r>[0031]塊400中的鄰近垂直串402到428耦合到不同數(shù)據(jù)線442、444、446、448、462、464、466、468、482、484、486及488。例如，垂直串402及404鄰近且耦合到不同數(shù)據(jù)線442及444。垂直串408及418處于不同行440及460中，鄰近且耦合到不同數(shù)據(jù)線448及468。垂直串424及426鄰近且耦合到不同數(shù)據(jù)線484及486。
[0032]數(shù)據(jù)線442、462及482位于垂直串402到428上方的第一層中。數(shù)據(jù)線444、464及484位于數(shù)據(jù)線442、462及482上方的第二層中。數(shù)據(jù)線446、466及486位于數(shù)據(jù)線444,464及484上方的第三層中。數(shù)據(jù)線448、468及488位于數(shù)據(jù)線446、466及486上方的第四層中。根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例，數(shù)據(jù)線442、444、446、448、462、464、466、468、482、484,486及488可處于垂直串402到428之下。
[0033]圖5為根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的呈電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串的行500的形式的設(shè)備的示意電路圖。行500包含電荷存儲(chǔ)裝置的多個(gè)垂直串，且為包含電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串的多個(gè)行的塊的一部分(未展不)。所述行包含垂直串502 (其包含串聯(lián)親合的32個(gè)電荷存儲(chǔ)裝置510)，且可包含多于或少于32個(gè)電荷存儲(chǔ)裝置510。為簡(jiǎn)潔及清晰起見(jiàn)，在垂直串502中間的電荷存儲(chǔ)裝置510未被展示，而是由虛線來(lái)表示。垂直串502包含在電荷存儲(chǔ)裝置510中的在垂直串502的一端的一者與共用源極520之間耦合的可為η溝道晶體管的SGS晶體管512。共用源極520可包括(例如)通常摻雜的半導(dǎo)體材料及/或其它導(dǎo)電材料的狹槽。在垂直串502的另一端，S⑶晶體管530 (其可為η溝道晶體管)在電荷存儲(chǔ)裝置510中的一者與第一數(shù)據(jù)線540之間耦合。共用源極520可耦合到參考電壓Vss (例如接地電壓)或電壓源(例如電荷泵電路，未展示)。因此，垂直串502可具有與圖1中所示的垂直串100的元件相似或相同的元件。
[0034]行500包含電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串542，垂直串542包含與垂直串502相同的元件。垂直串542的S⑶晶體管530耦合到與第一數(shù)據(jù)線540分離且可在半導(dǎo)體構(gòu)造中位于第一數(shù)據(jù)線540上方的第二數(shù)據(jù)線544。垂直串542的SGS晶體管512耦合到共用源極520。行500包含電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串546，垂直串546包含與垂直串502相同的元件。垂直串546的SGD晶體管530耦合到與第一數(shù)據(jù)線540及第二數(shù)據(jù)線544分離的第三數(shù)據(jù)線548。第三數(shù)據(jù)線548可在半導(dǎo)體構(gòu)造中位于第二數(shù)據(jù)線544上方。垂直串546的SGS晶體管512耦合到共用源極520。行500包含電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串550，垂直串550包含與垂直串502相同的元件。垂直串550的S⑶晶體管530耦合到與其它數(shù)據(jù)線540、544及548分離的第四數(shù)據(jù)線552。第四數(shù)據(jù)線552可在半導(dǎo)體構(gòu)造中位于第三數(shù)據(jù)線548上方。垂直串550的SGS晶體管512耦合到共用源極520。行500包含各自分別耦合到一單獨(dú)數(shù)據(jù)線540,544,548及552的四個(gè)垂直串502,542,546及550。
[0035]行500包含耦合到數(shù)據(jù)線540、544、548及552中的每一者的電荷存儲(chǔ)裝置的額外垂直串。電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串560耦合到數(shù)據(jù)線540，電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串562耦合到數(shù)據(jù)線544，電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串564耦合到數(shù)據(jù)線548，且電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串566耦合到數(shù)據(jù)線552。垂直串560、562、564及566中的每一者包含與垂直串502相同的元件。
[0036]電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串570耦合到數(shù)據(jù)線540，電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串572耦合到數(shù)據(jù)線544，電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串574耦合到數(shù)據(jù)線548，且電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串576耦合到數(shù)據(jù)線552。垂直串570、572、574及576中的每一者包含與垂直串502相同的元件。
[0037]電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串580耦合到數(shù)據(jù)線540，電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串582耦合到數(shù)據(jù)線544，電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串584耦合到數(shù)據(jù)線548，且電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串586耦合到數(shù)據(jù)線552。垂直串580、582、584及586中的每一者包含與垂直串502相同的元件。
[0038]行500中的全部垂直串502及542到586耦合到共用源極520。在垂直串502及542到586中的每一者中在相同位置的電荷存儲(chǔ)裝置510的控制柵極耦合到相同存取線(未展示)以接收相同信號(hào)。全部垂直串502及542到586的SGS晶體管512的控制柵極耦合到相同選擇線(未展示)以接收相同信號(hào)。垂直串502及542到586的SGD晶體管530的控制柵極接收單獨(dú)信號(hào)。
[0039]圖6為根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的呈電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串的行600的半導(dǎo)體構(gòu)造的形式的設(shè)備的視圖。行600包含電荷存儲(chǔ)裝置的八個(gè)垂直串602、604、606、608、610、612、614及616。根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例，垂直串602、604、606、608、610、612、614及616可各與圖2中所示的垂直串100相似或相同。全部垂直串602到616的源極蓋220耦合到共用源極620。垂直串602的漏極蓋230耦合到數(shù)據(jù)線630，垂直串604的漏極蓋230耦合到數(shù)據(jù)線640，垂直串606的漏極蓋230耦合到數(shù)據(jù)線650，且垂直串608的漏極蓋230耦合到數(shù)據(jù)線660。垂直串610的漏極蓋230耦合到數(shù)據(jù)線630，垂直串612的漏極蓋230耦合到數(shù)據(jù)線640，垂直串614的漏極蓋230耦合到數(shù)據(jù)線650，且垂直串616的漏極蓋230耦合到數(shù)據(jù)線660。數(shù)據(jù)線630、640、650及660可形成于行600的半導(dǎo)體構(gòu)造的單獨(dú)層中。
[0040]圖7為根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的呈圖6中所示的電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串的行600的半導(dǎo)體構(gòu)造的一部分的形式的設(shè)備的視圖。圖7包含經(jīng)展示作為支柱的垂直串602、604、606、608及610。數(shù)據(jù)線640形成于具有數(shù)據(jù)線630的層上方的層中。數(shù)據(jù)線650形成于具有數(shù)據(jù)線640的層上方的層中。數(shù)據(jù)線660形成于具有數(shù)據(jù)線650的層上方的層中。數(shù)據(jù)線630、640、650及660可包括金屬，例如鋁或銅。
[0041]數(shù)據(jù)線630、640、650及660通過(guò)接觸件(例如，金屬插塞)及接觸墊耦合到垂直串602、604、606、608及610。例如，插塞710可形成于垂直串602的漏極蓋230上且接觸墊716圍繞插塞710而形成且與數(shù)據(jù)線630接觸以將數(shù)據(jù)線630耦合到垂直串602。插塞720可形成于垂直串604的漏極蓋230上且接觸墊726圍繞插塞720而形成且與數(shù)據(jù)線640接觸以將數(shù)據(jù)線640耦合到垂直串604。插塞730可形成于垂直串606的漏極蓋230上且接觸墊736圍繞插塞730而形成且與數(shù)據(jù)線650接觸以將數(shù)據(jù)線650耦合到垂直串606。插塞740可形成于垂直串608的漏極蓋230上且接觸墊746圍繞插塞740而形成且與數(shù)據(jù)線660接觸以將數(shù)據(jù)線660耦合到垂直串608。插塞750可形成于垂直串610的漏極蓋230上且接觸墊756圍繞插塞750而形成且與數(shù)據(jù)線630接觸以將數(shù)據(jù)線630耦合到垂直串610。數(shù)據(jù)線640、650及660各自僅耦合到一個(gè)垂直串，且數(shù)據(jù)線630耦合到兩個(gè)垂直串。插塞710、720、730、740及750可包括金屬，例如鎢。接觸墊716、726、736、746及756可與數(shù)據(jù)線630、640、650及660 —起形成，且可由與數(shù)據(jù)線630、640、650及660相同的材料(例如金屬)形成。
[0042]圖8為根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的呈電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串的兩行的半導(dǎo)體構(gòu)造800的四層的形式的設(shè)備的俯視圖。在圖8的左手邊上展示半導(dǎo)體構(gòu)造800的第一層801。半導(dǎo)體構(gòu)造800包含電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串804、806、808、810、812、814、816及818的第一行802。半導(dǎo)體構(gòu)造800還包含電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串824、826、828、830、832、834、836及838的第二行822。電荷存儲(chǔ)裝置的垂直串804到818及824到838經(jīng)展示為與圖2中所示的支柱210相似的半導(dǎo)體材料的圓形支柱。根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例，第一行802及第二行822可包含電荷存儲(chǔ)裝置的更少或更多垂直串。
[0043]半導(dǎo)體構(gòu)造包含S⑶(例如S⑶晶體管的控制柵極)844、846、848、850、852、854、856及858。每一 S⑶844到858與第一行802中的垂直串804到818中的一者及第二行822中的垂直串824到838中的一者(其鄰近第一行802中的垂直串804到818的相應(yīng)者)相關(guān)聯(lián)。例如，S⑶844與垂直串804及垂直串824相關(guān)聯(lián)。S⑶854與垂直串814及垂直串834相關(guān)聯(lián)。
[0044]兩個(gè)數(shù)據(jù)線860及862位于半導(dǎo)體構(gòu)造800的第一層801中。數(shù)據(jù)線860通過(guò)接觸墊864及插塞(未展示)耦合到垂直串804。數(shù)據(jù)線860還通過(guò)接觸墊866及插塞(未展示)耦合到垂直串812。數(shù)據(jù)線862通過(guò)接觸墊868及插塞(未展示)耦合到垂直串824。數(shù)據(jù)線862還通過(guò)接觸墊869及插塞(未展示)耦合到垂直串832。數(shù)據(jù)線860及862可耦合到圖8中未展示的第一行802及第二行822中的更多垂直串。
[0045]半導(dǎo)體構(gòu)造800的第二層871位于第一層801上方且包含兩個(gè)數(shù)據(jù)線872及873。數(shù)據(jù)線872通過(guò)接觸墊874及插塞(未展示)耦合到垂直串806。數(shù)據(jù)線872還通過(guò)接觸墊876及插塞(未展示)耦合到垂直串814。數(shù)據(jù)線873通過(guò)接觸墊878及插塞(未展示)耦合到垂直串826。數(shù)據(jù)線873還通過(guò)接觸墊879及插塞(未展示)耦合到垂直串834。數(shù)據(jù)線872及873可耦合到圖8中未展示的第一行802及第二行822中的更多垂直串。
[0046]半