Spsram封裝器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及對單端口存儲器件進(jìn)行存取操作的系統(tǒng)和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲器件包括在其內(nèi)存儲信息的大量位單元。在一個(gè)實(shí)例中,雙端口位單元陣列包括由8個(gè)晶體管單獨(dú)構(gòu)成的雙端口位單元。雙端口位單元包括相互獨(dú)立運(yùn)行的兩個(gè)端口，使得第一端口與進(jìn)行讀出/寫入操作的第二端口無關(guān)地，進(jìn)行讀出/寫入操作。由于第一端口和第二端口并行工作，所以會出現(xiàn)操作干擾，其中，第一端口的第一操作(諸如寫入操作)與第二端口的第二操作(諸如讀出操作)會導(dǎo)致沖突，如果存在沖突則該沖突會以其他方式導(dǎo)致數(shù)據(jù)不一致。由于雙端口位單元包括8個(gè)晶體管，所以雙端口位單元會占用相對大的面積，從而導(dǎo)致用于存儲器件的面積損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種用于對單端口存儲器件進(jìn)行存取操作的系統(tǒng)，包括:封裝控制器，被配置為:在第一時(shí)鐘周期期間啟動從封裝器地址組件的第一端口到單端口存儲器件的第一存取操作；響應(yīng)于接收來自所述單端口存儲器件的第一操作完成信號，在所述第一時(shí)鐘周期期間啟動從所述封裝器地址組件的第二端口到所述單端口存儲器件的第二存取操作。
[0004]該系統(tǒng)包括:數(shù)據(jù)封裝器，被配置為在所述第一時(shí)鐘周期期間傳輸與所述第一存取操作相關(guān)聯(lián)的第一數(shù)據(jù)和與所述第二存取操作相關(guān)聯(lián)的第二數(shù)據(jù)。
[0005]在該系統(tǒng)中，所述數(shù)據(jù)封裝器被配置為在不鎖存所述第一數(shù)據(jù)的情況下將所述第一數(shù)據(jù)傳輸至所述單端口存儲器件。
[0006]在該系統(tǒng)中，所述第一存取操作包括第一讀出存取操作和第一寫入存取操作中的至少一種，所述第二存取操作包括第二讀出存取操作和第二寫入存取操作中的至少一種。
[0007]在該系統(tǒng)中，所述封裝控制器包括:多時(shí)鐘發(fā)生器，被配置為:響應(yīng)于識別與所述第一時(shí)鐘周期相關(guān)聯(lián)的系統(tǒng)時(shí)鐘信號的上升沿，產(chǎn)生第一內(nèi)部時(shí)鐘信號以啟動所述第一存取操作。
[0008]在該系統(tǒng)中，所述封裝控制器包括:多時(shí)鐘發(fā)生器，被配置為:響應(yīng)于識別與所述第一時(shí)鐘周期相關(guān)聯(lián)的系統(tǒng)時(shí)鐘的時(shí)鐘復(fù)位信號作為所述第一操作完成信號，產(chǎn)生第二內(nèi)部時(shí)鐘信號以啟動所述第二存取操作。
[0009]在該系統(tǒng)中，所述封裝控制器被配置為在所述第一時(shí)鐘周期期間對所述單端口存儲器件進(jìn)行多次存取操作，所述多次存取操作包括所述第一存取操作、所述第二存取操作以及第三存取操作。
[0010]在該系統(tǒng)中，所述封裝控制器被配置為以串行方式進(jìn)行所述第一存取操作和所述第二存取操作。
[0011]在該系統(tǒng)中，包括:所述封裝器地址組件，包括:所述第一端口，被配置為傳輸?shù)谝欢丝谳斎?；以及所述第二端口，被配置為傳輸?shù)诙丝谳斎搿?br>[0012]在該系統(tǒng)中，所述第一端口被配置為接收第一端口地址、第一芯片使能信號和第一寫入使能信號中的至少一個(gè)，以用于所述第一存取操作。
[0013]在該系統(tǒng)中，所述第二端口被配置為接收第二端口地址、第二芯片使能信號和第二寫入使能信號中的至少一個(gè)，以用于所述第二存取操作。
[0014]在該系統(tǒng)中，所述封裝控制器包括:多時(shí)鐘發(fā)生器，被配置為:在所述第一時(shí)鐘周期期間產(chǎn)生多個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘信號，所述多個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘信號包括第一內(nèi)部時(shí)鐘信號以啟動所述第一存取操作以及第二內(nèi)部時(shí)鐘信號以啟動所述第二存取操作。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一個(gè)用于對單端口存儲器件進(jìn)行存取操作的系統(tǒng)，包括:封裝器地址組件，包括:第一端口，被配置成傳輸?shù)谝欢丝谳斎?；以及第二端口，被配置成傳輸?shù)诙丝谳斎?；封裝控制器，包括:多時(shí)鐘發(fā)生器，被配置為:在系統(tǒng)時(shí)鐘的第一時(shí)鐘周期期間基于系統(tǒng)時(shí)鐘信號的上升沿產(chǎn)生第一內(nèi)部時(shí)鐘信號，所述第一內(nèi)部時(shí)鐘信號在所述第一時(shí)鐘周期期間啟動對單端口存儲器件的所述第一端口輸入的第一存取操作；以及在所述第一時(shí)鐘周期期間基于從所述單端口存儲器件所接收的時(shí)鐘復(fù)位信號產(chǎn)生第二內(nèi)部時(shí)鐘信號，所述第二內(nèi)部時(shí)鐘信號在所述第一時(shí)鐘周期期間啟動對所述單端口存儲器件的所述第二端口輸入的第二存取操作。
[0016]該系統(tǒng)包括:數(shù)據(jù)封裝器，被配置為在所述第一時(shí)鐘周期期間傳輸與所述第一存取操作相關(guān)聯(lián)的第一數(shù)據(jù)和與所述第二存取操作相關(guān)聯(lián)的第二數(shù)據(jù)。
[0017]在該系統(tǒng)中，所述單端口存儲器件包括6晶體管位單元陣列。
[0018]在該系統(tǒng)中，所述封裝控制器被配置為以串行方式進(jìn)行所述第一存取操作和所述第二存取操作。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于對單端口存儲器件進(jìn)行存取操作的方法，包括:響應(yīng)于在系統(tǒng)時(shí)鐘的第一時(shí)鐘周期期間識別系統(tǒng)時(shí)鐘信號的上升沿，產(chǎn)生第一內(nèi)部時(shí)鐘信號以在所述第一時(shí)鐘周期期間啟動對單端口存儲器件的第一存取操作；以及響應(yīng)于在所述第一時(shí)鐘周期期間接收來自所述單端口存儲器件的第一操作完成信號，產(chǎn)生第二內(nèi)部時(shí)鐘信號以在所述第一時(shí)鐘周期期間啟動對所述單端口存儲器件的第二存取操作。
[0020]該方法包括:以串行方式進(jìn)行所述第一存取操作和所述第二存取操作。
[0021]該方法包括:在所述第一時(shí)鐘周期期間傳輸與所述第一存取操作相關(guān)聯(lián)的第一數(shù)據(jù)和與所述第二存取操作相關(guān)聯(lián)的第二數(shù)據(jù)。
[0022]該方法包括:評估封裝器地址組件的第一端口的第一芯片使能信號和第一寫入使能信號中的至少一個(gè)以確定是否啟動所述第一存取操作；以及評估所述封裝器地址組件的第二端口的第二芯片使能信號和第二寫入使能信號中的至少一個(gè)以確定是否啟動所述第二存取操作。
【附圖說明】
[0023]圖1是根據(jù)一些實(shí)施例的示出便于對單端口存儲器件的存取操作的方法的流程圖。
[0024]圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的單端口存儲器件的示圖。
[0025]圖3A是根據(jù)一些實(shí)施例便于對單端口存儲器件的存取操作的系統(tǒng)的示圖。
[0026]圖3B是根據(jù)一些實(shí)施例管理與單端口存儲器件相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出的示圖。
[0027]圖3C是根據(jù)一些實(shí)施例管理與單端口存儲器件相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出的示圖。
[0028]圖3D是根據(jù)一些實(shí)施例管理與單端口存儲器件相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出的示圖。
[0029]圖4是根據(jù)一些實(shí)施例在系統(tǒng)時(shí)鐘的第一時(shí)鐘周期期間所進(jìn)行的第一讀出操作和第二讀出操作的波形的示圖。
[0030]圖5是根據(jù)一些實(shí)施例在系統(tǒng)時(shí)鐘的第一時(shí)鐘周期期間所進(jìn)行的第一寫入操作和第二寫入操作的波形的示圖。
[0031]圖6是根據(jù)一些實(shí)施例在系統(tǒng)時(shí)鐘的第一時(shí)鐘周期期間所進(jìn)行的第一讀出操作和第二寫入操作，以及在系統(tǒng)時(shí)鐘的第二時(shí)鐘周期期間所進(jìn)行的第一寫入操作和第二讀出操作的波形的示圖。
[0032]圖7是根據(jù)一些實(shí)施例在不使用鎖存器的情況下便于一個(gè)或多次存取操作的波形的示圖。
[0033]圖8是根據(jù)一些實(shí)施例使用鎖存器便于一個(gè)或多次存取操作的波形的示圖。
[0034]圖9是根據(jù)一些實(shí)施例在不使用鎖存器的情況下便于一個(gè)或多次存取操作的波形的示圖。
[0035]圖10是根據(jù)一些實(shí)施例使用鎖存器便于一個(gè)或多次存取操作的波形的示圖。
[0036]圖11是根據(jù)一些實(shí)施例在不使用鎖存器的情況下便于一個(gè)或多次存取操作的波形的示圖。
[0037]圖12是根據(jù)一些實(shí)施例使用鎖存器便于一個(gè)或多次存取操作的波形的示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]現(xiàn)在參考附圖描述要求保護(hù)的主題，在通篇描述中，相同的參考標(biāo)號通常用于指相同的元件。在下面的描述中，為了說明的目的，闡述了大量的具體細(xì)節(jié)以提供對要求保護(hù)的主題的理解。然而，顯然，在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下，也可以實(shí)施要求保護(hù)的主題。在其他例子中，為了便于描述要求保護(hù)的主題，以框圖的形式示出了結(jié)構(gòu)和器件。
[0039]提供了便于對單端口存儲器件(諸如SPSRAM的位單元)進(jìn)行存取操作的一種或多種技術(shù)或者系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施例中，單端口存儲器件由一些晶體管構(gòu)成(諸如6晶體管位單元)，這些晶體管的數(shù)量少于構(gòu)成雙端口存儲器件的晶體管(諸如8晶體管位單元)的數(shù)量。采用這種方式，單端口存儲器件比雙端口存儲器件占用相對較小的面積。因此，如果將單端口存儲器件用于存儲器件內(nèi)，則存儲器件具有更大的存儲密度。如本文中所提供的，封裝器被配置為提供對單端口存儲器件的多端口類型存取(諸如雙端口存取)。由于封裝器和單端口存儲器件的面積小于雙端口存儲器件的面積，所以包括單端口存儲器件的存儲器件具有更大的存儲密度并且具有對單端口存儲器件的多端口類型存取的能力。在系統(tǒng)時(shí)鐘的單時(shí)鐘周期內(nèi)以串行方式進(jìn)行多次存取操作，以減輕由多端口存儲器件的并行操作以其他方式產(chǎn)生的操作干擾。
[0040]圖1中示出了便于對單端口存儲器件的存取操作的方法100。存儲器件(諸如SRAM存儲器)包括一個(gè)或多個(gè)單端口存儲器件(SPSRAM)。圖2中示出了單端口存儲器件202的一個(gè)