至高電阻狀態(tài)。
[0059]由于第一存儲單元Ml和第二存儲單元M2彼此具有不同的結(jié)構(gòu)，所以第一存儲單元Ml和第二存儲單元M2的置位偏置可以彼此不同，以及第一存儲單元Ml和第二存儲單元M2的復(fù)位偏置可以彼此不同。用來切換第一存儲單元Ml的電阻狀態(tài)的置位偏置和復(fù)位偏置可以分別稱為第一置位偏置和第一復(fù)位偏置。另外，用來切換第二存儲單元M2的電阻狀態(tài)的置位偏置和復(fù)位偏置可以分別稱為第二置位偏置和第二復(fù)位偏置。
[0060]列控制塊330包括列控制器332、存儲器選擇器334、寫驅(qū)動器336和位線選擇器338。
[0061]列控制器332可以確定要寫入選中存儲單元中的數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施例中，列控制器332可以響應(yīng)于命令寫入置位數(shù)據(jù)(例如‘0’數(shù)據(jù))和復(fù)位數(shù)據(jù)(例如‘I’數(shù)據(jù))之一的外部命令信號來將置位脈沖或復(fù)位脈沖經(jīng)由存儲器選擇器334供應(yīng)至寫驅(qū)動器336。也就是說，當(dāng)要儲存至選中存儲單元中的數(shù)據(jù)是‘0’數(shù)據(jù)時(shí)，列控制器332可以輸出置位脈沖，而當(dāng)要儲存至選中存儲單元中的數(shù)據(jù)是‘I’數(shù)據(jù)時(shí)，列控制器332可以輸出復(fù)位脈沖。
[0062]寫驅(qū)動器336可以將寫偏置輸出至選中存儲單元。在一個(gè)實(shí)施例中，寫驅(qū)動器336基于從列控制器332供應(yīng)的置位脈沖或復(fù)位脈沖經(jīng)由位線選擇器338將置位偏置或復(fù)位偏置供應(yīng)至選中位線。由于存儲單元塊310包括使用不同置位偏置和復(fù)位偏置的第一存儲單元Ml和第二存儲單元M2，所以寫驅(qū)動器336可以輸出具有不同電平的偏置(例如，第一置位偏置、第一復(fù)位偏置、第二置位偏置和第二復(fù)位偏置)之一。
[0063]存儲器選擇器334可以選擇第一單元陣列和第二單元陣列中的一個(gè)。存儲器選擇器334可以將從列控制器332輸出的置位脈沖或復(fù)位脈沖傳輸至寫驅(qū)動器336。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲器選擇器334響應(yīng)于選擇第一單元陣列和第二單元陣列中的一個(gè)的某個(gè)命令信號來將來自列控制器332的置位脈沖或復(fù)位脈沖傳輸至寫驅(qū)動器336的一部分中。結(jié)果，寫驅(qū)動器336的該部分被激活。如果用于選擇第一單元陣列的信號被輸入至存儲器選擇器334，則存儲器選擇器334將置位脈沖或復(fù)位脈沖傳輸至寫驅(qū)動器336的可以將第一置位偏置或第一復(fù)位偏置輸出至第一單元陣列的一部分。另一方面，如果用于選擇第二單元陣列的信號被輸入至存儲器選擇器334，則存儲器選擇器334將置位脈沖或復(fù)位脈沖傳輸至寫驅(qū)動器336的可以將第二置位偏置或第二復(fù)位偏置輸出至第二單元陣列的一部分。
[0064]位線選擇器338可以選擇寫偏置供應(yīng)至的位線。當(dāng)從寫驅(qū)動器336供應(yīng)第一置位偏置或第一復(fù)位偏置時(shí)，位線選擇器338可以選擇第一置位偏置或第一復(fù)位偏置供應(yīng)至的第一位線BLl。另一方面，當(dāng)從寫驅(qū)動器336供應(yīng)第二置位偏置或第二復(fù)位偏置時(shí)，位線選擇器338可以選擇第二置位偏置或第二復(fù)位偏置供應(yīng)至的第二位線BL2。選中位線耦接至選中存儲單元。
[0065]將參照圖4至圖8描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的列控制塊的配置和操作。
[0066]圖4圖示了根據(jù)本公開第一實(shí)施例的列控制塊330的電路圖。為了便于圖示，存儲單元塊310的包括一個(gè)字線WL、與字線WL交叉的一對第一位線BLl和第二位線BL2以及一對第一存儲單元Ml和第二存儲單元M2的部分與列控制塊330 —起示出。
[0067]參見圖4，列控制器332包括互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電路。CMOS電路可以響應(yīng)于外部命令信號，根據(jù)施加至其輸入節(jié)點(diǎn)的電壓來選擇性地輸出高電壓V_high的脈沖(即，置位脈沖)或低電SV_low的脈沖(S卩，復(fù)位脈沖)。如果寫入數(shù)據(jù)是‘0’數(shù)據(jù)，則低電壓被施加至CMOS電路的輸入節(jié)點(diǎn)以接通PMOS晶體管，從而輸出高電壓V_high的置位脈沖。另一方面，如果寫入數(shù)據(jù)是‘I’數(shù)據(jù)，則高電壓被施加至CMOS電路的輸入節(jié)點(diǎn)以接通NMOS晶體管，從而輸出低電壓V_low的復(fù)位脈沖。在一個(gè)實(shí)施例中，高電壓V_high是電源電壓，而低電壓V_low是接地電壓，但是實(shí)施例并不局限于此。
[0068]存儲器選擇器334包括第一切換元件SWl和第二切換元件SW2。第一切換元件SWl和第二切換元件SW2的輸入節(jié)點(diǎn)連接至列控制器332的輸出節(jié)點(diǎn)，以及第一切換元件SWl和第二切換元件SW2的輸出節(jié)點(diǎn)連接至寫驅(qū)動器336。
[0069]第一切換元件SWl和第二切換元件SW2可以響應(yīng)于選擇存儲單元塊310中的第一單元陣列和第二單元陣列中的一個(gè)的命令信號而被選擇性地接通。當(dāng)?shù)谝粏卧嚵兄械拇鎯卧贿x中時(shí)，第一切換元件SWl被接通，而當(dāng)?shù)诙卧嚵兄械拇鎯卧贿x中時(shí)，第二切換元件SW2被接通。第一切換元件SWl和第二切換元件SW2可以包括晶體管。
[0070]寫驅(qū)動器336包括第一偏置輸出單兀3361和第二偏置輸出單兀3362。第一偏置輸出單元3361包括CMOS電路，并且響應(yīng)于經(jīng)由存儲器選擇器334供應(yīng)至其輸入節(jié)點(diǎn)的置位脈沖或復(fù)位脈沖來選擇性地輸出第一置位偏置Vsetl或第一復(fù)位偏置Vresetl。第二偏置輸出單元3362包括CMOS電路且響應(yīng)于經(jīng)由存儲器選擇器334供應(yīng)至其輸入節(jié)點(diǎn)的置位脈沖或復(fù)位脈沖來選擇性地輸出第二置位偏置Vset2或第二復(fù)位偏置VreSet2。第一偏置輸出單元3361的輸入節(jié)點(diǎn)連接至存儲器選擇器334的第一切換元件SWl。第二偏置輸出單元3362的輸入節(jié)點(diǎn)連接至存儲器選擇器334的第二切換元件SW2。
[0071]第一偏置輸出單元3361和第二偏置輸出單元3362的輸出節(jié)點(diǎn)連接至與位線選擇器338耦接的公共節(jié)點(diǎn)。結(jié)果，寫驅(qū)動器336將第一置位偏置Vsetl、第一復(fù)位偏置￥代86丨1、第二置位偏置￥86丨2和第二復(fù)位偏置￥代86丨2中的根據(jù)第一切換元件SWl和第二切換元件SW2中的哪一個(gè)被接通來選擇的一個(gè)輸出至公共節(jié)點(diǎn)。
[0072]位線選擇器338包括第三切換元件SW3和第四切換元件SW4。第三切換元件SW3和第四切換元件SW4的輸入節(jié)點(diǎn)連接至公共節(jié)點(diǎn)。第三切換元件SW3的輸出節(jié)點(diǎn)連接至第一位線BL1，而第四切換元件SW4的輸出節(jié)點(diǎn)連接至第二位線BL2。第三切換元件SW3和第四切換元件SW4可以響應(yīng)于選擇第一位線BLl和第二位線BL2之一的命令信號而被選擇性地接通。
[0073]當(dāng)親接至存儲單元塊310的第一單元陣列中的第一位線BLl的存儲單元被選中時(shí)，第三切換元件SW3被接通，并且根據(jù)“O”數(shù)據(jù)和“I”數(shù)據(jù)中的哪一個(gè)被儲存在選中存儲單元中來將第一置位偏置Vsetl或第一復(fù)位偏置Vresetl傳輸至第一位線BLl。當(dāng)耦接至存儲單元塊310的第二單元陣列的存儲單元被選中時(shí)，第四切換元件SW4被接通，并且根據(jù)“O”數(shù)據(jù)和“ I ”數(shù)據(jù)中的哪一個(gè)被儲存在選中存儲單元中來將第二置位偏置Vset2或第二復(fù)位偏置Vreset2傳輸至第二位線BL2。第三切換元件SW3和第四切換元件SW4可以包括晶體管。
[0074]作為圖4的部件的上述操作的結(jié)果，寫偏置被供應(yīng)至與第一位線BLl和第二位線BL2分別耦接的該對第一存儲單元Ml和第二存儲單元M2中的一個(gè)。將參照圖5A至圖更詳細(xì)地描述圖4的部件的操作。
[0075]圖5A至圖是圖示使用圖4的列控制塊的寫入數(shù)據(jù)的方法的視圖。圖5A是圖示將“O”數(shù)據(jù)寫入第一存儲單元Ml的方法的視圖。圖5B是圖示將“I”數(shù)據(jù)寫入第一存儲單元Ml的方法的視圖。圖5C是圖示將“O”數(shù)據(jù)寫入第二存儲單元M2的方法的視圖。圖5D是圖示將“ I ”數(shù)據(jù)寫入第二存儲單元M2的方法的視圖。
[0076]參見圖5A，當(dāng)響應(yīng)于用于寫入“O”數(shù)據(jù)的命令信號而將低電壓(例如接地電壓GND)施加至列控制器332的CMOS電路的輸入節(jié)點(diǎn)時(shí)，高電壓V_high的置位脈沖被傳輸至存儲器選擇器334。
[0077]響應(yīng)于用于操作第一單元陣列的命令信號，存儲器選擇器334的第一切換元件Sffl被接通，而存儲器選擇器334的第二切換元件SW2被切斷。對于此，如果第一切換元件Sffl和第二切換元件SW2是NMOS晶體管，則高電壓V_high被施加至第一切換元件SWl的柵極，而接地電壓GND被施加至第二切換元件SW2的柵極。結(jié)果，從列控制器332傳輸?shù)闹梦幻}沖經(jīng)由第一切換元件SWl被傳輸至第一偏置輸出單元3361。
[0078]當(dāng)高電壓V_high被施加至第一偏置輸出單元3361的CMOS電路的輸入節(jié)點(diǎn)時(shí)，NMOS晶體管被接通，因而第一置位偏置Vsetl被傳輸至位線選擇器338。
[0079]響應(yīng)于用于操作第一單元陣列的第一位線BLl的命令信號，位線選擇器338的第三切換元件SW3被接通，而位線選擇器338的第四切換元件SW4被切斷。對于此，如果第三切換元件SW3和第四切換元件SW4是NMOS晶體管，則高電壓V_high被施加至第三切換元件SW3的柵極，而接地電壓GND被施加至第四切換元件SW4的柵極。結(jié)果，來自第一偏置輸出單元3361的第一置位偏置Vsetl經(jīng)由第三切換元件SW3被傳輸至第一位線BLl。
[0080]當(dāng)數(shù)據(jù)被寫入與第一位線BLl親接的第一存儲單元Ml時(shí)，接地電壓GND可以被施加至與第一存儲單元Ml耦接的選中字線WL。
[0081]結(jié)果，第一置位偏置Vset I通過第一位線BLl施加至第一存儲單元Ml，因而第一存儲單元Ml的電阻狀態(tài)被改變至低電阻狀態(tài)。因此，‘0’數(shù)據(jù)被儲存在第一單元陣列的第一存儲單元Ml中。
[0082]參見圖5B，當(dāng)響應(yīng)于寫入‘I’數(shù)據(jù)的命令信號而將高電壓V_high施加至列控制器332的CMOS電路的輸入節(jié)點(diǎn)時(shí)，低電壓V_low的復(fù)位脈沖被傳輸至存儲器選擇器334。
[0083]響應(yīng)于用于操作第一單元陣列的命令信號，存儲器選擇器334的第一切換元件Sffl被接通，而存儲器選擇器334的第二切換元件SW2被切斷。因此，來自列控制器332的復(fù)位脈沖經(jīng)由第一切換元件SWl被傳輸至第一偏置輸出單元3361。
[0084]當(dāng)?shù)碗妷篤_low的復(fù)位脈沖被施加至第一偏置輸出單元3361的CMOS電路的輸入節(jié)點(diǎn)時(shí)，PMOS晶體管被接通，因而第一復(fù)位偏置Vresetl被傳輸至位線選擇器338。
[0085]響應(yīng)于用于操作第一單元陣列的位線BLl的命令信號，位線選擇器338的第三切換元件SW3被接通，而位線選擇器338的第四切換元件SW4被切斷。因此，來自第一偏置輸出單元3361的第一復(fù)位偏置Vresetl經(jīng)由第三切換元件SW3被傳輸至第一位線BLl。
[0086]結(jié)果，第一復(fù)位偏置Vreset I通過第一位線BLl被施加至第一存儲單元Ml，因而第一存儲單元Ml的電阻狀態(tài)被改變至高電阻狀態(tài)。因此，‘I’數(shù)據(jù)被儲存在第一單元陣列的第一存儲單元Ml中。
[0087]參見圖5C，當(dāng)響應(yīng)于寫入‘0’數(shù)據(jù)的命令信號而將接地電