本發(fā)明屬于電磁干擾保護電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器的電磁干擾保護電路及車載電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
車載電子設(shè)備是汽車上用于增加汽車功能性的電子系統(tǒng)和產(chǎn)品。車載電子設(shè)備包括車載音響系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、汽車信息系統(tǒng)和車載家電產(chǎn)品等。
在車載電子設(shè)備日益普及的今天，車載電子設(shè)備的電磁工作環(huán)境越來越惡劣。車載電子設(shè)備中集成電路的外接配置固件存儲器內(nèi)容很容易在這種環(huán)境中出現(xiàn)混亂現(xiàn)象，從而導(dǎo)致車載電子設(shè)備失效，影響車載電子設(shè)備工作。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明實施例的目的在于提供一種存儲器的電磁干擾保護電路及車載電子設(shè)備，旨在解決現(xiàn)在的車載電子設(shè)備的固件存儲器內(nèi)容在電磁干擾環(huán)境中出現(xiàn)混亂現(xiàn)象，導(dǎo)致車載電子設(shè)備失效的問題。
本發(fā)明實施例是這樣實現(xiàn)的，一種存儲器的電磁干擾保護電路，所述存儲器的電磁干擾保護電路包括：
存儲器；
與所述存儲器連接，輸出開關(guān)信號控制所述存儲器是否處于寫保護狀態(tài)，防止所述存儲器內(nèi)容被電磁干擾改寫的保護單元。
上述結(jié)構(gòu)中，所述保護單元包括：
控制芯片U1、消抖處理芯片U2、與門U3、控制開關(guān)J1、電阻R1、電阻R2和電阻R3；
所述控制開關(guān)J1通過所述電阻R1接所述消抖處理芯片U2的輸入端NRST，所述消抖處理芯片U2的輸出端PA12通過所述電阻R2接所述與門U3的第一輸入端，所述控制芯片U1的控制輸出端GPIOA通過所述電阻R3接所述與門U3的第二輸入端，所述控制芯片U1的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸入端SDI、數(shù)據(jù)輸出端SDO和片選端CSN分別接所述存儲器，所述與門U3的輸出端接所述存儲器。
上述結(jié)構(gòu)中，所述存儲器采用存儲芯片U4，所述存儲芯片U4的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸出端SDO、數(shù)據(jù)輸入端SDI和片選端CSN分別接所述控制芯片U1的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸入端SDI、數(shù)據(jù)輸出端SDO和片選端CS，所述存儲芯片U4的寫保護端WP接所述與門U3的輸出端，所述存儲芯片U4的寫保護端WP還通過電阻R4接地。
本發(fā)明實施例的另一目的在于提供一種車載電子設(shè)備，所述車載電子設(shè)備包括存儲器的電磁干擾保護電路，所述存儲器的電磁干擾保護電路包括：
存儲器；
與所述存儲器連接，輸出開關(guān)信號控制所述存儲器是否處于寫保護狀態(tài)，防止所述存儲器內(nèi)容被電磁干擾改寫的保護單元。
上述結(jié)構(gòu)中，所述保護單元包括：
控制芯片U1、消抖處理芯片U2、與門U3、控制開關(guān)J1、電阻R1、電阻R2和電阻R3；
所述控制開關(guān)J1通過所述電阻R1接所述消抖處理芯片U2的輸入端NRST，所述消抖處理芯片U2的輸出端PA12通過所述電阻R2接所述與門U3的第一輸入端，所述控制芯片U1的控制輸出端GPIOA通過所述電阻R3接所述與門U3的第二輸入端，所述控制芯片U1的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸入端SDI、數(shù)據(jù)輸出端SDO和片選端CSN分別接所述存儲器，所述與門U3的輸出端接所述存儲器。
上述結(jié)構(gòu)中，所述存儲器采用存儲芯片U4，所述存儲芯片U4的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸出端SDO、數(shù)據(jù)輸入端SDI和片選端CSN分別接所述控制芯片U1的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸入端SDI、數(shù)據(jù)輸出端SDO和片選端CS，所述存儲芯片U4的寫保護端WP接所述與門U3的輸出端，所述存儲芯片U4的寫保護端WP還通過電阻R4接地。
在本發(fā)明實施例中，日常工作時，保護單元輸出開關(guān)信號控制存儲器處于寫保護狀態(tài)，當(dāng)存儲器內(nèi)容需要在線更新時，保護單元輸出開關(guān)信號控制存儲器處于非寫保護狀態(tài)，避免嚴重電磁干擾環(huán)境造成存儲器的內(nèi)容被改寫，從而造成存儲器內(nèi)容混亂。
附圖說明
圖1是本發(fā)明實施例提供的存儲器的電磁干擾保護電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
圖1示出了本發(fā)明實施例提供的存儲器的電磁干擾保護電路的結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分。
一種存儲器的電磁干擾保護電路，所述存儲器的電磁干擾保護電路包括：
存儲器1；
與所述存儲器1連接，輸出開關(guān)信號控制所述存儲器1是否處于寫保護狀態(tài)，防止所述存儲器內(nèi)容被電磁干擾改寫的保護單元2。
作為本發(fā)明一實施例，所述保護單元2包括：
控制芯片U1、消抖處理芯片U2、與門U3、控制開關(guān)J1、電阻R1、電阻R2和電阻R3；
所述控制開關(guān)J1通過所述電阻R1接所述消抖處理芯片U2的輸入端NRST，所述消抖處理芯片U2的輸出端PA12通過所述電阻R2接所述與門U3的第一輸入端，所述控制芯片U1的控制輸出端GPIOA通過所述電阻R3接所述與門U3的第二輸入端，所述控制芯片U1的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸入端SDI、數(shù)據(jù)輸出端SDO和片選端CSN分別接所述存儲器1，所述與門U3的輸出端接所述存儲器1。
作為本發(fā)明一實施例，消抖處理芯片U2采用型號為STM32F030芯片實現(xiàn)，當(dāng)然也可以采用其他型號，這里不再贅述。
作為本發(fā)明一實施例，所述存儲器1采用存儲芯片U4，所述存儲芯片U4的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸出端SDO、數(shù)據(jù)輸入端SDI和片選端CSN分別接所述控制芯片U1的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸入端SDI、數(shù)據(jù)輸出端SDO和片選端CS，所述存儲芯片U4的寫保護端WP接所述與門U3的輸出端，所述存儲芯片U4的寫保護端WP還通過電阻R4接地。
本發(fā)明實施例還提供一種車載電子設(shè)備，所述車載電子設(shè)備包括存儲器的電磁干擾保護電路，所述存儲器的電磁干擾保護電路包括：
存儲器1；
與所述存儲器1連接，輸出開關(guān)信號控制所述存儲器1是否處于寫保護狀態(tài)，防止所述存儲器內(nèi)容被電磁干擾改寫的保護單元2。
作為本發(fā)明一實施例，所述保護單元2包括：
控制芯片U1、消抖處理芯片U2、與門U3、控制開關(guān)J1、電阻R1、電阻R2和電阻R3；
所述控制開關(guān)J1通過所述電阻R1接所述消抖處理芯片U2的輸入端NRST，所述消抖處理芯片U2的輸出端PA12通過所述電阻R2接所述與門U3的第一輸入端，所述控制芯片U1的控制輸出端GPIOA通過所述電阻R3接所述與門U3的第二輸入端，所述控制芯片U1的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸入端SDI、數(shù)據(jù)輸出端SDO和片選端CSN分別接所述存儲器1，所述與門U3的輸出端接所述存儲器1。
作為本發(fā)明一實施例，所述存儲器1采用存儲芯片U4，所述存儲芯片U4的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸出端SDO、數(shù)據(jù)輸入端SDI和片選端CSN分別接所述控制芯片U1的時鐘端SCK、數(shù)據(jù)輸入端SDI、數(shù)據(jù)輸出端SDO和片選端CS，所述存儲芯片U4的寫保護端WP接所述與門U3的輸出端，所述存儲芯片U4的寫保護端WP還通過電阻R4接地。
存儲器的電磁干擾保護電路的工作原理為：
日常工作時，保護單元2輸出開關(guān)信號控制存儲器1處于寫保護狀態(tài)。避免嚴重電磁干擾環(huán)境造成存儲器1內(nèi)容被改寫，從而造成存儲器1內(nèi)容混亂。
當(dāng)存儲器1內(nèi)容需要在線更新時，保護單元2輸出開關(guān)信號控制存儲器1處于非寫保護狀態(tài)，集成電路可以對存儲器1進行寫操作，從而在線更新對應(yīng)固件存儲器內(nèi)容。
使用消抖處理芯片U2對控制開關(guān)J1輸出的開關(guān)信號進行消抖處理，即開關(guān)信號處于有效狀態(tài)至少10秒，消抖處理芯片U2才真正處理該寬電壓開關(guān)信號。以避免嚴重電磁干擾環(huán)境對開關(guān)信號造成的干擾，從而引起存儲器1內(nèi)容的寫保護被誤操作。
在本發(fā)明實施例中，日常工作時，保護單元輸出開關(guān)信號控制存儲器處于寫保護狀態(tài)，當(dāng)存儲器內(nèi)容需要在線更新時，保護單元輸出開關(guān)信號控制存儲器處于非寫保護狀態(tài)，避免嚴重電磁干擾環(huán)境造成存儲器的內(nèi)容被改寫，從而造成存儲器內(nèi)容混亂，并且采用消抖處理芯片U2對控制開關(guān)J1輸出的開關(guān)信號進行消抖處理，以避免嚴重電磁干擾環(huán)境對開關(guān)信號造成的干擾，從而引起存儲器內(nèi)容的寫保護被誤操作。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。