16上，依次形成主磁極66、記錄線圈70、自旋轉矩振蕩器72、寫屏蔽層68。此后,對成為自旋轉矩振蕩器72的電極的主磁極66及寫屏蔽層68和相對應的電極墊54通過布線L3、L4進行電連接。此時，將低通濾波器56的電容器C及電阻R連接于布線L3、L4。
[0088]對如所述地形成的低通濾波器56的頻率特性進行了評價，成為如圖21的頻率特性，截止頻率為約64MHz。實際上，從連接于自旋轉矩振蕩器72連接的電極墊54，輸入具有相當于串擾噪聲的10MHz以上的頻率分量的波形，并以設置于自旋轉矩振蕩器的兩端的評價用電極對施加于自旋轉矩振蕩器的電壓進行了測定，輸入的波形衰減為測定不涉及的程度。即，可知串擾噪聲可通過低通濾波器56除去。
[0089]如以上地，根據(jù)第2實施方式涉及的HDD的磁頭，不管記錄頭的記錄頻率如何，自旋轉矩振蕩器的偏置電壓能夠不受串擾噪聲的影響地保持為穩(wěn)定的狀態(tài)，能夠通過穩(wěn)定的高頻振蕩進行穩(wěn)定的記錄。
[0090]串擾噪聲主要在HGA30上的記錄電流用的布線45a與用于向自旋轉矩振蕩器72進行通電的布線45a之間產(chǎn)生。因此，如果在與撓曲部分的布線連接的磁頭的電極墊54與高頻振蕩器間形成低通濾波器56，則能夠在串擾噪聲達到高頻振蕩器之前進行切斷，會更加有效。
[0091]因為在磁頭內(nèi)，再現(xiàn)頭的電極為電容器，加熱器的導電體為電阻膜，所以通過在形成這些時同時地形成構成低通濾波器的電容器及電阻，能夠在磁頭的內(nèi)部容易地制作低通濾波器。串擾噪聲如所述地雖然在低頻中其電平低沒有問題，但是越是高頻越是問題，通過使低通濾波器的截止頻率為500MHz以下，優(yōu)選為10MHz以下，可以將干擾高頻振蕩器的偏置電壓的程度的噪聲進行關斷。
[0092](第3實施方式)
[0093]圖22示意地表示第3實施方式涉及的HDD的磁頭。根據(jù)本實施方式，低通濾波器56形成于磁頭33的滑動塊50內(nèi)。在滑動塊50的拖尾側端，設置多個電極墊54。磁頭33具備再現(xiàn)頭、記錄頭、自旋轉矩振蕩器72，自旋轉矩振蕩器72介由布線L3、L4電連接于電極墊54。低通濾波器56在滑動塊50內(nèi)，形成于自旋轉矩振蕩器72與電極墊54之間。在本實施方式中，低通濾波器56具有電阻R及電感器L，并連接于布線L3、L4。
[0094]構成低通濾波器56的電阻R和電感器L分別在制作磁頭33的頭部時的晶片制工序中一起制作。例如，電阻R在與形成浮上控制用的加熱器的導電體層同層而形成，電感器L與主磁極、寫屏蔽層等的磁芯及記錄線圈同時形成。如此地制作的電阻R及電感器L的值分別為 R = 100 Ω、L = 50nH。
[0095]圖23表示以實施例構成的低通濾波器56的頻率特性。低通濾波器56的截止頻率成為160MHz以下。因此，低通濾波器56能夠使來自記錄電流用的布線的串擾噪聲大幅度地減少。對來自記錄電流用的布線的串擾噪聲在低通濾波器56與自旋轉矩振蕩器72之間進行了測定，為基本不涉及觀測的電平。
[0096]如以上地，根據(jù)第2實施方式涉及的HDD的磁頭，不管記錄頭的記錄頻率如何，自旋轉矩振蕩器的偏置電壓能夠不受串擾噪聲的影響地能夠保持為穩(wěn)定的狀態(tài)，能夠通過穩(wěn)定的聞頻振蕩進彳丁穩(wěn)定的記錄。
[0097]因為在磁頭內(nèi)，浮上控制用的加熱器為電阻，記錄頭的線圈為電感器，所以通過在形成這些時同時地形成電阻R及電感器L，能夠容易地形成低通濾波器。
[0098]還有，在所述的第2及第3實施方式中，HGA及HDD的構成與所述的第I實施方式相同。從而，在第2及第3實施方式中，也是不管記錄頭的記錄頻率如何，得到防止高頻噪聲向高頻振蕩器的混入并可以進行穩(wěn)定的振蕩及記錄的高頻輔助式的磁頭、具備其的頭萬向架組件及盤裝置。
[0099]本發(fā)明并非限定于所述實施方式原封不動，在實施階段中在不脫離其要旨的范圍能夠使構成要素進行變形而具體化。并且，通過公開于所述實施方式的多個構成要素的適當?shù)慕M合，能夠形成各種發(fā)明。例如，也可以從示于實施方式的全部構成要素刪除幾個構成要素。而且，也可以使不同的實施方式中的構成要素適當組合。
[0100]例如，構成頭部的要素的材料、形狀、大小等相應于可以變更。并且，在磁盤裝置中，磁盤及磁頭的個數(shù)相應于需要可以增加，磁盤的尺寸也可以有各種選擇。
【主權項】
1.一種磁頭，其特征在于，具備: 主磁極，其在記錄介質的記錄層施加記錄磁場； 記錄線圈，其在所述主磁極使磁場產(chǎn)生； 高頻振蕩器，其配置于所述主磁極的附近； 第I布線，其用于通電于所述記錄線圈； 第2布線，其用于通電于所述高頻振蕩器；和 低通濾波器，其電連接于所述第2布線。2.根據(jù)權利要求1所述的磁頭，其特征在于: 具備具有對置于所述記錄層的對置面的滑動塊，所述主磁極、記錄線圈、高頻振蕩器及所述低通濾波器設置于所述滑動塊內(nèi)。3.根據(jù)權利要求1或2所述的磁頭，其特征在于: 所述低通濾波器以包括電容器的電路形成。4.根據(jù)權利要求1或2所述的磁頭，其特征在于: 所述低通濾波器以包括電感器的電路形成。5.根據(jù)權利要求1或2所述的磁頭，其特征在于: 所述低通濾波器的截止頻率為500MHz以下。6.根據(jù)權利要求3所述的磁頭，其特征在于: 具備具有第I屏蔽層、第2屏蔽層及位于這些第I及第2屏蔽層間的絕緣層的再現(xiàn)頭；所述電容器具備與所述第I屏蔽層同層的第I電極、與所述第2屏蔽層同層的第2電極和位于這些第I及第2電極間并與所述絕緣層同層的電介質層。7.根據(jù)權利要求2所述的磁頭，其特征在于: 具備以設置于所述滑動塊內(nèi)的電阻體構成并對所述滑動塊進行加熱的加熱器，所述低通濾波器具有在與所述電阻體同層形成的電阻。8.一種頭萬向架組件，其特征在于，具備: 支持板，其具有前端部； 布線構件，其具有金屬薄板、疊層于所述金屬薄板上的絕緣層及疊層于所述絕緣層上而形成有多條布線的導電層，并安裝于所述支持板上，具有對置于所述支持板的前端部的萬向架部；和 磁頭，其為權利要求1所述的磁頭，安裝于所述萬向架部而電連接于所述布線構件的布線。9.一種頭萬向架組件，其特征在于，具備: 支持板，其具有前端部， 布線構件，其具有金屬薄板、疊層于所述金屬薄板上的絕緣層及疊層于所述絕緣層上而形成有多條布線的導電層，并安裝于所述支持板上，具有對置于所述支持板的前端部的萬向架部， 磁頭，其安裝于所述萬向架部而電連接于所述布線構件的布線，和 低通濾波器，其安裝于所述萬向架部而電連接于所述磁頭； 所述磁頭具有在記錄介質的記錄層施加記錄磁場的主磁極、在所述主磁極使磁場產(chǎn)生的記錄線圈、配置于所述主磁極的附近的高頻振蕩器、用于通電于所述記錄線圈的第I布線和用于通電于所述高頻振蕩器的第2布線，所述低通濾波器連接于所述第2布線。10.根據(jù)權利要求9所述的頭萬向架組件，其特征在于: 所述磁頭具備具有對置于所述記錄層的對置面和電連接于所述第I及第2布線的多個電極墊的滑動塊，所述主磁極、記錄線圈及高頻振蕩器設置于所述滑動塊內(nèi)，所述低通濾波器電連接于所述電極墊。11.一種盤裝置，其特征在于，具備: 盤狀的記錄介質； 使所述記錄介質進行旋轉的驅動部；和 權利要求8?10的任一項所述的頭萬向架組件。
【專利摘要】本發(fā)明涉及磁頭、具備其的頭萬向架組件及盤裝置。本發(fā)明的實施方式提供防止高頻噪聲的混入并可以進行穩(wěn)定的振蕩的高頻輔助式的磁頭、頭萬向架組件及盤裝置。根據(jù)實施方式，磁頭具備在記錄介質的記錄層施加記錄磁場的主磁極、在主磁極使磁場產(chǎn)生的記錄線圈、配置于主磁極的附近的高頻振蕩器(72)、用于通電于記錄線圈的第1布線、用于通電于高頻振蕩器的第2布線(L3、L4)和電連接于第2布線的低通濾波器(56)。
【IPC分類】G11B5/58, G11B5/127
【公開號】CN105023583
【申請?zhí)枴緾N201410427647
【發(fā)明人】船山知己
【申請人】株式會社 東芝
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2014年8月27日