本發(fā)明涉及nandflash質量檢驗領域，特別涉及一種檢驗nandflash質量的方法及系統(tǒng)。

背景技術：

現(xiàn)在絕大多數(shù)數(shù)碼產(chǎn)品都會用到存儲設備，在數(shù)碼產(chǎn)品越來越廣泛的情況下，存儲設備的穩(wěn)定性和安全性是保證了數(shù)碼產(chǎn)品數(shù)據(jù)的正確性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性的重要因素。

但是，在生產(chǎn)過程中難免會產(chǎn)生不穩(wěn)定或不安全的存儲設備。所以，找出存儲設備nandflash的不穩(wěn)定的因素，在存儲設備nandflash投入到下一步制造流程前，對存儲設備進行精確的檢驗，并將檢驗結果準確的反饋給數(shù)碼設備，是使數(shù)碼設備使用更穩(wěn)定，壽命更長的一種有效方式。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術問題是：準確的判斷nandflash的質量情況。

校驗nandflash內的內存塊的每一頁對應的冗余信息，獲得校驗不合格的內存塊的編號；

根據(jù)所述校驗不合格的內存塊的編號創(chuàng)建原始壞塊表；

存儲預設第一數(shù)據(jù)至所述內存塊；

讀取所述內存塊內數(shù)據(jù)得到第二數(shù)據(jù)；

將所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)比對，獲得比對不同的內存塊的編號；

根據(jù)所述比對不同的內存塊的編號創(chuàng)建最終壞塊表；

若所述最終壞塊表內的內存塊的編號與所述原始壞塊表內記錄的內存塊的編號不同，則確定所述nandflash為不合格。

本發(fā)明另提供一種檢驗nandflash質量的系統(tǒng)，包括：

校驗模塊，用于校驗nandflash內的內存塊的每一頁對應的冗余信息，獲得校驗不合格的內存塊的編號；

第一創(chuàng)建模塊，用于根據(jù)所述校驗不合格的內存塊的編號創(chuàng)建原始壞塊表；

第一存儲模塊，用于存儲預設第一數(shù)據(jù)至所述內存塊；

讀取模塊，用于讀取所述內存塊內數(shù)據(jù)得到第二數(shù)據(jù)；

比對模塊，用于將所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)比對，獲得比對不同的內存塊的編號；

第二創(chuàng)建模塊，用于根據(jù)所述比對不同的內存塊的編號創(chuàng)建最終壞塊表；

確定模塊，用于若所述最終壞塊表內的內存塊的編號與所述原始壞塊表內記錄的內存塊的編號不同，則確定所述nandflash為不合格。

本發(fā)明的有益效果在于：通過兩次的檢驗，第一次通過檢驗內存塊每頁的冗余信息來確定內存塊是否存在質量問題，第二次通過數(shù)據(jù)的輸入和讀取來檢驗，比對兩次檢驗得到的內存塊情況來對nandflash的質量狀況做出一個全面且準確的評價，確保最終出廠nandflash在不會存在嚴重的質量問題，不會對嚴重影響數(shù)碼設備其他部件的運行。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種檢驗nandflash質量的方法具體實施方式的流程框圖；

圖2為本發(fā)明一種檢驗nandflash質量的系統(tǒng)具體實施方式的系統(tǒng)框圖；

圖3為本發(fā)明一種檢驗nandflash質量的系統(tǒng)具體實施方式的系統(tǒng)框圖；

標號說明：

1、校驗模塊；2、第一創(chuàng)建模塊；3、第一存儲模塊；4、讀取模塊；

5、比對模塊；6、第二創(chuàng)建模塊；7、確定模塊；8、設置模塊；

9、擦除模塊；10、第二存儲模塊；11、劃分模塊。

具體實施方式

為詳細說明本發(fā)明的技術內容、所實現(xiàn)目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖予以說明。

本發(fā)明最關鍵的構思在于：第一次通過檢驗內存塊每頁的冗余信息來確定內存塊的質量，第二次對每個內存塊進行讀取數(shù)據(jù)操作來確定內存塊的質量，比對兩次檢驗的得到的內存塊的質量情況來確定nandflash的質量。

請參照圖1-圖3，

如圖1所示，本發(fā)明提供一種檢驗nandflash質量的方法：

校驗nandflash內的內存塊的每一頁對應的冗余信息，獲得校驗不合格的內存塊的編號；

根據(jù)所述校驗不合格的內存塊的編號創(chuàng)建原始壞塊表；

存儲預設第一數(shù)據(jù)至所述內存塊；

讀取所述內存塊內數(shù)據(jù)得到第二數(shù)據(jù)；

將所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)比對，獲得比對不同的內存塊的編號；

根據(jù)所述比對不同的內存塊的編號創(chuàng)建最終壞塊表；

若所述最終壞塊表內的內存塊的編號與所述原始壞塊表內記錄的內存塊的編號不同，則確定所述nandflash為不合格。

由上述描述可知，本發(fā)明的有益效果在于：通過兩次的檢驗，能更準確的確定nandflash的質量狀況，精確的找出nandflash中存在質量問題的塊。同時，比對兩次檢驗的結果，還能找出性能不穩(wěn)定性nandflash，將其確認為不合格，不予出廠。

進一步的，還包括：

為所述內存塊的每一頁的預設位置設置冗余信息。

由上述描述可知，通過事先設置了冗余信息，在之后對冗余信息進行校驗，從而高效的檢驗內存塊的質量情況。

進一步的，還包括：

擦除所述內存塊的數(shù)據(jù)。

由上述描述可知，在進行第二次檢驗之前，先進行擦除操作，避免內存塊中原有的數(shù)據(jù)影響檢驗的結果，提高了檢驗的精確性。

進一步的，還包括：

存儲所述原始壞塊表、最終壞塊表至所述nandflash內的內存塊。

由上述描述可知，將兩次檢驗獲得的壞塊表保存在nandflash，可以使設備在進行存儲操作的時候避過這些壞塊，從而降低了操作的出錯率。

進一步的，還包括：

為所述內存塊劃分預設個數(shù)頁。

由上述描述可知，將內存塊劃分為若干的頁，是數(shù)據(jù)的保存更為規(guī)范，提高了存儲的效率，降低了存儲的出錯率。

如圖2所示，本發(fā)明提供一種檢驗nandflash質量的系統(tǒng)，包括：

校驗模塊1，用于校驗nandflash內的內存塊的每一頁對應的冗余信息，獲得校驗不合格的內存塊的編號；

第一創(chuàng)建模塊2，用于根據(jù)所述校驗不合格的內存塊的編號創(chuàng)建原始壞塊表；

第一存儲模塊3，用于存儲預設第一數(shù)據(jù)至所述內存塊；

讀取模塊4，用于讀取所述內存塊內數(shù)據(jù)得到第二數(shù)據(jù)；

比對模塊5，用于將所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)比對，獲得比對不同的內存塊的編號；

第二創(chuàng)建模塊6，用于根據(jù)所述比對不同的內存塊的編號創(chuàng)建最終壞塊表；

確定模塊7，用于若所述最終壞塊表內的內存塊的編號與所述原始壞塊表內記錄的內存塊的編號不同，則確定所述nandflash為不合格。

進一步的，還包括：

設置模塊8，用于為所述內存塊的每一頁的預設位置設置冗余信息。

進一步的，還包括：

擦除模塊9，用于擦除所述內存塊的數(shù)據(jù)。

進一步的，還包括：

第二存儲模塊10，用于存儲所述原始壞塊表、最終壞塊表至所述nandflash內的內存塊。

進一步的，還包括：

劃分模塊11，用于為所述內存塊劃分預設個數(shù)頁。

實施例：

本發(fā)明的實施例提供一種檢驗nandflash質量的方法，包括如下步驟：

s1、獲取nandflash的所有物理塊，并建立一張原始壞塊表。

s2、逐一校驗內存塊內每個頁的冗余信息，當校驗不合格的時候，將校驗不合格的內存塊的編號保存到原始壞塊表內。

s3、設置程序在nandflash內，并創(chuàng)建最終壞塊表。

s4、所述程式首先會擦除第一個內存塊(塊0)內的數(shù)據(jù)；然后，獲取nandflash內第一個內存塊。

s5、用隨機數(shù)據(jù)寫滿所述第一個內存塊內的所有頁。寫滿整個塊后，接下來就把所述第一個內存塊內的所有頁的數(shù)據(jù)讀出，與一開始寫入的隨機數(shù)據(jù)進行比對，若比對結果為兩個數(shù)據(jù)不同，則獲取所述第一個內存塊的編號，將該編號保存到最終壞塊表內。以上的操作完成后，跳到下一個塊繼續(xù)以上操作，直到所有塊都測試完成。這時最終壞塊表也建立完成。

s6、判斷所述最終壞塊表記錄的內存塊數(shù)量是否大于預設數(shù)值，若大于，則：確定所述nandflash為不合格；若不大于：

s7、判斷所述最終壞塊表記錄的內存塊的編號是否不等于所述原始壞塊表記錄的內存塊的編號，若不等于：則確定所述nandflash為不合格；若等于：則確定所述nandflash為合格。

綜上所述，本發(fā)明提供的提供一種檢驗nandflash質量的方法及系統(tǒng)。通過兩次質量的檢驗，第一次通過檢驗內存塊每頁的冗余信息來確定塊的質量，，第二次對每個內存塊進行讀取數(shù)據(jù)操作來確定內存塊的質量，比對兩次檢驗的得到的內存塊的情況來確定nandflash的質量，并且將兩次得到的壞塊表保存在nandflash可以讓使用nandflash的設備通過壞塊表避過壞塊，保證了存儲數(shù)據(jù)的質量，同時為內存塊劃分若干的頁，使存儲的管理更加的規(guī)范高效。同時，在進行第二次檢驗之前先對塊進行擦除操作，避免在第二次檢驗時，因為內存塊已有的數(shù)據(jù)而得到錯誤的檢驗結論。

以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等同變換，或直接或間接運用在相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。