存儲裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的閃存電路其壽命會受到兩個因素影響:第一、當(dāng)閃存正在寫操作時，插拔閃存，可能導(dǎo)致過高電壓，損壞閃存電路；第二頻繁寫操作會降低閃存壽命。在一些需要長期工作，不方便維修和更換的領(lǐng)域，例如越來越被關(guān)注的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，有必要進(jìn)一步提高閃存電路的壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種存儲裝置，可以實(shí)現(xiàn)對閃存單元的保護(hù)，避免閃存單元過壓而損壞，同時，在此基礎(chǔ)上還可以進(jìn)一步提高閃存單元的壽命和可靠性。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種存儲裝置，該裝置包括:
[0005]閃存單元，用于存儲數(shù)據(jù)；電荷栗，用于升高電源電壓，為閃存單元提供工作電壓；電壓比較電路，包括第一輸入端和第二輸入端和輸出端，第一輸入端連接至電源電壓，第二輸入端耦合至電源電壓且經(jīng)電容接地；輸出端耦合至電荷栗；開關(guān)管，其控制端連接至電壓比較電路的輸出端；第一連接端接電荷栗的輸出電壓端；第二連接端接地。
[0006]其中，在存儲裝置掉電時，電壓比較電路通過比較電源電壓和電容的電壓，產(chǎn)生控制信號；控制信號控制電荷栗的開啟或關(guān)閉，同時控制開關(guān)管的關(guān)斷或?qū)?，開關(guān)管導(dǎo)通時將電荷栗的輸出電壓拉低。
[0007]優(yōu)選地，該裝置還包括:數(shù)據(jù)讀取單元，用于讀取閃存單元的待寫入?yún)^(qū)域的現(xiàn)有數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)比較單元，用于比較現(xiàn)有數(shù)據(jù)和待寫入的數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)寫入單元，將待寫入的數(shù)據(jù)與現(xiàn)有數(shù)據(jù)中不相同的部分寫入閃存單元的對應(yīng)區(qū)域，忽略待寫入的數(shù)據(jù)與現(xiàn)有數(shù)據(jù)中相同的部分。
[0008]優(yōu)選地，電源電壓提供閃存單元數(shù)據(jù)讀操作的電壓。
[0009]優(yōu)選地，電荷栗的輸出電壓提供所述閃存單元數(shù)據(jù)寫操作的電壓。
[0010]優(yōu)選地，電容為電壓比較電路提供電源電壓。
[0011]優(yōu)選地，該裝置還包括:單向器件，單向器件的輸入端連接至電源電壓，單向器件的輸出端耦合至電壓比較電路的第二輸入端且經(jīng)電容接地。
[0012]優(yōu)選地，電壓比較電路在其第二輸入端的電壓高于其第一輸入端的電壓時，輸出信號控制開關(guān)管導(dǎo)通，并控制電荷栗關(guān)閉；或電壓比較電路在其第二輸入端的電壓不高于其第一輸入端的電壓時，輸出信號控制開關(guān)管關(guān)斷，并控制電荷栗啟動。
[0013]優(yōu)選地，單向器件為二極管，二極管陽極為輸入端，陰極為輸出端。
[0014]優(yōu)選地，開關(guān)管為NMOS管。
[0015]本發(fā)明可以避免拔掉該存儲裝置(閃存單元)或其他原因掉電時，閃存單元過高壓，損壞閃存電路，同時，本發(fā)明還能減少閃存單元的平均寫操作次數(shù)，提高閃存單元的壽命和可靠性。
【附圖說明】
[0016]為了更清楚說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1提供的存儲裝置示意圖；
[0018]圖2為本發(fā)明實(shí)施例2提供的存儲裝置示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0020]為便于對本發(fā)明實(shí)施例的理解，下面將結(jié)合附圖以具體實(shí)施例做進(jìn)一步的解釋說明。
[0021]實(shí)施例1:
[0022]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1提供的一種存儲裝置示意圖。如圖1所示，該存儲裝置包括:閃存單元(Flash Cell)、電荷栗(Charge Pump)、開關(guān)管、電壓比較電路(Comparator)、單向器件、電容Cl。
[0023]需要說明的是，開關(guān)管可以是NMOS管、PMOS管、三極管或可控硅等類型的開關(guān)器件。單向器件也可以有其他變換類型，比如采用二極管接法的MOS管等。本發(fā)明實(shí)施例采用其中的開關(guān)管為NMOS管MN1，單向器件為二極管Dl為例，對本發(fā)明進(jìn)行解釋說明。
[0024]電源電壓VIN接入二極管Dl的陽極，二極管Dl的陰極與電容Cl的一端相連接，電容Cl的另一端接地，電容Cl的電壓VCl接入電壓比較電路的第二輸入端，電源電壓VIN接入電壓比較電路的第一輸入端；電容電壓VCl還接入到電壓比較電路的正電源輸入端，電壓比較電路的負(fù)電源輸入端接地；電源電壓VIN還接入到電荷栗單元和閃存單元；電壓比較電路輸出控制信號DCH，控制信號DCH接入開關(guān)管NMOS管麗I的柵極；電荷栗的輸出電壓VCP分別接入NMOS管MNl的漏極和閃存單元，NMOS管MNl的源極接地。
[0025]電源電壓VIN輸入到電荷栗，電荷栗輸出電壓VCP，并將電壓VCP輸入到閃存單元。電荷栗為開關(guān)電容式電壓變換器，是一種DC-DC變換器，能使輸入電壓升高或降低，由于閃存單元寫操作需要高壓，所以電荷栗將輸入電壓升高到足夠?qū)崿F(xiàn)對閃存單元正確寫操作的電壓，以便提供閃存單元寫操作的電壓。電源電壓VIN還輸入到閃存單元，當(dāng)對閃存單元正常讀操作時，閃存單元以電源電壓VIN來供電。
[0026]電壓比較電路的兩個輸入端分別接入電容電壓VCl和電源電壓VIN，電容電壓VCl還接入電壓比較電路的正電源輸入端，負(fù)電源輸入端接地，電容電壓VCl還為電壓比較電路正常工作供電。電壓比較電路比較電源電壓VIN與電容電壓VCl，在電壓比較電路第二輸入端的電容電壓VCl高于其第一輸入端的電源電壓VIN時，輸出信號控制開關(guān)管(圖1中的NMOS管麗I)導(dǎo)通，并控制電荷栗關(guān)閉；或在電壓比較電路第二輸入端的電容電壓VCl不高于其第一輸入端的電源電壓VIN時，輸出信號控制開關(guān)管(圖1中的NMOS管麗I)關(guān)斷，并控制電荷栗啟動。
[0027]當(dāng)該存儲裝置正常通電時，由于這里的單向器件(圖1中的二極管Dl)上會有一定的壓降，電容電壓VCl會小于或約等于電源電壓VIN，此時電壓比較電路的輸出信號DCH為低電平，控制電荷栗啟動，并控制開關(guān)管NMOS管麗I關(guān)斷。
[0028]當(dāng)該存儲裝置(或閃存)被拔出或其他原因?qū)е碌綦姇r，電源電壓VIN會迅速下降，此時電壓比較電路的輸出信號DCH將變?yōu)楦唠娖?，控制關(guān)閉電荷栗，同時導(dǎo)致開關(guān)管NMOS管麗I導(dǎo)通，快速下拉電荷栗的輸出電壓VCP。
[0029]當(dāng)電源電壓VIN下降時，由于單向器件二極管Dl和電容Cl的存在，導(dǎo)致VCl電壓不會迅速下降，并且單向器件二極管Dl可以防止電壓比較電路的兩個比較端電壓相同的情況，電容電壓VCl只能通向電壓比較電路的第二輸入端和地端。
[0030]當(dāng)VIN迅速下降時，電容電壓VCl能為電壓比