本發(fā)明總體半導(dǎo)體裝置領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明的實(shí)施方式關(guān)于存儲(chǔ)器裝置的電源控制模式。

背景技術(shù)：

存儲(chǔ)器裝置可以采用各種模式，借此禁用特定電路以降低裝置的功耗。在許多便攜式電池供電的應(yīng)用中，功耗特別重要。這種應(yīng)用的示例可以包括蜂窩電話、尋呼機(jī)、照相記錄儀以及膝上型電腦。這些應(yīng)用/裝置通常需要可能的最低功耗以延長(zhǎng)電池壽命，并且適應(yīng)更小更低容量電池的使用，以減小裝置尺寸、成本以及重量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)提供一種能夠在超深度掉電模式下操作的存儲(chǔ)器裝置，所述存儲(chǔ)器裝置包括：a)命令用戶接口；b)電壓調(diào)節(jié)器，該電壓調(diào)節(jié)器具有提供用于所述存儲(chǔ)器裝置的多個(gè)部件的電源電壓的輸出，其中，所述多個(gè)部件包括所述命令用戶接口；c)喚醒電路，即使在所述存儲(chǔ)器裝置處于所述超深度掉電模式下時(shí)該喚醒電路也保持被通電；d)所述存儲(chǔ)器裝置可操作為響應(yīng)于接收第一預(yù)定命令而進(jìn)入所述超深度掉電模式，該第一預(yù)定命令使得所述電壓調(diào)節(jié)器的所述輸出被禁用以在所述超深度掉電模式期間完全切斷所述多個(gè)部件的電源；并且e)所述存儲(chǔ)器裝置響應(yīng)于接收硬件復(fù)位命令序列、復(fù)位管腳斷言(assertion)、電源循環(huán)以及第二預(yù)定命令中的一個(gè)而離開(kāi)所述超深度掉電模式，從而使得所述電壓調(diào)節(jié)器的所述輸出被啟用以向所述多個(gè)部件提供電力。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示例主機(jī)和存儲(chǔ)器裝置結(jié)構(gòu)的示意框圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的存儲(chǔ)器裝置中的各種示例數(shù)據(jù)處理單元的示意框圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的進(jìn)入超深度掉電模式的示例操作的波形圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離開(kāi)超深度掉電模式的第一示例硬件復(fù)位操作的波形圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離開(kāi)超深度掉電模式的第二示例硬件復(fù)位操作的波形圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括第二示例硬件復(fù)位操作在內(nèi)的電源曲線的波形圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離開(kāi)超深度掉電模式的示例專(zhuān)用恢復(fù)命令的波形圖。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離開(kāi)超深度掉電模式的示例方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)對(duì)本發(fā)明的特定實(shí)施方式進(jìn)行參照，附圖中例示了本發(fā)明的示例。雖然將連同優(yōu)選實(shí)施方式一起來(lái)描述本發(fā)明，但將理解的是，優(yōu)選實(shí)施方式不旨在將本發(fā)明限于這些實(shí)施方式。相反，本發(fā)明旨在覆蓋可以被包括在如由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的另選方案、修改例以及等同物。此外，在本發(fā)明的以下詳細(xì)描述中，為了提供本發(fā)明的徹底理解，闡述大量具體細(xì)節(jié)。然而，將對(duì)本領(lǐng)域一個(gè)技術(shù)人員容易明顯的是，本發(fā)明可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐。在其他情況下，未詳細(xì)描述公知方法、程序、過(guò)程、部件、結(jié)構(gòu)以及電路，以便不使本發(fā)明的方面不必要地模糊。

鑒于計(jì)算機(jī)、處理器、控制器、裝置和/或存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)流、信號(hào)或波形上的過(guò)程、程序、邏輯塊、功能塊、處理、示意符號(hào)和/或操作的其他符號(hào)表示呈現(xiàn)以下的詳細(xì)描述的一些部分。這些描述和表示通常由數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域的技術(shù)人員用于向領(lǐng)域中其他技術(shù)人員有效地傳達(dá)他們工作的主旨。通常，但不是必須的，被操縱的量采取能夠在計(jì)算機(jī)或數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移、組合、比較以及其他方式操縱的電信號(hào)、磁信號(hào)、光信號(hào)以及量子信號(hào)的形式。已經(jīng)證明主要出于一般用途的原因而將這些信號(hào)稱(chēng)為位、波、波形、流、值、元素、符號(hào)、字符、術(shù)語(yǔ)、數(shù)字等有時(shí)是方便的。

特定實(shí)施方式可以致力于存儲(chǔ)器裝置，包括易失性存儲(chǔ)(例如，sram、dram等)或非易失性存儲(chǔ)(nvm)裝置，舉幾個(gè)來(lái)說(shuō)，諸如閃速存儲(chǔ)器、r-ram、m-ram、e2rom以及cbram。特定實(shí)施方式可以包括操作可以在一個(gè)或更多個(gè)電阻和/或電容狀態(tài)之間寫(xiě)入(編程/擦除)的閃速存儲(chǔ)器和/或電阻交換存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和方法。在一個(gè)示例中，cbram存儲(chǔ)元件可以被構(gòu)造成使得在跨cbram存儲(chǔ)元件的電極施加大于閾值電壓的正向或反向偏壓時(shí)，cbram存儲(chǔ)元件的電氣特性(例如，電阻)可以變化。寫(xiě)入操作可以為旨在改變裝置上存儲(chǔ)位置中的至少一個(gè)的狀態(tài)的存儲(chǔ)(例如，nvm)裝置上的任何操作。進(jìn)一步地，寫(xiě)入操作可以包括編程操作(例如，將數(shù)據(jù)狀態(tài)從1變?yōu)?的操作)和擦除操作(例如，將數(shù)據(jù)狀態(tài)從0變?yōu)?的操作)。當(dāng)然，存儲(chǔ)元件的數(shù)據(jù)狀態(tài)和/或電阻電平可以以任何合適的方式預(yù)先定義；然而，寫(xiě)入操作通?？赡苌婕按_保存儲(chǔ)單元被置于或保持處于期望的狀態(tài)。在任何情況下，特定實(shí)施方式適于任何類(lèi)型的存儲(chǔ)器裝置，包括易失性和非易失性類(lèi)型/裝置，并且存儲(chǔ)器裝置可以包括電阻交換存儲(chǔ)器裝置。

在一個(gè)實(shí)施方式中，一種可在超深度掉電模式下操作的存儲(chǔ)器裝置，可以包括：(i)命令用戶接口；(ii)電壓調(diào)節(jié)器，該電壓調(diào)節(jié)器具有提供用于存儲(chǔ)器裝置的多個(gè)部件的電源電壓的輸出，其中，多個(gè)部件包括命令用戶接口；(iii)喚醒電路，即使在存儲(chǔ)器裝置處于超深度掉電模式下時(shí)該喚醒電路也保持被通電；(iv)存儲(chǔ)器裝置可操作為響應(yīng)于接收第一預(yù)定命令而進(jìn)入超深度掉電模式，該第一預(yù)定命令使得禁用電壓調(diào)節(jié)器的輸出以在超深度掉電模式期間完全切斷多個(gè)部件的電源；并且(v)存儲(chǔ)器裝置響應(yīng)于接收硬件復(fù)位命令序列、復(fù)位管腳斷言、電源循環(huán)以及第二預(yù)定命令中的一個(gè)而離開(kāi)超深度掉電模式，從而使得啟用電壓調(diào)節(jié)器的輸出以向多個(gè)部件提供電力。

現(xiàn)在參照?qǐng)D1，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示例主機(jī)和存儲(chǔ)器裝置結(jié)構(gòu)的示意框圖100。在該示例中，主機(jī)102可以經(jīng)由串行接口與存儲(chǔ)器裝置104接口。例如，主機(jī)102可以為任何合適的控制器(例如，cpu、mcu、通用處理器、gpu、dsp等)，并且存儲(chǔ)器裝置104可以為任何類(lèi)型的存儲(chǔ)器裝置(例如，sram、dram、eeprom、閃速存儲(chǔ)器、cbram、磁ram、reram等)。存儲(chǔ)器裝置104由此可以以各種存儲(chǔ)技術(shù)(諸如非易失性類(lèi)型)來(lái)實(shí)施。在一些情況下，存儲(chǔ)器裝置104可以為可以在更傳統(tǒng)類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器中或在cbram/reram電阻交換存儲(chǔ)器中實(shí)施的串行閃速存儲(chǔ)器。

可以包括諸如串行外圍接口(spi)中的各種接口信號(hào)用于主機(jī)102與存儲(chǔ)器裝置104之間通信。在該示例單spi配置/模式下，串行時(shí)鐘(sck)可以向裝置104提供時(shí)鐘，并且可以用于控制去往和來(lái)自裝置的數(shù)據(jù)的流。命令、地址以及輸入數(shù)據(jù)(例如，si引腳上的)可以在sck的上升沿被鎖存，而輸出數(shù)據(jù)(例如，so引腳上或經(jīng)由i/o引腳的)可以在sck的下降沿上按照時(shí)鐘輸出，或者在一些結(jié)構(gòu)中通過(guò)數(shù)據(jù)選通(datastrobe)。復(fù)位引腳(reset_)可以用于終止進(jìn)行中的操作，并且用于將存儲(chǔ)器裝置104的內(nèi)部狀態(tài)機(jī)復(fù)位(例如，至空閑狀態(tài))。只要低電平存在于復(fù)位引腳上，則存儲(chǔ)器裝置104就可以保持在復(fù)位狀況下。同樣，因?yàn)榇鎯?chǔ)器裝置104可以包括通電復(fù)位電路，所以通電序列期間可以對(duì)復(fù)位引腳沒(méi)有限制。在一些其他實(shí)施方案中，存儲(chǔ)器裝置104可以不包括復(fù)位引腳(reset_)，相反可以包括保持引腳(hold_)。

片選(cs_)可以用于選擇存儲(chǔ)器裝置104，諸如從多個(gè)這種存儲(chǔ)器裝置中選擇，或者以其他方式作為訪問(wèn)裝置的方式。當(dāng)片選信號(hào)被解斷言(即，處于高電平)時(shí)，存儲(chǔ)器裝置104也將被取消選擇，并且可以被置于待機(jī)模式。(例如，經(jīng)由cs_上的高至低轉(zhuǎn)變)激活片選信號(hào)可以用于開(kāi)始操作，并且將片選信號(hào)返回至高狀態(tài)可以用于終止操作。對(duì)于內(nèi)部自定時(shí)的操作(例如，編程或擦除循環(huán))，如果片選在操作期間被解除斷言，則存儲(chǔ)器裝置104可以不進(jìn)入待機(jī)模式，直到特定進(jìn)行中的操作完成為止。寫(xiě)保護(hù)(wp_)可以用于保護(hù)由寄存器(例如，扇區(qū)保護(hù)寄存器)指定進(jìn)行保護(hù)的扇區(qū)。例如，可以針對(duì)編程和擦除操作保護(hù)這種扇區(qū)。由此，如果在斷言寫(xiě)保護(hù)引腳的同時(shí)編程或擦除命令被發(fā)出到存儲(chǔ)器裝置104，則裝置可以忽略該命令并且不執(zhí)行操作。

在可以處于“單spi模式”的該示例spi中，數(shù)據(jù)可以經(jīng)由串行輸入(si)信號(hào)提供給存儲(chǔ)器裝置104。串行輸入可以用于包括命令和地址序列的數(shù)據(jù)輸入。例如，串行輸入引腳上的數(shù)據(jù)可以在sck的上升沿被鎖存，并且如果裝置被解選擇(例如，在片選信號(hào)被解斷言時(shí))，則可以忽略串行輸入引腳上的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)可以經(jīng)由串行輸出(so)信號(hào)從存儲(chǔ)器裝置104輸出。例如，串行輸出上的數(shù)據(jù)可以在sck的下降沿按照時(shí)鐘輸出，并且串行輸出信號(hào)在取消選擇裝置時(shí)(例如，在片選信號(hào)解斷言時(shí))可以處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。在特定實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器裝置104可以支持各種spi模式或配置，諸如單spi、qpi以及八進(jìn)制模式。進(jìn)一步地，而與目前接口模式無(wú)關(guān)，存儲(chǔ)器裝置104的接口模式可以響應(yīng)于寫(xiě)入命令而被改為單spi模式，在該寫(xiě)入命令中在完成寫(xiě)入命令之后產(chǎn)生到掉電模式的自動(dòng)進(jìn)入。

存儲(chǔ)器裝置104可以包括電壓調(diào)節(jié)器，該電壓調(diào)節(jié)器具有提供用于存儲(chǔ)器裝置的各種其他部件的電源電壓的輸出，部件包括命令用戶接口。存儲(chǔ)器裝置可以通過(guò)(例如，從主機(jī)102)向存儲(chǔ)器裝置通過(guò)接口提供預(yù)定命令來(lái)進(jìn)入超深度掉電(udpd)模式。udpd模式可以連同電壓調(diào)節(jié)器內(nèi)部適當(dāng)?shù)纳呻娐芬黄鹗沟秒妷赫{(diào)節(jié)器的輸出被禁用。為了將存儲(chǔ)器裝置104帶出超深度掉電模式，可以向存儲(chǔ)器裝置提供喚醒信號(hào)或其他命令。

為了適應(yīng)該操作，存儲(chǔ)器裝置104可以包括喚醒電路，即使在存儲(chǔ)器裝置處于超深度掉電模式時(shí)該喚醒電路也保持被通電。在存儲(chǔ)器裝置處于超深度掉電模式的同時(shí)接收喚醒信號(hào)或命令可以使得電壓調(diào)節(jié)器的輸出和關(guān)聯(lián)電路被啟用，從而向之前切斷電源的部件提供電力。如下面將更詳細(xì)討論的，在特定實(shí)施方式中，另外的功能可以包括在即使在存儲(chǔ)器裝置處于超深度掉電模式時(shí)也可以保持被通電的喚醒相關(guān)電路或udpd控制中。

應(yīng)用中的許多應(yīng)用使用閃速存儲(chǔ)器裝置來(lái)存儲(chǔ)程序代碼。在一些情況下，程序代碼可以在應(yīng)用加電之后復(fù)制到外部或嵌入式微控制器ram。因?yàn)檫@種情況下的代碼從閃速存儲(chǔ)器投影(shadow)到ram中，所以可以直到下一電力循環(huán)為止都不需要訪問(wèn)閃速存儲(chǔ)器。由此，可以期望的是將閃速存儲(chǔ)器裝置置于盡可能低的功率模式，以消耗最少的電流。按照這些方法，一些應(yīng)用從閃速存儲(chǔ)器裝置完全去除電源以降低功耗。然而，因?yàn)闉榱饲袛嗟介W速存儲(chǔ)器裝置的電力會(huì)使用到外部功率管理裝置(諸如低漏失(ldo)調(diào)節(jié)器)，所以該方案往往會(huì)增大應(yīng)用復(fù)雜性和/或成本。

例如，存儲(chǔ)器裝置104可以在從裝置僅汲取非常小量的電流的超深度掉電模式下操作。在一些實(shí)施方案中，超深度掉電模式可以允許平均電流消耗降至一微安(μa)以下，并且在一些情況下低至50納安(na)。在一個(gè)方面中，存儲(chǔ)器裝置104可以包括電壓調(diào)節(jié)器，該電壓調(diào)節(jié)器具有提供用于存儲(chǔ)器裝置的各種其他部件的電源電壓的輸出，這些部件包括命令用戶接口。存儲(chǔ)器裝置可以通過(guò)(例如，從主機(jī)102)向存儲(chǔ)器裝置提供預(yù)定命令而進(jìn)入超深度掉電模式，該預(yù)定命令使得電壓調(diào)節(jié)器的輸出(和關(guān)聯(lián)的調(diào)節(jié)電路)被禁用。

為了將存儲(chǔ)器裝置帶出超深度掉電模式，可以向存儲(chǔ)器裝置提供喚醒信號(hào)或命令。存儲(chǔ)器裝置104可以包括喚醒電路，即使在存儲(chǔ)器裝置處于超深度掉電模式時(shí)該喚醒電路也保持被通電。在存儲(chǔ)器裝置處于超深度掉電模式的同時(shí)接收喚醒信號(hào)或命令，然后可以使得啟用電壓調(diào)節(jié)器的輸出(和關(guān)聯(lián)的調(diào)節(jié)電路)，從而向之前完全切斷電源的部件提供電力。其他方面涉及與可在超深度掉電模式下操作的存儲(chǔ)器裝置有關(guān)的方法和系統(tǒng)。

在特定實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器裝置可以按照節(jié)省主要主機(jī)處理器(例如，102)上的通用輸入/輸出(gpi/o)引腳保存在用于其他系統(tǒng)功能的方式，來(lái)進(jìn)入超深度掉電模式以及離開(kāi)超深度掉電模式。同樣，通過(guò)使用操作碼(opcode)使存儲(chǔ)器裝置進(jìn)入超深度掉電模式，可以提供較大的靈活性。此外，為了降低總成本，可以消除較復(fù)雜的外部電力管理裝置，諸如低漏失(ldo)調(diào)節(jié)器。另外，通過(guò)使用更少的部件來(lái)可以提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。

現(xiàn)在參照?qǐng)D2，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的存儲(chǔ)器裝置中的各種示例數(shù)據(jù)處理單元的示意框圖。通常，存儲(chǔ)器裝置104可以包括vcc域塊(例如，由vcc電源供電且使用vcc電源操作的功能塊或電路)22、vdd域塊(例如，由降低或不同的功率電平vdd供電且使用vdd操作的功能塊或電路)204、高壓(hv)充電泵206以及存儲(chǔ)器陣列208。存儲(chǔ)器裝置104本身可以由外部vcc電源來(lái)供電，并且可以包括低漏失(ldo)調(diào)節(jié)器218，該ldo調(diào)節(jié)器218具有充當(dāng)向vdd域塊204、高壓充電泵206以及存儲(chǔ)器陣列208提供vdd電壓電平的內(nèi)部片上電壓源的輸出。因此，vdd域塊204、高壓充電泵206以及存儲(chǔ)器陣列208可以由ldo調(diào)節(jié)器218來(lái)供電。

在該特定示例中，vcc域塊202還可以包括輸入/輸出緩沖器212、電平位移器216以及存儲(chǔ)元件214。例如，存儲(chǔ)元件214(例如，鎖存器、觸發(fā)器電路等)可以存儲(chǔ)ldo調(diào)節(jié)器218的啟用/禁用狀態(tài)。另外，vdd域塊204可以包括各種數(shù)字電路，諸如控制器228、輸入/輸出(i/o)控制器220、存儲(chǔ)器230(例如，ram和/或rom)、命令用戶接口(cui)222、以便在其他邏輯單元之間接口的膠合邏輯(gluelogic)226以及與存儲(chǔ)器陣列208接口的xy控制器224。電平位移器216可以是在vcc與vdd供應(yīng)域之間轉(zhuǎn)換信號(hào)的數(shù)字傳遞裝置。在一些情況下，vcc域可以以2.5伏特操作，而vdd域可以以1.8伏特操作，但這些電壓在其他實(shí)施方式中可以不同。

存儲(chǔ)器裝置104的操作可以由來(lái)自主處理器102的指令來(lái)控制。在該特定示例中，有效指令以cs_信號(hào)的下降沿開(kāi)始，然后是8位操作碼(操作碼)連同緩沖器或主存儲(chǔ)地址位置。在一些情況下，存儲(chǔ)器裝置104可以存儲(chǔ)程序代碼，該程序代碼可以在給定應(yīng)用加電之后復(fù)制到外部ram或嵌入主處理器102中的ram中。如果不需要訪問(wèn)存儲(chǔ)器裝置104直到下一電力循環(huán)為止，則可以期望的是將存儲(chǔ)器裝置104置于盡可能低的電源模式以消耗最少的電流。還可以存在期望將存儲(chǔ)器裝置104置于這種掉電模式的其他情況。

如上面討論的，存儲(chǔ)器裝置104可以進(jìn)入從裝置僅汲取非常小量的電流的超深度掉電模式。在一些實(shí)施方案中，超深度掉電模式可以允許平均電流消耗降至遠(yuǎn)低于一微安(μa)以下，并且在一些情況下低至50納安(na)。這樣，與正常操作相比，當(dāng)裝置在超深度掉電模式下操作時(shí)，可以差不多將電流消耗降低至十分之一。然而，超深度掉電模式下的實(shí)際功耗在其他實(shí)施方案中可能不同。在任何情況下，在處于超深度掉電模式時(shí)可以顯著降低存儲(chǔ)器裝置的功耗。

超深度掉電模式可以完全關(guān)閉在vdd域中操作的存儲(chǔ)器裝置104的部件(例如，204)。進(jìn)一步地，在特定實(shí)施方式中，可以支持用于使存儲(chǔ)器裝置104離開(kāi)超深度掉電模式的各種方案。例如，可以支持硬件復(fù)位命令序列(例如參見(jiàn)圖4)、硬件復(fù)位引腳斷言(例如參見(jiàn)圖5)、電源/vcc循環(huán)以及預(yù)定spi命令(例如參見(jiàn)圖7)，使得這些中的一個(gè)導(dǎo)致存儲(chǔ)器裝置104離開(kāi)超深度掉電模式。

進(jìn)入超深度掉電模式可以通過(guò)從主處理器102向i/o緩沖器212通過(guò)spi總線210提供唯一的預(yù)定8位命令操作碼來(lái)實(shí)現(xiàn)。在接收到該唯一命令操作碼之后，緩沖器212可以向命令用戶接口222傳遞該唯一命令操作碼。命令用戶接口222然后可以向與解碼該命令關(guān)聯(lián)的電平位移器216傳遞操作碼。電平位移器216可以將操作碼轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)膙cc域電壓電平，并且可以將操作碼轉(zhuǎn)移到存儲(chǔ)元件214(例如，觸發(fā)器電路)。存儲(chǔ)元件214然后可以生成使得ldo調(diào)節(jié)器218的輸出被禁用的信號(hào)。禁用ldo調(diào)節(jié)器218的輸出可以切斷存儲(chǔ)器裝置212的vdd域塊204以及存儲(chǔ)器陣列208和高壓充電泵206的電源。由此，在超深度掉電模式下，可以完全切斷通常情況下由vdd電壓源供電的所有部件的電源。通過(guò)關(guān)閉存儲(chǔ)器裝置104中的另外內(nèi)部電路，與其他低功率或待機(jī)模式相比，超深度掉電模式可以允許存儲(chǔ)器裝置104消耗更少的電力。

因?yàn)樵诔疃鹊綦娔Ｊ较玛P(guān)閉了幾乎所有有效電路來(lái)節(jié)約功率，所以在超深度掉電模式下可以完全切斷輸入/輸出控制器220和命令用戶接口222的電源。因?yàn)榭梢院雎栽诖鎯?chǔ)器裝置進(jìn)入超深度掉電模式之后(且在存儲(chǔ)器裝置離開(kāi)該模式之前)按照時(shí)鐘輸入到存儲(chǔ)器裝置104中的任何另外數(shù)據(jù)，所以還可以忽略所有隨后的命令，直到裝置離開(kāi)超深度掉電模式為止。在另一方面，因?yàn)榭梢院雎运羞@種命令，所以超深度掉電模式可以用作針對(duì)編程和擦除操作的額外保護(hù)機(jī)制。然而，如下面將更詳細(xì)討論的，可以不是忽略所有這種隨后的命令，并且可以接受預(yù)定的特定命令，諸如提供了離開(kāi)超深度掉電模式的方式的下面在圖7中示出的一種命令。

當(dāng)存儲(chǔ)器裝置104處于超深度掉電模式時(shí)，裝置可以繼續(xù)由vcc電壓來(lái)供電，使得vcc域塊202(包括存儲(chǔ)元件214、ldo調(diào)節(jié)器218以及i/o緩沖器212)可以保持連接到vcc電壓。然而，在該狀態(tài)下，可以被實(shí)施為較小電路的ldo調(diào)節(jié)器218可以具有相對(duì)小的泄露，從而在超深度掉電模式期間幫助將存儲(chǔ)器裝置104的總功耗維持在相對(duì)低的水平。

超深度掉電模式與現(xiàn)有待機(jī)和深度掉電模式相比可以通過(guò)關(guān)閉另外的內(nèi)部電路來(lái)允許裝置進(jìn)一步降低其能耗。在“普通”深度掉電模式下，與超深度掉電模式相對(duì)，ldo218可以保持激活，或者以其他方式，到存儲(chǔ)器陣列和其他電路的電力可以在沒(méi)有l(wèi)do的情況下保持打開(kāi)。相反，為了完全關(guān)閉使用ldo218的輸出的所有電路(包括vdd域204、hv泵216以及存儲(chǔ)器陣列208中的電路)，在超深度掉電模式期間關(guān)閉ldo218。當(dāng)存儲(chǔ)器裝置處于超深度掉電模式時(shí)，讀出狀態(tài)寄存器命令連同從超深度掉電模式恢復(fù)的命令(例如，參見(jiàn)圖7)一起可以是裝置可以識(shí)別的僅有命令。當(dāng)在該模式下讀狀態(tài)寄存器時(shí)，所有位可以被讀為“1”，1指示裝置處于udpd模式。所有其他命令，包括從深度省電恢復(fù)命令，可以被忽略，除非針對(duì)從超深度掉電模式恢復(fù)命令以及從深度掉電模式恢復(fù)命令采用同一操作碼(例如，abh)，使得同一命令可以用于從兩種睡眠模式喚醒。在任何情況下，因?yàn)榭梢院雎运袑?xiě)入命令，所以u(píng)dpd模式基本上可以用作針對(duì)一些應(yīng)用中的疏忽或無(wú)意非編程和擦除操作的額外保護(hù)機(jī)制。

現(xiàn)在參照?qǐng)D3，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的進(jìn)入超深度掉電模式的示例操作的波形圖300。進(jìn)入超深度掉電模式可以通過(guò)簡(jiǎn)單地?cái)嘌詂s_引腳、對(duì)輸入操作碼(例如，79h)定時(shí)且然后對(duì)cs_引腳解斷言來(lái)實(shí)現(xiàn)。可以忽略在操作碼之后按照時(shí)鐘輸入到裝置中的任何另外數(shù)據(jù)。當(dāng)cs_引腳被解斷言時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可以在最大時(shí)間teudpd內(nèi)進(jìn)入超深度掉電模式。例如，完整的操作碼必須在解斷言cs_引腳之前時(shí)鐘輸入；否則，一旦cs_引腳被解斷言，則裝置可能中止操作且恢復(fù)為待機(jī)模式。另外，裝置可以在電源循環(huán)之后默認(rèn)為待機(jī)模式。如果諸如編程或擦除循環(huán)的內(nèi)部自定時(shí)操作在進(jìn)行中，則可以忽略超深度省電命令。

特定實(shí)施方式還可以支持編程或擦除操作之后的“自動(dòng)”超深度掉電模式進(jìn)入，該編程或擦除操作可以允許存儲(chǔ)器裝置通過(guò)在完成內(nèi)部定時(shí)的編程或擦除操作之后自動(dòng)進(jìn)入超深度掉電模式來(lái)進(jìn)一步降低其能耗。編程或擦除操作可以為塊或芯片擦除命令、字節(jié)/頁(yè)編程命令或沒(méi)有內(nèi)置擦除命令的緩沖器到主存儲(chǔ)器頁(yè)編程中的任一個(gè)。注意，緩沖器寫(xiě)入命令或寄存器寫(xiě)入命令中的任一個(gè)無(wú)法使得裝置進(jìn)入超深度掉電模式。在任何情況下，與存儲(chǔ)器裝置無(wú)關(guān)(例如，經(jīng)由直接命令或自動(dòng))進(jìn)入超深度掉電模式，特定實(shí)施方式提供用于離開(kāi)超深度掉電模式的各種控制機(jī)制。

編程/擦除操作之后的“自動(dòng)”超深度省電(audpd)模式可以通過(guò)設(shè)置例如狀態(tài)/控制寄存器中的自動(dòng)超深度省電啟用位來(lái)啟用。audpd可以在每當(dāng)裝置進(jìn)入超深度省電時(shí)清零，因此如果期望后面是自動(dòng)超深度省電的另一個(gè)編程或擦除操作，則可以再次設(shè)置audpd。當(dāng)使用編程/擦除操作之后的自動(dòng)超深度掉電模式時(shí)，存儲(chǔ)器裝置可以在啟動(dòng)編程或擦除命令之后的taudpd內(nèi)切換到標(biāo)準(zhǔn)spi模式。因此，在編程或擦除操作仍然在進(jìn)行時(shí)的操作和裝置已經(jīng)進(jìn)入超深度掉電模式之后的操作這兩者所有狀態(tài)讀出操作可以使用標(biāo)準(zhǔn)spi模式來(lái)執(zhí)行。

在一些情況下，所有輸入引腳可能必須處于有效cmos電平，以使超深度掉電模式下的功耗最小化。在從超深度省電恢復(fù)/離開(kāi)時(shí)，所有內(nèi)部寄存器(例如，除了狀態(tài)/控制寄存器中的寫(xiě)入完成狀態(tài)位之外)可以處于通電默認(rèn)狀態(tài)。另外，即使存儲(chǔ)器裝置104在進(jìn)入超深度省電時(shí)處于qpi或八進(jìn)制模式(包括兩個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)速率)，存儲(chǔ)器裝置104也可以在單spi模式下醒來(lái)。在一些實(shí)施方案中，如果諸如編程或擦除循環(huán)的內(nèi)部自定時(shí)操作在進(jìn)行中，則超深度省電命令可以被忽略。如上面注釋的，i/o控制器220和命令用戶接口222可以在超深度掉電模式期間完全切斷電源。由此可見(jiàn)，通常所有操作碼命令在裝置處于超深度掉電模式時(shí)可以由存儲(chǔ)器裝置104忽略。然而，特定實(shí)施方式可以支持通過(guò)可以用于將存儲(chǔ)器裝置104帶出超深度掉電模式的、在spi總線210的線中的spi數(shù)據(jù)發(fā)送的預(yù)定操作碼命令(例如，參見(jiàn)圖7)。

在一個(gè)示例中，為了喚醒存儲(chǔ)器裝置104并將其帶出超深度掉電模式，僅觸發(fā)spi總線210的spics_線上的信號(hào)將不是有效的。相反，預(yù)定操作碼(例如，abh)可以經(jīng)由i/o緩沖器212和存儲(chǔ)元件214中的專(zhuān)用電路來(lái)提供并解碼。當(dāng)存儲(chǔ)器裝置104處于超深度掉電模式時(shí)，緩沖器212可以按照時(shí)鐘輸入并直接將串行輸入信號(hào)傳遞給存儲(chǔ)元件214，該存儲(chǔ)元件在預(yù)定操作碼匹配的情況下可以生成使得ldo調(diào)節(jié)器218的輸出被啟用的信號(hào)。啟用ldo調(diào)節(jié)器218的輸出可以將vdd電壓提供給各種vdd域塊204，而且提供給高壓充電泵206和存儲(chǔ)器陣列208，由此將存儲(chǔ)器裝置104恢復(fù)到待機(jī)模式。由此，雖然存儲(chǔ)器裝置104使用特定命令(例如，操作碼)來(lái)進(jìn)入超深度掉電模式，但可以使用存儲(chǔ)器裝置104的適當(dāng)硬件特征或不同的命令/操作碼將存儲(chǔ)器裝置帶出超深度掉電模式。

在特定實(shí)施方式中，片選信號(hào)可以另選地用于除了使存儲(chǔ)器裝置離開(kāi)超深度掉電模式之外的目的。在這種情況下，片選信號(hào)可以用于在不喚醒裝置的情況下發(fā)送給存儲(chǔ)器裝置命令。這樣，為了離開(kāi)超深度掉電模式，可以采用其他喚醒信號(hào)或命令。例如，為了控制存儲(chǔ)器裝置104離開(kāi)超深度掉電模式，可以將狀態(tài)讀取命令連同專(zhuān)用從超深度省電喚醒命令(例如，操作碼＝abh)一起采用。在一個(gè)示例中，狀態(tài)讀取命令可以提供狀態(tài)數(shù)據(jù)，而不將存儲(chǔ)器裝置帶出超深度掉電模式，同時(shí)從超深度省電喚醒命令可以是將存儲(chǔ)器裝置104帶出超深度掉電模式的spi命令。

在一些情況下，從超深度省電喚醒命令可以與用于從標(biāo)準(zhǔn)(不是非常超深度)掉電模式喚醒的現(xiàn)有命令相同。在其他情況下，可以采用不同的從超深度省電喚醒命令。從省電喚醒命令或“從深度省電恢復(fù)”命令可以是遵循正常spi命令序列的標(biāo)準(zhǔn)spi命令。這可以與可以充當(dāng)用于硬件復(fù)位引腳的替代的離開(kāi)超深度省電或硬件復(fù)位命令序列(例如，jedec硬件復(fù)位)相對(duì)。這種硬件復(fù)位命令可以包括正常spi操作期間從不應(yīng)該出現(xiàn)的信號(hào)序列。由此可見(jiàn)，可以采用按照這些方法的硬件復(fù)位命令，作為從超深度掉電模式喚醒/離開(kāi)的另一另選方案。

為了離開(kāi)超深度掉電模式，特定實(shí)施方式可以支持硬件復(fù)位命令序列，該序列訓(xùn)練硬件reset_引腳、(例如，主電源vcc的)電源循環(huán)或可以為僅可由處于超深度省電的存儲(chǔ)器裝置識(shí)別的命令的專(zhuān)用/預(yù)定spi命令。在從超深度省電恢復(fù)時(shí)，所有內(nèi)部易失性寄存器可以處于它們的通電默認(rèn)狀態(tài)。一個(gè)例外可以是狀態(tài)/控制寄存器中的寫(xiě)入完成狀態(tài)位，借此，即使這種狀態(tài)位可以是易失性位，但該位在裝置進(jìn)入自動(dòng)超深度省電時(shí)可以不被清零。這可以確保在自動(dòng)超深度省電編程或擦除操作之后仍然可以檢測(cè)錯(cuò)誤。在這種情況下，寫(xiě)入完成狀態(tài)位可以不由硬件復(fù)位或通過(guò)演練reset_引腳來(lái)擦除。然而，該位可以由全電源循環(huán)來(lái)擦除，或者在超深度省電(例如，79h)命令用于進(jìn)入udpd模式時(shí)擦除。

即使存儲(chǔ)器裝置在進(jìn)入超深度省電時(shí)處于qpi或八進(jìn)制模式，存儲(chǔ)器裝置也可以在spi模式下醒來(lái)。在這種情況下，系統(tǒng)在可以恢復(fù)正常命令操作之前必須等待裝置恢復(fù)為待機(jī)模式。離開(kāi)超深度省電預(yù)定操作碼(例如，abh)或硬件復(fù)位命令序列可以用于從超深度省電喚醒裝置。該序列還可以用于將裝置復(fù)位為沒(méi)有循環(huán)電源的通電狀態(tài)，這可以是離開(kāi)超深度掉電模式的另一個(gè)所支持的方法。為了將裝置從超深度省電喚醒，還可以斷言硬件reset_引腳。該選項(xiàng)還可以用于將裝置復(fù)位為與沒(méi)有循環(huán)電源的通電狀態(tài)類(lèi)似的狀態(tài)。

在裝置處于超深度掉電模式時(shí)的硬件復(fù)位之后，sram緩沖器212可以被復(fù)位為未定義值。所有易失性狀態(tài)寄存器可以被復(fù)位為它們的默認(rèn)狀態(tài)，除了在以下的情況下之外：如果在最新編程或擦除命令之前設(shè)置狀態(tài)/控制寄存器中的位(例如，audpd位)，因此裝置將在編程或擦除命令完成后自動(dòng)進(jìn)入超深度掉電模式，并且硬件復(fù)位用于將裝置從超深度掉電模式喚醒，然后寫(xiě)入完成狀態(tài)位可以不被復(fù)位。在這種情況下，寫(xiě)入完成狀態(tài)仍然可以在最新的編程或擦除命令之后示出正確的狀態(tài)。所有非易失性狀態(tài)寄存器可以保持它們?cè)趶?fù)位之前具有的值。

在裝置處于除了超深度掉電模式之外的任何模式時(shí)的硬件復(fù)位之后，sram緩沖器可以保持它在復(fù)位之前具有的值，以下例外。如果在sram緩沖器的更新期間啟動(dòng)復(fù)位序列，則可能損壞sram緩沖器的內(nèi)容。所有易失性狀態(tài)寄存器可以被復(fù)位為它們的默認(rèn)值。所有非易失性狀態(tài)寄存器可以保持它們?cè)趶?fù)位之前具有的值，以下例外。如果在到非易失性狀態(tài)寄存器的寫(xiě)入期間啟動(dòng)復(fù)位序列，則可能損壞該寄存器的值。裝置可以在硬件復(fù)位后總是回返到標(biāo)準(zhǔn)spi模式。

在特定實(shí)施方式中，可以通過(guò)電源循環(huán)裝置來(lái)控制存儲(chǔ)器裝置離開(kāi)超深度省電。例如，可以對(duì)到裝置的vcc電壓或主電源放電或以其他方式斷開(kāi)，然后重新施加?？梢圆捎眉与婋娐穪?lái)作為加電過(guò)程的一部分來(lái)檢測(cè)vcc處于足以操作存儲(chǔ)器裝置的電平。由此，如果存儲(chǔ)器裝置在電源循環(huán)裝置之前處于超深度省電，則一旦重新施加電源，存儲(chǔ)器裝置將已經(jīng)離開(kāi)超深度掉電模式。在存儲(chǔ)器裝置接受編程或擦除命令之前必須經(jīng)過(guò)指定延遲(例如，tpuw)或加電裝置延遲。該延遲可以確保存儲(chǔ)器裝置已經(jīng)恢復(fù)為待機(jī)裝置，并且可以包括確保適當(dāng)?shù)膬?nèi)部電源電平(例如，vdd)處于足以進(jìn)行給定操作的電平。在從超深度省電恢復(fù)時(shí)，所有內(nèi)部寄存器可以處于它們的加電默認(rèn)值。

現(xiàn)在參照?qǐng)D4，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離開(kāi)超深度掉電模式的第一示例硬件復(fù)位操作的波形圖400。這種類(lèi)型的復(fù)位操作由于用于其他類(lèi)型的復(fù)位操作中的具體命令還可以被稱(chēng)為“jedec”硬件復(fù)位操作。在特定實(shí)施方式中，可以采用該特定命令序列來(lái)離開(kāi)超深度掉電模式。復(fù)位序列可以不適用sck引腳，并且必須貫穿整個(gè)復(fù)位序列保持sck引腳低(模式0)或高(模式3)。這可以防止與命令的任何混淆(因?yàn)闆](méi)有命令位被轉(zhuǎn)移(定時(shí)))。當(dāng)si引腳上的數(shù)據(jù)在自始至終沒(méi)有邊沿在sck引腳上的情況下在cs_引腳的四個(gè)連續(xù)正邊沿上為0101時(shí)，可以命令復(fù)位/離開(kāi)。

這是為了選擇裝置而將第一cs_驅(qū)動(dòng)為低電平有效的序列。時(shí)鐘(sck)可以在高或低狀態(tài)下保持穩(wěn)定。同樣，si可以與cs_變成低電平有效同時(shí)地由總線主設(shè)備(例如，主機(jī)102)驅(qū)動(dòng)為低。在sck轉(zhuǎn)變之前在cs_低期間，沒(méi)有spi總線從設(shè)備可以驅(qū)動(dòng)si(例如，不允許受控串流輸出有效，直到sck的第一邊沿之后為止)。同樣，可以將cs_驅(qū)動(dòng)為無(wú)效。從設(shè)備可以在cs_的上升沿上捕獲si的狀態(tài)。這種步驟可以重復(fù)4次，每次交替si的狀態(tài)。在第四個(gè)這種cs_脈沖之后，從設(shè)備可以觸發(fā)其內(nèi)部復(fù)位。例如，si在第一cs_上可以為低，在第二cs_上為高，在第三cs_上為低，在第四cs_上為高。這提供值5h以與隨機(jī)噪聲區(qū)分。另外，在此期間sck上的活動(dòng)可以停止序列，并且可以不生成復(fù)位。

現(xiàn)在參照?qǐng)D5，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離開(kāi)超深度掉電模式的第二示例硬件復(fù)位操作的波形圖500。在該示例中，硬件復(fù)位引腳可以用于喚醒裝置以離開(kāi)超深度掉電模式。該序列還可以用于將裝置復(fù)位為與沒(méi)有循環(huán)電源的通電狀態(tài)類(lèi)似的狀態(tài)。這種情況下的復(fù)位序列不適用任何其他引腳。復(fù)位引腳上的低狀態(tài)(reset_)可以終止進(jìn)行中的操作并將內(nèi)部狀態(tài)機(jī)復(fù)位至空閑狀態(tài)。只要低電平存在于reset_引腳上，存儲(chǔ)器裝置就可以保持在復(fù)位狀況下。一旦將reset_引腳帶回高電平，則正常操作可以恢復(fù)。裝置可以包含內(nèi)部通電復(fù)位電路，因此可以通電序列期間對(duì)reset_引腳沒(méi)有限制。

在裝置處于超深度掉電模式時(shí)由reset_引腳啟動(dòng)的硬件復(fù)位之后，sram緩沖器212可以被復(fù)位為未定義值。所有易失性狀態(tài)寄存器可以被復(fù)位為它們的默認(rèn)值，除了在以下情況。如果例如在最新編程或擦除命令之前設(shè)置狀態(tài)/控制寄存器中的給定位，因此裝置在編程或擦除命令完成后進(jìn)入超深度掉電模式，并且reset-用于將裝置從超深度掉電模式喚醒，然后可以不復(fù)位寫(xiě)入完成狀態(tài)位。在這種情況下，寫(xiě)入完成狀態(tài)仍然可以在最新的編程或擦除命令之后示出正確的狀態(tài)。所有非易失性狀態(tài)寄存器可以保持它們?cè)趶?fù)位之前具有的值。

在存儲(chǔ)器裝置處于除了超深度掉電模式之外的任何模式時(shí)由reset_引腳啟動(dòng)的硬件復(fù)位之后，sram緩沖器可以保持它在復(fù)位之前具有的值，以下例外。如果在sram緩沖器的更新期間啟動(dòng)復(fù)位序列，則可能損壞sram緩沖器的內(nèi)容。所有易失性狀態(tài)寄存器可以被復(fù)位為它們的默認(rèn)值。所有非易失性狀態(tài)寄存器可以保持它們?cè)趶?fù)位之前具有的值，以下例外。如果在到非易失性狀態(tài)寄存器的寫(xiě)入期間啟動(dòng)復(fù)位序列，則可能損壞該寄存器的值。裝置可以在經(jīng)由reset_引腳/信號(hào)離開(kāi)udpd之后總是回返到標(biāo)準(zhǔn)/單spi模式。

現(xiàn)在參照?qǐng)D6，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的包括第二示例硬件復(fù)位操作的電源曲線的波形圖600。如圖所示，斷言的reset-引腳可以使存儲(chǔ)器裝置從超深度掉電模式離開(kāi)。例如，可以需要在預(yù)定持續(xù)時(shí)間(例如，trst)內(nèi)斷言reset_引腳(例如，保持低)。響應(yīng)于reset_引腳的下降沿，為了適當(dāng)復(fù)位內(nèi)部電源(例如，作為來(lái)自ldo調(diào)節(jié)器218的輸出的vdd)和寄存器狀態(tài)，存儲(chǔ)器裝置可以引起的操作電流為有效電流電平。該過(guò)程可以在指定的硬件復(fù)位時(shí)間(例如，thwres)內(nèi)完成，并且此時(shí)一旦裝置進(jìn)入待機(jī)模式并準(zhǔn)備正常操作，則操作電流可以恢復(fù)為待機(jī)模式電流。

現(xiàn)在參照?qǐng)D7，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離開(kāi)超深度掉電模式的示例專(zhuān)用恢復(fù)命令的波形圖700。從掉電模式恢復(fù)預(yù)定/專(zhuān)用命令(例如，操作碼＝abh)是將裝置從掉電模式或超深度掉電模式喚醒的唯一指令。當(dāng)存儲(chǔ)器裝置處于超深度掉電模式時(shí)，忽略所有其他命令。在該指令命令中，在使cs_引腳低之后，可以應(yīng)用“res”或恢復(fù)指令。在指令結(jié)束時(shí)，可以使cs_引腳恢復(fù)為高。sck時(shí)鐘號(hào)7的上升沿(例如，第8個(gè)上升沿)可以啟動(dòng)內(nèi)部res指令。如圖所示，存儲(chǔ)器裝置可以在sck的第8個(gè)上升沿之后變得可用于讀出和寫(xiě)入指令tpud或txudpd。

在一個(gè)實(shí)施方式中，一種控制可在超深度掉電模式下操作的存儲(chǔ)器裝置的方法，可以包括以下步驟：(i)由電壓調(diào)節(jié)器的輸出提供用于存儲(chǔ)器裝置的多個(gè)部件的電源電壓，其中，多個(gè)部件包括命令用戶接口，并且其中，存儲(chǔ)器裝置包括喚醒電路，即使在存儲(chǔ)器裝置處于超深度掉電模式下時(shí)該喚醒電路也保持被通電；(ii)響應(yīng)于接收第一預(yù)定命令使存儲(chǔ)器裝置進(jìn)入超深度掉電模式，該第一預(yù)定命令使得電壓調(diào)節(jié)器的輸出被禁用以在超深度掉電模式期間完全切斷多個(gè)部件的電源；以及(iii)響應(yīng)于接收硬件復(fù)位命令序列、復(fù)位管腳斷言、電源循環(huán)以及第二預(yù)定命令中的一個(gè)使存儲(chǔ)器裝置離開(kāi)超深度掉電模式，從而使得啟用電壓調(diào)節(jié)器的輸出以向多個(gè)部件提供電力。

現(xiàn)在參照?qǐng)D8，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離開(kāi)超深度掉電模式的示例方法的流程圖800。在802處，存儲(chǔ)器裝置可以處于待機(jī)模式(例如，準(zhǔn)備接受指令命令)。在804處，存儲(chǔ)器裝置可以接收將被置于超深度掉電模式的命令。例如，該命令可以為預(yù)定操作碼，諸如圖3中所示的操作碼。在806處，作為該命令的結(jié)果，存儲(chǔ)器裝置可以進(jìn)入超深度掉電模式。

如上面討論的，特定實(shí)施方式支持離開(kāi)超深度掉電模式的各種方案。在808處，為了離開(kāi)超深度掉電模式，可以采用其中的方案中的任一個(gè)。在一個(gè)示例中，在810處，可以在存儲(chǔ)器裝置處(例如，從主機(jī)裝置)接收硬件復(fù)位命令序列。例如，可以應(yīng)用諸如上面在圖4中示出的命令序列的硬件命令序列。作為響應(yīng)，在818處，存儲(chǔ)器裝置可以離開(kāi)超深度掉電模式，并且可以在802處恢復(fù)為待機(jī)模式。

在另一個(gè)示例中，在812處，為了在818處離開(kāi)超深度掉電模式，可以激活硬件復(fù)位引腳。例如，可以如上面在圖5中所示來(lái)斷言reset_引腳。作為這種硬件復(fù)位的結(jié)果，電流在802處作為待機(jī)模式的一部分且作為離開(kāi)超深度掉電模式的結(jié)果可以恢復(fù)為待機(jī)模式電流。在另一個(gè)示例中，在814處，(例如，電源vcc的)電源循環(huán)可以用于離開(kāi)超深度掉電模式。在又一個(gè)示例中，在816處，為了離開(kāi)超深度掉電模式，可以采用預(yù)定“恢復(fù)”spi命令。例如，可以利用如上面在圖7中所示的spi命令。作為響應(yīng)，在818處，存儲(chǔ)器裝置可以離開(kāi)超深度掉電模式，并且可以在802處恢復(fù)為待機(jī)模式。

這樣，特定實(shí)施方式可以支持提供使存儲(chǔ)器裝置離開(kāi)超深度掉電模式的控制的各種方法、電路、機(jī)制和/或結(jié)構(gòu)。雖然上述示例包括特定存儲(chǔ)器裝置的電路、操作方法以及結(jié)構(gòu)實(shí)施方案，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，可以根據(jù)實(shí)施方式使用其他技術(shù)和/或結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，還可以根據(jù)實(shí)施方式使用其他裝置電路結(jié)構(gòu)、架構(gòu)、元件等。

對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的上述說(shuō)明是為了例示和說(shuō)明的目的而提供的。并非旨在對(duì)本發(fā)明進(jìn)行窮盡，或者將本發(fā)明限于所公開(kāi)的精確形式。顯而易見(jiàn)的是，很多修改例和變型例對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是明顯的。選擇了實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明以最好地解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，以使本領(lǐng)域其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施方式，以及適合于所設(shè)想的具體用途的各種變型。本發(fā)明的范圍旨在由所附權(quán)利要求及其等同物來(lái)限定。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2016年2月11日提交的美國(guó)第62/294264號(hào)臨時(shí)申請(qǐng)的權(quán)益，此處以引證的方式將上述申請(qǐng)全文并入。