存儲(chǔ)器件的制作方法
【專利說明】存儲(chǔ)器件
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2014年7月22日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2014-0092653的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器件。
【背景技術(shù)】
[0004]隨著存儲(chǔ)器的集成度增加，存儲(chǔ)器中的字線之間的間隔減小。字線之間的間隔的變窄增加了相鄰字線之間的耦合效應(yīng)。
[0005]每當(dāng)數(shù)據(jù)輸入至存儲(chǔ)器單元/從存儲(chǔ)器單元輸出時(shí)，字線在激活狀態(tài)和非激活狀態(tài)之間切換。然而，如上所述隨著相鄰字線之間的耦合效應(yīng)增加，與相鄰于頻繁激活字線設(shè)置的字線耦接的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)可能損壞或丟失。這種現(xiàn)象被稱作為字線干擾。字線干擾可能在存儲(chǔ)器單元被刷新之前損壞存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)。
[0006]圖1說明存儲(chǔ)器中包括的單元陣列的一部分，且描述字線干擾效應(yīng)。附圖描述字線干擾現(xiàn)象。
[0007]在圖1中，附圖標(biāo)記‘WLK’表示頻繁激活字線，附圖標(biāo)記‘WLK-1 ’和‘WLK+1 ’表示與頻繁激活字線WLK相鄰設(shè)置的字線。另外，附圖標(biāo)記‘CELLJT表示與頻繁激活字線WLK耦接的存儲(chǔ)器單元，附圖標(biāo)記‘CELL_K-1’表示與字線WLK-1耦接的存儲(chǔ)器單元。附圖標(biāo)記‘CELL_K+1’表示與字線WLK+1耦接的存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器單元CELL_K、CELL_K_1和CELL_K+1分別包括單元晶體管TR_K、TR_K-1和TR_K+1和單元電容器CAP_K、CAP_K_1和CAP_K+1。
[0008]在圖1中，當(dāng)頻繁激活字線WLK被激活或去激活時(shí)，字線WLK-1和字線WLK+1的電壓由于字線WLK與字線WLK-1和WLK+1之間出現(xiàn)的耦合效應(yīng)而上升或下降，影響了儲(chǔ)存在單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中的電荷量。因此，當(dāng)字線WLK被頻繁激活且因此字線WLK在激活狀態(tài)和非激活狀態(tài)之間切換時(shí)，儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元CELL_K-1和CELL_K+1包括的單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中的電荷量的變化增大，從而劣化了存儲(chǔ)器單元CELL_K-1和CELL_K+1的數(shù)據(jù)。
[0009]另外，字線WLK在激活狀態(tài)和非激活狀態(tài)之間切換時(shí)產(chǎn)生的電磁波引起電子進(jìn)入或離開與相鄰字線WLK-1和WLK+1耦接的存儲(chǔ)器單元的單元電容器的運(yùn)動(dòng)，從而損壞存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)。
[0010]將特定字線(例如，字線WLK)被重復(fù)激活多于預(yù)定次數(shù)、因而與相鄰字線(例如，字線WLK-1和WLK+1)耦接的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)受到頻繁激活字線WLK影響的現(xiàn)象稱為“行擊效應(yīng)(row hammer effect)”。用于解決行擊效應(yīng)的方法是，對(duì)與頻繁激活字線WLK相鄰設(shè)置的相鄰字線WLK-1和WLK+1執(zhí)行激活操作的方法。通過對(duì)相鄰字線WLK-1和WLK+1執(zhí)行激活操作，與相鄰字線WLK-1和WLK+1耦接的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)被再次編程，防止了數(shù)據(jù)被損壞。然而，這種用于解決行擊效應(yīng)的方法可能不能應(yīng)用至冗余字線，這將在以下參照?qǐng)D2描述。
[0011]圖2說明字線WL0至WL511和冗余字線RWL0至RWL7。圖2示出了用冗余字線RWL2替代字線WL3的情況。
[0012]當(dāng)如在圖2中所示用冗余字線RWL2替代字線WL3、且字線WL3被重復(fù)訪問多于預(yù)定次數(shù)時(shí)，實(shí)際上是冗余字線RWL2被激活多于預(yù)定次數(shù)。在這種情況下，激活與字線WL3相鄰設(shè)置的相鄰字線WL2和WL4對(duì)防止行擊效應(yīng)不起作用。這是因?yàn)?，不是與字線WL2和WL4耦接的存儲(chǔ)器單元由于對(duì)字線WL3的頻繁訪問而可能丟失其數(shù)據(jù)，而是與冗余字線RWL1和RWL3耦接的存儲(chǔ)器單元由于對(duì)字線WL3的頻繁訪問而可能丟失其數(shù)據(jù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)防止冗余區(qū)域中的行擊效應(yīng)的多種技術(shù)。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器件包括:多個(gè)冗余字線，其中每個(gè)與多個(gè)冗余存儲(chǔ)器單元耦接；以及冗余刷新電路，適于順序地刷新所述多個(gè)冗余字線之中的被選中作為用于額外的刷新操作的目標(biāo)字線的第一冗余字線。
[0015]所述第一冗余字線可以基于所述多個(gè)冗余字線之中的用于修復(fù)操作的第二冗余字線的數(shù)量而被選中作為所述目標(biāo)字線。
[0016]所述多個(gè)冗余字線之中的用于修復(fù)操作的冗余字線可以被包括在所述第一冗余字線中。
[0017]在所述存儲(chǔ)器件中，在偶數(shù)編號(hào)的冗余字線全部用于修復(fù)操作之后，奇數(shù)編號(hào)的冗余字線可以用于修復(fù)操作。
[0018]所述第一冗余字線可以基于所述奇數(shù)編號(hào)的冗余字線之中的用于所述修復(fù)操作的第三冗余字線的數(shù)量而被選中作為所述目標(biāo)字線。
[0019]當(dāng)所述奇數(shù)編號(hào)的冗余字線之中沒有字線用于所述修復(fù)操作時(shí)，沒有目標(biāo)字線用于所述額外的刷新操作。
[0020]在所述存儲(chǔ)器件中，在奇數(shù)編號(hào)的冗余字線全部用于所述修復(fù)操作之后，偶數(shù)編號(hào)的冗余字線可以用于修復(fù)操作。
[0021]所述第一冗余字線可以基于用于修復(fù)操作的第四冗余字線的數(shù)量而被選中作為所述目標(biāo)字線。
[0022]當(dāng)所述偶數(shù)編號(hào)的冗余字線之中沒有字線用于所述修復(fù)操作時(shí)，沒有目標(biāo)字線用于所述額外的刷新操作。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器件包括:多個(gè)正常字線，其中每個(gè)與多個(gè)正常存儲(chǔ)器單元耦接；多個(gè)冗余字線，其中每個(gè)與多個(gè)冗余存儲(chǔ)器單元耦接；正常刷新電路，適于當(dāng)刷新信號(hào)被使能時(shí)，順序地刷新所述多個(gè)正常字線之中的未修復(fù)的正常字線和所述多個(gè)冗余字線之中的用于修復(fù)操作的第一冗余字線；以及冗余刷新電路，適于當(dāng)冗余刷新信號(hào)被使能時(shí)，順序地刷新所述多個(gè)冗余字線之中的被選中作為額外的刷新操作的目標(biāo)字線的第二冗余字線。
[0024]每當(dāng)所述刷新信號(hào)被使能預(yù)定次數(shù)時(shí)，所述冗余刷新信號(hào)可以被使能。
[0025]所述冗余刷新電路可以包括:計(jì)數(shù)單元，適于在每當(dāng)所述冗余刷新信號(hào)被使能時(shí)增加碼的值；刷新使能信號(hào)發(fā)生單元，適于通過對(duì)所述碼進(jìn)行譯碼來產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)冗余字線的多個(gè)刷新使能信號(hào)；以及初始化單元，適于當(dāng)所述碼的值達(dá)到設(shè)置值時(shí)初始化所述碼，其中，所述設(shè)置值基于所述第二冗余字線的數(shù)量來確定。
[0026]所述第二冗余字線可以基于所述第一冗余字線的數(shù)量而被選中作為所述目標(biāo)字線。
[0027]所述第一冗余字線可以被包括在所述第二冗余字線中。
[0028]在所述存儲(chǔ)器件中，在偶數(shù)編號(hào)的冗余字線全部用于修復(fù)操作之后，奇數(shù)編號(hào)的冗余字線可以用于修復(fù)操作。
[0029]所述第二冗余字線可以基于用于所述修復(fù)操作的第三冗余字線的數(shù)量而被選中作為所述目標(biāo)字線。
[0030]當(dāng)所述奇數(shù)編號(hào)的冗余字線之中沒有字線用于修復(fù)操作時(shí)，可以沒有目標(biāo)字線用于所述額外的刷新操作。
[0031]在所述存儲(chǔ)器件中，在奇數(shù)編號(hào)的冗余字線全部用于所述修復(fù)操作之后，偶數(shù)編號(hào)的冗余字線可以用于所述修復(fù)操作。
[0032]所述第二冗余字線可以基于用于所述修復(fù)操作的第四冗余字線的數(shù)量而被選中作為所述目標(biāo)字線。
[0033]當(dāng)所述偶數(shù)編號(hào)的冗余字線之中沒有字線用于所述修復(fù)操作時(shí)，可以沒有目標(biāo)字線用于所述額外的刷新操作。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器件包括:多個(gè)冗余字線，適于修復(fù)多個(gè)正常字線；正常刷新電路，適于針對(duì)刷新操作而順序地刷新所述多個(gè)冗余字線之中的用于修復(fù)所述多個(gè)正常字線的第一冗余字線；以及冗余刷新電路，適于針對(duì)當(dāng)所述刷新操作被執(zhí)行了預(yù)定次數(shù)時(shí)執(zhí)行一次的額外的刷新操作，順序地刷新所述第一冗余字線之中的被選中作為目標(biāo)字線的第二冗余字線。
[0035]所述第二冗余字線可以基于所述第一冗余字線的數(shù)量而被選中作為所述目標(biāo)字線。
【附圖說明】
[0036]圖1說明存儲(chǔ)器中包括的單元陣列的一部分且描述字線干擾效應(yīng)。
[0037]圖2說明字線WL0至WL511和冗余字線RWL0至RWL7。
[0038]圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的框圖。
[0039]圖4說明在冗余刷新信號(hào)發(fā)生器350中產(chǎn)生的冗余刷新信號(hào)R_REF。
[0040]圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的框圖。
[0041]圖6是說明圖5中所示的冗余行電路320的框圖。
[0042]圖7是說明圖5中所示的冗余刷新電路540的框圖。
[0043]圖8A和圖8B說明圖5至圖7的存儲(chǔ)器件的第一應(yīng)用實(shí)例。
[0044]圖9A和圖9B說