存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明關(guān)于一種存儲(chǔ)器裝置，特別關(guān)于具有列解碼器(Column Decoder)的存儲(chǔ)器裝置，其中該列解碼器可用于降低鄰近存儲(chǔ)單元之間的電容耦合效應(yīng)(CapacitiveCoupling Effect)。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1是顯示傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器裝置100的示意圖。如圖1所示，存儲(chǔ)器裝置100至少包括一存儲(chǔ)單兀陣列(Memory Cell Array) 110和一列解碼器(Column Decoder) 120。為簡(jiǎn)化圖式，存儲(chǔ)器裝置100的其余元件省略而未顯示于圖1中。存儲(chǔ)單元陣列110包括多個(gè)存儲(chǔ)單兀(Memory Cell)。多條字線(Word Line) WL和多條本地位線(Local Bit Line) BL可用于選擇這些存儲(chǔ)單元。另外，列解碼器120可用于選擇性地耦接這些本地位線BL之一者至一整體位線(Global Bit Line) GBL0
[0003]圖2是顯示傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器裝置100的電容耦合效應(yīng)(Capacitive CouplingEffect)的示意圖。如圖2所示，存儲(chǔ)單元陣列110可用多個(gè)存儲(chǔ)晶體管Ml-1至M3-3實(shí)施的(其亦可被稱為“存儲(chǔ)單元”)。隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，存儲(chǔ)器裝置100的尺寸變得更加微縮，這將使得其內(nèi)的這些存儲(chǔ)晶體管Ml-1至M3-3彼此更加靠近，而因鄰近單元之間的寄生電容的影響，更導(dǎo)致嚴(yán)重的相互耦合效應(yīng)。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)其中一字線WL2和一本地位線BL2被選擇時(shí)，存儲(chǔ)晶體管Μ1-2、Μ2-2、Μ3-2會(huì)同時(shí)被使能，而一電流12會(huì)流經(jīng)所選擇的本地位線BL2、存儲(chǔ)晶體管M2-2，以及一源極線(Source Line) VL0在理想狀態(tài)下，相鄰近的兩條本地位線BLl、BL3應(yīng)該要維持浮接狀態(tài)(Float)且無(wú)任何電流流過(guò)。然而，在實(shí)際情況下，因?yàn)槭艿酱鎯?chǔ)晶體管Μ1-2、Μ2-2、Μ3-2之間的電容耦合效應(yīng)所影響，仍會(huì)有無(wú)預(yù)期的耦合電流I1、13分別產(chǎn)生并流經(jīng)存儲(chǔ)晶體管Ml-2、M3-2以及未被選擇的本地位線BL1、BL3。此種相互耦合效應(yīng)可能會(huì)導(dǎo)致一些操作錯(cuò)誤，更降低存儲(chǔ)器裝置100的可靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提供一種存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器控制方法，以解決相鄰單元之間的寄生電容的影響而導(dǎo)致晶體管之間嚴(yán)重的相互耦合現(xiàn)象。
[0005]本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的方案是:提供一種存儲(chǔ)器裝置，該存儲(chǔ)器裝置包括:一存儲(chǔ)單元陣列，其包括多條偶本地位線和多條奇本地位線；以及一列解碼器，其包括:多個(gè)偶通道晶體管，其中每一這些偶通道晶體管的一控制端分別耦接至多條偶選擇線的單獨(dú)一條，每一這些偶通道晶體管的一第一端分別耦接至這些偶本地位線的單獨(dú)一條，而每一這些偶通道晶體管的一第二端皆耦接至一整體位線；多個(gè)偶夾鉗晶體管，其中每一這些偶夾鉗晶體管的一控制端皆耦接至一偶夾鉗線，每一這些偶夾鉗晶體管的一第一端分別耦接至這些偶本地位線的單獨(dú)一條，而每一這些偶夾鉗晶體管的一第二端皆耦接至一接地電位；多個(gè)奇通道晶體管，其中每一這些奇通道晶體管的一控制端分別耦接至多個(gè)奇選擇線的單獨(dú)一條，每一這些奇通道晶體管的一第一端分別耦接至這些奇本地位線的單獨(dú)一條，而每一這些奇通道晶體管的一第二端皆耦接至該整體位線；以及多個(gè)奇夾鉗晶體管，其中每一這些奇夾鉗晶體管的一控制端皆耦接至一奇夾鉗線，每一這些奇夾鉗晶體管的一第一端分別耦接至這些奇本地位線的單獨(dú)一條，而每一這些奇夾鉗晶體管的一第二端皆耦接至該接地電位。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)這些偶通道晶體管的一者被選擇并使能時(shí)，所有這些偶夾鉗晶體管皆被禁能，而所有這些奇夾鉗晶體管皆被使能，以將所有這些奇本地位線下拉至該接地電位。在一些實(shí)施例中，當(dāng)這些偶通道晶體管的一者被選擇并使能時(shí)，其余未被選擇的偶通道晶體管和所有這些奇通道晶體管皆被禁能。在一些實(shí)施例中，當(dāng)這些奇通道晶體管的一者被選擇并使能時(shí)，所有這些奇夾鉗晶體管皆被禁能，而所有這些偶夾鉗晶體管皆被使能，以將所有這些偶本地位線下拉至該接地電位。在一些實(shí)施例中，當(dāng)這些奇通道晶體管的一者被選擇并使能時(shí)，其余未被選擇的奇通道晶體管和所有這些偶通道晶體管皆被禁能。在一些實(shí)施例中，這些偶本地位線分別與這些奇本地位線互相交錯(cuò)排列。在一些實(shí)施例中，該存儲(chǔ)器裝置為一 NOR快閃存儲(chǔ)器。在一些實(shí)施例中，該存儲(chǔ)單元陣列為一電子抹除式可復(fù)寫(xiě)只讀存儲(chǔ)器。在一些實(shí)施例中，這些偶夾鉗晶體管和這些奇夾鉗晶體管皆屬于N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管。在一些實(shí)施例中，這些偶通道晶體管和這些奇通道晶體管皆屬于N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管。
[0007]本發(fā)明還提供一種存儲(chǔ)器控制方法，該方法包括下列步驟:提供一存儲(chǔ)單元陣列，其中該存儲(chǔ)單元陣列包括多條偶本地位線和多條奇本地位線；提供一列解碼器，其中該列解碼器包括多個(gè)偶通道晶體管、多個(gè)偶夾鉗晶體管、多個(gè)奇通道晶體管，以及多個(gè)奇夾鉗晶體管，其中這些偶通道晶體管選擇性地耦接這些偶本地位線至一整體位線，這些偶夾鉗晶體管選擇性地耦接這些偶本地位線至一接地電位，這些奇通道晶體管選擇性地耦接這些奇本地位線至該整體位線，而這些奇夾鉗晶體管選擇性地耦接這些奇本地位線至該接地電位；選擇并使能這些偶通道晶體管的一者或是這些奇通道晶體管的一者；當(dāng)這些偶通道晶體管的一者被選擇并使能時(shí)，禁能所有這些偶夾鉗晶體管，并使能所有這些奇夾鉗晶體管，以將所有這些奇本地位線下拉至該接地電位；以及當(dāng)這些奇通道晶體管的一者被選擇并使能時(shí)，禁能所有這些奇夾鉗晶體管，并使能所有這些偶夾鉗晶體管，以將所有這些偶本地位線下拉至該接地電位。
[0008]綜上所述，本發(fā)明提供的存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器控制方法，可以有效地消除鄰近存儲(chǔ)單元之間的電容耦合效應(yīng)。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1顯示傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器裝置的示意圖；
[0010]圖2顯示傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器裝置的電容耦合效應(yīng)的示意圖；
[0011]圖3顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器裝置的示意圖；
[0012]圖4顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器裝置于任一偶本地位線被選擇時(shí)的操作示意圖；
[0013]圖5顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器裝置于任一奇本地位線被選擇時(shí)的操作示意圖；
[0014]圖6顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器裝置的操作優(yōu)點(diǎn)的示意圖；以及
[0015]圖7顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器控制方法的流程圖。
[0016]主要元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0017]100、300?存儲(chǔ)器裝置；
[0018]110、310?存儲(chǔ)單元陣列；
[0019]120、320?列解碼器；
[0020]BL?本地位線；
[0021]BL0, BL2、BL4、BL6 ?偶本地位線；
[0022]BL1、BL3、BL5、BL7 ?奇本地位線；
[0023]CLMP<0>?偶夾鉗線；
[0024]CLMP<1>?奇夾鉗線；
[0025]GBL?整體位線；
[0026]GND?接地電位；
[0027]I1、12、13、14、15、16 ?電流;
[0028]MO、M2、M4、M6?偶通道晶體管；
[0029]M1、M3、M5、M7?奇通道晶體管；
[0030]Μ1-1、Μ1-2、Μ1-3、Μ2-1、Μ2-2、Μ2-3、Μ3-1、Μ3-2、Μ3-3 ?存儲(chǔ)晶體管；
[0031]S710、S720、S730、S740、S750 ?步驟；
[0032]TO、T2、T4、T6?偶夾鉗晶體管；
[0033]Tl、T3、T5、T7?奇夾鉗晶體管；
[0034]VL?源極線；
[0035]WL、WL1、WL2、WL3 ?字線；
[0036]YSA〈0>、YSA〈2>、YSA〈4>、YSA<6> ?偶選擇線；
[0037]YSA〈1>、YSA〈3>、YSA〈5>、YSA〈7> ?奇選擇線。
【具體實(shí)施方式】
[0038]為讓本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出本發(fā)明的具體實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
[0039]圖3顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器裝置300的示意圖。存儲(chǔ)器裝置300可以是一快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)，例如:一 NOR快閃存儲(chǔ)器。如圖3所示，存儲(chǔ)器裝置300至少包括一存儲(chǔ)單元陣列(Memory Cell Array)310和一列解碼器(ColumnDecoder) 320 0必須理解的是，存儲(chǔ)器裝置300還可包括其他元件，例如:一驅(qū)動(dòng)器(Driver)、一行解碼器(Row Decoder),