本發(fā)明涉及光存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器及方法。

背景技術(shù)：

大數(shù)據(jù)時(shí)代數(shù)據(jù)容量和重要性不斷提升，對(duì)于存儲(chǔ)系統(tǒng)的容量、性能、可靠性和成本提出更高的要求。應(yīng)運(yùn)而生的光存儲(chǔ)技術(shù)得到廣泛的應(yīng)用。

目前的光存儲(chǔ)器針對(duì)的波長(zhǎng)都是可見光范圍內(nèi)的波長(zhǎng)，波長(zhǎng)短的激光可以比波長(zhǎng)長(zhǎng)的激光更精確地對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行刻錄。但特定波長(zhǎng)范圍的可見光的產(chǎn)生過程比較復(fù)雜，而生成特定波長(zhǎng)范圍的紅外光相對(duì)于生成其他波長(zhǎng)范圍的可見光更容易。如何利用存儲(chǔ)器對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)，降低光存儲(chǔ)器的制作難度是一個(gè)亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器及方法，其能夠?qū)崿F(xiàn)二氧化釩薄膜對(duì)紅外光譜的連續(xù)調(diào)控，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)紅外光子的記憶存儲(chǔ)。

就存儲(chǔ)器而言，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器包括：

用于導(dǎo)電的導(dǎo)電基底；

用于對(duì)紅外光子進(jìn)行記憶存儲(chǔ)的二氧化釩薄膜；

用于使所述導(dǎo)電基底導(dǎo)電的正負(fù)電極；

用于為所述導(dǎo)電基底提供電流以改變所述二氧化釩薄膜的紅外光譜透過率的直流電壓源，及

用于所述二氧化釩薄膜的對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)狀態(tài)進(jìn)行調(diào)控的脈沖電壓源；

所述二氧化釩薄膜設(shè)置在所述導(dǎo)電基底上，所述正負(fù)電極設(shè)置在所述導(dǎo)電基底上且位于所述二氧化釩薄膜相對(duì)的兩側(cè)，所述直流電壓源及所述脈沖電壓源串聯(lián)于所述正負(fù)電極之間。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述二氧化釩薄膜通過沉積或溶膠-凝膠旋涂的方式設(shè)置在所述導(dǎo)電基底上。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述導(dǎo)電基底為透明導(dǎo)電基底。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述導(dǎo)電基底由銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅或硅摻雜的氮化鎵任意一種制成。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述正負(fù)電極通過濺射方法設(shè)置在所述導(dǎo)電基底上。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述正負(fù)電極由金制成。

就存儲(chǔ)方法而言，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種應(yīng)用于上述存儲(chǔ)器的對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的方法，所述方法包括：

調(diào)節(jié)所述脈沖電壓源的電壓，使所述脈沖電壓源的電壓為0V；

通過調(diào)節(jié)所述直流電壓源的電壓使得位于所述導(dǎo)電基底上的所述二氧化釩薄膜發(fā)生相變，以使所述二氧化釩薄膜的紅外光譜透過率小于預(yù)設(shè)紅外光譜透過率；

將所述直流電壓源的電壓維持在臨界相變點(diǎn)的電壓；

通過調(diào)節(jié)所述脈沖電壓源的電壓信號(hào)，對(duì)所述二氧化釩薄膜的紅外光譜透過率進(jìn)行調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)狀態(tài)的調(diào)控。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，在所述通過調(diào)節(jié)所述直流電壓源的電壓使得位于所述導(dǎo)電基底上的所述二氧化釩薄膜發(fā)生相變的步驟中：

所述二氧化釩薄膜由絕緣體轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘賹?dǎo)體。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，相變前的所述二氧化釩薄膜為單斜晶系結(jié)構(gòu)，相變后的所述二氧化釩薄膜為四方晶系結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述脈沖電壓源的電壓信號(hào)包括：

脈沖電壓源的電壓大小、脈沖電壓源的電壓持續(xù)時(shí)間及間歇時(shí)間。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，本發(fā)明提供的對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器及方法，具有以下有益效果：

對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器中，二氧化釩薄膜設(shè)置在導(dǎo)電基底上，正負(fù)電極設(shè)置在導(dǎo)電基底上且位于二氧化釩薄膜相對(duì)的兩側(cè)，直流電壓源及所述脈沖電壓源串聯(lián)于正負(fù)電極之間。由于二氧化釩對(duì)紅外光子的敏感特性，該存儲(chǔ)器能用于存儲(chǔ)紅外光子。在脈沖電壓源的電壓為0V時(shí)，調(diào)節(jié)直流源電壓，使得二氧化釩薄膜發(fā)生相變，從而調(diào)整二氧化釩薄膜的紅外光譜透過率。將直流電壓源的電壓維持在臨界相變點(diǎn)的電壓，調(diào)節(jié)脈沖電壓源的電壓信號(hào)，隨二氧化釩薄膜的紅外光譜透過率進(jìn)行調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)紅外光子的記憶存儲(chǔ)，降低了光存儲(chǔ)器的制作難度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的方法的流程示意圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的二氧化釩/氮化鎵異質(zhì)結(jié)薄膜材料紅外光譜透過率隨外置偏壓大小變化曲線圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的二氧化釩/氮化鎵異質(zhì)結(jié)薄膜材料可見光-近紅外光透過率隨外置偏壓大小變化曲線圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的二氧化釩/氮化鎵異質(zhì)結(jié)薄膜材料在1800nm的紅外波長(zhǎng)處，透過率在不同偏置電壓下隨時(shí)間的變化關(guān)系曲線圖。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的紅外記憶存儲(chǔ)原理圖。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的光子記憶狀態(tài)的調(diào)制曲線。

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的不同初始狀態(tài)下的光子記憶狀態(tài)的調(diào)制曲線。

圖標(biāo)：100-存儲(chǔ)器；110-襯底；120-導(dǎo)電基底；130-正負(fù)電極；140-二氧化釩薄膜；150-直流電壓源；160-脈沖電壓源。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計(jì)。

因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該發(fā)明產(chǎn)品使用時(shí)慣常擺放的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

此外，術(shù)語“水平”、“豎直”、“懸垂”等術(shù)語并不表示要求部件絕對(duì)水平或懸垂，而是可以稍微傾斜。如“水平”僅僅是指其方向相對(duì)“豎直”而言更加水平，并不是表示該結(jié)構(gòu)一定要完全水平，而是可以稍微傾斜。

在本發(fā)明的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“設(shè)置”、“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

如何提供一種對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器及方法，是本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的技術(shù)問題。

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的一些實(shí)施方式作詳細(xì)說明。在不沖突的情況下，下面的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互結(jié)合。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1是本發(fā)明較佳實(shí)施例提供的對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器100結(jié)構(gòu)示意圖。所述存儲(chǔ)器100包括襯底110、導(dǎo)電基底120、正負(fù)電極130、二氧化釩薄膜140、直流電壓源150以及脈沖電壓源160。

所述導(dǎo)電基底120設(shè)置在襯底110上，所述襯底110由三氧化二鋁制成。所述二氧化釩薄膜140設(shè)置在所述導(dǎo)電基底120上。所述正負(fù)電極130設(shè)置在所述導(dǎo)電基底120上且位于所述二氧化釩薄膜140相對(duì)的兩側(cè)，所述直流電壓源150及所述脈沖電壓源160串聯(lián)于所述正負(fù)電極130之間。

為了不影響二氧化釩薄膜140的光學(xué)性質(zhì)，本發(fā)明較佳實(shí)施例中所述導(dǎo)電基底120為透明導(dǎo)電基底。所述導(dǎo)電基底120的材料對(duì)可見光至紅外光的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光波具有較高的透過率(如，大于75％)以及良好的導(dǎo)電性(如，電阻率小于0.1Ω/cm)。

目前最常見的襯底材料是氮化物，氮化鎵基半導(dǎo)體在短波長(zhǎng)發(fā)光二極管、激光器和紫外探測(cè)器，以及高溫微電子器件方面顯示出廣闊的應(yīng)用前景。氮化鎵系材料有氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其合金等材。本發(fā)明的實(shí)施例中，考慮到與二氧化釩的晶格匹配問題，所述導(dǎo)電基底120由銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、鋁摻雜氧鋅或硅摻雜的氮化鎵任意一種制成。

本發(fā)明較佳實(shí)施例中，在將所述二氧化釩薄膜140設(shè)置在所述導(dǎo)電基底120上之前，先將所述襯底110及所述導(dǎo)電基底120在酒精、去離子水中超聲處理五分鐘，再用氮?dú)饪焖俅蹈?。以便清洗掉所述?dǎo)電基底120上的雜質(zhì)，防止雜質(zhì)對(duì)所述二氧化釩薄膜140的性質(zhì)產(chǎn)生影響。

在清洗后的所述導(dǎo)電基底120上，通過沉積或溶膠-凝膠旋涂的方式設(shè)置所述二氧化釩薄膜140。旋涂是旋轉(zhuǎn)涂抹法的簡(jiǎn)稱，通過控制勻膠的時(shí)間，轉(zhuǎn)速，滴液量以及所用溶液的濃度、粘度來控制成膜的厚度。本發(fā)明較佳實(shí)施例中一種具體實(shí)施方式中，所述二氧化釩薄膜140的厚度范圍為20nm～40nm，所述二氧化釩薄膜140的厚度選擇30nm尤佳。

本發(fā)明較佳實(shí)施例中，所述正負(fù)電極130通過濺射方法設(shè)置在所述導(dǎo)電基底120上。所述導(dǎo)電基底120與所述直流電壓源150、脈沖電壓源160的接觸電阻降低。所述濺射方法是用帶電粒子轟擊靶材，加速的離子轟擊固體表面時(shí)，發(fā)生表面原子碰撞并發(fā)生能量和動(dòng)量的轉(zhuǎn)移，使靶材原子從表面逸出并淀積在襯底材料上。

本發(fā)明較佳實(shí)施例中，所述正負(fù)電極130采用導(dǎo)電性能優(yōu)異的金屬材料制成，優(yōu)選地，所述正負(fù)電極130采用金制造而成。

所述直流電壓源150是維持電路中形成穩(wěn)恒電流的裝置，為整個(gè)存儲(chǔ)器100提供偏置電壓。通過調(diào)節(jié)所述直流電壓源150，可以改變所述二氧化釩薄膜140的紅外光譜透過率。

所述脈沖電壓源160為所述存儲(chǔ)器100提供脈沖電壓。所述脈沖電壓源160中電壓會(huì)有短暫的突變，常見的脈沖形狀有矩形脈沖，方波脈沖，尖脈沖，鋸齒脈沖，階梯脈沖，間歇正弦脈沖等等，脈沖電壓具有突變性和不連續(xù)性。本發(fā)明較佳實(shí)施例一種具體實(shí)施方式中，所述脈沖電壓源160采用的電壓脈沖為矩形脈沖。

本發(fā)明較佳實(shí)施例還提供了一種應(yīng)用于上述存儲(chǔ)器100的對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的方法。請(qǐng)參照?qǐng)D2，所述對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)的方法的具體流程如下。

步驟S111，調(diào)節(jié)所述脈沖電壓源160的電壓，使所述脈沖電壓源160的電壓為0V。

步驟S112，通過調(diào)節(jié)直流電壓源150的電壓使得位于導(dǎo)電基底120上的二氧化釩薄膜140發(fā)生相變。

使所述二氧化釩薄膜140的紅外光譜透過率小于預(yù)設(shè)紅外光譜透過率。其中，所述相變指：所述二氧化釩薄膜140由絕緣體轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘賹?dǎo)體。

步驟S113，將所述直流電壓源150的電壓維持在相變的電壓。

步驟S114，調(diào)節(jié)所述脈沖電壓源160的電壓信號(hào)。

通過調(diào)節(jié)所述脈沖電壓源160的電壓信號(hào)，對(duì)所述二氧化釩薄膜140的紅外光譜透過率進(jìn)行調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)狀態(tài)的調(diào)控。

本發(fā)明較佳實(shí)施例中，相變前的所述二氧化釩薄膜140為單斜晶系結(jié)構(gòu)，相變后的所述二氧化釩薄膜140為四方晶系結(jié)構(gòu)。所述二氧化釩薄膜140相變前后，對(duì)紅外光由投射轉(zhuǎn)變?yōu)榉瓷?，降低了所述二氧化釩薄膜140的紅外光譜透過率。

本發(fā)明較佳實(shí)施例中，所述脈沖電壓源160的電壓信號(hào)包括：脈沖電壓源160的電壓大小、脈沖電壓源160的電壓持續(xù)時(shí)間及間歇時(shí)間。

所述二氧化釩薄膜140對(duì)紅外透過率具有磁滯效應(yīng)，因此能夠通過調(diào)節(jié)所述脈沖電壓源160，實(shí)現(xiàn)對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)狀態(tài)的調(diào)控。

接下來以一種具體實(shí)施方式為例，介紹所述方法是如何對(duì)紅外光子記憶存儲(chǔ)。

請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3是本發(fā)明二氧化釩/氮化鎵異質(zhì)結(jié)薄膜材料紅外光譜透過率隨外置偏壓大小變化曲線圖。將所述脈沖電壓源160的電壓調(diào)整為0V，在0-6V的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)所述直流電壓源150的電壓。所述直流電壓源150的電壓由0V開始，每45s增加0.5V。

所述二氧化釩薄膜140在所述直流電壓源150為0V時(shí)，紅外光譜透過率為73％左右。隨著所述直流電壓源150的電壓增大至5V之前，所述二氧化釩薄膜140的紅外光譜透過率沒有發(fā)生很大的變化。所述直流電壓源150的電壓增大至5V后，所述透明導(dǎo)電基底120產(chǎn)生的焦耳熱使所述二氧化釩薄膜140發(fā)生了相變，所述二氧化釩薄膜140的紅外光譜透過率急劇下降。隨著所述直流電壓源150電壓的繼續(xù)增大，所述二氧化釩薄膜140的紅外光譜透過率持續(xù)下降。

請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4是二氧化釩/氮化鎵異質(zhì)結(jié)薄膜材料可見光-近紅外光透過率隨外置偏壓大小變化曲線圖。圖中從上至下，分別為氮化鎵的透過率以及二氧化釩/氮化鎵異質(zhì)結(jié)薄膜材料在0V、4V、5V、6V時(shí)的透過率。氮化鎵本身的透過率很高，增加所述直流電壓源150，調(diào)節(jié)所述直流電壓源150在0V、4V、5V、6V。隨著所述直流電壓源150電壓的增大，可見光部分的透過率基本保持不變，但紅外光譜透過率逐漸降低。

請(qǐng)參照?qǐng)D5，圖5是二氧化釩/氮化鎵異質(zhì)結(jié)薄膜材料在1800nm的紅外波長(zhǎng)處，透過率在不同偏置電壓下隨時(shí)間的變化關(guān)系曲線圖。時(shí)間分辨率為1s，圖中從上至下是二氧化釩/氮化鎵異質(zhì)結(jié)薄膜材料在偏置電壓設(shè)置為4.5V、5.0V、5.5V、6.0V時(shí)的透過率。在偏置電壓低于5V時(shí)，紅外光譜透過率變化較小。當(dāng)偏置電壓為5V時(shí)，紅外光譜透過率迅速降低，并且隨著電壓的增大，透過率持續(xù)下降。例如，6V的偏置電壓可在30s內(nèi)完成40％左右的紅外光譜透過率的調(diào)制。

請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6是紅外記憶存儲(chǔ)原理圖。所述直流電壓源150調(diào)節(jié)至4.5V，4.5V直流源對(duì)透過率的影響相當(dāng)于圖4中的a₀點(diǎn)。此時(shí)，所述脈沖電壓源160發(fā)射一個(gè)脈沖，透過率降低至b₁點(diǎn)。關(guān)閉所述脈沖電壓源160，透過率由于磁滯效應(yīng)，不會(huì)沿著原路返回，而是回到a₁點(diǎn)。所述脈沖電壓源160再次發(fā)射一個(gè)脈沖時(shí)，透過率又降低至b₂點(diǎn)，再次關(guān)閉時(shí)，回到a₂點(diǎn)。從而依靠所述脈沖電壓源160的電壓持續(xù)時(shí)間和間隔時(shí)間，實(shí)現(xiàn)紅外透過率狀態(tài)從a₀至a₁再至a₂的變化，表現(xiàn)出對(duì)紅外光子的記憶與存儲(chǔ)。

請(qǐng)參照?qǐng)D7，圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的光子記憶狀態(tài)的調(diào)制曲線。將所述直流電壓源150固定在4.5V或者5V，穩(wěn)定100s后，施加所述脈沖電壓源160為0.5V或者1V的電壓，持續(xù)時(shí)間5s，間隔20s。記憶狀態(tài)數(shù)量與所述直流電壓源150的初始電壓大小值以及持續(xù)時(shí)間有關(guān)。脈沖電壓較小時(shí)，每個(gè)記憶狀態(tài)之間的差別也小，電壓越大，差別也越大。

請(qǐng)參照?qǐng)D8，圖8是不同初始狀態(tài)下的光子記憶狀態(tài)的調(diào)制曲線。越早的提供所述脈沖電壓源160，每個(gè)記憶狀態(tài)的差異也越大。

綜上所述，本發(fā)明二氧化釩薄膜設(shè)置在導(dǎo)電基底上，正負(fù)電極設(shè)置在導(dǎo)電基底上且位于二氧化釩薄膜相對(duì)的兩側(cè)，直流電壓源及所述脈沖電壓源串聯(lián)于正負(fù)電極之間。由于二氧化釩對(duì)紅外光子的敏感特性，該存儲(chǔ)器能用于存儲(chǔ)紅外光子。在脈沖電壓源的電壓為0V時(shí)，調(diào)節(jié)直流源電壓，使得二氧化釩薄膜發(fā)生相變，從而調(diào)整二氧化釩薄膜的紅外光譜透過率。將直流電壓源的電壓維持在臨界相變點(diǎn)的電壓，調(diào)節(jié)脈沖電壓源的電壓信號(hào)，隨二氧化釩薄膜的紅外光譜透過率進(jìn)行調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)紅外光子的記憶存儲(chǔ)，降低了光存儲(chǔ)器的制作難度。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。