存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)。
[0121]需要說明的是，所述確定模塊20通過確定所述讀取裝置是否讀數(shù)到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)來確定所述磁疇是否移動(dòng)了至少2bit位置。若確定所述讀取裝置讀數(shù)到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，則表明所述控制器發(fā)送的驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度過大導(dǎo)致所述磁疇移動(dòng)了至少2bit位置，從而會(huì)導(dǎo)致所述磁性存儲(chǔ)設(shè)備發(fā)生讀寫錯(cuò)誤。若確定所述讀取裝置未讀數(shù)到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，則表明所述發(fā)送模塊10發(fā)送的驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度未驅(qū)動(dòng)所述磁疇移動(dòng)了至少2bit位置。其中，所述確定模塊確定讀取裝置獲得所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)的表現(xiàn)形式之一是獲得的數(shù)據(jù)在預(yù)定時(shí)間內(nèi)發(fā)生變化(即所述磁疇的阻態(tài)在預(yù)設(shè)時(shí)間發(fā)生改變)。
[0122]所述發(fā)送模塊還用于在確定所述讀取裝置未讀取所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)時(shí)，向所述磁性存儲(chǔ)軌道和所述讀取裝置發(fā)送第j+ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖，其中，所述第j+1個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度比第j個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度增加第二預(yù)設(shè)強(qiáng)度值。
[0123]其中，在本實(shí)施方式中，所述第二預(yù)設(shè)強(qiáng)度值為所述第j個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的十分之一。即若第j個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為H,，則所述第j+Ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為Hj+1 = _2。其中，D2為第二預(yù)設(shè)強(qiáng)度值。所述D2 = H/10。當(dāng)然，在D2 = H/10中，分母“10”可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)需要精確性較高，則分母可以設(shè)置較大。即在其他實(shí)施方式中，所述第二預(yù)設(shè)強(qiáng)度值也可以為所述第j個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的百分之一。所述第二預(yù)設(shè)強(qiáng)度值也可以與第一預(yù)設(shè)強(qiáng)度值相等。
[0124]所述確定模塊20還用于在確定所述讀取裝置在所述第j+Ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)下讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中所述兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)時(shí)，確定第j個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為所述磁疇的最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0125]其中，若所述確定模塊20確定所述讀取裝置未讀數(shù)到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，則表明所述控制器發(fā)送的驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度還未達(dá)到可以驅(qū)動(dòng)所述磁疇移動(dòng)Ibit位置的極限，需要增加再次發(fā)送的驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，直至所述確定模塊20確定所述讀取裝置讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，表明所述磁疇移動(dòng)了 2bit位置為止。
[0126]需要說明的是，當(dāng)所述確定模塊20確定第j+Ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度使得所述讀取裝置讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，表明所述磁疇移動(dòng)了 2bit位置，而第j個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度未使得所述讀取裝置讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，則第j個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為確保所述磁疇移動(dòng)Ibit位置的最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0127]因此，所述發(fā)送模塊21只要發(fā)送驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度等于或大于所述最小驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度且小于或等于所述最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的驅(qū)動(dòng)脈沖至所述磁性存儲(chǔ)軌道，便可驅(qū)動(dòng)所述磁疇移動(dòng)Ibit位置，從而確保所述磁性存儲(chǔ)設(shè)備不發(fā)生讀寫錯(cuò)誤。
[0128]請(qǐng)參閱圖六，本發(fā)明實(shí)施例第四方案的實(shí)施方式提供一種控制器200。所述控制器200應(yīng)用于磁性存儲(chǔ)設(shè)備中，以確定所述磁性存儲(chǔ)設(shè)備中磁疇的驅(qū)動(dòng)脈沖。其中，所述磁性存儲(chǔ)設(shè)備包括由磁疇組成的磁性存儲(chǔ)軌道，控制器及讀取裝置，所述控制器用于向所述磁性存儲(chǔ)軌道和所述讀取裝置發(fā)送驅(qū)動(dòng)脈沖。所述控制器包括發(fā)送模塊210及確定模塊220。
[0129]所述發(fā)送模塊210用于向所述磁性存儲(chǔ)軌道和所述讀取裝置發(fā)送第k個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖，其中，所述k是不為O的自然數(shù)。
[0130]所述確定模塊用于確定所述讀取裝置在所述第k個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)下是否讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)。
[0131]需要說明的是，在本實(shí)施方式中，k可以為自然數(shù)1，且使所述發(fā)送模塊210第一次發(fā)送的驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度足夠大，以驅(qū)動(dòng)所述磁疇移動(dòng)至少2bit位置，從而使得所述讀取裝置讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中至少兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)。所述驅(qū)動(dòng)脈沖可以為電流脈沖或電場(chǎng)脈沖。
[0132]所述發(fā)送模塊210還用于在確定所述讀取裝置讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)時(shí)，向所述磁性存儲(chǔ)軌道和所述讀取裝置發(fā)送第k+Ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖，其中，第k+1個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度比第k個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度減小第一預(yù)設(shè)強(qiáng)度值。
[0133]其中，在本實(shí)施方式中，所述第一預(yù)設(shè)強(qiáng)度值為所述第k個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的十分之一。即若第k個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為Hk，則所述第k+Ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為Hk+1 = Hk-Nl0其中，NI為第一預(yù)設(shè)強(qiáng)度值。所述NI = Hk/10。當(dāng)然，在NI = Hk/10中，分母“10”可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)需要精確性較高時(shí)，則分母可以設(shè)置較大。即在其他實(shí)施方式中，所述第一預(yù)設(shè)強(qiáng)度值也可以為所述第k個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的百分之
O
[0134]所述確定模塊220還用于在確定所述讀取裝置在第k+Ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)下未讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)時(shí)，確定第k+Ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為所述磁疇的最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0135]需要說明的是，所述確定模塊220通過確定所述讀取裝置是否讀數(shù)到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)來確定所述磁疇是否移動(dòng)了至少2bit位置。若確定所述讀取裝置讀數(shù)到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，則表明所述控制器發(fā)送的驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度過大導(dǎo)致所述磁疇移動(dòng)了至少2bit位置，從而會(huì)導(dǎo)致所述磁性存儲(chǔ)設(shè)備發(fā)生讀寫錯(cuò)誤。則所述發(fā)送模塊210需要減小再次發(fā)送的驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，直至所述確定模塊220確定所述讀取裝置讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中一個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，表明所述磁疇僅移動(dòng)了Ibit位置為止。其中，所述確定模塊220確定讀取裝置獲得所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)的表現(xiàn)形式之一是獲得的數(shù)據(jù)在預(yù)定時(shí)間內(nèi)發(fā)生變化(即所述磁疇的阻態(tài)在預(yù)設(shè)時(shí)間發(fā)生改變)。當(dāng)獲取的數(shù)據(jù)在預(yù)定時(shí)間內(nèi)未發(fā)生變化，則表明所述讀取裝置獲得了所述磁性存儲(chǔ)軌道的一個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)。
[0136]需要說明的是，當(dāng)所述確定模塊確定第k個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度使得所述讀取裝置讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，表明所述磁疇移動(dòng)了 2bit位置，而第k+1個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度未使得所述讀取裝置讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，則可以確定第k+Ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為確保所述磁疇移動(dòng)Ibit位置的最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0137]因此，所述發(fā)送模塊210只要發(fā)送驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度等于或略小于所述最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的驅(qū)動(dòng)脈沖至所述磁性存儲(chǔ)軌道，便可驅(qū)動(dòng)所述磁疇移動(dòng)Ibit位置，從而確保所述磁性存儲(chǔ)設(shè)備不發(fā)生讀寫錯(cuò)誤。
[0138]在本實(shí)施方式中，所述發(fā)送模塊210向所述磁性存儲(chǔ)軌道和所述讀取裝置發(fā)送第k個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖，其中，所述k是不為O的自然數(shù)。所述確定模塊220確定所述讀取裝置在所述第k個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)下是否讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)；所述發(fā)送模塊210在確定所述讀取裝置讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)時(shí)，向所述磁性存儲(chǔ)軌道和所述讀取裝置發(fā)送第k+Ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖，其中，第k+1個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度比第k個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度減小第一預(yù)設(shè)強(qiáng)度值。所述確定模塊220確定所述讀取裝置在第k+Ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)下未讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中兩個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)；確定第k+Ι個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為所述磁疇的最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。因此，本發(fā)明實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了確定驅(qū)動(dòng)所述磁疇移動(dòng)的最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的目的。且由于本發(fā)明實(shí)施例已經(jīng)確定了磁疇移動(dòng)的最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，因此可以使所述控制器發(fā)送驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度等于或略小于所述最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的驅(qū)動(dòng)脈沖便可精確地驅(qū)動(dòng)磁疇移動(dòng)ibit位置，確保了磁性存儲(chǔ)設(shè)備不發(fā)生讀寫錯(cuò)誤。
[0139]進(jìn)一步地，所述發(fā)送模塊210還用于向所述磁性存儲(chǔ)軌道和所述讀取裝置發(fā)送第m個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖，其中，所述m為大于k+Ι的自然數(shù)。
[0140]所述確定模塊220還用于確定所述讀取裝置在所述第m個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)下是否讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中一個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)。
[0141]需要說明的是，所述確定模塊220通過確定所述讀取裝置是否讀數(shù)到所述磁性存儲(chǔ)軌道中一個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)來確定所述磁疇是否移動(dòng)了 Ibit位置。若確定所述讀取裝置讀數(shù)到所述磁性存儲(chǔ)軌道中一個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，則表明所述發(fā)送模塊210發(fā)送的驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度未達(dá)到驅(qū)動(dòng)所述磁疇移動(dòng)了 Ibit位置的極限。所述發(fā)送模塊210需要減小再次發(fā)送的驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，直至所述確定模塊220確定所述讀取裝置未讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中一個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，表明所述磁疇未被移動(dòng)為止。
[0142]所述發(fā)送模塊210還用于在確定所述讀取裝置讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中一個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)時(shí)，向所述磁性存儲(chǔ)軌道和所述讀取裝置發(fā)送第m+1個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖，其中，第m+1個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度比第m個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度減小第二預(yù)設(shè)強(qiáng)度值。
[0143]其中，在本實(shí)施方式中，所述第二預(yù)設(shè)強(qiáng)度值為所述第m個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的十分之一。即若第m個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為Hni,則所述第m+1個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為Η?+1 = Ηη-Ν20其中，Ν2為第二預(yù)設(shè)強(qiáng)度值。所述Ν2 = H?/10。當(dāng)然，在N2 = Hn/10中，分母“10”可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)需要精確性較高，則分母可以設(shè)置較大。即在其他實(shí)施方式中，所述第二預(yù)設(shè)強(qiáng)度值也可以為所述第m個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的百分之一。所述第二預(yù)設(shè)強(qiáng)度值也可以與第一預(yù)設(shè)強(qiáng)度值相等。
[0144]所述確定模塊220還用于在確定所述讀取裝置在第m+1個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)下未讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道一個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)時(shí)，確定所述第m個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為所述磁疇的最小驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0145]其中，若所述確定模塊220確定所述讀取裝置未讀數(shù)到所述磁性存儲(chǔ)軌道中一個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，則表明所述發(fā)送模塊210發(fā)送的驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度已太小，已無法驅(qū)動(dòng)所述磁疇移動(dòng)Ibit位置。
[0146]需要說明的是，當(dāng)所述確定模塊220確定第m+1個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度使得所述讀取裝置未讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中一個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，表明所述磁疇未被移動(dòng)，而第m個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度使得所述讀取裝置讀取到所述磁性存儲(chǔ)軌道中一個(gè)磁疇的數(shù)據(jù)，則第m個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為確保所述磁疇移動(dòng)Ibit位置的最小驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
[0147]因此，所述發(fā)送模塊210只要發(fā)送驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度等于或大于所述最小驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度且小于或等于所述最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的驅(qū)動(dòng)脈沖至所述磁性存儲(chǔ)軌道，便可驅(qū)動(dòng)所述磁疇移動(dòng)Ibit位置，從而確保所述磁性存儲(chǔ)設(shè)備不發(fā)生讀寫錯(cuò)誤。
[0148]請(qǐng)參閱圖7，本發(fā)明實(shí)施例第五方案實(shí)施方式提供一種磁性存儲(chǔ)設(shè)備400。所述磁性存儲(chǔ)設(shè)備400包括由磁疇組成的磁性存儲(chǔ)軌道410、讀取裝置420及上述第三或第四方案提供的控制器。所述控制器連接至所述磁性存儲(chǔ)軌道410及所述讀取裝置420，以向所述磁性存儲(chǔ)軌道410和所述讀取裝置420發(fā)送驅(qū)動(dòng)脈沖。由于所述控制器已在上述第三或第四方案中進(jìn)行了詳細(xì)的描述，故在此不再贅述。
[0149]在本發(fā)