一種帶電磁保護和加密功能的多用途主板單元的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及自動化控制設備領域，特別是涉及一種帶電磁保護和加密功能的多用途主板單元。
【背景技術】
[0002]近年來，隨著通信、測控、嵌入式等新技術的發(fā)展，為了滿足各種不同的需求，設計人員需要設計不同的終端，不管這些終端設計如何變化，其核心部分如處理器、存儲器是不變的，目前終端的設計都是利用市面上已有的處理器和存儲器作為設計時的元件進行設計，導致出現(xiàn)大量的重復設計，延長了開發(fā)周期，同時也使得生產(chǎn)工藝相對復雜，不利于組裝。
[0003]同時，由于終端有可能會被部署在復雜的工業(yè)環(huán)境里，也有必要對其核心部件進行電磁保護，以使得終端產(chǎn)品的穩(wěn)定性更強，更好地適應惡劣的工業(yè)環(huán)境。
[0004]此外，目前很多工業(yè)級的核心板沒有使用FTL (軟件中間層技術，即將閃存模擬成塊設備)技術，因此無法配置大容量的Nand-Flash存儲器。
[0005]再次，終端和用戶之間的通訊一般是通過網(wǎng)絡完成的，因此很多時候用戶需要對應用程序進行加密，以使得用戶的應用程序更加安全，不被泄漏。

【發(fā)明內容】

[0006]為了解決上述問題，本發(fā)明提出一種帶電磁保護和加密功能的多用途主板單元。
[0007]本發(fā)明技術方案如下:
一種帶電磁保護和加密功能的多用途主板單元包括:STM32F207IGT6處理器、FSMC (可變靜態(tài)存儲控制器)、CAN總線接口、USB接口、ADC (模擬/數(shù)字轉換器)接口、ΕΤΗ (以太網(wǎng))接口、GP10 (通用輸入/輸出)接口、JTAG (聯(lián)合測試工作組)接口、SD10 (安全數(shù)字輸入/輸出)接口、USART (通用同步/異步串行接收/發(fā)送器)接口、SPI (串行外設)接口、I2S總線接口、I2C (兩線式串行總線)接口、??ΜΕ (計數(shù)器)接口、2X27雙排插針一、2X27雙排插針二、1X4單排插針、Nand Flash存儲器、SRAM (靜態(tài)隨機存儲器)、Nand Flash電磁保護電路、SRAM電磁保護電路、加密芯片、處理器電磁保護電路，
其中所述STM32F207IGT6處理器與所述FSMC相連，所述FSMC與所述Nand Flash存儲器和所述SRAM相連，所述Nand Flash存儲器連有所述Nand Flash電磁保護電路，所述SRAM連有所述SRAM電磁保護電路；所述CAN總線接口、USB接口、ADC接口、ΕΤΗ接口、GP10接口連接到所述STM32F207IGT6處理器上，用來通過2X27雙排插針一來連接外部相應功能模塊，所述SD10接口、USART接口、SPI接口、I2S總線接口、I2C接口、??ΜΕ接口連接到所述STM32F207IGT6處理器上，用來通過2 X 27雙排插針二來連接外部相應功能模塊；所述JTAG接口連接到所述STM32F207IGT6處理器上，用來通過1 X4單排插針將程序燒寫到所述STM32F207IGT6處理器上；所述STM32F207IGT6處理器還連接有所述加密芯片和處理器電磁保護電路。
[0008]進一步地，所述處理器電磁保護電路包括三個部分:第一部分包括STM32F207IGT6處理器的引腳ΡΗ0和PH1及NRST、電容C1、電容C2、電容C3、電阻R2、電阻R6、具有兩個電極的壓電晶體Y1、數(shù)字地SGND，所述STM32F207IGT6處理器的引腳ΡΗ0連接電容C1的一端和具有兩個電極的壓電晶體Y1的電極2的一端，所述電容C1的另一端連接數(shù)字地SGND，STM32F207IGT6處理器的引腳PH1連接電阻R2，電阻R2的另一端連接所述具有兩個電極的壓電晶體Y1的電極1和電容C2，電容C2的另一端連接數(shù)字地SGND，STM32F207IGT6處理器引腳NRST (異步復位)連接電容C3和電阻R6，電容C3的另一端接數(shù)字地SGND，電阻R6的另一端引出一條線作為引腳NRST的引出線；第二部分包括STM32F207IGT6處理器的引腳Vcap_l、電容C30、數(shù)字地SGND，所述STM32F207IGT6處理器的引腳Vcap_l連接電容C30，電容C30的另一端連接數(shù)字地SGND ;第三部分包括STM32F207IGT6處理器引腳Vcap_2、電容C29，數(shù)字地SGND，所述STM32F207IGT6的處理器引腳Vcap_2連接電容C29，電容C29的另一端連接數(shù)字地SGND。
[0009]在本發(fā)明的一個實施例里，所述Nand Flash存儲器18為型號為HY27UF082G2B的Nand Flash存儲器，可以由市場直接購得。
[0010]進一步地，所述Nand Flash電磁保護電路包括Nand Flash存儲器的引腳E、引腳RB、引腳WP、兩個VDD引腳，兩個VSS引腳和電阻R3、電阻R4、電阻R5、電容C18、電容C19、電容C20、電容C21、數(shù)字地SGND、+3V3電源，所述引腳E連接電阻R4的一端，引腳RB連接電阻R3的一端，電阻R4和電阻R3的另一端共同連接+3V3電源；引腳WP連接電阻R5和電容C18的一端，電阻R5的另一端連接+3V3電源，電容C18的另一端連接數(shù)字自SGND ;兩個VDD引腳均連接+3V3電源，并連接電容C19、電容C20、電容C21的一端，電容C19、電容C20、電容C21的另一端連接兩個VSS引腳，并連接數(shù)字地SGND。
[0011]在本發(fā)明的一個具體實施例里，所述SRAM為型號為CY62177的靜態(tài)隨機存儲器，可以由市場直接購得。
[0012]進一步地，所述SRAM電磁保護電路包括電容C22、數(shù)字地SGND、+3V3電源、SRAM的引腳VCC、兩個VSS引腳、BYTE引腳、CE2引腳，所述引腳VCC連接+3V3電源和電容C22的一端，電容C22的另一端連接數(shù)字地SGND和兩個VSS引腳；引腳BYTE和引腳CE2共同連接+3V3電源。
[0013]在本發(fā)明的一個實施例里，所述加密芯片為型號為Microchip 11LC010的芯片，可以由市場直接購得。
[0014]本發(fā)明的有益效果在于:提供一種帶電磁保護和加密功能的多用途主板單元，避免了重復設計，縮短了開發(fā)周期，同時簡化了生產(chǎn)工藝；對其核心部件進行了電磁保護，以使得終端產(chǎn)品的穩(wěn)定性更強，更好地適應惡劣的工業(yè)環(huán)境；采用了 FSMC，可以配置大容量的Nand Flash存儲器；內置加密芯片，可以對用戶的應用程序進行加密，以使得用戶的應用程序更加安全，不被泄漏。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本發(fā)明的實施例，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一個實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本發(fā)明帶電磁保護和加密功能的多用途主板單元的結構示意圖；
圖2為本發(fā)明帶電磁保護和加密功能的多用途主板單元的STM32F207IGT6處理器電磁保護電路電路圖；
圖3為圖2中處理器電磁保護電路第一部分放大圖；
圖4為圖2中處理器電磁保護電路第二部分放大圖；
圖5為圖2中處理器電磁保護電路第三部分放大圖；
圖6為Nand Flash電磁保護電路電路圖；
圖7為SRAM電磁保護電路電路圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結合【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步的說明。其中，附圖僅用于示例性說明，表示的僅是示意圖，而非實物圖，不能理解為對本專利的限制；為了更好地說明本發(fā)明的實施例，附圖某些部件會有省略、放大或縮小，并不代表實際產(chǎn)品的尺寸；對本領域技術人員來說，附圖中某些公知結構及其說明可能省略是可以理解的。
[0018]本發(fā)明實施例的附圖中相同或相似的標號對應相同或相似的部件；在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，若有術語“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此附圖中描述位置關系的用語僅用于示例性說明，不能理解為對本專利的限制，對于本領域的普通技術人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術語的具體含義。
[0019]如圖1所示，本發(fā)明一種帶電磁保護和加密功能的多用途主板單元包括:STM32F207IGT6 處理器 1、FSMC2、CAN 總線接口 3、USB 接口 4、ADC 接口 5、ΕΤΗ 接口 6、GP10接口 7、JTAG 接口 8、SD10 接口 9、USART 接口 10、SPI 接口 11、I2S 總線接口 12、I2C 接口13、??ΜΕ接口 14、2Χ27雙排插針一 15、2Χ27雙排插針二 16、1Χ4單排插針 17,Nand Flash存儲器18、SRAM19、Nand Flash電磁保護電路20、SRAM電磁保護電路21、加密芯片22、處理器電磁保護電路23，
其中所述STM32F207IGT6處理器1與所述FSMC2相連，所述FSMC2與所述Nand Flash存儲器18和所述SRAM19相連，所述Nand Flash存儲器18連有所述Nand Flash電磁保護電路20，所述SRAM19連有所述SRAM電磁保護電路21 ;所述CAN總線接口 3、USB接口 4、ADC接口
5、ETH接口 6、GP10接口 7連接到所述STM32F207IGT6處理器1上，用來通過2 X 27雙排插針一 15來連接外部相應功能模塊，所述SD10接口 9、USART接口 10、SPI接口 11、I2S總線接口 12、I2C接口 13、??ΜΕ接口 14連接到所述STM32F207IGT6處理器1上，用來通過2 X 27雙排插針二 16來連接外部相應功能模塊；所述JTAG接口 8連接到所述STM32F207IGT6處理器1上，用來通過1 X 4單排插針17將程序燒寫到所述STM32F207IGT6處理器1上；所述STM32F207IGT6處理器1還連接有所述加密芯片22和處理器電磁保護電路23。
[0020]圖2為本發(fā)明帶電磁保護和加密功能的多用途主板單元的STM32F207IGT6處理器電磁保護電路電路圖，處理器電磁保護電路23包括三個部分:如圖2所示的第一部分，包括STM32F207I