磁盤裝置及下觸判定方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]該發(fā)明的實施方式涉及磁盤裝置及下觸(touch down)判定方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在具有磁盤的硬盤驅(qū)動器(HDD)中，磁頭一邊與磁盤空出間隙，即一邊從磁盤上浮，一邊進行相對于磁盤的記錄再現(xiàn)?？墒?，起因于HDD的使用環(huán)境的溫度、濕度或高度、或者磁盤上的部分的突起等，未能良好地進行上浮控制，存在發(fā)生磁頭觸及磁盤的稱為下觸的現(xiàn)象(以下，稱為TD)的情況。
[0003]在發(fā)生該TD的情況下，由于伴隨于TD的磁頭的高度上浮、磁頭的定位精度的降低等，發(fā)生記錄錯誤和/或再現(xiàn)錯誤。因此，要求高精度地進行磁頭相對于磁盤的上浮設(shè)計，使得在用戶的HDD使用環(huán)境中不會發(fā)生TD。
[0004]現(xiàn)有，關(guān)于采用HDI (Head-Disk Interface)傳感器的AC輸出的TD檢測方法已經(jīng)公開。HDI傳感器在磁頭具備有電阻元件，通過HDI傳感器的電阻值的變化能夠?qū)D進行檢測。另一方面作為未采用HDI傳感器的TD檢測方法，存在利用伺服位置誤差信息的方法。不管是哪種方法，都要求高精度地進行TD檢測。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明提供可以進行正確的下觸檢測的磁盤裝置及下觸判定方法。
[0006]實施方式的磁盤裝置具有滑動器、加熱器、控制部、傳感器和判定部。所述滑動器具備相對于所述磁盤進行記錄或再現(xiàn)的磁頭元件。所述加熱器設(shè)置于所述滑動器，通過被供給電力對所述滑動器進行加熱，并通過伴隨于該加熱的所述滑動器的熱變形，使所述磁頭元件相對于所述磁盤的突出量可變。所述控制部進行使與供給于所述加熱器的電力相關(guān)的控制量按一定周期變動的DHl (Dynamic Flying Height，動態(tài)飛行高度)控制。所述傳感器設(shè)置于所述滑動器，輸出對應(yīng)于相應(yīng)于所述DHl控制的所述磁頭元件的突出量的信號。所述判定部基于作為相應(yīng)于所述DHl控制的所述傳感器的直流輸出分量的DC輸出信號的峰值，對所述磁盤和所述滑動器的一部分相接觸的下觸進行判定。
【附圖說明】
[0007]圖1是表示一個實施方式涉及的磁盤裝置的構(gòu)成的框圖。
[0008]圖2A是表示從磁盤的記錄面?zhèn)瓤吹降拇蓬^的構(gòu)成的圖。
[0009]圖2B是表示從磁盤的周緣部側(cè)看到的磁頭的構(gòu)成的圖。
[0010]圖3是不意地表不HDI傳感器和檢測電路的電路圖。
[0011]圖4是用于對通過Dra發(fā)生的磁頭上浮量控制的概念進行說明的圖。
[0012]圖5是用于對下觸的狀態(tài)進行說明的圖。
[0013]圖6是用于關(guān)于進行下觸檢測、對磁頭上浮量進行調(diào)整的方法進行說明的圖。
[0014]圖7是Dra的控制量和實際的Dra突出量的關(guān)系的概念圖。
[0015]圖8是表示對加熱電力進行了脈沖控制的情況下的Dra的控制量和實際的Dra突出量的關(guān)系的概念圖。
[0016]圖9是表示通過HDI傳感器的DC輸出監(jiān)控對加熱電力進行了脈沖控制的情況下的實際的Dra突出量的例的圖。
[0017]圖10是關(guān)于TD附近的Dra控制量表示與圖9同樣的監(jiān)控值的圖。
[0018]圖11是關(guān)于各DFH的值表不相對于各DFH控制量的HDI傳感器輸出振幅的峰值平均值和谷值平均值的圖。
[0019]圖12是關(guān)于在圖10進行了說明的TD判定方法表示實際的測定例的圖。
[0020]圖13表示對DHl的突出量進行脈沖控制、通過HDI傳感器進行下觸檢測的流程。
【具體實施方式】
[0021]在以下，對磁盤裝置及TD判定方法的實施方式基于附圖詳細地進行說明。
[0022]圖1是表示本實施方式涉及的磁盤裝置I的構(gòu)成的框圖。本實施方式的磁盤裝置I作為簡要構(gòu)成，在殼體(未圖示)的內(nèi)部，具備磁盤11、使磁盤11旋轉(zhuǎn)的錠子電動機(SPM)12、磁頭22、致動臂15、音圈電動機(VCM) 16和燈23等。
[0023]磁盤11通過SPM12旋轉(zhuǎn)。致動臂15轉(zhuǎn)動自如地安裝于樞軸17。在該致動臂15的一端安裝磁頭22。在致動臂15的另一端連接VCM16。該VCM16使致動臂15繞樞軸17旋轉(zhuǎn)，使磁頭22在上浮的狀態(tài)下定位于磁盤11的任意的半徑位置上。
[0024]并且，本實施方式涉及的磁盤裝置I作為電硬件構(gòu)成，如示于圖1地，具備電動機驅(qū)動器 21、磁頭放大器 24、RDC (Read Write Channel，讀寫通道)25、HDC (Hard DiskController,硬盤控制器)31、CPU (Central Processing Unit,中央處理單兀)26、作為工作用存儲器的SRAM (Random Access Memory，隨機存取存儲器)27、作為非易失性存儲器的Flash ROM (Read Only Memory，只讀存儲器)28和暫時存儲用的緩沖RAM29。
[0025]電動機驅(qū)動器21通過來自CPU26的指令，對SPM12進行驅(qū)動，使磁盤11以旋轉(zhuǎn)軸為中心以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。并且，電動機驅(qū)動器21通過來自CPU26的指令，對VCM16進行驅(qū)動，使致動臂15的前端的磁頭22移動于磁盤11的半徑方向。
[0026]磁頭22對于磁盤11寫入數(shù)據(jù)，并且，讀入記錄于磁盤11的數(shù)據(jù)。
[0027]圖2A及圖2B是磁頭22的簡要構(gòu)成圖。圖2A表示從磁盤11的記錄面?zhèn)瓤吹降拇蓬^22的構(gòu)成，圖2B表示從磁盤11的周緣部側(cè)看到的磁頭22的構(gòu)成。
[0028]本實施方式的磁頭22如示于圖2A、2B地構(gòu)成為:在磁頭滑動器205，設(shè)置有記錄頭201、再現(xiàn)頭202、作為加熱部的加熱器204和作為檢測部的HDI傳感器203。
[0029]記錄頭201通過從其磁極發(fā)生的磁場，在磁盤11的數(shù)據(jù)區(qū)域進行數(shù)據(jù)的寫入。再現(xiàn)頭202通過讀取磁盤11上的磁場的變化，進行記錄于磁盤11的數(shù)據(jù)的讀出。還有，在磁盤11的旋轉(zhuǎn)停止時等，磁頭22退避于燈23 (參照圖1)上。
[0030]HDI傳感器203具備電阻元件(在圖2A、2B中未圖示)，通過該電阻元件對記錄頭201或再現(xiàn)頭202與磁盤11的接觸進行檢測。還有，關(guān)于通過HDI傳感器203進行的檢測的詳情后述。
[0031]加熱器204接受來自電力供給部33的電力供給而對磁頭22的磁頭滑動器205進行加熱。通過該加熱，磁頭22因為磁頭滑動器205熱變形，所以磁頭22的離開磁盤11的上浮量變化。
[0032]返回到圖1，電力供給部33通過來自CPU26的指令，對于加熱器204進行電力供給。關(guān)于通過加熱器204的加熱進行的磁頭22的上浮量的控制的詳情后述。
[0033]磁頭放大器24對再現(xiàn)頭202從磁盤11讀取的再現(xiàn)波形的信號進行放大而輸出于RDC25。并且，磁頭放大器24對從RDC25供給的寫入信號進行放大，輸出于記錄頭201。
[0034]磁頭放大器24除了具有如此的放大功能之外，而且如示于圖1地，具備作為檢測部的檢測電路101。檢測電路101為通過對HDI傳感器203的電阻元件的電阻值的變化進行檢測，對磁頭的突出量進行檢測的電路。并且，在磁頭放大器24，內(nèi)置使HDI傳感器203的電阻元件401 (參照圖3)通電的恒流源(未圖示)。
[0035]圖3是示