數(shù)據(jù)寫入方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置的制造方法【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種數(shù)據(jù)寫入方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置，特別是有關(guān)于一種用于可重寫非易失性存儲器組件的數(shù)據(jù)寫入方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置。【
背景技術(shù)：
】[0002]數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費(fèi)者對儲存媒體的需求也急速增加。由于可重寫非易失性存儲器（rewritablenon-volatilememory)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小、無機(jī)械結(jié)構(gòu)、讀寫速度快等特性，最適于便攜式電子產(chǎn)品，例如筆記本電腦。固態(tài)硬盤就是一種以快閃存儲器作為儲存媒體的儲存裝置。因此，近年快閃存儲器產(chǎn)業(yè)成為電子產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)熱門的一環(huán)。[0003]圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所示出的快閃存儲器元件的示意圖。[0004]請參照圖1，快閃存儲器元件1包含用于儲存電子的電荷捕捉層（chargetrapinglayer)2、用于施加偏壓的控制柵極（ControlGate)3、穿遂氧化層（TunnelOxide)4與多晶石圭間介電層（InterpolyDielectric)5。當(dāng)欲寫入數(shù)據(jù)至快閃存儲器元件1時，可通過將電子注入電荷補(bǔ)捉層2以改變快閃存儲器元件1的臨界電壓，由此定義快閃存儲器元件1的電平高低態(tài)，而實(shí)現(xiàn)儲存數(shù)據(jù)的功能。在此，注入電子至電荷補(bǔ)捉層2的過程稱為程序化。反之，當(dāng)欲將所儲存的數(shù)據(jù)移除時，通過將所注入的電子從電荷補(bǔ)捉層2中移除，則可使快閃存儲器元件1回復(fù)為未被程序化前的狀態(tài)。[0005]在寫入與抹除過程中，快閃存儲器元件1會隨著電子的多次的注入與移除而造成磨損，導(dǎo)致電子寫入速度增加并造成臨界電壓分布變寬。因此，在快閃存儲器元件1被程序化后無法被正確地識別其儲存狀態(tài)，而產(chǎn)生錯誤比特。特別是，在快閃存儲器元件1處于高溫下，快閃存儲器元件1的數(shù)據(jù)保存力會下降，并且由此會發(fā)生更多的錯誤比特?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0006]本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)寫入方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置，其能夠有效地防止過度程序化并減少錯誤比特的發(fā)生。[0007]本發(fā)明實(shí)施例提出一種數(shù)據(jù)寫入方法，用于將數(shù)據(jù)寫入至存儲器儲存裝置的可重寫非易失性存儲器組件的存儲單元中。此數(shù)據(jù)寫入方法包括：檢測存儲器儲存裝置的運(yùn)行溫度；并且判斷存儲器儲存裝置的運(yùn)行溫度是否大于預(yù)先定義溫度。此數(shù)據(jù)寫入方法還包括，倘若存儲器儲存裝置的運(yùn)行溫度大于預(yù)先定義溫度時，調(diào)整對應(yīng)此可重寫非易失性存儲器組件的至少一預(yù)先定義操作參數(shù)以產(chǎn)生對應(yīng)此可重寫非易失性存儲器組件的至少一個已調(diào)整操作參數(shù)并且根據(jù)此至少一個已調(diào)整操作參數(shù)寫入數(shù)據(jù)至此存儲單元中。[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述調(diào)整對應(yīng)可重寫非易失性存儲器組件的至少一預(yù)先定義操作參數(shù)以產(chǎn)生對應(yīng)可重寫非易失性存儲器組件的至少一個已調(diào)整操作參數(shù)并且根據(jù)此至少一個已調(diào)整操作參數(shù)寫入數(shù)據(jù)至存儲單元中的步驟包括：記錄此存儲單元的磨損程度值；根據(jù)此存儲單元的磨損程度值，調(diào)整對應(yīng)此存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一；以及使用對應(yīng)此存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值來程序化所述存儲單元，以將數(shù)據(jù)寫入至此存儲單元。[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述根據(jù)存儲單元的磨損程度值調(diào)整對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一的步驟包括：隨著存儲單元的磨損程度值增加，降低對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓。[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述根據(jù)存儲單元的磨損程度值調(diào)整對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一的步驟包括：隨著存儲單元的磨損程度值增加，減少對應(yīng)此存儲單元的寫入電壓脈沖時間。[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述使用對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值來程序化存儲單元，以將數(shù)據(jù)寫入至此存儲單元的步驟包括：使用上述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈沖時間與上述補(bǔ)償值來進(jìn)行此存儲單元的至少一個重復(fù)程序化；以及使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈沖時間與上述補(bǔ)償值來進(jìn)行該存儲單元的其他重復(fù)程序化。[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述存儲單元的磨損程度值是依據(jù)此存儲單元的抹除次數(shù)、寫入次數(shù)、錯誤比特數(shù)、錯誤比特比例及讀取次數(shù)的至少其中之一來決定。[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述根據(jù)此存儲單元的磨損程度值調(diào)整對應(yīng)此存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一的步驟包括：隨著存儲單元的磨損程度值增加，減少對應(yīng)此存儲單元的補(bǔ)償值。[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述使用對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值來程序化存儲單元，以將數(shù)據(jù)寫入至此存儲單元的步驟包括：使用上述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈沖時間與所減少的補(bǔ)償值來進(jìn)行該存儲單元的至少一個重復(fù)程序化；以及使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈沖時間與所述補(bǔ)償值來進(jìn)行該存儲單元的其他重復(fù)程序化。[0015]本發(fā)明一實(shí)施例提出一種存儲器控制電路單元，用于將數(shù)據(jù)寫入至可重寫非易失性存儲器組件的存儲單元。本存儲器控制電路單元包括主機(jī)接口、存儲器接口、存儲器管理電路與溫度傳感器。主機(jī)接口用于電性連接至主機(jī)系統(tǒng)。存儲器接口用于電性連接至可重寫非易失性存儲器組件。存儲器管理電路電性連接至主機(jī)接口與存儲器接口。溫度傳感器用于檢測存儲器儲存裝置的運(yùn)行溫度。存儲器管理電路用于判斷存儲器儲存裝置的運(yùn)行溫度是否大于預(yù)先定義溫度。倘若存儲器儲存裝置的運(yùn)行溫度大于預(yù)先定義溫度時，存儲器管理電路還用于調(diào)整對應(yīng)此可重寫非易失性存儲器組件的至少一預(yù)先定義操作參數(shù)以產(chǎn)生對應(yīng)此可重寫非易失性存儲器組件的至少一個已調(diào)整操作參數(shù)并且根據(jù)此至少一個已調(diào)整操作參數(shù)下達(dá)指令序列給可重寫非易失性存儲器組件以寫入數(shù)據(jù)至此存儲單元中。[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述調(diào)整對應(yīng)可重寫非易失性存儲器組件的至少一預(yù)先定義操作參數(shù)以產(chǎn)生對應(yīng)可重寫非易失性存儲器組件的至少一個已調(diào)整操作參數(shù)并且根據(jù)此至少一個已調(diào)整操作參數(shù)下達(dá)指令序列給可重寫非易失性存儲器組件以寫入數(shù)據(jù)至此存儲單元中的操作中，上述存儲器管理電路記錄此存儲單元的磨損程度值，根據(jù)此存儲單元的磨損程度值調(diào)整對應(yīng)此存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一，并且使用對應(yīng)此存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值來程序化此存儲單元，以將數(shù)據(jù)寫入至存儲單元。[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)存儲單元的磨損程度值調(diào)整對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一的操作中，存儲器管理電路用于隨著所述存儲單元的磨損程度值增加，降低對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓。[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)存儲單元的磨損程度值調(diào)整對應(yīng)此存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一的操作中，存儲器管理電路用于隨著存儲單元的磨損程度值增加，減少對應(yīng)此存儲單元的寫入電壓脈沖時間。[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在所述使用對應(yīng)所述存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值來程序化存儲單元，以將數(shù)據(jù)寫入至此存儲單元的操作中，所述存儲器管理電路使用上述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈沖時間與上述補(bǔ)償值來進(jìn)行存儲單元的至少一個重復(fù)程序化，并且使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈沖時間與上述補(bǔ)償值來進(jìn)行存儲單元的其他重復(fù)程序化。[0020]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)存儲單元的磨損程度值調(diào)整對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一的操作中，存儲器管理電路用于隨著存儲單元的磨損程度值增加，減少對應(yīng)存儲單元的補(bǔ)償值。[0021]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在所述使用對應(yīng)所述存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值來程序化存儲單元，以將數(shù)據(jù)寫入至此存儲單元的操作中，存儲器管理電路使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈沖時間與所減少的補(bǔ)償值來進(jìn)行此存儲單元的至少一個重復(fù)程序化，并且使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈沖時間與上述補(bǔ)償值來進(jìn)行存儲單元的其他重復(fù)程序化。[0022]本發(fā)明一實(shí)施例提出一種存儲器儲存裝置，其包括連接接口單元、可重寫非易失性存儲器組件與存儲器控制電路單元。連接接口單元用于電性連接至主機(jī)系統(tǒng)。存儲器控制電路單元電性連接至連接接口單元與可重寫非易失性存儲器組件。存儲器控制電路單元用于檢測存儲器儲存裝置的運(yùn)行溫度，并且判斷存儲器儲存裝置的運(yùn)行溫度是否大于預(yù)先定義溫度。倘若存儲器儲存裝置的運(yùn)行溫度大于預(yù)先定義溫度時，存儲器控制電路單元還用于調(diào)整對應(yīng)此可重寫非易失性存儲器組件的至少一預(yù)先定義操作參數(shù)以產(chǎn)生對應(yīng)可重寫非易失性存儲器組件的至少一個已調(diào)整操作參數(shù)并且根據(jù)此至少一個已調(diào)整操作參數(shù)下達(dá)指令序列給可重寫非易失性存儲器組件以寫入數(shù)據(jù)至存儲單元中。[0023]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述調(diào)整對應(yīng)可重寫非易失性存儲器組件的至少一預(yù)先定義操作參數(shù)以產(chǎn)生對應(yīng)此可重寫非易失性存儲器組件的至少一個已調(diào)整操作參數(shù)并且根據(jù)此至少一個已調(diào)整操作參數(shù)下達(dá)指令序列給可重寫非易失性存儲器組件以寫入數(shù)據(jù)至該存儲單元中的操作中，存儲器控制電路單元記錄存儲單元的磨損程度值，根據(jù)存儲單元的磨損程度值調(diào)整對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一，并且通過使用對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值來程序化存儲單元，以將數(shù)據(jù)寫入至存儲單元。[0024]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)存儲單元的磨損程度值調(diào)整對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一的操作中，存儲器控制電路單元用于隨著存儲單元的磨損程度值增加，降低對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓。[0025]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)存儲單元的磨損程度值調(diào)整對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一的操作中，存儲器控制電路單元用于隨著存儲單元的磨損程度值增加，減少對應(yīng)存儲單元的寫入電壓脈沖時間。[0026]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在使用對應(yīng)所述存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值來程序化存儲單元，以將數(shù)據(jù)寫入至存儲單元的操作中，存儲器控制電路單元使用上述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈沖時間與上述補(bǔ)償值來進(jìn)行存儲單元的至少一個重復(fù)程序化，并且使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈沖時間與上述補(bǔ)償值來進(jìn)行該存儲單元的其他重復(fù)程序化。[0027]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述根據(jù)存儲單元的磨損程度值調(diào)整對應(yīng)存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值的至少其中之一的操作中，存儲器控制電路單元用于隨著存儲單元的磨損程度值增加，減少對應(yīng)存儲單元的補(bǔ)償值。[0028]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在使用對應(yīng)所述存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補(bǔ)償值來程序化存儲單元，以將數(shù)據(jù)寫入至存儲單元的操作中，存儲器控制電路單元使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈沖時間與所減少的補(bǔ)償值來進(jìn)行存儲單元的至少一個重復(fù)程序化，并且使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈沖時間與上述補(bǔ)償值來進(jìn)行存儲單元的其他重復(fù)程序化。[0029]基于上述，本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)據(jù)寫入方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置能夠根據(jù)存儲單元的磨損，調(diào)整注入至存儲單元的電子，由此正確地將數(shù)據(jù)寫入至存儲單元中。[0030]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下?！靖綀D說明】[0031]圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所示出的快閃存儲器元件的示意圖；[0032]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所示出的數(shù)據(jù)寫入方法的流程圖；[0033]圖3是根據(jù)第一實(shí)施例所示出的主機(jī)系統(tǒng)與存儲器儲存裝置的示意圖；[0034]圖4是根據(jù)一實(shí)施例所示出的電腦、輸入/輸出裝置與存儲器儲存裝置的示意圖；[0035]圖5是根據(jù)當(dāng)前第1頁1 2 3 4 5 6