本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，尤其涉及對熔絲存儲的檢測裝置。

背景技術(shù)：

芯片制造完成后，往往需要對其性能進(jìn)行獨(dú)立地微調(diào)以達(dá)到較好的性能指標(biāo)和一致性的要求。此外，對于應(yīng)用場景較多的芯片很可能需要針對具體應(yīng)用場景進(jìn)一步調(diào)整優(yōu)化其部分功能以達(dá)到更好的工作效果。

為了保證控制調(diào)整的狀態(tài)值能夠長期保存，在電路設(shè)計(jì)上常用的一種方法便是采用基于熔絲的存儲電路以實(shí)現(xiàn)對調(diào)整信息的存儲。在對調(diào)整信息存儲完成后，即在對相關(guān)熔絲完成燒寫后，在每次芯片上電時(shí)都會由檢測電路檢測熔絲熔斷與否的狀態(tài)，通過熔絲熔斷與否狀態(tài)得到所存儲的調(diào)整狀態(tài)值。

然而，現(xiàn)有的檢測電路檢測熔絲熔斷與否狀態(tài)，功耗過大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用信息實(shí)施例提供了一種熔絲存儲的檢測裝置，以實(shí)現(xiàn)低功耗檢測熔絲存儲裝置所存儲的信息。

一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種熔絲存儲的檢測裝置，該裝置包括熔絲存儲電路、熔絲偏置電路、比較器。熔絲存儲電路包括熔絲。所述熔絲存儲電路與所述熔絲偏置電路相連，使得所述熔絲與所述熔絲偏置電路形成電流通路，并在所述熔絲存儲電路與所述熔絲偏置電路之間的連接點(diǎn)上形成檢測電壓信號。所述比較器的第一輸入端連接至所述熔絲存儲電路與所述熔絲偏置電路之間的連接點(diǎn)，所述比較器的第二輸入端連接至參考電壓，以便根據(jù)所述比較器的比較結(jié)果確定所述熔絲是否熔斷的狀態(tài)，從而確定所述熔絲存儲電路所存儲的信息。

在一個(gè)示例中，所述熔絲偏置電路包括電流源，所述電流源與所述比較器相連，所述電流源為具有小電流值的電流源，以便所述電流通路的電流小。

在一個(gè)示例中，所述熔絲偏置電路包括電阻，所述電阻與所述比較器相連，所述電阻為具有大電阻值的電阻，以便所述電流通路的電流小。

在一個(gè)示例中，所述比較器的第一輸入端為所述比較器的反相輸入端，所述比較器的第二輸入端為所述比較器的同相輸入端，且所述比較器為具有失調(diào)、遲滯功能的比較器。

在一個(gè)示例中，所述裝置包括邏輯控制電路，所述熔絲存儲電路包括電壓源、第一開關(guān)。所述熔絲的一端與所述電壓源相連，另一端與所述第一開關(guān)相連。所述第一開關(guān)與所述邏輯控制電路相連，以接收來自所述邏輯控制電路的熔絲檢測選通信號，從而在所述熔絲、所述第一開關(guān)、所述熔絲偏置電路上形成電流通路。

在一個(gè)示例中，所述裝置包括多個(gè)所述熔絲存儲電路，且所述多個(gè)熔絲存儲電路并列形成存儲單元陣列，所述存儲單元陣列共同連接至所述比較器與熔絲偏置電路的連接點(diǎn)。

在一個(gè)示例中，所述熔絲存儲電路還包括燒寫電路；所述燒寫電路一端與所述熔絲相連，另一端接地，以控制對所述熔絲的燒寫。

在一個(gè)示例中，所述燒寫電路為燒寫器或者到地導(dǎo)通開關(guān)。

在一個(gè)示例中，所述熔絲偏置電路一端與所述比較器相連，所述熔絲偏置電路另一端接地。

在一個(gè)示例中，所述比較器的輸出端為所述熔絲存儲檢測裝置的輸出端。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的熔絲存儲的檢測裝置能夠低功耗地檢測熔絲存儲電路所存儲的信息，本實(shí)用新型實(shí)施例還進(jìn)一步地降低了芯片面積。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面附圖中反映的僅僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得本實(shí)用新型的其他實(shí)施方式。而所有這些實(shí)施例或?qū)嵤┓绞蕉荚诒緦?shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種熔絲存儲檢測裝置的應(yīng)用場景示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種熔絲存儲電路示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種存儲信息檢測單元示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種將電流源作為熔絲偏置電路的存儲信息檢測單元示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種將電阻作為熔絲偏置電路的存儲信息檢測單元示意圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種將電流源作為熔絲偏置電路的熔絲存儲檢測裝置示意圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種將電阻作為熔絲偏置電路的熔絲存儲檢測裝置示意圖；

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種熔絲存儲檢測方法流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖1所示，芯片100包含熔絲存儲檢測裝置110，熔絲存儲檢測裝置110通常僅是芯片100內(nèi)的一小部分。在對芯片100進(jìn)行測試的時(shí)候，將芯片100連接到外圍測試電路200中，此時(shí)芯片100是整個(gè)測試系統(tǒng)的一個(gè)待測器件，通過測試結(jié)果以及預(yù)先設(shè)計(jì)的微調(diào)方法，經(jīng)由外圍測試電路200控制芯片100內(nèi)部的熔絲存儲電路111的燒寫，將更新后的微調(diào)信息燒寫到熔絲存儲電路111中。該更新后的微調(diào)信息，可以用于配置芯片邏輯控制模塊120的變量輸入以實(shí)現(xiàn)對待調(diào)整變量的微調(diào)。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，圖1中示出的芯片結(jié)構(gòu)并不構(gòu)成對芯片的限定，芯片可以包括比圖示更多或更少的部件，或者組合某些部件，或者不同的部件布置。

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種熔絲存儲電路示意圖，熔絲存儲電路111包括熔絲F1、開關(guān)S1、燒寫電路21。

在一個(gè)示例中，燒寫電路21為燒寫器或者到地導(dǎo)通開關(guān)，其一端與熔絲F1、燒寫電路21相連，另一端接地。

圖2中，熔絲F1一端連接至電源，另一端與燒寫電路21、開關(guān)S1相連。當(dāng)燒寫電路21接收到燒寫控制信號，指示其燒寫熔絲F1時(shí)，熔絲F1被熔斷，且該熔絲F1熔斷與否與該燒寫控制信號狀態(tài)有關(guān)；其中，燒寫控制信號由熔絲存儲檢測裝置110中的邏輯控制單元113控制，即邏輯控制單元113控制燒寫電路21是否燒寫熔絲F1。

在燒寫電路21燒寫熔絲F1時(shí)，熔絲存儲電路111處于燒寫狀態(tài)。在燒寫完成后，熔絲存儲電路111通過熔絲F1的熔斷狀態(tài)，存儲信息。一旦熔絲F1燒寫完成，燒寫電路21不再燒寫熔絲F1；且一般僅在芯片初始化時(shí)，才會檢測熔絲F1熔斷與否的狀態(tài)。因此，在熔絲存儲電路111處于燒寫狀態(tài)時(shí)，開關(guān)S1處于斷開狀態(tài)。當(dāng)需要檢測熔絲F1熔斷與否的狀態(tài)時(shí)，熔絲檢測選通信號控制S1閉合，此時(shí)，熔絲存儲電路111處于被檢測狀態(tài)；其中，開關(guān)S1的斷開和閉合由熔絲存儲檢測裝置110中的邏輯控制單元113控制。

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種存儲信息檢測單元示意圖。該存儲信息檢測單元112包括比較器、熔絲偏置電路31。

熔絲偏置電路31與熔絲存儲電路111相連，使得當(dāng)熔絲存儲電路111的開關(guān)S1閉合時(shí)熔絲F1與熔絲偏置電路31形成電流通路，并在熔絲存儲電路111與熔絲偏置電路31之間的連接點(diǎn)(即圖3中的共用檢測節(jié)點(diǎn))上形成檢測電壓信號。

具體地，熔絲偏置電路31一端接地，另一端連接至熔絲存儲電路111、比較器反相輸入端(其連接點(diǎn)為共用檢測節(jié)點(diǎn))；比較器的同相輸入端連接至基準(zhǔn)參考電壓。比較器用于比較該共用檢測節(jié)點(diǎn)的檢測電壓信號與基準(zhǔn)參考電壓，根據(jù)比較器的輸出結(jié)果確定熔絲F1熔斷與否的狀態(tài)，從而確定熔絲存儲電路111存儲的信息。

在一個(gè)示例中，熔絲存儲檢測裝置110包括多個(gè)熔絲存儲電路111，且該多個(gè)熔絲存儲電路相互并列，從而形成熔絲存儲電路陣列，該熔絲存儲電路陣列均連接至存儲信息檢測單元112的共用檢測節(jié)點(diǎn)上。也就是說，在比較器與熔絲偏置電路31之間的連接點(diǎn)(共用檢測節(jié)點(diǎn))并聯(lián)多個(gè)熔絲存儲電路。

進(jìn)一步地，熔絲存儲檢測裝置110每次僅對熔絲存儲電路陣列中的一個(gè)熔絲存儲電路的存儲信息進(jìn)行檢測，且全部檢測完成后，關(guān)閉存儲信息檢測單元112，從而節(jié)省功耗。

需要說明的是，比較器的同相輸入端也可以連接至熔絲偏置電路31，此種情況下，比較器的反相輸入端連接至基準(zhǔn)參考電壓，根據(jù)該比較器的輸出結(jié)果，確定熔絲F1熔斷與否的狀態(tài)，從而確定熔絲存儲電路111存儲的信息。

在一個(gè)示例中，比較器為負(fù)失調(diào)比較器，當(dāng)負(fù)失調(diào)比較器的反相輸入端低于同相輸入端的失調(diào)電壓時(shí)，輸出才會翻轉(zhuǎn)。

在一個(gè)示例中，存儲信息檢測單元112中的熔絲偏置電路31包括下拉至低電平的具有小電流值的電流源，以實(shí)現(xiàn)低檢測功耗的目的，具體可參見圖4及下文中相應(yīng)內(nèi)容描述。

在另一個(gè)示例中，存儲信息檢測單元112中的熔絲偏置電路31包括下拉至低電平的起到限流作用的具有大阻值的電阻，以實(shí)現(xiàn)低檢測功耗的目的，具體可參見圖5及下文中的相應(yīng)內(nèi)容描述。

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電流源作為熔絲偏置電路的存儲信息檢測單元示意圖。圖4中，存儲信息檢測單元112包括電流源I1、負(fù)失調(diào)比較器；其中，電流源I1是具有小電流值的電流源。

負(fù)失調(diào)比較器同相輸入端連接至電源，反相輸入端與電流源I1的一端相連，電流源I1的另一端接地。

電流源I1與負(fù)失調(diào)比較器的反相輸入端相連，并通過共用檢測節(jié)點(diǎn)與一個(gè)或多個(gè)熔絲存儲電路相連，以檢測熔絲存儲電路中熔絲熔斷與否的狀態(tài)，進(jìn)而確定熔絲存儲電路所存儲的信息。

圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電阻作為熔絲偏置電路的存儲信息檢測單元示意圖。圖5中，存儲信息檢測單元112包括電阻R1、負(fù)失調(diào)比較器；其中，電阻R1是具有大電阻值的電阻。

負(fù)失調(diào)比較器同相輸入端連接至電源，反相輸入端與電阻R1一端相連，電阻R1另一端接地。

電阻R1與負(fù)失調(diào)比較器的反相輸入端相連，并通過共用檢測節(jié)點(diǎn)與一個(gè)或多個(gè)熔絲存儲電路相連，以檢測熔絲存儲電路中熔絲熔斷與否的狀態(tài)，進(jìn)而確定熔絲存儲電路所存儲的信息。

下面結(jié)合圖6詳述將具有小電流值的電流源作為熔絲偏置電路的熔絲存儲檢測裝置，如何低功耗檢測熔絲存儲電路所存儲的信息。

圖6中，熔絲存儲檢測裝置包括燒寫電路21、開關(guān)S1、負(fù)失調(diào)比較器、電流源I1。

邏輯控制單元113(圖6未示出)根據(jù)需要通過發(fā)送燒寫控制信號控制燒寫電路21對熔絲F1的燒寫，在對熔絲F1燒寫完成后，邏輯控制單元113關(guān)斷對熔絲F1的燒寫功能，此后不再對熔絲F1燒寫。

例如，燒寫電路21包括連接熔絲F1到地通路的第二開關(guān)，在燒寫電路21對熔絲F1燒寫時(shí)，邏輯控制單元113(圖6未示出)閉合該第二開關(guān)，燒寫電路21開始對熔絲F1進(jìn)行燒寫；燒寫完成后，邏輯控制單元113(圖6未示出)斷開該第二開關(guān)，以便燒寫電路21不再燒寫熔絲F1。

熔絲F1一端連接至電源，另一端與開關(guān)S1的一端相連，開關(guān)S1另一端與電流源I1的一端以及負(fù)失調(diào)比較器的反相輸入端相連(其連接點(diǎn)為共用檢測節(jié)點(diǎn))，電流源I1另一端接地。負(fù)失調(diào)比較器的同相輸入端連接至電源，反相輸入端連接至該共用檢測節(jié)點(diǎn)。

邏輯控制單元113(圖6未示出)通過向開關(guān)S1發(fā)送熔絲檢測選通信號來控制開關(guān)S1的斷開和閉合；當(dāng)邏輯控制單元113發(fā)送的熔絲檢測選通信號有效時(shí)，開關(guān)S1導(dǎo)通；與此同時(shí)，邏輯控制單元113向負(fù)失調(diào)比較器和電流源I1發(fā)送有效的檢測使能控制信號；此時(shí)，由熔絲F1、開關(guān)S1、電流源I1形成電流通路，并在電流源I1與負(fù)失調(diào)比較器的連接點(diǎn)即在共用檢測節(jié)點(diǎn)上形成檢測電壓信號。

如果熔絲F1在燒寫完成后未熔斷，則熔絲F1電阻值小，電流源I1產(chǎn)生的電流經(jīng)熔絲F1在熔絲F1上形成的電壓小，熔絲F1壓降小，由于熔絲F1一端與電源相連，則熔絲F1另一端(即共用檢測節(jié)點(diǎn)處)的電壓與電源電壓差值小，因此，負(fù)失調(diào)比較器的同相輸入端與反相輸入端的差值小于負(fù)失調(diào)比較器的失調(diào)值，不能觸發(fā)負(fù)失調(diào)比較器的翻轉(zhuǎn)；如果熔絲F1在燒寫完成后被熔斷，則熔絲F1電阻值大，電流源I1產(chǎn)生電流經(jīng)熔絲F1在熔絲F1上形成的電壓大，熔絲F1壓降大，由于熔絲F1一端與電源相連，則熔絲F1另一端(即共用檢測節(jié)點(diǎn))的電壓與電源電壓差值大，因此，負(fù)失調(diào)比較器的同相輸入端與反相輸入端的差值大于負(fù)失調(diào)比較器的失調(diào)值，從而觸發(fā)負(fù)失調(diào)比較器的翻轉(zhuǎn)。因此，根據(jù)負(fù)失調(diào)比較器的輸出結(jié)果，能夠確定熔絲F1是否熔斷，從而確定熔絲存儲電路111所存儲的信息。

在一個(gè)示例中，電流源I1的電流值小，則檢測時(shí)熔絲F1、開關(guān)S1、電流源I1形成電流通路的電流小，從而降低了功耗。

此外，由于熔絲F1一端接在電源上，因此在將負(fù)失調(diào)比較器的同相輸入端接在同一電源(或者具有相同電壓的電源)的情況下，不需要額外的基準(zhǔn)參考電壓生成電路，節(jié)省生成基準(zhǔn)參考電壓所需的功耗，同時(shí)降低熔絲存儲檢測裝置110所占用的面積。

需要說明的是，圖6示出的是存儲信息檢測單元通過共用檢測節(jié)點(diǎn)與一個(gè)熔絲存儲電路相連，實(shí)際上，可以有多個(gè)熔絲存儲電路并列形成熔絲存儲電路陣列，且該熔絲存儲電路陣列通過共用檢測節(jié)點(diǎn)與存儲信息檢測單元相連。

下面結(jié)合圖7詳述將具有大電阻值的電阻作為熔絲偏置電路的熔絲存儲檢測裝置，如何低功耗檢測熔絲存儲電路所存儲的信息。

圖7中，熔絲存儲檢測裝置包括燒寫電路21、開關(guān)S1、負(fù)失調(diào)比較器、電阻R1。

邏輯控制單元113(圖7未示出)根據(jù)需要通過發(fā)送燒寫控制信號控制燒寫電路21對熔絲F1的燒寫，在對熔絲F1燒寫完成后，邏輯控制單元113關(guān)斷對熔絲F1的燒寫功能，此后不再燒寫熔絲F1。

例如，燒寫電路21包括連接熔絲F1到地通路的第二開關(guān)，在燒寫電路21對熔絲F1燒寫時(shí)，邏輯控制單元113(圖7未示出)閉合該第二開關(guān)，燒寫電路21開始對熔絲進(jìn)行燒寫；燒寫完成后，邏輯控制單元113(圖7未示出)開啟該第二開關(guān)，以便燒寫電路21不再燒寫熔絲F1。

熔絲F1一端連接至電源，另一端與開關(guān)S1的一端相連，開關(guān)S1的另一端與電阻R1的一端以及負(fù)失調(diào)比較器的反相輸入端相連(其連接點(diǎn)為共用檢測節(jié)點(diǎn))，電阻R1另一端接地。負(fù)失調(diào)比較器的同相輸入端連接至電源，反相輸入端連接至共用檢測節(jié)點(diǎn)。

邏輯控制單元113(圖7未示出)通過向開關(guān)S1發(fā)送熔絲檢測選通信號來控制開關(guān)S1的斷開和閉合；當(dāng)邏輯控制單元113發(fā)送的熔絲檢測選通信號有效時(shí)，開關(guān)S1導(dǎo)通；與此同時(shí)，邏輯控制單元113向負(fù)失調(diào)比較器和電阻R1發(fā)送有效的檢測使能控制信號，此時(shí)，由熔絲F1、開關(guān)S1、電阻R1形成電流通路，并在電阻R1與負(fù)失調(diào)比較器的連接點(diǎn)即在共用檢測節(jié)點(diǎn)上形成檢測電壓信號。

如果熔絲F1在燒寫完成后未熔斷，則熔絲F1電阻值小，連接至熔絲F1的電源產(chǎn)生電流，該電流流經(jīng)熔絲F1在熔絲F1上形成的電壓小，熔絲F1壓降小，由于熔絲F1一端與電源相連，則熔絲F1另一端(即共用檢測節(jié)點(diǎn))的電壓與電源電壓差值小，因此，負(fù)失調(diào)比較器的同相輸入端與反相輸入端的差值小于負(fù)失調(diào)比較器的失調(diào)值，不能觸發(fā)負(fù)失調(diào)比較器的翻轉(zhuǎn)；如果熔絲F1在燒寫后已熔斷，則熔絲F1電阻值大，連接至熔絲F1的電源產(chǎn)生電流，該電流流經(jīng)熔絲F1在熔絲F1上形成的電壓大，熔絲F1壓降大，由于熔絲F1一端與電源相連，則熔絲F1另一端(即共用檢測節(jié)點(diǎn))的電壓與電源電壓差值大，因此，負(fù)失調(diào)比較器的同相輸入端與反相輸入端的差值大于負(fù)失調(diào)比較器的失調(diào)值，從而觸發(fā)負(fù)失調(diào)比較器的翻轉(zhuǎn)；因此，根據(jù)負(fù)失調(diào)比較器的輸出結(jié)果，能夠確定熔絲F1是否熔斷，從而確定熔絲存儲電路111所存儲的信息。

在一個(gè)示例中，電阻R1的電阻值大，則檢測時(shí)熔絲F1、開關(guān)S1、電阻R1形成電流通路的電流小，從而降低了功耗。

此外，由于熔絲F1一端接在電源上，因此在負(fù)失調(diào)比較器的同相輸入端接在同一電源(或者具有相同電壓的電源)的情況下，不需要額外的基準(zhǔn)參考電壓生成電路來，節(jié)省生成基準(zhǔn)參考電壓所需的功耗，同時(shí)降低熔絲存儲檢測裝置110所占用的面積。

需要說明的是，圖7示出的是存儲信息檢測單元通過共用檢測節(jié)點(diǎn)與一個(gè)熔絲存儲電路相連，實(shí)際上，可以有多個(gè)熔絲存儲電路并聯(lián)形成熔絲存儲電路陣列，且該熔絲存儲電路陣列通過共用檢測節(jié)點(diǎn)與存儲信息檢測單元相連。

圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種熔絲存儲檢測方法流程圖。

步驟810，檢測熔絲所處電流通路的檢測電壓信號與參考電壓的大小關(guān)系。

步驟820，根據(jù)該檢測結(jié)果，確定該熔絲是否熔斷的狀態(tài)，從而確定該熔絲所處的熔絲存儲裝置存儲的信息；

其中，該檢測電壓信號為該熔絲第一端的電壓信號，且該熔絲第一端與電流源或電阻相連，該熔絲第二端與電壓源相連，從而在該熔絲、該電流源或電阻上形成該電流通路。

在一個(gè)示例中，該電流源為具有小電流值的電流源，該電阻為具有大電阻值的電阻，以便在該熔絲上形成的檢測電流小，從而降低了功耗。

在一個(gè)示例中，由比較器檢測熔絲所處電流通路的檢測電壓信號與參考電壓的大小關(guān)系，且該參考電壓為基準(zhǔn)參考電壓。

在一個(gè)示例中，由負(fù)失調(diào)比較器檢測熔絲所處電流通路的檢測電壓信號與參考電壓的大小關(guān)系，且該參考電壓為電源電壓。

在一個(gè)示例中，該熔絲存儲裝置有多個(gè)，該多個(gè)存儲裝置并列，形成存儲裝置陣列，且對該熔絲存儲檢測方法包括：依次檢測該熔絲存儲裝置陣列中的每個(gè)熔絲存儲裝置所存儲的信息。

需要說明的是，具體如何檢測熔絲存儲裝置所存儲的信息，即如何檢測熔絲存儲裝置，可參見前文對熔絲存儲裝置、熔絲存儲電路、存儲信息檢測單元的詳細(xì)闡述，以及可參見圖1至圖7，在此不再贅述。

以上所述的具體實(shí)施方式，對本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式而已，并不用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡在本實(shí)用新型的技術(shù)方案的基礎(chǔ)之上，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包括在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。