塊時(shí)，子塊停用電路300可操作。子塊停用電路300可包含存儲(chǔ)器，例如內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器(CAM) 305或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)(未展示)。CAM 305 (或使用SRAM來(lái)替代CAM時(shí)的SRAM)中可已存儲(chǔ)與確定為有缺陷的子塊(例如在制造測(cè)試期間及/或在用戶操作期間確定為有缺陷的子塊)相關(guān)聯(lián)的信息(在下文有時(shí)稱為“缺陷子塊信息”)。在下文中，實(shí)例實(shí)施例的描述將是指CAM 305，但是應(yīng)了解，可使用SRAM來(lái)取代CAM305。所述信息可包含與缺陷子塊相關(guān)聯(lián)的塊地址及子塊地址。例如，例如在存儲(chǔ)器初始化過(guò)程期間，CAM 305可加載有與存儲(chǔ)器裝置的供電有關(guān)的缺陷子塊信息。所述存儲(chǔ)器初始化過(guò)程可為NAND初始化過(guò)程。
[0025]CAM 305可接收用戶地址310，用戶地址310可為存儲(chǔ)器裝置100的用戶希望存取存儲(chǔ)器裝置100的地址。用戶地址310可包含塊地址及子塊地址。
[0026]如果在CAM 305中找到對(duì)應(yīng)于用戶地址310的塊地址及子塊地址，那么此可意味:用戶正試圖存取的子塊是標(biāo)記為有缺陷的子塊。因此，CAM 305可輸出信號(hào)320以停用所述標(biāo)記子塊。例如，CAM 305可輸出全局S⑶停用(“gsgd_disable”)信號(hào)“高”。可將信號(hào)320輸入到多個(gè)S⑶驅(qū)動(dòng)器325中的一者，S⑶驅(qū)動(dòng)器325經(jīng)配置以驅(qū)動(dòng)漏極選擇(SGD)晶體管 150-1、150-2、150_n、152-1、152-2 或 152-n (圖1)。在一些實(shí)施例中，為 gsgd_disable “高”的信號(hào)320可將信號(hào)輸出到S⑶驅(qū)動(dòng)器325的驅(qū)動(dòng)器中的至少一者。此繼而引起S⑶晶體管150-1、150-2、150-n、152-1、152-2或152-n中的至少一對(duì)應(yīng)者的柵極偏壓到接地電位，借此停用S⑶晶體管150-1、150-2、150-n、152-1、152-2或152_n中的至少一者。此將導(dǎo)致用戶獲得相應(yīng)子塊的(例如)全部為O的讀取結(jié)果(針對(duì)讀取操作)，且將因此通知用戶:所述子塊是缺陷子塊。可在下文關(guān)于圖6所描述的存儲(chǔ)器控制器642上實(shí)施子塊停用電路300的一或多個(gè)組件。
[0027]參考圖4A到4E，一些實(shí)施例可用于通過(guò)標(biāo)記子塊的群組而非個(gè)別地標(biāo)記每一子塊來(lái)減少待存儲(chǔ)于CAM 305中的信息量。關(guān)于圖4A，可通過(guò)將每一子塊的信息存儲(chǔ)于CAM305中而標(biāo)記由四個(gè)子塊組成的塊中的每一缺陷子塊402、404、406、408。關(guān)于圖4B，可通過(guò)一次存儲(chǔ)子塊410或412的群組的信息而標(biāo)記子塊410或子塊412。在一或多個(gè)實(shí)施例中，如果所述塊的一半以上有缺陷，那么可使用塊標(biāo)記來(lái)替代子塊標(biāo)記，如下文關(guān)于圖5所討論。關(guān)于圖4C，可通過(guò)將每一子塊的信息存儲(chǔ)于CAM 305中而標(biāo)記由八個(gè)子塊組成的塊中的每一缺陷子塊414、416、418、420、422、424、426或428。關(guān)于圖3D，可通過(guò)存儲(chǔ)群組430、432,434及436的信息而一起標(biāo)記兩個(gè)子塊。關(guān)于圖4E，可通過(guò)一次存儲(chǔ)子塊438、440的群組的信息而標(biāo)記塊的一半438或440。正如由四個(gè)子塊組成的塊的情況，如果塊的一半以上有缺陷，那么下文關(guān)于圖5所討論的塊標(biāo)記及停用可比子塊標(biāo)記及停用更有效率。
[0028]參考圖5，許多實(shí)施例還提供塊停用電路以停用整個(gè)塊110-1、110-2(圖1)?？稍谄渲袑⒏髷?shù)量的存儲(chǔ)器(例如塊中的一半以上子塊)確定為有缺陷的情況中使用塊停用。塊停用電路500可包含用于存儲(chǔ)塊110-1、110-2的標(biāo)記狀態(tài)的鎖存器505。鎖存器505可加載有與存儲(chǔ)器裝置100的初始化有關(guān)的缺陷塊信息。鎖存器505可從塊解碼器510接收塊選擇信號(hào)(“blksel”)?；谝詁lksel標(biāo)示的塊是否被標(biāo)記為有缺陷，鎖存器505輸出塊啟用信號(hào)(“blken”)以啟用或停用塊。接著，將blken信號(hào)輸入到串驅(qū)動(dòng)器部分515以選擇子塊520及字線525。如果blken信號(hào)指示停用塊，那么可阻止對(duì)所述塊內(nèi)的字線及子塊的進(jìn)一步存取?？稍谙挛年P(guān)于圖6所描述的存儲(chǔ)器控制器642上實(shí)施塊標(biāo)記電路500的一或多個(gè)組件。
[0029]圖6是根據(jù)各種實(shí)施例的呈存儲(chǔ)器裝置600的形式的設(shè)備的方框圖。存儲(chǔ)器裝置600可耦合到控制總線604以經(jīng)由控制信號(hào)線605接收多個(gè)控制信號(hào)。存儲(chǔ)器裝置600可進(jìn)一步耦合到地址總線606以接收地址信號(hào)線607上的地址信號(hào)AO到Ax，且可耦合到數(shù)據(jù)總線608以發(fā)射及接收數(shù)據(jù)信號(hào)。盡管已將所述數(shù)據(jù)信號(hào)描繪為在單獨(dú)物理總線上被接收，但還可在相同物理總線上多路復(fù)用及接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)。存儲(chǔ)器裝置600可耦合到系統(tǒng)中的處理器(未展示)。
[0030]存儲(chǔ)器裝置600可包含可布置成行及列的存儲(chǔ)器單元的一或多個(gè)陣列610。根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例，陣列610的存儲(chǔ)器單元可包括非易失性存儲(chǔ)器單元。所述非易失性存儲(chǔ)器單元可為(例如)電荷存儲(chǔ)裝置(例如浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管或電荷捕捉晶體管)或可變電阻裝置(例如相變材料(PCM)單元或磁性隧道結(jié)(MTJ)單元)。在一或多個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置600可為NAND存儲(chǔ)器裝置，例如3D NAND存儲(chǔ)器裝置。陣列610可包含駐留于單一裸片或多個(gè)裸片上作為存儲(chǔ)器裝置600的部分的存儲(chǔ)器單元的多個(gè)存儲(chǔ)器庫(kù)及塊。根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例，陣列610可包含塊110-1到110-n(圖1)中的一或多者。
[0031]數(shù)據(jù)輸入及輸出(I/O)電路626可通過(guò)耦合到數(shù)據(jù)總線608的外部(例如數(shù)據(jù)I/O)節(jié)點(diǎn)628實(shí)施雙向數(shù)據(jù)通信。根據(jù)各種實(shí)施例，I/O電路626可包含N個(gè)驅(qū)動(dòng)器及接收器電路640。存儲(chǔ)器裝置600可包含經(jīng)配置以支持存儲(chǔ)器裝置600的操作(例如將數(shù)據(jù)寫入到陣列610及/或從陣列610擦除數(shù)據(jù))的控制器642?？刂破?42可包括(例如)相同或不同于包含陣列610及/或存儲(chǔ)器裝置600的任何或全部其它組件的裸片的裸片上的控制電路(例如，其經(jīng)配置以實(shí)施狀態(tài)機(jī))?？刂破骺砂▎为?dú)或與其它電路組合的控制電路642、固件、軟件或前述任何者或全部的組合?？山?jīng)由N個(gè)信號(hào)線646在感測(cè)/高速緩存電路622與I/O電路626之間傳送數(shù)據(jù)?？墒褂盟隹刂破鱽?lái)實(shí)施使用存儲(chǔ)器裝置的操作。
[0032]存儲(chǔ)器控制器642可在對(duì)子塊的讀取操作或?qū)懭氩僮髌陂g確定所述子塊有缺陷。基于此確定，存儲(chǔ)器控制器642可將與所述子塊相關(guān)聯(lián)的塊地址及子塊地址存儲(chǔ)于CAM305(圖3)中以將所述子塊標(biāo)記為缺陷子塊。CAM 305可定位于存儲(chǔ)器控制器642上。圖3的子塊標(biāo)記電路的其它組件可定位于存儲(chǔ)器控制器642上。在一些實(shí)施例中，可將缺陷子塊信息傳到用戶計(jì)算機(jī)。
[0033]圖7說(shuō)明根據(jù)許多實(shí)施例的用于控制對(duì)存儲(chǔ)器裝置的存取的方法。在操作710中，存儲(chǔ)器控制器可接收對(duì)所述存儲(chǔ)器裝置的存取的請(qǐng)求。所述請(qǐng)求可包含用戶地址。所述用戶地址可包含塊地址及子塊地址。上文已關(guān)于存儲(chǔ)器控制器642 (圖6)描述此一存儲(chǔ)器控制器。在一或多個(gè)實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器裝置可為與非(NAND)存儲(chǔ)器裝置，例如3D NAND存儲(chǔ)器裝置。
[0034]在操作720中，存儲(chǔ)器控制器642可通過(guò)在存儲(chǔ)器內(nèi)找到塊地址及子塊地址的匹配而確定用戶地址對(duì)應(yīng)于標(biāo)記子塊。如上文關(guān)于圖3所描述，存儲(chǔ)器可通過(guò)將與確定為有缺陷的子塊有關(guān)的信息存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器裝置中而標(biāo)記裝置的缺陷子塊。例如，存儲(chǔ)器中可已存儲(chǔ)與標(biāo)記子塊相關(guān)聯(lián)的塊地址及子塊地址。所述存儲(chǔ)器可為(例如)CAM 305 (圖3)或SRAM。在操作730中，存儲(chǔ)器控制器642可基于所述子塊被標(biāo)記為有缺陷的確定而將信號(hào)輸出到與所述標(biāo)記子塊相關(guān)聯(lián)的漏極選擇柵極驅(qū)動(dòng)器以停用所述標(biāo)記子塊。
[0035]存儲(chǔ)器控制器642可在對(duì)子塊的讀取操作或?qū)懭氩僮髌陂g確定所述子塊有缺陷?；诖舜_定，存儲(chǔ)器控制器642可將與此子塊相關(guān)聯(lián)的塊地址及子塊地址存儲(chǔ)于CAM 305中以將所述子塊標(biāo)記為缺陷子塊。
[0036]圖8說(shuō)明根據(jù)許多實(shí)施例的用于指示存儲(chǔ)器裝置中的缺陷的方法。在操作810中，存儲(chǔ)器控制器642可確定所述存儲(chǔ)器裝置的子塊有缺陷。
[0037]在操作820中，存儲(chǔ)器控制器642可將與存儲(chǔ)器裝置的缺陷子塊相關(guān)聯(lián)的信息存儲(chǔ)于例如CAM 305的存儲(chǔ)器中。所述信息可為與所述缺陷子塊相關(guān)聯(lián)的塊地址及子塊地址。存儲(chǔ)器控制器642可存儲(chǔ)子塊的群組的塊地址及子塊地址，其中所述群組包含所述缺陷子塊。所述群組可包含兩個(gè)子塊。所述群組可包含相應(yīng)塊中的子塊的一半。
[0038]圖9說(shuō)明根據(jù)許多實(shí)施例的用于擦除存儲(chǔ)器裝置中的存儲(chǔ)器的方法。在操作910中，存儲(chǔ)器控制器642可檢查其中存儲(chǔ)所述存儲(chǔ)器裝置中的一或多個(gè)缺陷子塊的塊地址及子塊地址的存儲(chǔ)器305。
[0039]在操作920中，存儲(chǔ)器控制器642可響應(yīng)于在存儲(chǔ)器305中找到與子塊相關(guān)聯(lián)的塊地址及子塊地址(例如