本發(fā)明涉及集成電路的信息安全技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種安全芯片進(jìn)入測(cè)試模式的方法和裝置。

背景技術(shù)：

在芯片生產(chǎn)過程中會(huì)存在一些制造缺陷，需要進(jìn)行芯片測(cè)試來反映芯片真實(shí)情況，篩選出問題芯片。安全芯片也通常都會(huì)有測(cè)試電路，以確保交給用戶的芯片產(chǎn)品都能正確可靠地工作，因此測(cè)試電路是安全芯片必不可少的組成部分。為提高測(cè)試效率、減少測(cè)試電路的設(shè)計(jì)復(fù)雜度，測(cè)試電路一般可以訪問芯片內(nèi)部所有資源，測(cè)試模式的安全級(jí)別非常高。為了有效抵抗攻擊者利用測(cè)試模式，盜取安全芯片內(nèi)部用戶關(guān)鍵數(shù)據(jù)、篡改芯片程序等，在芯片完成測(cè)試后須將測(cè)試電路可靠地、不可逆地予以廢止。

現(xiàn)有技術(shù)通常是將某個(gè)控制信號(hào)放置到劃片槽，在安全芯片測(cè)試完成后通過劃片方式將其劃斷，此后芯片不能再進(jìn)入測(cè)試模式。但隨著侵入式攻擊技術(shù)的迅速發(fā)展，使得攻擊者利用各種手段(如FIB等)重新連接劃片槽內(nèi)已劃斷的信號(hào)，并使信號(hào)的能力大大增強(qiáng)，從而恢復(fù)測(cè)試模式電路的功能，獲取安全芯片內(nèi)敏感信息。

為了防止這種攻擊方式導(dǎo)致的安全芯片的測(cè)試隱患，現(xiàn)有技術(shù)又提出采用將測(cè)試電路部分邏輯電路和部分控制信號(hào)放置到劃片槽內(nèi)的方案，以便增大FIB技術(shù)重新恢復(fù)測(cè)試電路的難度，使得芯片無法重回測(cè)試狀態(tài)。

但是，隨著先進(jìn)工藝不斷發(fā)展，工藝尺寸節(jié)點(diǎn)不斷降低，先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝為確保芯片成品的良率，提出不允許在劃片槽內(nèi)放置器件，避免工藝測(cè)試參數(shù)的準(zhǔn)確性受到影響，導(dǎo)致流片芯片的性能出現(xiàn)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種安全芯片進(jìn)入測(cè)試模式的方法和裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中安全芯片進(jìn)入測(cè)試模式的方案安全性較低，可行性較差，因在劃片槽內(nèi)放置信號(hào)或部件所導(dǎo)致的安全芯片無法滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求，安全芯片的性能下降的技術(shù)問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種安全芯片進(jìn)入測(cè)試模式的方法，在安全芯片上電啟動(dòng)后，包括：

獲取所述安全芯片的測(cè)試標(biāo)志字；

根據(jù)所述測(cè)試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測(cè)試模式進(jìn)入階段；

在所述測(cè)試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；

根據(jù)所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式。

本發(fā)明實(shí)施例提供的方法中，采用在進(jìn)入安全芯片的測(cè)試模式前，先獲取所述安全芯片的測(cè)試標(biāo)志字；根據(jù)所述測(cè)試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測(cè)試模式進(jìn)入階段；在所述測(cè)試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；根據(jù)所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中必須通過在劃片槽內(nèi)放置部件或信號(hào)導(dǎo)致的無法滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求的技術(shù)問題，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了在提高進(jìn)入安全芯片測(cè)試模式的安全性的同時(shí)，無需再劃片槽內(nèi)放置部件或信號(hào)，可以滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求，提高了安全芯片的性能，可行性較強(qiáng)的技術(shù)效果。

可選的，在進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式完成測(cè)試后，該方法還包括：

將所述測(cè)試標(biāo)志字置為所述第一關(guān)鍵碼。

可選的，該方法還包括：將所述EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為全1。

可選的，所述根據(jù)所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式，包括：

判斷所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值是否與所述第二關(guān)鍵碼相同；

若判定是，則進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式；

若判定否，則所述安全芯片無響應(yīng)。

可選的，所述第一關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第一隨機(jī)序列碼；所述第二關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第二隨機(jī)序列碼。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例繼續(xù)提供一種安全芯片進(jìn)入測(cè)試模式的裝置，包括：

獲取模塊，用于獲取所述安全芯片的測(cè)試標(biāo)志字；

確定模塊，用于根據(jù)所述測(cè)試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測(cè)試模式進(jìn)入階段；

熔斷模塊，用于在所述測(cè)試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；

安全判定模塊，用于根據(jù)所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式。

本發(fā)明實(shí)施例提供的裝置中，具有在進(jìn)入安全芯片的測(cè)試模式前，先獲取所述安全芯片的測(cè)試標(biāo)志字；根據(jù)所述測(cè)試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測(cè)試模式進(jìn)入階段；在所述測(cè)試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；根據(jù)所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中必須通過在劃片槽內(nèi)放置部件或信號(hào)導(dǎo)致的無法滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求的功能，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了在提高進(jìn)入安全芯片測(cè)試模式的安全性的同時(shí)，無需再劃片槽內(nèi)放置部件或信號(hào)，可以滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求，提高了安全芯片的性能，可行性較強(qiáng)的技術(shù)效果。

可選的，該裝置還包括：

置位模塊，用于在進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式完成測(cè)試后，將所述測(cè)試標(biāo)志字置為所述第一關(guān)鍵碼。

可選的，所述熔斷模塊，還用于將所述EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為全1。

可選的，所述安全判定模塊，具體用于判斷所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值是否與所述第二關(guān)鍵碼相同；若判定是，則進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式；若判定否，則使所述安全芯片無響應(yīng)。

可選的，所述第一關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第一隨機(jī)序列碼；所述第二關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第二隨機(jī)序列碼。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

附圖說明

附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一中提供的一種安全芯片進(jìn)入測(cè)試模式的方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例二中提供的一種安全芯片進(jìn)入測(cè)試模式的方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例三中提供的一種安全芯片進(jìn)入測(cè)試模式的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

實(shí)施例一

本發(fā)明實(shí)施例提供一種安全芯片進(jìn)入測(cè)試模式的方法。該方法適合部署在對(duì)安全芯片有測(cè)試功能的裝置或設(shè)備上。如圖1所示，在安全芯片上電啟動(dòng)后，該方法包括：

101，獲取所述安全芯片的測(cè)試標(biāo)志字；

其中，可從非易失存儲(chǔ)器中讀取到測(cè)試標(biāo)志字。

102，根據(jù)所述測(cè)試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測(cè)試模式進(jìn)入階段；

可選的，所述第一關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第一隨機(jī)序列碼；

本發(fā)明實(shí)施例中，在對(duì)安全芯片進(jìn)行測(cè)試模式前，需要進(jìn)行兩個(gè)階段的安全檢測(cè)。先是需要檢測(cè)進(jìn)入測(cè)試前的過程是否符合進(jìn)入測(cè)試階段的安全要求，然后再確定是否符合進(jìn)入測(cè)試模式進(jìn)入階段的安全要求；在確定進(jìn)入安全芯片的測(cè)試模式進(jìn)入階段后，還需要檢測(cè)操作是否符合進(jìn)入測(cè)試模式的安全要求，執(zhí)行如下步驟：

103，在所述測(cè)試模式進(jìn)入階段中，將電子可編程熔絲(EFUSE)存儲(chǔ)陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；

可選的，所述第二關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第二隨機(jī)序列碼。

104，根據(jù)所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式。

可選的，上述104可通過如下方式實(shí)現(xiàn)，包括：

判斷所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值是否與所述第二關(guān)鍵碼相同；

若判定是，則進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式；

若判定否，則所述安全芯片無響應(yīng)。

可選的，在進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式完成測(cè)試后，該方法還包括：

將所述測(cè)試標(biāo)志字置為所述第一關(guān)鍵碼。

可選的，該方法還包括：將所述EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為全1。

本發(fā)明實(shí)施例提供的方法中，采用在進(jìn)入安全芯片的測(cè)試模式前，先獲取所述安全芯片的測(cè)試標(biāo)志字；根據(jù)所述測(cè)試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測(cè)試模式進(jìn)入階段；在所述測(cè)試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；根據(jù)所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中必須通過在劃片槽內(nèi)放置部件或信號(hào)導(dǎo)致的無法滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求的技術(shù)問題，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了在提高進(jìn)入安全芯片測(cè)試模式的安全性的同時(shí)，無需再劃片槽內(nèi)放置部件或信號(hào)，可以滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求，提高了安全芯片的性能，可行性較強(qiáng)的技術(shù)效果。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施例具體描述提供一種安全芯片進(jìn)入測(cè)試模式的方法，在該方法中通過結(jié)合EFUSE存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，提供了一種測(cè)試模式進(jìn)入的安全機(jī)制。該安全機(jī)制的原理來自于：

(1)EFUSE存儲(chǔ)器介紹

電子可編程熔絲EFUSE存儲(chǔ)器，采用大電流燒斷的金屬熔絲(Metal Fuse)或多晶桂熔絲(Poly Fuse)的工作原理，來進(jìn)行存儲(chǔ)器編程。

以多晶硅熔絲為例,EFUSE存儲(chǔ)器中多晶硅熔絲的初始阻值很小，有大電流流過多晶硅熔絲時(shí)，多晶硅熔絲被熔燒。當(dāng)大電流持續(xù)流過多晶硅熔絲時(shí)，會(huì)導(dǎo)致多晶硅熔絲被熔斷，多晶硅熔絲的阻值成倍增加，將永久的保持?jǐn)嗔褷顟B(tài)，未熔燒的多晶硅熔絲依然為導(dǎo)通狀態(tài)。EFUSE存儲(chǔ)單元通過判斷多晶硅熔絲是否熔斷，作為數(shù)字信息存儲(chǔ)，一根多晶硅熔絲可存儲(chǔ)一位二進(jìn)制數(shù)——“0”或“1”。一般情況下未被熔燒的多晶硅熔絲對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)低電平“0”；被熔斷的多晶硅熔絲稱為被編程，對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)高電平“1”。

因此，EFUSE具有一次可編程存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，可以提供編程的功能。

(2)EFUSE熔斷的安全機(jī)制

先往芯片輸入測(cè)試進(jìn)入指令1，將EFUSE熔斷為序列碼2；然后輸入測(cè)試進(jìn)入指令2，啟動(dòng)內(nèi)部測(cè)試電路將EFUSE和芯片內(nèi)部序列碼2進(jìn)行比較判斷；只有相等的情況下，芯片才會(huì)進(jìn)入測(cè)試模式。

當(dāng)芯片完成測(cè)試后，將EFUSE全部熔斷為1，避免芯片再次進(jìn)入測(cè)試模式。

(3)非易失存儲(chǔ)器中測(cè)試狀態(tài)字的安全機(jī)制

當(dāng)芯片完成測(cè)試后，需將芯片非易失存儲(chǔ)器中測(cè)試狀態(tài)字置為一固定隨機(jī)序列碼1值，確保芯片再次上電啟動(dòng)后，安全芯片直接進(jìn)入正常工作模式流程。

基于上述分析，如圖2所示，該方法包括：

200，安全芯片上電啟動(dòng)；

201，在安全芯片上電啟動(dòng)后，獲取所述安全芯片的測(cè)試標(biāo)志字；

芯片上電啟動(dòng)后，當(dāng)復(fù)位信號(hào)放開時(shí)，芯片硬件部分自動(dòng)從非易失存儲(chǔ)器中讀取測(cè)試標(biāo)志字的值。

202，根據(jù)所述測(cè)試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼判定是否進(jìn)入測(cè)試模式進(jìn)入階段；若判定否，則執(zhí)行203；若判定是，則執(zhí)行204。

可選的，所述第一關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的隨機(jī)序列碼1；

具體而言，判斷測(cè)試標(biāo)志字和序列碼1是否相等。如果不相等，安全芯片將進(jìn)入測(cè)試模式進(jìn)入判別流程203；如果相等，執(zhí)行204，安全芯片將進(jìn)入正常工作模式。

203，在所述測(cè)試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；

可選的，所述第二關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的隨機(jī)序列碼2。

通過安全芯片預(yù)先設(shè)計(jì)好的IO管腳，往芯片內(nèi)部輸入測(cè)試進(jìn)入指令1。

204，安全芯片進(jìn)入正常工作模式；

安全芯片進(jìn)入正常的工作模式，無法再返回測(cè)試模式。

205，將EFUSE熔斷為序列碼2。

安全芯片根據(jù)步驟203中輸入的測(cè)試進(jìn)入指令1，啟動(dòng)內(nèi)部測(cè)試電路熔斷邏輯，將安全芯片上EFUSE存儲(chǔ)器的128位存儲(chǔ)陣列，熔斷為序列碼2。需要注意的是，只有唯一正確的測(cè)試進(jìn)入指令1，才能啟動(dòng)芯片內(nèi)部測(cè)試電路邏輯，并且指導(dǎo)EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為序列碼2。

序列碼2是由芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的隨機(jī)序列碼。

206，輸入測(cè)試進(jìn)入指令2。

通過安全芯片預(yù)先設(shè)計(jì)好的IO管腳，往芯片內(nèi)部輸入測(cè)試進(jìn)入指令2。

207，判斷所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值是否與所述第二關(guān)鍵碼相同；若判定否，則執(zhí)行208；若判定相同，執(zhí)行209。

安全芯片根據(jù)步驟206中輸入的測(cè)試進(jìn)入指令2，啟動(dòng)內(nèi)部測(cè)試電路判別邏輯，判斷安全芯片上EFUSE存儲(chǔ)器的128位存儲(chǔ)陣列值和芯片內(nèi)部序列碼2是否相等。如果相等，執(zhí)行209；如果不相等，執(zhí)行208。

本發(fā)明實(shí)施例提供的方案中，通過往芯片輸入測(cè)試進(jìn)入指令1，將芯片EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為一組固定的隨機(jī)序列碼2，再通過往芯片輸入測(cè)試進(jìn)入指令2，判別存儲(chǔ)陣列熔斷值和芯片內(nèi)部序列碼2相等，作為芯片進(jìn)入測(cè)試模式的條件。

208，所述安全芯片無響應(yīng)；

209，進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式；

210，進(jìn)行芯片測(cè)試；

進(jìn)行安全芯片各功能模塊測(cè)試。

211，將所述測(cè)試標(biāo)志字置為序列碼1。

安全芯片完成芯片測(cè)試后，將非易失存儲(chǔ)器中測(cè)試標(biāo)志字置為序列碼1，使得芯片再次上電啟動(dòng)后，進(jìn)行測(cè)試標(biāo)志字和序列碼1判斷是否相等，芯片將進(jìn)入正常工作模式，不能再進(jìn)入測(cè)試模式。

212，將所述EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為全1；

即將EFUSE的值全部熔斷為1。

本實(shí)施例中，采用將安全芯片上EFUSE存儲(chǔ)陣列全部熔斷為1的技術(shù)手段，使得測(cè)試模式進(jìn)入判別流程在比對(duì)判別EFUSE和序列碼2是否相等時(shí)，芯片無響應(yīng)，確保安全芯片無法再次進(jìn)入測(cè)試模式。此外，采用了將芯片EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為全1的技術(shù)手段，可避免攻擊者利用FIB修改等侵入式攻擊技術(shù)，重新恢復(fù)芯片測(cè)試模式。

本發(fā)明實(shí)施例提供的方法，與現(xiàn)有技術(shù)中通過劃片方式將劃片槽內(nèi)信號(hào)或者邏輯電路劃斷方式，避免芯片測(cè)試模式被恢復(fù)的技術(shù)相比，具有不僅可以免于在劃片槽內(nèi)放置信號(hào)或者器件，符合先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝實(shí)現(xiàn)需求的技術(shù)效果，而且還通過采用先將電子可編程熔絲(EFUSE)存儲(chǔ)陣列熔斷為一組固定隨機(jī)序列碼，測(cè)試完成后將EFUSE存儲(chǔ)陣列全部熔斷，結(jié)合非易失存儲(chǔ)器中的測(cè)試狀態(tài)字技術(shù)重重保證了芯片無法再次進(jìn)入測(cè)試模式，該方案可廣泛應(yīng)用于各類安全芯片。

實(shí)施例三

為了便于上述實(shí)施例一、二中的方法實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明實(shí)施例繼續(xù)提供一種安全芯片進(jìn)入測(cè)試模式的裝置，如圖3所示，包括：

獲取模塊31，用于獲取所述安全芯片的測(cè)試標(biāo)志字；

確定模塊32，用于根據(jù)所述測(cè)試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測(cè)試模式進(jìn)入階段；

熔斷模塊33，用于在所述測(cè)試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；

安全判定模塊34，用于根據(jù)所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式。

本發(fā)明實(shí)施例提供的裝置中，具有在進(jìn)入安全芯片的測(cè)試模式前，先獲取所述安全芯片的測(cè)試標(biāo)志字；根據(jù)所述測(cè)試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測(cè)試模式進(jìn)入階段；在所述測(cè)試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；根據(jù)所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中必須通過在劃片槽內(nèi)放置部件或信號(hào)導(dǎo)致的無法滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求的功能，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了在提高進(jìn)入安全芯片測(cè)試模式的安全性的同時(shí)，無需再劃片槽內(nèi)放置部件或信號(hào)，可以滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求，提高了安全芯片的性能，可行性較強(qiáng)的技術(shù)效果。

可選的，該裝置還包括：置位模塊，用于在進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式完成測(cè)試后，將所述測(cè)試標(biāo)志字置為所述第一關(guān)鍵碼。

可選的，所述熔斷模塊，還用于將所述EFUSE存儲(chǔ)陣列熔斷為全1。

可選的，所述安全判定模塊，具體用于判斷所述EFUSE存儲(chǔ)陣列的熔斷值是否與所述第二關(guān)鍵碼相同；若判定是，則進(jìn)入所述安全芯片的測(cè)試模式；若判定否，則使所述安全芯片無響應(yīng)。

可選的，所述第一關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第一隨機(jī)序列碼；所述第二關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第二隨機(jī)序列碼。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種安全芯片的測(cè)試模式進(jìn)入裝置，其主要特點(diǎn)是安全性高、可行性高，滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝的流片要求，很好地阻止安全芯片測(cè)試模式反向激活。

本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明的實(shí)施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本發(fā)明可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲(chǔ)器和光學(xué)存儲(chǔ)器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。

本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計(jì)算機(jī)程序指令到通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個(gè)機(jī)器，使得通過計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的裝置。

這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲(chǔ)在能引導(dǎo)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特定方式工作的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中，使得存儲(chǔ)在該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能。

這些計(jì)算機(jī)程序指令也可裝載到計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，使得在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，從而在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的步驟。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。