增強nand型flash可靠性的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及閃存(Flash Memory)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種增強NAND型FLASH可靠性的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]可靠性是產(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi)完成規(guī)定功能的能力。對于閃存(FlashMemory)，簡稱FLASH，一般而言，數(shù)據(jù)保持能力、耐久力、抗干擾能力等是評價閃存可靠性的重要參數(shù)，其中，數(shù)據(jù)保持力指的是閃存存儲的數(shù)據(jù)經(jīng)過一段時間之后沒有失真或丟失，仍可以有效讀出的能力。
[0003]NAND型FLASH是閃存的一種。對于NAND型FLASH在實際使用的過程中，因各種串擾和隨機效應(yīng)的影響，例如工藝波動，浮柵的交叉耦合效應(yīng)，電荷轉(zhuǎn)移的隨機性等原因，使得NAND型FLASH存儲單元(cell)的閾值電壓產(chǎn)生隨機的改變。因NAND型FLASH在讀取、擦除或編程時都是以閾值電壓為基礎(chǔ)的，因此當閾值電壓產(chǎn)生改變后，進而會使得擦除與編程的性能越來越差，同時數(shù)據(jù)的保持特性也受到很大影響，進而極大的降低了 NAND型FLASH的可靠性。并且，隨著NAND型FLASH工藝尺寸的進一步縮小，尤其是2xnm及Ixnm及以下的MLC (2-bit信息/每存儲單元)和TLC (3-bit信息/每存儲單元)，影響也越來越明顯。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提出一種增強NAND型FLASH可靠性的方法，以增強NAND型FLASH的可靠性。
[0005]本發(fā)明實施例提供了一種增強NAND型FLASH可靠性的方法，包括:
[0006]預(yù)先獲取NAND型FLASH存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各存儲單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)；
[0007]預(yù)先根據(jù)所述存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各存儲單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲陣列中；
[0008]在使用過程中，進行讀取、擦除或編程時，根據(jù)預(yù)先保存的所述衰退模型調(diào)整相應(yīng)的讀取、擦除或編程方式；
[0009]根據(jù)調(diào)整后的讀取、擦除或編程方式對所述NAND型FLASH進行讀取、擦除或編程。
[0010]進一步的，所述的增強NAND型FLASH可靠性的方法，所述預(yù)先根據(jù)所述存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各存儲單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，建立衰退豐旲型，并保持裳退1吳型至存儲陣列中；包括:
[0011]預(yù)先根據(jù)存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各存儲單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，獲取所述存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各頁的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)；
[0012]根據(jù)所述存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各頁的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲陣列中。
[0013]進一步的，所述的增強NAND型FLASH可靠性的方法，所述獲取所述存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各頁的閾值電壓，包括:
[0014]獲取每次讀取、擦除或編程時各頁中各存儲單元的閾值電壓；
[0015]根據(jù)各頁中各存儲單元的閾值電壓，獲取每次讀取、擦除或編程時各頁中各存儲單元的平均閾值電壓；
[0016]將所述各頁中各存儲單元的平均閾值電壓作為各頁的閾值電壓。
[0017]進一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根據(jù)所述存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各頁的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲陣列中；包括:
[0018]根據(jù)存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各頁的閾值電壓，獲取每次讀取、擦除或編程時的所述各頁的閾值電壓與理想狀態(tài)下相應(yīng)頁的閾值電壓的差值；
[0019]建立每次讀取、擦除或編程時的所述各頁的閾值電壓與理想狀態(tài)下相應(yīng)頁的閾值電壓的差值和每次讀取、擦除或編程次數(shù)的第一映射關(guān)系；
[0020]將所述第一映射關(guān)系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲陣列中。
[0021]進一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根據(jù)所述存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各頁的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲陣列中；包括:
[0022]建立每次讀取、擦除或編程時各頁的閾值電壓與每次讀取、擦除或編程次數(shù)的第_■映射關(guān)系；
[0023]將所述第二映射關(guān)系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲陣列中。
[0024]進一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根據(jù)所述存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各存儲單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲陣列中，包括:
[0025]將存儲陣列的讀取、擦除或編程次數(shù)劃分成至少一個范圍；
[0026]獲取各范圍內(nèi)次數(shù)的平均閾值電壓；
[0027]將所述各范圍內(nèi)次數(shù)的平均閾值電壓作為各范圍中各次數(shù)所對應(yīng)的閾值電壓；
[0028]根據(jù)各范圍中的次數(shù)及所述各范圍中次數(shù)所對應(yīng)的閾值電壓，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲陣列中。
[0029]進一步的，所述一種增強NAND型FLASH可靠性的方法，所述在使用過程中，進行讀取、擦除或編程時，根據(jù)預(yù)先保存的衰退模型調(diào)整相應(yīng)的讀取、擦除或編程方式；包括:
[0030]在使用過程中，進行讀取、擦除或編程時，根據(jù)預(yù)先保存的衰退模型調(diào)整存儲陣列所施加的參考電壓。
[0031 ] 進一步的，所述一種增強NAND型FLASH可靠性的方法，所述在使用過程中，進行讀取、擦除或編程時，根據(jù)預(yù)先保存的衰退模型調(diào)整相應(yīng)的讀取、擦除或編程方式；包括:
[0032]在使用過程中，進行讀取、擦除或編程時，根據(jù)預(yù)先保存的衰退模型調(diào)整數(shù)據(jù)的采樣時間。
[0033]進一步的，所述的增強NAND型FLASH可靠性的方法，所述預(yù)先獲取NAND型FLASH存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各存儲單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)；包括:
[0034]預(yù)先在第一次讀取、擦除或編程時起，獲取NAND型FLASH存儲陣列每次讀取、擦除或編程時各存儲單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)。
[0035]本發(fā)明實施例提供的增強NAND型FLASH可靠性的方法，根據(jù)NAND型FLASH每次讀取、擦除或編程時各存儲單元的閾值電壓建立相應(yīng)的衰退模型，在讀取、擦除或編程時根據(jù)衰退模型調(diào)整讀取、擦除或編程的方式。以此，本發(fā)明技術(shù)方案根據(jù)衰退模型調(diào)整讀取方式、編程方式或擦除方式，以補償因干擾因素，例如工藝波動、浮置柵極的交叉耦合效應(yīng)等因素對NAND型FLASH可靠性的影響；進而在使用過程中因利用衰退模型對NAND型FLASH的補償效應(yīng)增強NAND型FLASH在使用過程中的可靠性，保證了 NAND型FLASH數(shù)據(jù)保持的完整性、耐久力及抗干擾性。
【附圖說明】
[0036]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限定。在附圖中:
[0037]圖1示出的是隨擦除和編程次數(shù)的增加擦除存儲單元閾值電壓、編程存儲單元閾值電壓變化及參考電壓示意圖；
[0038]圖2示出的是本發(fā)明實施例一中增強NAND型FLASH可靠性的方法流程示意圖；
[0039]圖3示出的是根據(jù)衰退模型調(diào)整后隨擦除和編程次數(shù)的增加擦除存儲單元的閾值電壓、編程存儲單元的閾值電壓變化及參考電壓示意圖；
[0040]圖4示出的是本發(fā)明實施例二中增強NAND型FLASH可靠性的方法流程示意圖；
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