磁記錄介質(zhì)的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實(shí)施方式設(shè)及磁記錄介質(zhì)的制造方法。
[0002] 本申請(qǐng)W日本專利申請(qǐng)2014-150663號(hào)（申請(qǐng)日：2014年7月24日）為基礎(chǔ)申 請(qǐng)享有優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。
【背景技術(shù)】
[000引 W數(shù)nm~數(shù)百nm的周期規(guī)則地排列的微細(xì)結(jié)構(gòu)，W磁記錄介質(zhì)為首，能夠應(yīng)用于 半導(dǎo)體器件、光子晶體、防反射膜和吸附基板等技術(shù)。為了制作那樣的結(jié)構(gòu)，可列舉使用電 子束、紫外線等的描繪裝置等，在抗蝕劑層上描繪圖案的方法、利用二嵌段共聚物、粒子的 自組織化現(xiàn)象的方法等。特別是在使用了粒子的圖案形成方法中，能夠通過(guò)蝕刻保護(hù)基來(lái) 制作W粒子容易地形成的凹凸圖案。但是，在包含通過(guò)蝕刻制作出的粒子的凹凸圖案中，粒 子不與基板結(jié)合，因此粒子-基板間的密合性差，有時(shí)在其后的工序中粒子會(huì)從基板剝離。 [0004] 為了防止該情況，例如日本專利公開(kāi)公報(bào)2010-172886號(hào)和日本專利公開(kāi)公報(bào)平 8-236329號(hào)那樣，公開(kāi)了使用熱塑性樹(shù)脂，在基板（電極）上使粒子固著（固定）的方法。 但是，該方法中基板與粒子沒(méi)有化學(xué)鍵，由于在固著后進(jìn)行加熱，粒子容易從基板剝離。另 夕F，為了解決那樣的問(wèn)題，有在除去有機(jī)成分后，在粒子上被覆無(wú)機(jī)材料，抑制粒子彼此的 移動(dòng)的方法。但是，存在由于在粒子上設(shè)置被覆層，從而由粒子形成的凹凸形狀由于被覆層 而被平坦化的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】
陽(yáng)〇化]本發(fā)明的課題在于得到一種磁記錄介質(zhì)，其在基板和設(shè)置于基板上的粒子之間的 密合性良好。
[0006] 根據(jù)實(shí)施方式，提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，具備：在基板上形 成含有第1金屬的烙敷層的工序；在該烙敷層上形成含有娃的保持層的工序；使用含有能 夠與該烙敷層烙敷的第2金屬的粒子，在該保持層上形成單粒子層的工序；與所述粒子接 觸的區(qū)域的所述保持層受到所述第2金屬的催化劑作用發(fā)生氧化反應(yīng)由此形成二氧化娃， 使用含有氨氣酸和過(guò)氧化氨的蝕刻溶液對(duì)所述二氧化娃進(jìn)行蝕刻，將所述粒子埋入該保持 層內(nèi)直到與所述烙敷層接觸的工序；通過(guò)加熱使所述粒子和所述烙敷層烙敷的工序；W及 在所述單粒子層上形成磁記錄層的工序。
【附圖說(shuō)明】
[0007] 圖1是表示保護(hù)基的重均分子量和粒子間隔的關(guān)系的圖。 陽(yáng)00引圖2 (a)~訊是表示實(shí)施方式設(shè)及的磁記錄介質(zhì)的制造方法的一例的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009] 實(shí)施方式設(shè)及的磁記錄介質(zhì)的制造方法包括：
[0010] 在基板上形成含有第1金屬的烙敷層的工序；
[0011] 在烙敷層上形成含有娃的保持層的工序；
[0012] 使用含有能夠與烙敷層烙敷的第2金屬的粒子，在保持層上形成單粒子層的工 序；
[0013] 使用含有氨氣酸和過(guò)氧化氨的蝕刻溶液對(duì)保持層中的二氧化娃進(jìn)行蝕刻，將粒子 埋入保持層內(nèi)直到與烙敷層接觸的工序；
[0014] 通過(guò)加熱使粒子和烙敷層烙敷的工序；W及
[0015] 在單粒子層上形成磁記錄層的工序。
[0016] 上述二氧化娃，是通過(guò)與粒子接觸的區(qū)域的保持層受到第2金屬的催化劑作用發(fā) 生氧化反應(yīng)而形成的。
[0017] 單粒子層可W作為具有凹凸圖案的種層使用。通過(guò)在單粒子層之上形成磁記錄 層，凹凸圖案被轉(zhuǎn)印到磁記錄層上。但是，僅靠粒子在基板上沉積，原樣狀態(tài)下粒子容易由 于摩擦等的外力而剝離，因此根據(jù)實(shí)施方式，通過(guò)使烙敷層和粒子烙敷來(lái)形成化學(xué)鍵，能夠 防止由摩擦等的外力造成的粒子剝離。另外，通過(guò)使其烙敷，受到烙敷層的結(jié)晶取向的影 響，能夠改善粒子內(nèi)的結(jié)晶取向分散。由此，能夠制作SNR良好的磁記錄介質(zhì)。
[0018] 粒子
[0019] 所使用的粒子是指粒徑1皿~1μm左右的粒子。形狀大多為球形，但也可W是四 面體、長(zhǎng)方體、八面體、Ξ棱柱、六棱柱、圓筒形等形狀。在考慮最密排列的情況下或采用濕 蝕刻埋入保持層內(nèi)的情況下，優(yōu)選形狀的對(duì)稱性高的形狀，特別優(yōu)選為球形。為了提高涂布 時(shí)的排列性，粒子的粒徑分散優(yōu)選小。在粒徑分散和取向分散（間距分散）之間存在比例 關(guān)系，例如，在粒徑分散為10%左右的情況下，其粒子排列形成的單粒子層的粒子的間距分 散為7 %左右，在粒徑分散為15 %左右的情況下，間距分散為10 %，在粒徑分散為30 %左右 的情況下，間距分散為17%。因此，粒子分散的粒徑分散優(yōu)選為15%W下、更優(yōu)選為10%W 下。
[0020] 微粒的材料可W使用選自IM、Ag、Pt和Au中的第2金屬。特別優(yōu)選工作函數(shù)為 5eVW上，作為貴金屬的Pd、Pt和Au。
[0021] 微粒的排列在溶液系統(tǒng)中進(jìn)行，因此微粒在附帶后述的保護(hù)基（被覆層）的狀態(tài) 下，W穩(wěn)定分散于溶液中的狀態(tài)被使用。
[0022] 保護(hù)基（第1高分子材料）
[0023] 作為保護(hù)基，優(yōu)選在末端附帶簇基或硫醇基等的反應(yīng)性官能團(tuán)的有機(jī)物。一般地， 硫醇基與Au、Ag、Pd、Pt等的粒子反應(yīng)。
[0024] 可W使保護(hù)基的反應(yīng)性官能團(tuán)與微粒結(jié)合，將保護(hù)基的主鏈用于粒子間隔調(diào)整和 用于排列的極性調(diào)整。極性一般可W使用溶解度參數(shù)（SP值）很好地說(shuō)明。SP值在例如 水之類的極性大的情況下，其值變大，在極性小時(shí)其值變小。在碳（C)和娃（Si)表面的情 況下，SP值優(yōu)選為25MPai/2W下。有機(jī)物的主鏈優(yōu)選為含有1個(gè)或多個(gè)一般的控（C占2。+1)、 雙鍵和/或Ξ鍵的、W聚苯乙締為首的芳香族控、聚醋或聚酸類。例如，對(duì)于具有簇基的物 質(zhì)，若為飽和控則可列舉癸酸、月桂酸、軟脂酸、硬脂酸，若為不飽和控，則可列舉橄攬油酸、 油酸、亞油酸、亞麻油酸等。對(duì)于硫醇基，也同樣地可列舉硫醇、片&。-硫醇等。另 夕F，主鏈可W使用聚醋、聚乙締、環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨醋、聚苯乙締、聚丙締等的聚合物。為了其后 進(jìn)行反應(yīng)的工藝，保護(hù)基可w具有分支少的直鏈狀結(jié)構(gòu)。特別是在使用聚苯乙締類的情況 下，該SP值取得了與涂布溶劑接近的值，因此溶解性和涂布性良好。保護(hù)基不僅擴(kuò)大粒子 間隔，還有改善粒子排列的效果。要排列粒子，在溶劑干燥時(shí)需要粒子能夠自由移動(dòng)的物理 空間。在粒子間隔小的情況下，粒子彼此的范德華力的影響強(qiáng)，會(huì)妨礙粒子的運(yùn)動(dòng)。特別是 在沒(méi)有保護(hù)基從而粒子彼此露出的情況下，粒子彼此凝聚，從而粒子無(wú)法移動(dòng)。通過(guò)在粒子 的表面修飾保護(hù)基，使粒子彼此的間隔擴(kuò)大，由此能夠抑制在粒子間施加的范德華力的影 響，不會(huì)妨礙粒子的運(yùn)動(dòng)，從而改善排列。
[00巧]圖1是對(duì)于W聚苯乙締為保護(hù)基的情況，表示保護(hù)基的重均分子量和粒子間隔的 關(guān)系的圖。
[00%] 圖中，如曲線101所示，如果保護(hù)基的分子量變高則粒子間隔變大。
[0027] 在將粒子作為內(nèi)存（memory)或存儲(chǔ)器（storage)等的記錄圖案使用的情況下，由 于粒子間隔變寬而使圖案密度降低。粒子間隔相對(duì)于粒子的直徑優(yōu)選從10%~200%。因 此，保護(hù)基的分子量可W設(shè)在100~50, 000的范圍。進(jìn)而，作為第1高分子材料優(yōu)選使用 具有1000~5