磁記錄介質及磁記錄再現(xiàn)裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明的實施方式設及磁記錄介質W及磁記錄再現(xiàn)裝置。
【背景技術】
[0002] W計算機為中屯、而被使用的進行信息記錄、再現(xiàn)的磁存儲裝置（皿D)，由于其大容 量、低價性、數(shù)據(jù)存取的速度、數(shù)據(jù)保持的可靠性等原因，在家用錄像機、音頻設備、車載導 航系統(tǒng)等各種領域使用。隨著皿D的使用范圍變廣，其存儲容量的高密度化的要求也增加， 近年皿D的高密度化開發(fā)越來越激烈。
[0003] 作為當前市售的皿D的磁記錄方式，所謂垂直磁記錄方式成為近年主流。垂直磁 記錄方式中，構成記錄信息的磁記錄層的磁性晶粒在相對于基板垂直的方向具有其易磁化 軸。因此，在高密度化時，記錄位間的去磁的影響少，此外在高密度化中在靜磁性方面也穩(wěn) 定。垂直磁記錄介質一般包括：基板、承擔使在記錄時從磁頭產生的磁通集中的作用的軟磁 性基底層；使垂直磁記錄層的磁性晶粒（00. 1)面取向并且降低其取向分散的非磁性種子 層W及/或者非磁性基底層；包含硬質磁性材料的垂直磁記錄層；和保護垂直磁記錄層的 表面的保護層。
[0004] 具有磁性晶粒被含有非磁性物質的晶界區(qū)域包圍的、所謂粒狀（granular)結構 的粒狀型記錄層，由于成為磁性晶粒彼此通過非磁性晶界區(qū)域二維地、物理性地孤立的結 構，所W在磁性微粒間起作用的磁性交換相互作用降低。因此，能夠降低記錄、再現(xiàn)特性中 的轉變噪聲，可W降低極限位大小。另一方面，由于在粒狀型記錄層中微粒間的交換相互作 用降低，所W呈現(xiàn)與微粒的組成、粒徑的分散相伴的反向磁場的分散增大的趨勢，呈現(xiàn)引起 記錄、再現(xiàn)特性中的轉變噪聲和/或抖動（jitter)噪聲的增大的趨勢。
[0005] 此外，由于記錄位大小的下限值與粒狀型記錄層的磁性晶體粒徑較強地相關，所 W為了皿D的高記錄密度化需要進行粒狀型記錄層的粒徑微細化。作為粒狀型記錄層的粒 徑微細化法，有下述方法：使用具有微細的晶體粒徑的基底層，使在其上層疊的粒狀型記錄 層粒徑微細化。為了使基底層的粒徑微細化，例如可W考慮改進非磁性種子層、使基底層粒 狀化等方法。

【發(fā)明內容】

[0006] 本發(fā)明的實施方式的目的在于提供：獲得磁性微粒的良好的晶體取向性和低粒徑 分散、具有良好的記錄再現(xiàn)特性且可W實現(xiàn)高密度記錄的磁記錄介質W及使用該磁記錄介 質的磁記錄再現(xiàn)裝置。
[0007] 根據(jù)實施方式，提供一種磁記錄介質，其具備：非磁性基板；取向控制層，其形成 于該非磁性基板上，包含具有面屯、立方晶格即fee的儀合金或銀合金；非磁性種子層，其在 該取向控制層上接觸而形成，包含銀、錯和選自包括侶、儀、金W及鐵的組的金屬X;非磁性 中間層，其形成于該非磁性種子層上，包含釘或釘合金；W及磁記錄層，其形成于該非磁性 中間層上。
【附圖說明】
[0008] 圖1是表示實施方式設及的磁記錄介質的構成的剖面圖。
[0009] 圖2是將實施方式設及的磁記錄再現(xiàn)裝置的一例部分分解了的立體圖。
[0010] 圖3是表示比較的磁記錄介質的構成的剖面圖。
[0011] 圖4是表示比較的磁記錄介質的構成的剖面圖。
[0012] 圖5是表示比較的磁記錄介質的構成的剖面圖。
[0013] 圖6是表示比較的磁記錄介質的構成的剖面圖。
[0014] 圖7是表示實施方式設及的磁記錄介質的其他構成的剖面圖
【具體實施方式】
[0015]W下，關于實施方式參照附圖進行說明。
[0016] 實施方式設及的磁記錄介質具有：非磁性基板；取向控制層，其形成于非磁性基 板上，包含具有fee結構的Ni合金或者Ag合金；非磁性種子層，其與取向控制層接觸而形 成且包含AgGe-X(其中X選自包括41、1旨、411、1'1的組）；非磁性中間層，其形成于非磁性種 子層上；W及垂直磁記錄層，其形成于非磁性中間層上。 陽017] 在圖1，示出表示實施方式設及的垂直磁記錄介質的構成的剖面圖。
[0018] 如圖所示，該垂直磁記錄介質100具有下述結構：在非磁性基板1上依次設置有緊 密附著層2、軟磁性層3、具有fee結構的取向控制層4、非磁性種子層5、非磁性中間層6、垂 直磁記錄層7W及保護層8。
[0019] 根據(jù)實施方式，通過使用包含具有fee結構的Ni合金或Ag合金的取向控制層，能 夠改善垂直磁記錄層的晶體取向性。
[0020] 此外，通過使用實施方式設及的非磁性種子層，能夠使垂直磁記錄層的間距分散 降低。通過使該取向控制層與非磁性種子層分別接觸，能夠同時實現(xiàn)垂直磁記錄層的良好 的晶體取向性和低間距分散，能夠降低介質噪聲。
[0021] 取向控制層具有fee結構，包含Ni合金或Ag合金。 陽02引作為添加到Ni合金中的金屬，可舉出W、化、Mo、C等。 陽02引作為添加到Ag合金中的金屬，可舉出Ni、Ge、化、Pt Nd等。
[0024] 添加到Ni合金中的金屬優(yōu)選為5原子％至30原子％。若小于5原子％，則Ni開 始具有磁性，成為磁性噪聲從而呈現(xiàn)記錄再現(xiàn)特性變差的趨勢，若超過30原子％，則Ni合 金或Ag合金不保持fee結構而成為非晶結構，呈現(xiàn)晶體取向性變差的趨勢。
[0025] 添加到Ag合金中的金屬，優(yōu)選為50原子％ ^下。若超過50原子％，則成為fee 結構W外的結構，呈現(xiàn)非晶化，從而呈現(xiàn)晶體取向性變差的趨勢。 陽0%] 非磁性種子層優(yōu)選包含AgGe-X狂=Al、Mg、Au、Ti)而形成，該AgGe-X包含間距 分散低的柱狀的Ag-X狂=A1、Mg、Au、Ti)微粒和包圍此微粒的Ge晶界。在AgGe-X中還 能夠添加Si。通過使用該非磁性種子層，能夠使垂直磁記錄層的間距分散更加降低。
[0027] 非磁性種子層優(yōu)選包含：Ag;晶粒，其具有fee結構，W從包括Al、Mg、Au、Ti的組 選擇的至少一種添加金屬為主成分；和晶界層，其包圍晶粒，包含具有非晶結構的Ge。另 夕F，在添加Si的情況下，晶界層包含Ge-Si而形成。
[0028] 添加到非磁性種子層的金屬狂=Al、Mg、Au、Ti)的含有量優(yōu)選相對于Ag、Ge和 X的合計原子量為3原子％至20原子％。若小于3原子％，則呈現(xiàn)得不到添加的效果的趨 勢，若超過20原子％，則添加金屬過多，呈現(xiàn)破壞Ag微粒的晶體結構從而晶體取向性變差 的趨勢。在AgGe-X中還添加Si的情況下，相對于非磁性種子中的銀、錯、金屬X和娃的合 計原子量，娃的含有量優(yōu)選為20原子％ ^下。若超過20原子％，則晶界物質過多，呈現(xiàn)非 磁性種子層非晶化的趨勢。
[0029] 非磁性種子層能夠通過在惰性氣體氣氛下在0. 05至0. 3化的壓力下進行瓣射而 形成。由此，可得到包含間距分散小的柱狀的Ag-X狂=Al、Mg、Au、U)微粒和包圍其的Ge 晶界的層。
[0030] 非磁性種子層的錯含有量優(yōu)選為55原子％至70原子％。若小于55原子％，則由 于晶界物質少，所W微粒彼此相連，呈現(xiàn)粒徑分散變差的趨勢，若超過70原子％，則晶界物 質過多，呈現(xiàn)破壞Ag微粒的晶體結構從而晶體取向性變差的趨勢。
[0031] 作為實施方式中可W使用的基板，例如可舉出玻璃基板、Al類合金基板、陶瓷基 板、碳基板、具有氧化表面的Si單晶基板等。作為玻璃基板，可舉出非晶玻璃W及晶化玻 璃。作為非晶玻璃，可舉出通用的鋼巧玻璃、侶娃酸鹽玻璃。作為晶化玻璃，可舉出裡類晶 化玻璃。作為陶瓷基板，可舉出W通用的氧化侶、氮化侶、氮化娃等為主成分的燒制體和/ 或它們的纖維強化物等。作為基板，也能夠使用在上述的金屬基板和/或非金屬基板的表 面使用鍛敷法和/或瓣射法形成有NiP層等薄膜的基板。作為向基板上形成薄膜的方法， 不僅是瓣射，用真空蒸鍛和/或電鍛等也能夠得到同樣的效果。
[0032] 在非磁性基板與取向控制層之間，進而能夠從非磁性基板開始依次設置緊密附著 層、軟磁性基底層（S化）W及非磁性基底層等。
[0033] 緊密附著層是為了提高與基板的緊密附著性而設置的。作為緊密附著層的材料， 能夠使用具有非晶質結構的Ti、Ta、W、化、Pt和/或包含它們的合金或運些物質的氧化物 或氮化物。緊密附著層例如可具有5至30nm的厚度。小于5nm，呈現(xiàn)不能夠確保充分的緊 密附著性、容易引起膜剝離的現(xiàn)象的趨勢，若超過30nm，則呈現(xiàn)處理時間變長、生產能力變 差的趨勢。
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