本技術(shù)涉及測(cè)試，尤其涉及一種vpx陣列存儲(chǔ)卡轉(zhuǎn)接測(cè)試裝置、方法、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、vpx陣列存儲(chǔ)卡是一種高性能的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案，主要應(yīng)用于對(duì)存儲(chǔ)容量、讀寫(xiě)速度和穩(wěn)定性有較高要求的場(chǎng)景，如工業(yè)電子、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。vpx陣列存儲(chǔ)卡具有高性能、大容量、高穩(wěn)定性和可擴(kuò)展性等特點(diǎn)。

2、由于vpx陣列存儲(chǔ)卡的接口形態(tài)等因素的限制，開(kāi)發(fā)前期通常無(wú)法實(shí)現(xiàn)與常規(guī)形態(tài)系統(tǒng)主機(jī)和配套設(shè)備進(jìn)行對(duì)接測(cè)試，無(wú)法滿足前期快速測(cè)試需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)提供一種vpx陣列存儲(chǔ)卡轉(zhuǎn)接測(cè)試裝置、方法、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，能夠滿足前期快速測(cè)試需求。

2、為達(dá)到上述目的，本技術(shù)采用如下技術(shù)方案：

3、第一方面，本技術(shù)提供了一種vpx陣列存儲(chǔ)卡轉(zhuǎn)接測(cè)試裝置，包括：

4、轉(zhuǎn)接板、存儲(chǔ)系統(tǒng)上位機(jī)、調(diào)試機(jī)、硬盤陣列以及掉電保護(hù)電路；

5、所述轉(zhuǎn)接板包括sata接口、保護(hù)接口、pcie接口、調(diào)試接口和vpx接口；

6、所述存儲(chǔ)系統(tǒng)上位機(jī)通過(guò)所述pcie接口與所述轉(zhuǎn)接板連接，所述調(diào)試機(jī)通過(guò)所述調(diào)試接口與所述轉(zhuǎn)接板連接，所述硬盤陣列通過(guò)所述sata接口與所述轉(zhuǎn)接板連接，所述掉電保護(hù)電路通過(guò)所述保護(hù)接口與所述轉(zhuǎn)接板連接；所述vpx接口用于與待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡連接；

7、所述調(diào)試機(jī)，用于通過(guò)調(diào)試接口對(duì)所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡中的存儲(chǔ)控制器進(jìn)行程序加載，以使所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡運(yùn)行；

8、所述存儲(chǔ)系統(tǒng)上位機(jī)，用于在識(shí)別到所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡后，在所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡上構(gòu)建陣列后生成虛擬陣列存儲(chǔ)空間，向所述虛擬陣列存儲(chǔ)空間的目標(biāo)位置寫(xiě)入第一數(shù)據(jù)，從所述虛擬陣列存儲(chǔ)空間的目標(biāo)位置讀出第二數(shù)據(jù)，通過(guò)比對(duì)所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)，對(duì)所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡進(jìn)行測(cè)試。

9、在一些可能實(shí)現(xiàn)的方式，所述存儲(chǔ)系統(tǒng)上位機(jī)，具體用于如果所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)一致，則生成所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡正常的測(cè)試結(jié)果。

10、在一些可能實(shí)現(xiàn)的方式，所述存儲(chǔ)系統(tǒng)上位機(jī)，還用于如果所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)不一致，則生成所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡異常的測(cè)試結(jié)果。

11、在一些可能實(shí)現(xiàn)的方式，所述sata接口包括sata連接器，所述保護(hù)接口包括保護(hù)電路插針連接器、供電接口和信號(hào)接口，所述pcie接口包括pcie連接器，所述調(diào)試接口包括jtag接口、gpio接口、rs232接口以及調(diào)試插針連接器，所述vpx接口包括vpx連接器。

12、在一些可能實(shí)現(xiàn)的方式，所述轉(zhuǎn)接板還包括供電控制電路；所述掉電保護(hù)電路包括電源管理單元和延遲供電單元；

13、所述電源管理單元，用于給所述延遲供電單元進(jìn)行充電；

14、所述存儲(chǔ)系統(tǒng)上位機(jī)，用于通過(guò)所述pcie連接器給所述供電控制電路供電；

15、所述供電控制電路，用于通過(guò)所述vpx連接器給所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡供電；

16、所述調(diào)試機(jī)，還用于向所述供電控制電路發(fā)送掉電控制信號(hào)；

17、所述供電控制電路，根據(jù)所述掉電控制信號(hào)停止向所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡供電；

18、所述電源管理單元，用于檢測(cè)到所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡掉電后，利用所述延遲供電單元存儲(chǔ)的電能給所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡供電。

19、第二方面，本技術(shù)提供了vpx陣列存儲(chǔ)卡轉(zhuǎn)接測(cè)試方法，包括：

20、所述方法應(yīng)用于待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡轉(zhuǎn)接測(cè)試裝置，所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡轉(zhuǎn)接測(cè)試裝置包括：轉(zhuǎn)接板、存儲(chǔ)系統(tǒng)上位機(jī)、調(diào)試機(jī)、硬盤陣列以及掉電保護(hù)電路；所述轉(zhuǎn)接板包括sata接口、保護(hù)接口、pcie接口、調(diào)試接口和vpx接口；所述存儲(chǔ)系統(tǒng)上位機(jī)通過(guò)所述pcie接口與所述轉(zhuǎn)接板連接，所述調(diào)試機(jī)通過(guò)所述調(diào)試接口與所述轉(zhuǎn)接板連接，所述硬盤陣列通過(guò)所述sata接口與所述轉(zhuǎn)接板連接，所述掉電保護(hù)電路通過(guò)所述保護(hù)接口與所述轉(zhuǎn)接板連接；所述vpx接口用于與待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡連接；所述方法包括：

21、所述調(diào)試機(jī)通過(guò)調(diào)試接口對(duì)所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡中的存儲(chǔ)控制器進(jìn)行程序加載，以使所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡運(yùn)行；

22、所述存儲(chǔ)系統(tǒng)上位機(jī)在識(shí)別到所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡后，在所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡上構(gòu)建陣列后生成虛擬陣列存儲(chǔ)空間，向所述虛擬陣列存儲(chǔ)空間的目標(biāo)位置寫(xiě)入第一數(shù)據(jù)，從所述虛擬陣列存儲(chǔ)空間的目標(biāo)位置讀出第二數(shù)據(jù)，通過(guò)比對(duì)第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)，對(duì)所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡進(jìn)行測(cè)試。

23、在一些可能實(shí)現(xiàn)的方式，所述通過(guò)比對(duì)第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)，對(duì)所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡進(jìn)行測(cè)試，包括：

24、如果所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)一致，則生成所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡正常的測(cè)試結(jié)果。

25、在一些可能實(shí)現(xiàn)的方式，如果所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)不一致，則生成所述待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡異常的測(cè)試結(jié)果。

26、第三方面，本技術(shù)提供了一種計(jì)算設(shè)備，包括存儲(chǔ)器和處理器；

27、其中，在所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序，所述一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序包括指令；當(dāng)所述指令被所述處理器執(zhí)行時(shí)，使得所述計(jì)算設(shè)備執(zhí)行如第一方面中任一項(xiàng)所述的方法。

28、第四方面，本技術(shù)提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序用于執(zhí)行如第一方面中任一項(xiàng)所述的方法。

29、由上述技術(shù)方案可知，本技術(shù)至少具有如下有益效果：

30、在本技術(shù)中，一種vpx陣列存儲(chǔ)卡轉(zhuǎn)接測(cè)試裝置，包括：轉(zhuǎn)接板、存儲(chǔ)系統(tǒng)上位機(jī)、調(diào)試機(jī)、硬盤陣列以及掉電保護(hù)電路，其中，調(diào)試機(jī)通過(guò)調(diào)試接口對(duì)待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡中的存儲(chǔ)控制器進(jìn)行程序加載，以使待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡運(yùn)行，存儲(chǔ)系統(tǒng)上位機(jī)，用于在識(shí)別到待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡后，在待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡上構(gòu)建陣列后生成虛擬陣列存儲(chǔ)空間，向虛擬陣列存儲(chǔ)空間的目標(biāo)位置寫(xiě)入第一數(shù)據(jù)，從虛擬陣列存儲(chǔ)空間的目標(biāo)位置讀出第二數(shù)據(jù)，通過(guò)比對(duì)第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)，對(duì)待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡進(jìn)行測(cè)試。目前，由于待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡的接口形態(tài)等因素的限制，開(kāi)發(fā)前期通常無(wú)法實(shí)現(xiàn)與常規(guī)形態(tài)系統(tǒng)主機(jī)和配套設(shè)備進(jìn)行對(duì)接測(cè)試，無(wú)法滿足前期快速測(cè)試需求。可見(jiàn)，本技術(shù)中，通過(guò)vpx陣列存儲(chǔ)卡轉(zhuǎn)接測(cè)試裝置可以對(duì)待測(cè)vpx陣列存儲(chǔ)卡、常規(guī)形態(tài)系統(tǒng)主機(jī)和配套設(shè)備進(jìn)行對(duì)接測(cè)試，可見(jiàn)，本技術(shù)的方案能夠滿足前期快速測(cè)試需求。

31、應(yīng)當(dāng)理解的是，本技術(shù)中對(duì)技術(shù)特征、技術(shù)方案、有益效果或類似語(yǔ)言的描述并不是暗示在任意的單個(gè)實(shí)施例中可以實(shí)現(xiàn)所有的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。相反，可以理解的是對(duì)于特征或有益效果的描述意味著在至少一個(gè)實(shí)施例中包括特定的技術(shù)特征、技術(shù)方案或有益效果。因此，本說(shuō)明書(shū)中對(duì)于技術(shù)特征、技術(shù)方案或有益效果的描述并不一定是指相同的實(shí)施例。進(jìn)而，還可以任何適當(dāng)?shù)姆绞浇M合本實(shí)施例中所描述的技術(shù)特征、技術(shù)方案和有益效果。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，無(wú)需特定實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)特定的技術(shù)特征、技術(shù)方案或有益效果即可實(shí)現(xiàn)實(shí)施例。在其他實(shí)施例中，還可在沒(méi)有體現(xiàn)所有實(shí)施例的特定實(shí)施例中識(shí)別出額外的技術(shù)特征和有益效果。