熔絲電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種熔絲電路，且特別是關(guān)于一種具有多狀態(tài)阻抗值的熔絲電路。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，熔絲電路已廣泛地被用于存儲器裝置中，作為可一次性編程(one timeprogramming ;0ΤΡ)的存儲單元。當(dāng)流過熔絲的電流大于臨界值時，熔絲燒斷(blow)且熔絲的阻抗值增加。因此，熔絲的原始阻抗值及增加后的阻抗值分別表示為兩個邏輯狀態(tài)，例如以低阻抗?fàn)顟B(tài)及高阻抗?fàn)顟B(tài)分別表示邏輯O及邏輯I的狀態(tài)。
[0003]然而，傳統(tǒng)的熔絲電路在編程時，熔絲經(jīng)由燒錄(燒斷)后，便無法再次燒錄，故無法執(zhí)行多次性編程，亦無法獲得多狀態(tài)的阻抗值。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明實施例在于提供一種熔絲電路，使熔絲電路可執(zhí)行多次性編程，并獲得多狀態(tài)的阻抗值。
[0005]本發(fā)明的一實施例是關(guān)于一種熔絲電路。該熔絲電路包含多個熔絲、多個開關(guān)及多個修整元件(trimming components)。所述熔絲以并聯(lián)方式稱接于一第一節(jié)點及一第二節(jié)點，且該第一節(jié)點耦接至一操作電壓。所述開關(guān)耦接至該第二節(jié)點。所述修整元件分別設(shè)置于所述開關(guān)與一接地電壓之間，且分別通過所述開關(guān)與該第二節(jié)點耦接。當(dāng)所述修整元件其中之一啟動時，啟動該修整元件使該第一節(jié)點及該第二節(jié)點之間形成多個分支電流，所述分支電流分別流至所述熔絲，使所述熔絲其中之一因流入的該分支電流燒斷。
[0006]本發(fā)明的另一實施例是關(guān)于一種熔絲電路。該熔絲電路包含多個熔絲、多個開關(guān)、多個修整元件、一控制電路及一開關(guān)控制電路。所述熔絲以并聯(lián)方式耦接于一第一節(jié)點及一第二節(jié)點，且該第一節(jié)點耦接至一操作電壓。所述開關(guān)耦接至該第二節(jié)點。所述修整元件分別設(shè)置于所述開關(guān)與一接地電壓之間，且分別通過所述開關(guān)與該第二節(jié)點耦接。該控制電路用以產(chǎn)生一第一控制信號及一第二控制信號以觸發(fā)所述修整元件。該開關(guān)控制電路用以選擇性地控制所述開關(guān)。當(dāng)所述修整元件其中之一啟動時，啟動該修整元件使該第一節(jié)點及該第二節(jié)點之間形成多個分支電流，所述分支電流分別流至所述熔絲，使所述熔絲其中之一因流入的該分支電流燒斷。
[0007]本發(fā)明的又一實施例是關(guān)于一種熔絲電路。該熔絲電路包含多個熔絲、一低電壓觸發(fā)式硅控整流器及一控制電路。所述熔絲以并聯(lián)方式耦接于一第一節(jié)點及一第二節(jié)點，且該第一節(jié)點耦接至一操作電壓。該低電壓觸發(fā)式硅控整流器耦接至該第二節(jié)點。該控制電路用以產(chǎn)生一第一控制信號及一第二控制信號以觸發(fā)該低電壓觸發(fā)式硅控整流器。當(dāng)該低電壓觸發(fā)式硅控整流器啟動時，該低電壓觸發(fā)式硅控整流器使該第一節(jié)點及該第二節(jié)點之間形成多個分支電流，所述分支電流分別流至所述熔絲，使所述熔絲其中之一因流入的該分支電流燒斷。
[0008]由上述實施例的說明可知，本發(fā)明實施例利用多個熔絲與單一修整元件組成熔絲電路，或者是由多個熔絲及多個修整元件組成熔絲電路，并借由選擇特定的修整元件以及傳送適當(dāng)?shù)拿}沖信號來修整熔絲。此外，本發(fā)明實施例的熔絲具有不同的阻抗值，且修整元件啟動后會使產(chǎn)生的修整電流將具有最小阻抗值的熔絲燒斷，故可通過多次編程以表現(xiàn)出兩種以上的阻抗值。
[0009]為讓本發(fā)明實施例的上述目的、技術(shù)特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文以較佳實施例配合所附圖式進(jìn)行詳細(xì)說明。
【附圖說明】
[0010]圖1A為第一實施例的熔絲電路的示意圖；
[0011]圖1B為第一實施例的熔絲電路的示意圖；
[0012]圖2為第二實施例的熔絲電路的示意圖；
[0013]圖3A為第三實施例的熔絲電路的示意圖；
[0014]圖3B為第三實施例的熔絲電路的阻抗值與脈沖信號的關(guān)系的示意圖；
[0015]圖3C為第四實施例的熔絲電路的示意圖；
[0016]圖4為一實施例中多個熔絲的剖面圖；以及
[0017]圖5為第五實施例的熔絲電路的示意圖。
[0018]符號說明:
[0019]100、200、300、400、500:熔絲電路
[0020]101-1 ?101-P:修整元件
[0021]102:開關(guān)控制信號
[0022]103:開關(guān)控制電路
[0023]201:控制電路
[0024]202,204,206:控制信號
[0025]402:基體
[0026]404、406:絕緣層
[0027]501:低電壓觸發(fā)式硅控整流器
[0028]N1:第一節(jié)點
[0029]N2:第二節(jié)點
[0030]F-1 ?F-N:熔絲
[0031]1-1?1-N:分支電流
[0032]S-1 ?S-P:開關(guān)
[0033]VDD:操作電壓
[0034]GND:接地電壓
【具體實施方式】
[0035]本發(fā)明的內(nèi)容可通過以下實施例來解釋，但本發(fā)明的實施例并非用以限制本發(fā)明必須在如以下實施例中所述的任何特定的環(huán)境、應(yīng)用或方式方能實施。因此，以下實施例的說明僅在于闡釋本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在以下實施例及圖式中，與本發(fā)明非直接相關(guān)的元件已省略而未繪示，且繪示于圖式中的各元件之間的尺寸比例僅為便于理解，而非用以限制為本發(fā)明實際的實施比例。
[0036]關(guān)于本文中所使用的“耦接”，可指兩個或多個元件相互直接作實體或電性接觸，或是相互間接作實體或電性接觸，而“耦接”還可指兩個或多個元件相互操作或動作。
[0037]本發(fā)明的第一實施例為一種熔絲電路100，其示意圖描繪于圖1A。熔絲電路100包含多個熔絲F-1?F-N (N為大于I的整數(shù))、多個開關(guān)S-1?S-P (P為大于I的整數(shù))及多個修整元件101-1?101-P。需說明的是，開關(guān)S-1?S-P的數(shù)目對應(yīng)至修整元件101-1?101-P的數(shù)目。換言之，開關(guān)S-1?S-P與修整元件101-1?101-P具有相同的數(shù)目。
[0038]于本實施例中，熔絲F-1?F-N可為可一次性編程熔絲(one timeprogrammabIefuse),且熔絲F-1?F-N可包含相異的阻抗值,換言之,熔絲F-1?F-N所包含的阻抗值皆為不相同。
[0039]于另一實施例中，熔絲F-1?F-N中至少二者包含相異的阻抗值，例如:熔絲F-1相較熔絲F-2?F-N具有不相同的阻抗值，其中熔絲F-2?F-N具有相同的阻抗值。或者是，熔絲F-1與熔絲F-2具有不相同的阻抗值，其余的熔絲F-3?F-N具有相同的阻抗值，但熔絲F-3的阻抗值與熔絲F-1及熔絲F-2的阻抗值不相同。
[0040]于另一實施例中，熔絲F-1?F-N可各自包含多晶硅、金屬或金屬柱(via)，亦可包含其它可用于制作熔絲F-1?F-N的材料或結(jié)構(gòu)。熔絲的阻抗值可由電阻率P、長度L與截面積A計算而得。阻抗值R的計算公式如下:
[0041]R= P L/A
[0042]當(dāng)截面積A與長度L不改變的情況下，阻抗值只跟電阻率相關(guān)。在此情況下，使用不同材質(zhì)來生成(fabricate)熔絲,其阻抗值也大不相同。在一實施例中，使用不同材質(zhì)來生成熔絲，其阻抗值的差異可為10至1000倍。
[0043]于另一實施例中，各熔絲F-1?F-N的阻抗值的差異可為10至1000倍。舉例而言，熔絲F-1的阻抗值可為0.1歐姆以及熔絲F-2的阻抗值可為10歐姆，且與其余的熔絲F-3?F-N的阻抗值皆不相同。
[0044]于另一實施例中，熔絲F-1?F-N的阻抗值中二者的差異可為10至1000倍。舉例而言，熔絲F-1的阻抗值可為10歐姆以及熔絲F-2?F-N具有相同的阻抗值為100歐姆，或者是，熔絲F-1與熔絲F-2具有不相同的阻抗值分別為I歐姆及100歐姆，其余的熔絲F-3?F-N具有相同的阻抗值為1000歐姆。需說明者，上述的阻抗值皆僅為解釋本實施例，并非用以限制本發(fā)明。
[0045]于本實施例中，熔絲F-1?F-N以并聯(lián)方式稱接于一第一節(jié)點NI及一第二節(jié)點N2，且第一節(jié)點NI耦接至一操作電壓VDD。此外，開關(guān)S-1?S-P耦接至第二節(jié)點N2。修整元件101-1?101-P分別設(shè)置于開關(guān)S-1?S-P與一接地電壓GND之間，且分別通過開關(guān)S-1?S-P與第二節(jié)點N2耦接。
[0046]操作上，當(dāng)修整元件101-1?101-P其中之一啟動時，啟動的修整元件使第一節(jié)點NI及第二節(jié)點N2之間形成多個分支電流1-1?1-N，且分支電流1-1?1-N分別流經(jīng)熔絲F-1?F-N，使熔絲F-1?F-N其中之一因流入的分支電流燒斷。具體而言，當(dāng)分支電流1-1?1-N分別流經(jīng)熔絲F-1?F-N時，熔絲F-1?F-N中具有最小阻抗值者會對應(yīng)至最大的分支電流，因此熔絲F-1?F-N中具有最小阻抗值者會因為所對應(yīng)的最大的分支電流超過其可容忍的臨界值而燒斷。需說明的是，分支電流1-1?1-N的數(shù)目對應(yīng)至熔絲F-1?F-N的數(shù)目。換言之，分支電流1-1?1-N與熔絲F-1?F-N具有相同的數(shù)目。
[0047]于另一實施例中，如圖1B所示，熔絲電路100還可包含一開關(guān)控制電路103。開關(guān)控制電路103用以選擇性地控制開關(guān)S-1?S-P，使修整元件101-1?101-P其中之一與熔絲F-1?F-N導(dǎo)通。具體而言，開關(guān)控制電路103傳送一開關(guān)控制信號102至開關(guān)S-1?S-P，使開關(guān)S-1?S-P其中之一接收開關(guān)控制信號102，并根據(jù)開關(guān)控制信號102使修整元件101-1?101-P其中之一與熔絲F-