全像盤片與全像儲存系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種全像盤片與全像儲存系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的發(fā)展，電子檔案的所需儲存用量也跟著上升。常見的儲存方式為記錄儲存介質(zhì)表面上磁或光的變化，以作為所儲存數(shù)據(jù)的依據(jù)，例如磁盤片或光盤片。然而，隨著電子檔案的所需儲存用量增加，全像儲存的技術(shù)發(fā)展開始受到注目。
[0003]全像儲存技術(shù)為透過訊號光以及參考光產(chǎn)生干涉后，將影像數(shù)據(jù)寫入儲存介質(zhì)(感光材料)內(nèi)。當(dāng)讀取數(shù)據(jù)時，透過重新照射參考光至儲存介質(zhì)(感光材料)上，即可產(chǎn)生影像數(shù)據(jù)。接著，所產(chǎn)生的影像數(shù)據(jù)再被檢測器讀取。也就是說，全像儲存技術(shù)的儲存容量與其儲存介質(zhì)(感光材料)具有相關(guān)性，而如何提升全像儲存技術(shù)的儲存容量亦成為當(dāng)前相關(guān)領(lǐng)域研究的目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種全像盤片，包含儲存層與四分之一波片層。儲存層包含反射結(jié)構(gòu)層，其中反射結(jié)構(gòu)層包含腔體用以限制寫入光束之?dāng)U散面積。因此，當(dāng)對儲存層進行寫入時，由參考光與訊號光組成的光束將被限定在腔體所定義的區(qū)域內(nèi)，使得參考光與訊號光之混合程度提升，并藉此提升腔體內(nèi)的感光材料使用率。此外，四分之一波片層設(shè)置以使抑制全像盤片于讀取程序時所產(chǎn)生之噪聲。
[0005]優(yōu)選地，本發(fā)明提供一種全像盤片，包含反射層、儲存層與四分之一波片層。儲存層設(shè)置于反射層上，并包含反射結(jié)構(gòu)層與感光單元。反射結(jié)構(gòu)層具有腔體，并為網(wǎng)格狀。腔體貫穿反射結(jié)構(gòu)層。感光單元設(shè)置于腔體中。四分之一波片層設(shè)置于反射層與感光單元之間。
[0006]優(yōu)選地，四分之一波片層位于反射層與反射結(jié)構(gòu)層之間。
[0007]優(yōu)選地，四分之一波片層位于反射結(jié)構(gòu)層的腔體中。
[0008]優(yōu)選地，全像盤片更包含偶氮染料層。偶氮染料層設(shè)置于四分之一波片層與感光單元之間，并與反射層相對。
[0009]優(yōu)選地，全像盤片更包含液晶層與配向?qū)印Ｒ壕优c配向?qū)釉O(shè)置于四分之一波片層與感光單元之間，其中液晶層位于配向?qū)优c四分之一波片層之間。
[0010]優(yōu)選地，配向?qū)右源怪狈较蛴^之為圓形。配向?qū)泳哂幸酝膱A方式排列之配向方向，并設(shè)置以使液晶層中的液晶沿配向?qū)拥那邢蚍较蚺帕小?br>[0011 ] 優(yōu)選地，液晶層包含熱致液晶或溶致液晶。
[0012]本發(fā)明所要解決的另一個技術(shù)問題是提供一種全像儲存系統(tǒng)，包含全像盤片、全像光源模塊、空間光調(diào)制器、分光模塊、物鏡、接收器與濾波組件。全像盤片包含儲存層，其中儲存層包含反射結(jié)構(gòu)層與感光單元。反射結(jié)構(gòu)層具有腔體并為網(wǎng)格狀，腔體貫穿反射結(jié)構(gòu)層。感光單元設(shè)置于腔體中。全像光源模塊設(shè)置以提供訊號光以及參考光?？臻g光調(diào)制器設(shè)置以接收全像光源模塊提供的訊號光以及參考光，并調(diào)制訊號光以及參考光。訊號光以及參考光經(jīng)空間光調(diào)制器調(diào)制后透過分光模塊與物鏡射向全像盤片。接收器設(shè)置以接收自全像盤片反射的參考光。濾波組件設(shè)置于參考光的光路上并為網(wǎng)格狀，其中濾波組件的每一個網(wǎng)格與反射結(jié)構(gòu)層的每一個網(wǎng)格具有相同形狀。
[0013]優(yōu)選地，濾波組件由吸光材料構(gòu)成。
[0014]優(yōu)選地，濾波組件的設(shè)置位置對應(yīng)于全像盤片朝向物鏡之表面的光學(xué)共軛位置。
[0015]優(yōu)選地，全像儲存系統(tǒng)更包含致動器。致動器連接濾波組件。
[0016]優(yōu)選地，濾波組件設(shè)置于參考光之光路對應(yīng)自空間光調(diào)制器至物鏡之間的位置。
[0017]優(yōu)選地，濾波組件設(shè)置于參考光之光路對應(yīng)自全像盤片至接收器之間的位置。
[0018]優(yōu)選地，穿過濾波組件的參考光之入射面具有遮蔽區(qū)域。遮蔽區(qū)域的輪廓對應(yīng)于反射結(jié)構(gòu)層的網(wǎng)格狀。濾波組件的設(shè)置位置使遮蔽區(qū)域之面積介于反射結(jié)構(gòu)層的網(wǎng)格狀之面積的0.5倍至2倍之間。
[0019]優(yōu)選地，全像盤片更包含第一基板與第二基板。儲存層位于第一基板與第二基板之間，且第一基板與物鏡位于儲存層之同側(cè)。第一基板以及第二基板皆為穿透基板。
[0020]優(yōu)選地，全像盤片更包含第一基板與第二基板。儲存層位于第一基板與第二基板之間，且第一基板與物鏡位于儲存層之同側(cè)。第一基板以及第二基板分別為穿透基板與反射基板。
[0021]本發(fā)明所要解決的再一種技術(shù)問題是提供一種全像儲存系統(tǒng)，包含全像盤片、全像光源模塊、空間光調(diào)制器、分光模塊與物鏡。全像盤片包含儲存層，其中儲存層包含反射結(jié)構(gòu)層與感光單元。反射結(jié)構(gòu)層具有腔體并為網(wǎng)格狀，腔體貫穿反射結(jié)構(gòu)層。感光單元設(shè)置于腔體中。全像光源模塊設(shè)置以提供訊號光以及參考光。空間光調(diào)制器設(shè)置以接收全像光源模塊提供的訊號光以及參考光，并調(diào)制訊號光以及參考光?？臻g光調(diào)制器具有遮蔽紋路。遮蔽紋路用以遮蔽調(diào)制后的參考光，使得調(diào)制后的參考光之入射面具有網(wǎng)格狀。參考光的每一個網(wǎng)格與反射結(jié)構(gòu)層的每一個網(wǎng)格具有相同形狀。訊號光以及參考光經(jīng)空間光調(diào)制器調(diào)制后透過分光模塊與物鏡射向全像盤片。
[0022]優(yōu)選地，調(diào)制后的參考光具有遮蔽區(qū)域。遮蔽區(qū)域的輪廓對應(yīng)于反射結(jié)構(gòu)層的網(wǎng)格狀?？臻g光調(diào)制器的設(shè)置位置使遮蔽區(qū)域之面積介于反射結(jié)構(gòu)層的網(wǎng)格狀之面積的0.5倍至2倍之間。
[0023]優(yōu)選地，全像盤片更包含第一基板與第二基板。儲存層位于第一基板與第二基板之間，且第一基板與物鏡位于儲存層之同側(cè)。第一基板以及第二基板皆為穿透基板。
[0024]優(yōu)選地，全像盤片更包含第一基板與第二基板。儲存層位于第一基板與第二基板之間，且第一基板與物鏡位于儲存層之同側(cè)。第一基板以及第二基板分別為穿透基板與反射基板。
【附圖說明】
[0025]圖1A是本發(fā)明之第一實施方式的全像盤片的爆炸圖。
[0026]圖1B為圖1A中的全像盤片的側(cè)剖面示意圖。
[0027]圖2為本發(fā)明之第二實施方式的全像盤片側(cè)剖面示意圖。
[0028]圖3為本發(fā)明之第三實施方式的全像盤片的側(cè)剖面示意圖。
[0029]圖4A為本發(fā)明之第四實施方式的全像盤片的側(cè)剖面示意圖。
[0030]圖4B為圖4A中的配向?qū)拥纳弦暿疽鈭D。
[0031]圖5為本發(fā)明之第五實施方式的全像儲存系統(tǒng)的配置示意圖。
[0032]圖6A至圖6D為圖5之全像盤片的儲存層于多個實施例中的上視示意圖。
[0033]圖7A為濾波組件對應(yīng)圖6C的儲存層的正面示意圖。
[0034]圖7B為讀取光被圖7A之濾波組件遮蔽后之入射面的光型示意圖。
[0035]圖8為本發(fā)明之第六實施方式的全像儲存系統(tǒng)的配置示意圖。
[0036]圖9為本發(fā)明之第七實施方式的全像儲存系統(tǒng)的配置示意圖。
[0037]圖1OA為本發(fā)明之第八實施方式的全像儲存系統(tǒng)的配置示意圖。
[0038]圖1OB為第1A圖中的空間光調(diào)制器的正面示意圖。
[0039]100全像儲存系統(tǒng)；102全像光源模塊；104空間光調(diào)制器；106遮蔽紋路；108分光模塊；110物鏡；112濾波組件；114接收器；116致動器；120全像盤片；122第一基板；124第二基板；126反射層；128儲存層；
130反射結(jié)構(gòu)層；132腔體；134感光單元；136四分之一波片層；138偶氮染料層；140液晶層；142配向?qū)樱?br> 144配向方向；146切向方向；148透鏡；150分光器；152反射鏡；
A遮蔽區(qū)域D繞射光S訊號光R參考光 N散射光L讀取光。
【具體實施方式】
[0040]以下將以圖式及詳細說明清楚說明本發(fā)明之精神，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在了解本發(fā)明之較佳實施方式后，當(dāng)可由本發(fā)明所教示之技術(shù)，加以改變及修飾，其并不脫離本發(fā)明之精神與范圍。
[0041]于全像儲存系統(tǒng)中，當(dāng)全像盤片進行寫入儲存數(shù)據(jù)時，由訊號光以及參考光組成的光束需要對一定范圍的感光材料進行干涉以及曝光。然而，實際因儲存數(shù)據(jù)所需要用到的感光材料范圍小于此曝光范圍，使得多余的感光材料沒有被使用，進而減少感光材料的使用率。當(dāng)全像盤片中的感光材料使用率減少時，也同時降低了全像盤片的儲存容量。
[0042]有鑒于此，本發(fā)明之全像盤片透過反射結(jié)構(gòu)層與腔體限制寫入光束之?dāng)U散面積。因此，參考光與訊號光之混合程度提升，使得感光材料之使用率也增加。同樣地，當(dāng)儲存層中的感光材料使用率增加時，全像盤片的儲存容量也可以獲得提升。此外，全像盤片包含四分之一波片層，其設(shè)置以減少全像盤片于讀取程序時所產(chǎn)生之噪聲。
[0043]請同時參照圖1A以及圖1B。圖1A繪示本發(fā)明之第一實施方式的全像盤片120的爆炸圖。圖1B為圖1A中的全像盤片120的側(cè)剖面示意圖。全像盤片120包含反射層126、儲存層128與四分之一波片層136。儲存層128設(shè)置于