技術(shù)特征：

1.一種基于edram的高密度近存計(jì)算與存內(nèi)計(jì)算混合架構(gòu)，其特征在于，所述架構(gòu)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于edram的高密度近存計(jì)算與存內(nèi)計(jì)算混合架構(gòu)，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于edram的高密度近存計(jì)算與存內(nèi)計(jì)算混合架構(gòu)，其特征在于，所述的edram近存與存算混合陣列由若干相同的4t2c基本單元排列而成，所述edram近存與存算混合陣列每次并地讀取若干行特征值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于edram的高密度近存計(jì)算與存內(nèi)計(jì)算混合架構(gòu)，其特征在于，所述4t2c基本單元，具體包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于edram的高密度近存計(jì)算與存內(nèi)計(jì)算混合架構(gòu)，其特征在于，所述4t2c基本單元，包括三種工作模式：數(shù)據(jù)寫入模式、計(jì)算模式和特征值更新模式；其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于edram的高密度近存計(jì)算與存內(nèi)計(jì)算混合架構(gòu)，其特征在于，所述的計(jì)算模式，包括4個(gè)階段：復(fù)位階段、單比特計(jì)算階段、列求和計(jì)算階段和adc量化階段；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于edram的高密度近存計(jì)算與存內(nèi)計(jì)算混合架構(gòu)，其特征在于，所述的計(jì)算模式，具體包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種基于edram的高密度近存計(jì)算與存內(nèi)計(jì)算混合架構(gòu)，其特征在于，所述的4t2c基本單元中，第一電容c1和第二電容c2為深溝槽電容。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種基于edram的高密度近存計(jì)算與存內(nèi)計(jì)算混合架構(gòu)，其特征在于，所述adc電路，采用逐次逼近型adc結(jié)構(gòu)，具體包括：

10.一種基于edram的高密度近存計(jì)算與存內(nèi)計(jì)算混合計(jì)算方法，其特征在于，采用權(quán)利要求1至9中任一所述架構(gòu)進(jìn)行計(jì)算，所述計(jì)算方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種基于eDRAM的高密度近存計(jì)算與存內(nèi)計(jì)算混合架構(gòu)及計(jì)算方法，其中所述架構(gòu)包括：eDRAM近存與存算混合陣列、靈敏放大器、ADC電路、存算結(jié)果寄存器、特征值更新驅(qū)動(dòng)電路、控制器、行譯碼器和列譯碼器；所述計(jì)算方法采用上架構(gòu)進(jìn)行計(jì)算。本發(fā)明通過(guò)結(jié)合近存與存內(nèi)計(jì)算結(jié)構(gòu)，充分配合兩者的特點(diǎn)對(duì)陣列結(jié)構(gòu)與基本單元進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)并互補(bǔ)兩種架構(gòu)單獨(dú)的不足，同時(shí)采用了深溝槽電容替代平面電容，具有低功耗、低延時(shí)、高計(jì)算效率和高密度等優(yōu)點(diǎn)，有效克服傳統(tǒng)近存電路帶寬限制和存內(nèi)計(jì)算電路工藝限制，可應(yīng)用于深度學(xué)習(xí)加速器計(jì)算核，特別適用于對(duì)集成度和功耗性能有較高要求的邊緣端硬件部署。

技術(shù)研發(fā)人員：李欣然,崔國(guó)宇,孫全,門長(zhǎng)有,黃科杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州萬(wàn)高科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19