控制器、盤裝置及控制方法
【專利說明】控制器、盤裝置及控制方法
[0001]本申請基于美國臨時專利申請61/981，405號(申請日:2014年4月18日)并要求其優(yōu)先權(quán)。該在先申請的全部內(nèi)容通過引用并入此處。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明大體涉及控制器、盤裝置及控制方法。
【背景技術(shù)】
[0003]近年來，存在在硬盤裝置等盤裝置中使存儲在磁盤中的數(shù)據(jù)高密度化的趨勢。與此相伴，存在磁盤的磁道間距變窄的趨勢。在通過磁頭對磁道間距狹窄的磁盤進行數(shù)據(jù)讀取時，如果沿磁道寬度方向發(fā)生磁道偏離，則存在不能正確地讀取被寫入該磁道的數(shù)據(jù)的可能性?；蛘撸谕ㄟ^磁頭對磁道間距狹窄的磁盤進行數(shù)據(jù)寫入時，如果沿磁道寬度方向發(fā)生磁道偏離，則之后在通過磁頭進行數(shù)據(jù)讀取時，存在不能正確地讀取被寫入該磁道的數(shù)據(jù)的可能性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種控制器、盤裝置及控制方法，其即使在窄磁道間距的環(huán)境下，也能夠正確地讀取數(shù)據(jù)等。
[0005]根據(jù)本實施方式，提供一種具有寫入控制部的控制器。寫入控制部，其進行控制，以在將數(shù)據(jù)寫入磁盤的數(shù)據(jù)區(qū)域中時將表示數(shù)據(jù)區(qū)域的起始的同步標記在彼此相鄰的各磁道周期不同地進行寫入。
【附圖說明】
[0006]圖1是表示第一實施方式涉及的盤裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0007]圖2是表示第一實施方式的磁盤的結(jié)構(gòu)的圖。
[0008]圖3是表示第一實施方式的檢測部的結(jié)構(gòu)的圖。
[0009]圖4是表示第一實施方式的消除部的結(jié)構(gòu)的圖。
[0010]圖5是表示第一實施方式涉及的盤裝置的動作的流程圖。
[0011]圖6是表示第一實施方式涉及的盤裝置的動作的流程圖。
[0012]圖7是表示第二實施方式涉及的盤裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0013]圖8是表示第二實施方式涉及的盤裝置的動作的圖。
[0014]圖9是表示第二實施方式涉及的盤裝置的動作的流程圖。
[0015]圖10是表示第二實施方式的偏移曲線的圖。
[0016]圖11是表示第二實施方式的偏移曲線的圖。
[0017]圖12是表示第二實施方式的偏移曲線的圖。
[0018]圖13是表示第二實施方式的變形例涉及的盤裝置的動作的流程圖。
[0019]圖14是表示第二實施方式的變形例的消除部的結(jié)構(gòu)的圖。
[0020]圖15是表示第二實施方式的變形例涉及的盤裝置的動作的流程圖。
[0021]圖16是表示第三實施方式涉及的盤裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0022]圖17是表示第三實施方式的判斷部的結(jié)構(gòu)的圖。
[0023]圖18是表示第三實施方式涉及的盤裝置的動作的流程圖。
[0024]圖19是表示第一實施方式?第三實施方式涉及的盤裝置的制造方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0025]下面參照附圖來詳細說明實施方式涉及的盤裝置。此外，本發(fā)明不限定于上述實施方式。
[0026](第一實施方式)
[0027]使用圖1來說明第一實施方式涉及的盤裝置100。圖1是表示盤裝置100的結(jié)構(gòu)的圖。
[0028]盤裝置100例如是通過磁頭22將信息記錄于磁盤(磁盤介質(zhì))11、并且通過磁頭22從磁盤(磁盤介質(zhì))11讀取信號的裝置，例如是磁盤裝置(例如硬盤裝置)。具體而言，盤裝置100具有磁盤11、主軸電機12、電機驅(qū)動器21、磁頭22、傳動臂15、音圈電機(VCM) 16、斜坡23、前置放大器24、讀寫通道(RWC) 25、硬盤控制器(HDC) 31、緩沖存儲器29、以及控制部26。
[0029]通過主軸電機12使磁盤11以旋轉(zhuǎn)軸為中心而以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。主軸電機12的旋轉(zhuǎn)由電機驅(qū)動器21驅(qū)動。
[0030]磁盤22通過其具備的記錄頭22a和再現(xiàn)頭22b，對磁盤11進行數(shù)據(jù)的寫入和讀取。此外，通過位于傳動臂15的前端且由電機驅(qū)動器21驅(qū)動的音圈電機16，使磁頭22沿著磁盤11的半徑方向(磁道寬度方向)移動。在磁盤11的旋轉(zhuǎn)停止時等,磁頭22退避到斜坡23上。
[0031]前置放大器24將磁頭22從磁盤11讀取的信號放大輸出，供給到讀寫通道25。此夕卜，前置放大器24將從讀寫通道25供給的、用于將數(shù)據(jù)寫入磁盤11的信號放大并供給到磁頭22。
[0032]硬盤控制器31進行通過I/F總線在與主機40之間進行數(shù)據(jù)的發(fā)送接收控制、緩沖存儲器29的控制、以及針對記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)糾錯處理等。此外，緩沖存儲器29作為在與主機40之間發(fā)送接收的數(shù)據(jù)的高速緩存使用。而且，緩沖存儲器29還用于臨時存儲從磁盤11讀取的數(shù)據(jù)、寫入磁盤11的數(shù)據(jù)、或者從磁盤11讀取的控制用固件等。
[0033]讀寫通道25對從硬盤控制器31供給的、用于寫入磁盤11的數(shù)據(jù)進行編碼調(diào)制并供給到前置放大器24。此外，讀寫通道25對從磁盤11讀取并從前置放大器24供給的信號進行編碼解調(diào)，作為數(shù)字數(shù)據(jù)輸出到硬盤控制器31。
[0034]控制部26與動作用存儲器27 (例如SRAM:Static Random Access Memory,靜態(tài)隨機存取存儲器)、非易失性存儲器28(例如Flash Rom =Flash Read Only Memory，快閃只讀存儲器)、以及用于臨時存儲的緩沖存儲器29 (例如DRAM:Dynamic Random AccessMemory，動態(tài)隨機存取存儲器)連接?？刂撇?6基于預先存儲在非易失性存儲器28和磁盤11中的固件，對該盤裝置100進行整體控制。固件是初始固件和用于通常動作的控制用固件。啟動時最初執(zhí)行的初始固件例如存儲在非易失性存儲器28中。此外，在磁盤11中記錄有用于通常動作的控制用固件，通過基于初始固件的控制，將該控制用固件從磁盤11暫時讀取到緩沖存儲器29，然后存儲在動作用存儲器27中。
[0035]在盤裝置100中，對于在磁盤11上呈同心圓狀地設(shè)置有多個的多個磁道，通過記錄頭22a，按從內(nèi)側(cè)到外側(cè)的順序或者從外側(cè)到內(nèi)側(cè)的順序，進行數(shù)據(jù)的寫入(參照圖2)。例如讀寫通道25控制記錄頭22a，以便將寫入對象磁道中的表示要寫入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域DR的起始的同步標記SM寫在數(shù)據(jù)區(qū)域DR之前。S卩，磁盤11中的各磁道包含多個扇區(qū)。各扇區(qū)包含同步標記SM和數(shù)據(jù)區(qū)域DR。同步標記SM表示該扇區(qū)中的數(shù)據(jù)區(qū)域DR的起始。
[0036]此外，在盤裝置100中，再現(xiàn)頭22b被定位于目標磁道，從目標磁道讀取數(shù)據(jù)。例如讀寫通道25檢測從作為讀取對象的目標磁道讀取的信號中的同步標記SM來識別數(shù)據(jù)區(qū)域DR的起始，并從識別出的數(shù)據(jù)區(qū)域DR獲取數(shù)據(jù)。由于能夠與存儲在數(shù)據(jù)區(qū)域DR中的數(shù)據(jù)的位模式進行區(qū)分地決定同步標記SM的位模式，所以如果能夠基于從目標磁道讀取的信號適當?shù)刈R別其位模式，則能夠檢測同步標記SM。
[0037]然而，在盤裝置100中，為了使磁盤11的記錄容量增加，即為了提高磁盤11的記錄密度，磁盤11的磁道寬度(磁道間距)可能會變窄到再現(xiàn)頭22b的寬度的程度。例如，在盤裝置100中，如果磁盤11的磁道寬度變窄到再現(xiàn)頭22b的寬度的程度，則在通過再現(xiàn)頭22b進行讀取時，再現(xiàn)頭22b有時會從容納于目標磁道中的位置沿磁道寬度方向朝著向相鄰磁道一側(cè)偏移的位置發(fā)生磁道偏離。或者，例如在進行相鄰磁道的數(shù)據(jù)寫入時記錄頭22a沿磁道寬度方向朝目標磁道一側(cè)發(fā)生磁道偏離的同時寫入數(shù)據(jù)的情況下，當由再現(xiàn)頭22b進行讀取時，即使再現(xiàn)頭22b位于容納于目標磁道中的位置而沒有發(fā)生磁道偏離，再現(xiàn)頭22b也有可能受到來自相鄰磁道的數(shù)據(jù)的干擾。
[0038]由此，如果磁盤11的磁道寬度(磁道間距)變窄到再現(xiàn)頭22b的寬度的程度，則從目標磁道讀取的信號會包含來自相鄰磁道的干擾，難以基于從目標磁道讀取的信號適當?shù)刈R別其位模式。由此，存在難以檢測目標磁道的同步標記SM的可能性。
[0039]因此，在第一實施方式中，在盤裝置100中，在使同步標記SM在各磁道周期不同地進行寫入的同時將數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)區(qū)域DR中，由此在讀取信號時能夠?qū)⒛繕舜诺赖耐綐擞汼M與相鄰磁道的同步標記SM區(qū)分開地進行檢測。
[0040]具體而言，讀寫通道(控制器)25具有寫入控制部25a、讀取控制部25b、檢測部25c、以及消除部25d。寫入控制部25a控制記錄頭22a，以便在使表示磁盤11中的數(shù)據(jù)區(qū)域的起始的同步標記SM在各磁道周期不同地進行寫入的同時將數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)區(qū)域DR中。為了將目標磁道的同步標記SM與交叉磁道方向外側(cè)的相鄰磁道的同步標記SM及交叉磁道方向內(nèi)側(cè)的相鄰磁道的同步標記SM區(qū)分開，能夠準備彼此不同的3種以上的同步標記SM的模式(位模式)。例如也可以將包含彼此不同的3種以上的同步標記SM模式(位模式)的同步標記候補模式信息預先寫入到磁盤11的管理信息存儲區(qū)域中，寫入控制部25a從磁盤11的管理信息存儲區(qū)域讀取同步標記候補模式信息。
[0041]寫入控制部25a進行控制使得按磁道周期循環(huán)地選擇3種以上的同步標記SM的模式并將其寫在數(shù)據(jù)區(qū)域DR之前。3種以上的同步標記SM的模式具有能夠分別與要寫入到數(shù)據(jù)區(qū)域DR中的數(shù)據(jù)的模式區(qū)分開并且彼此不同的模式。再有，寫入控制部25a也可以生成同步標記管理信息并寫入到磁盤11的管理信息存儲區(qū)域中，該同步標記管理信息中磁道的標識符和被寫入的同步標記SM的模式的標識符與多個磁道相對應。
[0042]例如，如圖2所示，寫入控制部25a在將數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)區(qū)域DR中時，按3個磁道周期切換3個同步標記SM-A、SM-B、SM-C的模式并寫在數(shù)據(jù)區(qū)域DR之前。圖2是表示磁盤11的結(jié)構(gòu)的圖。同步標記SM-A?SM-C的模式選擇在各個之間可充分確保歐氏距離的模式，能夠獨立進行設(shè)定。此外，同步標記模式SM-A?SM-C的位數(shù)不受限定，能夠自由地選擇。
[0043]在圖2所示的情況下，磁道N — 2的同步標記SM-B的模式，與交叉磁道方向外側(cè)的相鄰磁道N — 3的同步標記SM-A的模式、以及交叉磁道方向內(nèi)側(cè)的相鄰磁道N — I的同步標記SM-C的模式都不同。磁道N的同步標記SM-A的模式，與交叉磁道方向外側(cè)的相鄰磁道N — I的同步標記SM-C的模式、以及交叉磁道方向內(nèi)側(cè)的相鄰磁道N+1的同步標記SM-B的模式都不同。磁道N+2的同步標記SM-C的模式，與交叉磁道方向外側(cè)的相鄰磁道N+1的同步標記SM-B的模式、以及交叉磁道方向內(nèi)側(cè)的相鄰磁道N+3的同步標記SM-A的模式都不同。即，在關(guān)注規(guī)定的磁道的情況下，所關(guān)注磁道的同步標記SM的模式能夠與交叉磁道方向兩側(cè)的相鄰磁道的同步標記的模式都區(qū)分開。
[0044]讀取控制部25b控制再現(xiàn)頭22b以便從目標磁道讀取信號。讀取控制部25b具有FIR濾波器(未圖示)，通過FIR濾波器對讀取的信號進行波形均衡。讀取控制部25b將均衡后的波形取樣(Data FIR output，數(shù)據(jù)FIR輸出)作為從目標磁道讀取的信號供給到檢測部25c。此外，讀取控制部25b通過再現(xiàn)頭22b從磁盤11的管理信息存儲區(qū)域讀取同步標記管理信息供給到檢測部25c。
[0045]檢測