配而輸出一匹配信號M，倘若結(jié)果為匹配，則該匹 配信號M為高邏輯準(zhǔn)位的輸出，否則輸出低邏輯準(zhǔn)位的匹配信號M。此外，該內(nèi)容可尋址存 儲器400可在該讀取字信號的控制下，亦經(jīng)由該對混用位線HBLP及HBLN而分別讀取該數(shù) 據(jù)存儲單元110儲存的數(shù)據(jù)位與該屏蔽存儲單元120儲存的屏蔽位。該對混用位線HBLP 及HBLN可同時作為讀取位及搜尋位傳輸之用，因此被稱為雙效或混用（Hybrid)。
[0028] 附圖5為本發(fā)明第五實施例的內(nèi)容可尋址存儲器500之方塊示意圖。該內(nèi)容可尋 址存儲器500包含：一數(shù)據(jù)存儲單元110、一屏蔽存儲單元120、及一比較及讀取單元130。 在如附圖5所示的實施例中，該至少一讀取字線是一條讀取字線RWL，該至少一功能位線系 包含一條數(shù)據(jù)用讀取位線RBLD、一條屏蔽用讀取位線RBLC、及一對搜尋位線SBLP及SBLN， 該寫入字線標(biāo)示為WWL，該對數(shù)據(jù)用寫入位線標(biāo)示為WBLDP及WBLDN，且該對屏蔽用寫入位 線標(biāo)示為WBLCP及WBLCN。如此，該比較及讀取單元130連接該讀取字線RWL以接收讀取字 信號，該比較及讀取單元130連接該搜尋位線SBLP及SBLN以接收搜尋位信號，該比較及讀 取單元130并耦接該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120以接收數(shù)據(jù)位NOD及屏蔽 位N0C，該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120連接該寫入字線WffL以接收寫入字信 號。
[0029] 因此，該內(nèi)容可尋址存儲器500可在該寫入字信號的控制下，將該數(shù)據(jù)寫入位信 號經(jīng)由該對數(shù)據(jù)用寫入位線WBLDP及WBLDN而寫入該數(shù)據(jù)存儲單元110,并將該屏蔽寫入位 信號經(jīng)由該對屏蔽用寫入位線WBLDP及WBLDN而寫入該屏蔽存儲單元120。該比較及讀取 單元130會對該搜尋位信號、該數(shù)據(jù)位N0D、及該屏蔽位NOC進行比較，以決定三者之間是否 匹配而輸出一匹配信號M，倘若結(jié)果為匹配，則該匹配信號M為高邏輯準(zhǔn)位的輸出，否則輸 出低邏輯準(zhǔn)位的匹配信號M。此外，該內(nèi)容可尋址存儲器500可在該讀取字信號的控制下， 經(jīng)由該數(shù)據(jù)用讀取位線RBLD與該屏蔽用讀取位線RBLC而分別讀取該數(shù)據(jù)存儲單元110儲 存的數(shù)據(jù)位與該屏蔽存儲單元120儲存的屏蔽位。
[0030] 附圖6為本發(fā)明第六實施例的內(nèi)容可尋址存儲器600之方塊示意圖。該內(nèi)容可尋 址存儲器600包含：一數(shù)據(jù)存儲單元110、一屏蔽存儲單元120、及一比較及讀取單元130。 在如附圖6所示的實施例中，該至少一讀取字線系包含一條數(shù)據(jù)用讀取字線RWLD及一條屏 蔽用讀取字線RWLC，該至少一功能位線系包含一條讀取位線RBL及一對搜尋位線SBLP及 SBLN，該寫入字線標(biāo)示為WWL，該對數(shù)據(jù)用寫入位線標(biāo)示為WBLDP及WBLDN，且該對屏蔽用寫 入位線標(biāo)示為WBLCP及WBLCN。如此，該比較及讀取單元130連接該數(shù)據(jù)用讀取字線RWLD 及該屏蔽用讀取字線RWLC以分別接收數(shù)據(jù)讀取字信號及屏蔽讀取字信號，該比較及讀取 單元130連接該搜尋位線SBLP及SBLN以接收搜尋位信號，該比較及讀取單元130并耦接 該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120以接收數(shù)據(jù)位NOD及屏蔽位N0C，該數(shù)據(jù)存儲單 元110及該屏蔽存儲單元120連接該寫入字線WffL以接收寫入字信號。
[0031] 因此，該內(nèi)容可尋址存儲器600可在該寫入字信號的控制下，將該數(shù)據(jù)寫入位信 號經(jīng)由該對數(shù)據(jù)用寫入位線WBLDP及WBLDN而寫入該數(shù)據(jù)存儲單元110,并將該屏蔽寫入位 信號經(jīng)由該對屏蔽用寫入位線WBLCP及WBLCN而寫入該屏蔽存儲單元120。該比較及讀取 單元130會對該搜尋位信號、該數(shù)據(jù)位N0D、及該屏蔽位NOC進行比較，以決定三者之間是 否匹配而輸出一匹配信號M，倘若結(jié)果為匹配，則該匹配信號M為高邏輯準(zhǔn)位的輸出，否則 輸出低邏輯準(zhǔn)位的匹配信號M。此外，該內(nèi)容可尋址存儲器600可在該讀取字信號的控制 下，經(jīng)由該讀取位線RBL而讀取該數(shù)據(jù)存儲單元110儲存的數(shù)據(jù)位與該屏蔽存儲單元120 儲存的屏蔽位。
[0032] 在本發(fā)明的各實施例中，該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120可分別以一 靜態(tài)隨機存取存儲器（Static random access memory，簡稱SRAM)存儲元件來實現(xiàn)，例如， 六個晶體管所組成的6T-SRAM存儲單元（memory cell),如附圖7所示。其中，SRAM存儲單 元屬于習(xí)知技術(shù)，在此不再贅述。為了在電路上實現(xiàn)本發(fā)明的三重內(nèi)容可尋址存儲器，附圖 7系以第三實施例的內(nèi)容可尋址存儲器300或第六實施例的內(nèi)容可尋址存儲器600為例，以 金氧半晶體管（MOS transistor)設(shè)計的內(nèi)存電路示意圖，并詳細說明如下。
[0033] 如附圖7所示，該比較及讀取單元130包含一第一晶體管堆棧及一第二晶體管堆 棧；其中，該第一晶體管堆棧為二個P型晶體管MPO及MP2與二個N型晶體管MM及MNO依 序串接所形成的堆棧，而該第二晶體管堆棧為二個P型晶體管MPl及MP3與二個N型晶體 管麗5及麗3依序串接所形成的堆棧。在該第一晶體管堆棧中，該晶體管MPO的源極連接 直流電壓源VDD、其柵極連接該數(shù)據(jù)存儲單元110以接收數(shù)據(jù)位N0D、且其漏極連接該晶體 管MP2的源極；該晶體管MP2的柵極連接該搜尋位線SBLP以接收搜尋位信號、且其漏極連 接該晶體管MM的漏極；該晶體管MM的柵極亦連接該搜尋位線SBLP以接收搜尋位信號、 且其源極連接該晶體管MNO的漏極；該晶體管MNO的柵極連接該屏蔽存儲單元120以接收 屏蔽位N0C、且其源極連接一接地端。在該第二晶體管堆棧中，該晶體管MPl的源極連接直 流電壓源VDD、其柵極連接該屏蔽存儲單元120以接收屏蔽位N0C、且其漏極連接該晶體管 MP3的源極；該晶體管MP3的柵極連接該搜尋位線SBLN以接收搜尋位信號、且其漏極連接 該晶體管麗5的漏極；該晶體管麗5的柵極亦連接該搜尋位線SBLN以接收搜尋位信號、且 其源極連接該晶體管MN3的漏極；該晶體管MN3的柵極連接該數(shù)據(jù)存儲單元110以接收數(shù) 據(jù)位N0D、且其源極連接一接地端。此外，該等晶體管MP2及MM的漏極連接點與該等晶體 管MP3及麗5的漏極連接點又連接起來，用以輸出匹配信號M。
[0034] 藉由上述說明，晶體管MP0、MP1、MP2、MP3、MN0、MN3、MN4及MN5的組合形成一比較 電路132,而對搜尋位信號、數(shù)據(jù)位N0D、及屏蔽位NOC進行比較，以決定三者之間是否匹配。 上述比較電路的功能為：對該數(shù)據(jù)存儲單元110及該屏蔽存儲單元120的「儲存內(nèi)容」（也 就是數(shù)據(jù)位NOD及屏蔽位N0C)與來自搜尋位線SBLP及SBLN的「輸入內(nèi)容」（也就是搜尋 位信號）進行比對。上述的「儲存內(nèi)容」包含1、〇、不理會（don' t care)三種信息，由數(shù) 據(jù)位NOD及屏蔽位NOC所組成；而上述比較電路則以異或（Exclusive-OR，簡稱X0R)邏輯 閘來比較「輸入內(nèi)容」和「儲存內(nèi)容」，倘若兩者相同或是「儲存內(nèi)容」為「不理會」，則上述 比較電路輸出高邏輯準(zhǔn)位的匹配信號M或匹配信號M為邏輯「1」，否則輸出低邏輯準(zhǔn)位