并不打算受此些實(shí)例限制。

返回圖2，舉例來(lái)說(shuō)，感測(cè)電路130可對(duì)感測(cè)節(jié)點(diǎn)210處的電壓作出響應(yīng)。如在此實(shí)例中所展示，感測(cè)節(jié)點(diǎn)210在開(kāi)關(guān)204-2閉合的情況下可耦合到字線節(jié)點(diǎn)108。舉例來(lái)說(shuō)，感測(cè)節(jié)點(diǎn)210可與由電容器212表示的電容相關(guān)聯(lián)。舉例來(lái)說(shuō)，電容可包括與字線節(jié)點(diǎn)108相關(guān)聯(lián)的寄生電容或類似物。因此，在一些實(shí)例例子中，電容(c)可具有低電平(例如，小于300毫微微法拉)。如果驟回事件發(fā)生，那么電荷(q)可施加于感測(cè)節(jié)點(diǎn)210處。因此，舉例來(lái)說(shuō)，感測(cè)節(jié)點(diǎn)210處的所感測(cè)電壓電平(例如，vsense)可與電荷(q)除以電容(c)成比例。

因此，根據(jù)一些實(shí)例實(shí)施方案，感測(cè)電路130可包括反相器、下拉晶體管、鎖存器或響應(yīng)于vsense超過(guò)特定閾值電壓電平可產(chǎn)生反饋信號(hào)206以起始施加到存儲(chǔ)器單元102-1的電位的改變的其它相似電路及/或組件。

在一些實(shí)例實(shí)施方案中，迅速地改變(例如，移除)施加到存儲(chǔ)器單元102-1的電位對(duì)將不加延遲地施加到開(kāi)關(guān)204-1或204-2中的一者或兩者的反饋信號(hào)206可是有益的。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)減小電位可施加到存儲(chǔ)器單元102-1的時(shí)間量而減小可在存儲(chǔ)器單元102-1中使用的硫?qū)倩锊牧匣蝾愃莆锏膽?yīng)力。另外，減小電位施加到存儲(chǔ)器單元102-1的時(shí)間量可減小電力消耗。同樣地，減小電位施加到存儲(chǔ)器單元102-1的時(shí)間量可增加存取存儲(chǔ)器單元102-1的一些存儲(chǔ)器操作的操作速度。

根據(jù)一些實(shí)例實(shí)施方案，控制器220或其它相似電路可起始開(kāi)關(guān)204-1及204-2的閉合以(例如)作為存儲(chǔ)器操作的一部分起始存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)?？刂破?20隨后可發(fā)信號(hào)使一個(gè)或兩個(gè)開(kāi)關(guān)204-1或204-2斷開(kāi)。舉例來(lái)說(shuō)，控制器220隨后可發(fā)信號(hào)使一個(gè)或兩個(gè)開(kāi)關(guān)204-1或204-2在從起始存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)起經(jīng)過(guò)一時(shí)間周期之后斷開(kāi)。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，開(kāi)關(guān)204-1及204-2中的一者或兩者可經(jīng)布置以在從被閉合起經(jīng)過(guò)一時(shí)間周期之后斷開(kāi)。因此，如果驟回事件在存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)期間不發(fā)生，那么可改變(例如，移除)所施加電位。

因此，舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)可經(jīng)由反饋信號(hào)206的存在或不存在而識(shí)別存儲(chǔ)器單元102-1是否可處于給定狀態(tài)中。因此，舉例來(lái)說(shuō)，控制器220可監(jiān)視反饋信號(hào)206或相反受反饋信號(hào)206影響。在一些實(shí)例例子中，作為存儲(chǔ)器操作的一部分，存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)可將特定電位施加到存儲(chǔ)器單元102-1且經(jīng)由反饋信號(hào)206指示存儲(chǔ)器單元102-1是否可處于特定狀態(tài)中(例如，至少部分地基于驟回事件是否使用感測(cè)電路130感測(cè))。

在一些實(shí)例實(shí)施方案中，至少部分地基于感測(cè)節(jié)點(diǎn)210、字線節(jié)點(diǎn)108、位線節(jié)點(diǎn)106可展現(xiàn)的電容而將感測(cè)節(jié)點(diǎn)210耦合到字線節(jié)點(diǎn)108(例如，如圖2中所圖解說(shuō)明)或位線節(jié)點(diǎn)106可是有益的。舉例來(lái)說(shuō)，由于感測(cè)節(jié)點(diǎn)處的電壓的量值可受感測(cè)節(jié)點(diǎn)處所展現(xiàn)的電容影響，因此將感測(cè)節(jié)點(diǎn)210耦合到展現(xiàn)較低或最低電容的無(wú)論哪個(gè)字線節(jié)點(diǎn)或位線節(jié)點(diǎn)可是有益的。

在一些實(shí)例實(shí)施方案中，電參數(shù)限制電路214(例如，圖解說(shuō)明為電流限制器)可耦合到感測(cè)節(jié)點(diǎn)210。舉例來(lái)說(shuō)，限制電路214可在存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)期間對(duì)可通過(guò)存儲(chǔ)器單元102-1的電流作出響應(yīng)。舉例來(lái)說(shuō)，限制電路214可響應(yīng)于(例如)由于驟回事件而可能發(fā)生的穿過(guò)存儲(chǔ)器單元102-1的電流的增加而特別地增加與感測(cè)節(jié)點(diǎn)210相關(guān)聯(lián)的阻抗電平。舉例來(lái)說(shuō)，限制電路214可(例如)響應(yīng)于在驟回事件之后穿過(guò)第一存儲(chǔ)器單元102-1的電流的增加而在感測(cè)節(jié)點(diǎn)210處短暫地確立大于閾值所感測(cè)電壓電平的電壓電平，感測(cè)電路130可對(duì)所述閾值所感測(cè)電壓電平作出響應(yīng)。在一些實(shí)例實(shí)施方案中，然而，限制電路214可較少對(duì)可或可不圍繞存儲(chǔ)器單元102-1傳遞到感測(cè)節(jié)點(diǎn)210的一些泄漏電流216作出響應(yīng)。

舉例來(lái)說(shuō)，圖5中的曲線圖500圖解說(shuō)明可由限制電路214提供的實(shí)例非線性特性。在曲線圖500中，水平軸描繪增加的正電壓電平，且垂直軸描繪增加的正電流電平。在此實(shí)例中，在水平軸上展示(例如)與感測(cè)電路130相關(guān)聯(lián)的閾值所感測(cè)電壓電平(vts)。在此實(shí)例中，線502圖解說(shuō)明實(shí)例非線性特性，其中泄漏電流216可通常與操作區(qū)域504相關(guān)聯(lián)且具有在垂直軸上的506處所指示的泄漏電流閾值電平。在此實(shí)例中，線502還圖解說(shuō)明實(shí)例非線性特性，其中可能與驟回事件有關(guān)的電流可通常與操作區(qū)域510相關(guān)聯(lián)且具有對(duì)應(yīng)于如在垂直軸上的508處所指示的vts的(有限)電流電平。當(dāng)然，如同本文中的所有其它實(shí)例一樣，所主張標(biāo)的物并不打算限于此實(shí)例實(shí)施方案。

如先前所指示，在一些實(shí)例實(shí)施方案中，可提供存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)以感測(cè)多種不同可能狀態(tài)。因此，應(yīng)理解，電位源202可以多種方式實(shí)施，包含可調(diào)整電壓供應(yīng)器及/或多個(gè)不同可選擇電壓供應(yīng)器、預(yù)充電到可調(diào)整電壓的一個(gè)或一個(gè)以上可選擇電容器等。此外，感測(cè)電路130可以多種方式實(shí)施，包含可調(diào)整感測(cè)電路及/或多個(gè)不同可選擇感測(cè)電路；及/或限制電路214可以多種方式實(shí)施，包含可調(diào)整限制電路及/或多個(gè)不同可選擇限制電路。另外，應(yīng)理解，電位源202、感測(cè)電路130或限制電路214中的一者或一者以上的全部或部分可支持用于多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)。根據(jù)一些實(shí)例實(shí)施方案，電位的選擇及/或施加可至少部分地包括將可在存儲(chǔ)器單元的一個(gè)或一個(gè)以上節(jié)點(diǎn)處切換的一個(gè)或一個(gè)以上電容器預(yù)充電。

接下來(lái)將注意力放在圖4上，圖4是圖解說(shuō)明與經(jīng)由實(shí)例設(shè)備200(圖2)的存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)相關(guān)聯(lián)的電信號(hào)的一些時(shí)間線實(shí)例的一組曲線圖。上部三個(gè)曲線圖402-1與在存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)期間發(fā)生的驟回事件有關(guān)。下部三個(gè)曲線圖402-2類似，但與在存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)期間發(fā)生的驟回事件的缺少有關(guān)。

圖4中的曲線圖中的每一者中的水平軸描繪以原點(diǎn)處的存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)的起始開(kāi)始的增加的時(shí)間。另外，虛線420指示驟回事件的時(shí)間，虛線422指示反饋信號(hào)206被產(chǎn)生的時(shí)間，且虛線424指示從原點(diǎn)的一時(shí)間周期的結(jié)束。每一曲線圖中的垂直軸標(biāo)示為描繪電壓或電流。這些實(shí)例中的垂直軸中的原點(diǎn)可或可不分別等同于零電壓或電流。

因此，在上部曲線圖402-1中，舉例來(lái)說(shuō)，線406-1圖解說(shuō)明施加到存儲(chǔ)器單元的電壓電平(例如，位線節(jié)點(diǎn)電壓減去字線節(jié)點(diǎn)電壓)的一些改變。舉例來(lái)說(shuō)，線408-1圖解說(shuō)明由于驟回事件的通過(guò)存儲(chǔ)器單元的電流電平的一些改變。舉例來(lái)說(shuō)，線410-1圖解說(shuō)明感測(cè)節(jié)點(diǎn)210(圖2)處的電壓電平的一些改變，其最終超過(guò)由虛線430所指示的閾值所感測(cè)電壓電平(vts)。

在下部曲線圖402-2(例如，其中不發(fā)生驟回事件)中，舉例來(lái)說(shuō)，線406-2圖解說(shuō)明施加到存儲(chǔ)器單元的電壓電平的一些改變。舉例來(lái)說(shuō)，線408-2圖解說(shuō)明通過(guò)存儲(chǔ)器單元的電流電平的一些改變。舉例來(lái)說(shuō)，線410-2圖解說(shuō)明感測(cè)節(jié)點(diǎn)210(圖2)處的電壓電平的微小改變，其不超過(guò)由虛線430所指示的閾值所感測(cè)電壓電平。

接下來(lái)將注意力放在圖6上，圖6是供與(例如)如圖1中的實(shí)例存儲(chǔ)器裝置一起使用以提供或以其它方式支持存儲(chǔ)器單元狀態(tài)感測(cè)的方法600的流程圖。舉例來(lái)說(shuō)，方法600可(例如)使用各種電路、電路組件等至少部分地實(shí)施于各種設(shè)備或裝置中。

在實(shí)例框602處，可將電位施加到存儲(chǔ)器單元(例如，第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間)。在一些例子中，舉例來(lái)說(shuō)，在框604處，可至少部分地基于第二節(jié)點(diǎn)(例如，所感測(cè)節(jié)點(diǎn))處的所感測(cè)電壓確定是否已發(fā)生驟回事件。在一些例子中，舉例來(lái)說(shuō)，在框606處，可選擇性地限制穿過(guò)存儲(chǔ)器單元的電參數(shù)(例如，電流)。在一些例子中，舉例來(lái)說(shuō)，在框608處，可選擇且施加特定電壓電平以確定(例如)在其中存儲(chǔ)器單元或相似電路支持多個(gè)驟回事件電平的實(shí)例實(shí)施方案中是否已發(fā)生幾個(gè)驟回事件電平中的特定一者。在一些例子中，舉例來(lái)說(shuō)，在框610處，電位可選定用以檢測(cè)存儲(chǔ)器單元是否可處于特定狀態(tài)中或可能地區(qū)分不同狀態(tài)。

在實(shí)例框612處，可響應(yīng)于確定存儲(chǔ)器單元中已發(fā)生驟回事件而改變(例如，移除)電位的施加。在一些例子中，舉例來(lái)說(shuō)，在框614處，隨后可響應(yīng)于確定從起始電位的施加起已經(jīng)過(guò)一時(shí)間周期而改變(例如，移除)電位的施加。

在實(shí)例框616處，可至少部分地基于確定已發(fā)生驟回事件或響應(yīng)于確定從起始電位的施加起已經(jīng)過(guò)一時(shí)間周期而確定存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)。在一些例子中，舉例來(lái)說(shuō)，在框618處，可選擇性地起始編程電信號(hào)的施加以改變存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)(例如，作為寫入操作的一部分)。

如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“及”、“或”以及“及/或”可包含還預(yù)期至少部分地取決于其中使用此些術(shù)語(yǔ)的上下文的多種含義。通常，在用于使例如a、b或c的列表相關(guān)聯(lián)的情況下，“或”打算意指a、b及c(此處以包含意義使用)以及a、b或c(此處以互斥意義使用)。另外，如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“一個(gè)或一個(gè)以上”可用于以單數(shù)形式描述任何特征、結(jié)構(gòu)或特性或者可用于描述多個(gè)特征、結(jié)構(gòu)或特性或其某一其它組合。但是，應(yīng)注意，此僅為說(shuō)明性實(shí)例且所主張標(biāo)的物并不限于此實(shí)例。

可至少部分地取決于根據(jù)特定特征或?qū)嵗膽?yīng)用通過(guò)各種機(jī)制來(lái)實(shí)施本文中所描述的方法。舉例來(lái)說(shuō)，所述方法可實(shí)施于硬件、固件或其連同軟件的組合中。在硬件實(shí)施方案中，舉例來(lái)說(shuō)，處理單元可實(shí)施于一個(gè)或一個(gè)以上專用集成電路(asic)、數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)、數(shù)字信號(hào)處理裝置(dspd)、可編程邏輯裝置(pld)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(fpga)、處理器、控制器、微控制器、微處理器、電子裝置、經(jīng)設(shè)計(jì)以執(zhí)行本文中所描述的功能的其它裝置單元、模擬電路或其組合內(nèi)。

在前述詳細(xì)說(shuō)明中，已陳述眾多特定細(xì)節(jié)以提供對(duì)所主張標(biāo)的物的透徹理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可在不存在這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐所主張標(biāo)的物。在其它例子中，未詳細(xì)地描述所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將知曉的方法或設(shè)備以便不使所主張標(biāo)的物模糊。

已就關(guān)于存儲(chǔ)于特定設(shè)備或?qū)Ｓ糜?jì)算裝置或平臺(tái)的存儲(chǔ)器內(nèi)的二進(jìn)制狀態(tài)的操作的邏輯、算法或符號(hào)表示而呈現(xiàn)前述詳細(xì)說(shuō)明的一些部分。在此特定說(shuō)明書(shū)的上下文中，術(shù)語(yǔ)特定設(shè)備或類似物包含通用計(jì)算機(jī)，一旦其經(jīng)編程便執(zhí)行依據(jù)來(lái)自程序軟件的指令的特定功能。算法描述或符號(hào)表示為信號(hào)處理或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員用來(lái)將其工作的實(shí)質(zhì)傳達(dá)給所屬領(lǐng)域的其它技術(shù)人員的技術(shù)的實(shí)例。算法在此處且通常被視為通向所要結(jié)果的自相容操作或類似信號(hào)處理序列。在此上下文中，操作或處理涉及對(duì)物理數(shù)量的物理操縱。通常(但未必)，此些數(shù)量可采取能夠存儲(chǔ)、傳送、組合、比較或以其它方式操縱為表示信息的電子信號(hào)的電信號(hào)或磁信號(hào)的形式。已不斷地證明，主要出于常見(jiàn)用法的原因，將此些信號(hào)稱為位、數(shù)據(jù)、值、元素、符號(hào)、字符、物項(xiàng)、數(shù)字、編號(hào)、信息或類似物是便利的。然而，應(yīng)理解，所有這些或類似術(shù)語(yǔ)將與適當(dāng)物理數(shù)量相關(guān)聯(lián)且僅為方便的標(biāo)示。除非另有具體說(shuō)明，否則如從以下論述顯而易見(jiàn)，應(yīng)了解，本說(shuō)明書(shū)論述通篇中利用例如“處理”、“計(jì)算(computing)”、“計(jì)算(calculating)”、“確定”、“確立”、“獲得”、“識(shí)別”、“選擇”、“產(chǎn)生”或類似用語(yǔ)的術(shù)語(yǔ)可是指特定設(shè)備(例如，專用計(jì)算機(jī)或類似專用電子計(jì)算裝置)的動(dòng)作或處理程序。因此，在本說(shuō)明書(shū)的上下文中，專用計(jì)算機(jī)或類似專用電子計(jì)算裝置能夠操縱或變換通常表示為所述專用計(jì)算機(jī)或類似專用電子計(jì)算裝置的存儲(chǔ)器、寄存器或其它信息存儲(chǔ)裝置、發(fā)射裝置或顯示裝置內(nèi)的物理電子或磁數(shù)量的信號(hào)。在此特定專利申請(qǐng)案的上下文中，術(shù)語(yǔ)“特定設(shè)備”可包含通用計(jì)算機(jī)，一旦其經(jīng)編程便執(zhí)行依據(jù)來(lái)自程序軟件的指令的特定功能。

在一些情形中，存儲(chǔ)器裝置的操作(舉例來(lái)說(shuō)，例如從二進(jìn)制1到二進(jìn)制0的狀態(tài)改變，或反之亦然)可包括變換(例如物理變換)。借助特定類型的存儲(chǔ)器裝置，物理變換可包括物品到不同狀態(tài)或事物的物理變換。舉例來(lái)說(shuō)，但不加限制地，針對(duì)一些類型的存儲(chǔ)器裝置，狀態(tài)改變可涉及電荷的積累或存儲(chǔ)或者所存儲(chǔ)電荷的釋放。同樣地，在其它存儲(chǔ)器裝置中，狀態(tài)改變可包括磁定向的物理改變或變換或者分子結(jié)構(gòu)的物理改變或變換，例如從晶體到非晶形，或反之亦然。在仍其它存儲(chǔ)器裝置中，舉例來(lái)說(shuō)，物理狀態(tài)的改變可涉及量子力學(xué)現(xiàn)象，例如疊加(superposition)、纏結(jié)(entanglement)或類似現(xiàn)象，此可涉及量子位(qubit)。前述內(nèi)容并不打算是所有實(shí)例的窮盡性列表，其中存儲(chǔ)器裝置中的從二進(jìn)制1到二進(jìn)制0(或反之亦然)的狀態(tài)改變可包括變換，例如物理變換。而是，前述內(nèi)容打算作為說(shuō)明性實(shí)例。

計(jì)算機(jī)可讀(存儲(chǔ))媒體通?？蔀榉菚簳r(shí)性或包括非暫時(shí)性裝置。在此上下文中，非暫時(shí)性存儲(chǔ)媒體可包含有形的裝置，此意指所述裝置具有具體物理形式，但所述裝置可改變其物理狀態(tài)。因此，舉例來(lái)說(shuō)，非暫時(shí)性是指裝置保持有形而不管狀態(tài)改變?nèi)绾?。舉例來(lái)說(shuō)，計(jì)算機(jī)可讀(存儲(chǔ))媒體可經(jīng)提供以與電子裝置118(圖1)、控制器220(圖2)或與設(shè)備100(圖1)的其它電路一起使用。

雖然已圖解說(shuō)明或描述當(dāng)前視為實(shí)例特征的內(nèi)容，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可做出各種其它修改或可替換等效內(nèi)容而不背離所主張標(biāo)的物。另外，可做出許多修改以使特定情形適于所主張標(biāo)的物的教示而不背離本文中所描述的中心概念。

因此，所主張標(biāo)的物并不打算限于所揭示的特定實(shí)例，但所述所主張標(biāo)的物還可包含歸屬于所附權(quán)利要求書(shū)或其等效內(nèi)容的可能范圍內(nèi)的所有方面。