元400包括金屬層Ml，該金屬層包括如圖3A和圖3B所示的金屬布線結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，一個或多個通孔473-486(通孔1)可以形成在第一金屬層Ml上方，用于將第一金屬層Ml電連接至第二金屬層M2。
[0062]在一些實施例中，長接觸件/數(shù)據(jù)節(jié)點456可以通過第一局部互連件204 (1st LI)連接至柵極426。例如，柵極接觸件464可以用于將柵極426布線至第一金屬層Ml中的第一局部互連件204 (1st LI)，而第一局部互連件204 (1st LI)可以電連接至長接觸件456。類似地，長接觸件/數(shù)據(jù)節(jié)點454可以通過第二局部互連件220 (2nd LI)連接至柵極428。例如，柵極接觸件470可以用于將柵極428布線至第一金屬層Ml中的第二局部互連件220 (2ndLI)，而第二局部互連件220 (2nd LI)可以電連接至長接觸件454。形成在第一金屬層Ml中的第一局部互連件204 (1st LI)和第二局部互連件220 (2nd LI)有利于使用光刻工藝形成均勻密度和單一尺寸布線圖案。
[0063]如圖4C所示，一個或多個柵極部件和一個或多個接觸部件被形成為沿第一方向492延伸。一條或多條鰭式有源線和金屬層中的一條或多條金屬線被形成為沿第二方向494延伸，第二方向494基本上垂直于第一方向492。
[0064]圖5A-圖5C是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例所構(gòu)造的DP SRAM單元500的俯視圖。DPSRAM單元500可以包括與DP SRAM單元400基本類似的半導(dǎo)體部件和器件。與如圖4A-圖4C所述的DP SRAM單元400不同，DP SRAM單元500包括布置在單元的一側(cè)上的N阱區(qū)域502和設(shè)置為在該單元中鄰近N阱區(qū)域502的P阱區(qū)域504。N阱區(qū)域502和P阱區(qū)域504可以越過單位單元邊界延伸至多個單元。例如，N阱區(qū)域502和P阱區(qū)域504可以沿方向594延伸至多于一個的單元。
[0065]仍參照圖5A，DP SRAM單元500可以包括形成在P阱區(qū)域504中的第一有源區(qū)域512和第二有源區(qū)域514、以及形成在N阱區(qū)域502并設(shè)置在單元一側(cè)上的第三有源區(qū)域516。第一有源區(qū)域512和第二有源區(qū)域514中的每一個均包括一個或多個鰭式有源部件，其被配置為形成多個FinFET。第一有源區(qū)域中的一個或多個鰭式有源部件、第二有源區(qū)域中的一個或多個鰭式有源部件、以及第三有源區(qū)域中的鰭式有源部件可以在ro SRAM單元500中沿第二方向594延伸。
[0066]再次如圖5A所示，多個柵極被形成為在第一方向592上定向，并且配置有有源區(qū)域以形成器件、器件和PG器件。在本實施例中，柵極520設(shè)置在第一有源區(qū)域512的一個或多個鰭式有源部件上方，以形成PG-1，柵極524設(shè)置在第二有源區(qū)域514的一個或多個鰭式有源部件上方，以形成PG-3，柵極530設(shè)置在第一有源區(qū)域512的一個或多個鰭式有源部件上方，以形成PG-2，以及柵極534布置在第二有源區(qū)域514的一個或多個鰭式有源部件上方，以形成PG-4。長柵極526被形成為在第三有源區(qū)域516、第一有源區(qū)域512、和第二有源區(qū)域514上方延伸，以分別形成第一反相器Pu-1、ro1-1、以及ro1-2。類似地，長柵極428被形成為在第三有源區(qū)域516、第一有源區(qū)域512、和第二有源區(qū)域514上方延伸，以分別形成第二反相器的HJ-2、TO2-1、以及TO2-2。如圖5A所示，在一些實施例中，柵極520、524、530、和534中的每個柵極的長度均基本短于柵極526、528中的每個柵極的長度。如圖5A-圖5C所示，PU-1和PU-2形成在第三有源區(qū)域516中，PG-1、PD1_1、PD2_1和PG-2形成在第一有源區(qū)域512中，以及PG-3、PD1-2、PD2-2、以及PG-4形成在第二有源區(qū)域514中。
[0067]仍參照圖5A，多種互連結(jié)構(gòu)可以用于以耦合nFinFET和pFinFET，以形成功能性DPSRAM單元。在一些實施例中，可以通過共享公共摻雜區(qū)域?qū)G-1的漏極電連接至HH-1的漏極，該公共摻雜區(qū)域限定在第一有源區(qū)域512的一個或多個鰭式有源部件中并且位于PG-ι和ro1-1之間。可以通過共享公共摻雜區(qū)域?qū)G-2的漏極電連接至ro2-l的漏極，該公共摻雜區(qū)域限定在第一有源區(qū)域512的一個或多個鰭式有源部件中并且位于PG-2和PD2-1之間。PD1-1和TO2-1的源極可以形成為公共摻雜源極區(qū)域，該公共摻雜源極區(qū)域限定在第一有源區(qū)域512的一個或多個鰭式有源部件中并且位于PD1-1和PD2-1之間。
[0068]類似地，在一些實施例中，可以通過共享公共摻雜區(qū)域?qū)G-3的漏極電連接至PD1-2的漏極，該公共摻雜區(qū)域限定在第二有源區(qū)域514的一個或多個鰭式有源部件中并且位于PG-3和Η)1-2之間?？梢酝ㄟ^共享公共摻雜區(qū)域?qū)G-4的漏極電連接至Η)2-2的漏極，該公共摻雜區(qū)域限定在第二有源區(qū)域514的一個或多個鰭式有源部件中并且位于PG-4和PD2-2之間。PD1-2和PD2-2的源極可以形成為公共摻雜源極區(qū)域，該公共摻雜源極區(qū)域限定在第二有源區(qū)域514的一個或多個鰭式有源部件中并且位于Η)1-2和PD2-2之間。
[0069]參照圖5B，DP SRAM單元500進一步包括位于柵極、源極區(qū)域、和/或漏極區(qū)域上的多個接觸件。在一些實施例中，一個或多個接觸部件被設(shè)計為矩形，在第一方向592上定向，以用作將摻雜區(qū)域電連接至一條或多條金屬線的源極接觸件。例如，接觸件540可以用作源極接觸件，用于將PG-1的摻雜源極區(qū)域布線至第一金屬層Ml中的第一位線(BL-A)。接觸件542可以用作源極接觸件，用于將PG-2的摻雜源極區(qū)域布線至第一金屬層Ml中的第一位線條(BL-A條)。接觸件544可以用作源極接觸件，用于將PG-3的摻雜源極區(qū)域布線至第一金屬層Ml中的第二位線(BL-B)。接觸件546可以用作源極接觸件，用于將PG-4的摻雜源極區(qū)域布線至第一金屬層Ml中的第二位線條(BL-B條)。接觸件548可以用作源極接觸件，用于將PU-1和HJ-2的摻雜源極區(qū)域布線至第一 Vdd線。接觸件550可以用于電連接ro1-1、TO2-1、ro1-2和PD2-2的摻雜源極區(qū)域，并且用于將摻雜源極區(qū)域布線至第一金屬層Ml中的第一 Vss線和第二 Vss線。源極接觸件550可以在第一有源區(qū)域512和第二有源區(qū)域514上方延伸。源極接觸件550可以長于接觸件540-546中的任一個。
[0070]在一些實施例中，一個或多個長接觸件可以被設(shè)計為沿第一方向592在第三有源區(qū)域516、第一有源區(qū)域512、和第二有源區(qū)域514上方延伸。長接觸件可以用作漏極接觸件，用于電連接同一反相器中的器件和/或PU器件的漏極。例如，長接觸件554可以電連接ro1-1、pu-1和ro1-2的漏極，并且可以限定第一數(shù)據(jù)節(jié)點(節(jié)點-ι或數(shù)據(jù)節(jié)點)。長接觸件556可以電連接ro2-l、PU-2和PD2-2的漏極，并且可以限定第二數(shù)據(jù)節(jié)點(節(jié)點_2或數(shù)據(jù)節(jié)點條)。
[0071]在一些實施例中，一個或多個正方形柵極接觸件還可以被形成為用于將柵極部件布線至第一金屬層Ml或第二金屬層M2中的對應(yīng)金屬線。例如，柵極接觸件562和柵極接觸件566可以分別將柵極520和柵極530布線至第一字線WL-A。柵極接觸件568和柵極接觸件572可以分別將柵極524和柵極534布線至第二字線WL-B。柵極接觸件564可以將長柵極526布線至第一局部互連件，柵極接觸件570可以將長柵極528布線至第二局部互連件。
[0072]圖5C是包含如圖5A和圖5B所述的器件布線和含相應(yīng)制作出的金屬布線結(jié)構(gòu)的金屬層的DP SRAM單元500的俯視圖。在一些實施例中，一個或多個通孔(通孔1)可以形成在第一金屬層Ml上方，用于電連接第一金屬層Ml和第二金屬層M2。
[0073]如圖5C所不，在一些實施例中，由于N講和P講的布局不同于圖4C的布局，形成在SRAM單元500的第一金屬層Ml中的金屬線的布局順序可以不同于圖4C。在一些實施例中，布線在第一金屬層Ml中的金屬線可以包括第一字線接合線202(WL-A接合線)、第一局部互連件204 (LI)、第一 Vdd線212、第一位線206 (BL-A)、第一位線條208 (BL-A條)、第一 Vss線208、第二位線214 (BL-B)、第二位線條218 (BL-B條)、第二局部互連件220 (LI)、以及第二字線接合線222(WL-B接合線)。如圖5C所示，第一字線接合線202 (WL-A接合線)和第二字線接合線222 (WL-B接合線)可以位于位單元500的邊界501上。第一 Vdd線212可以位于SRAM單元500的N阱502中。在一些實施例中，第一 Vss線208可以位于第一端口(端口 A)和第二端口(端口 B)之間，以避免這兩端口之間的串?dāng)_。在一些實施例中，金屬線按如圖5C所示的次序設(shè)置在第一金屬層Ml中。
[0074]如圖4A-圖4C以及圖5A-圖5C所示，在一些實施例中，在每個單位單元中，基本上存在沿第一方向492或592 (X間距)的三組鰭式有源區(qū)域、以及沿第二方向494或594 (Y間距)的四行柵極。因此，沿第二方向(Y間距)的單元高度可以基本等于四個柵極間距(gate-pitch)。
[0075]如圖5C所示，一個或多個柵極部件以及一個或多個接觸部件被形成為沿第一方向592延伸。一條或多條鰭式有源線和金屬層中的一條或多條金屬線被形成為沿第二方向594延伸，第二方向594基本垂直于第一方向592。
[0076]圖6A和圖6B是根據(jù)本發(fā)明一些實施例所構(gòu)造的DP SRAM單元的一部分的俯視圖。參照圖6A，DP SRAM單元的金屬布線結(jié)構(gòu)600包括多于一個金屬層，例如，第一金屬層Ml和第二金屬層M2，每層均具有用于字線布線的金屬線。如圖6A所不，第一金屬層Ml中的金屬線基本沿第一方向692對準(zhǔn)。第一金屬層Ml中的金屬線可以基本彼此平行。第一金屬層Ml中的金屬線可以包括第一字線602 (WL-A)和第二字線604 (WL-B)。一條或多條短金屬線612-634也可以形成在第一金屬層Ml中。一條或多條短金屬線612-634、第一字線602、第二字線604可以使用形成在第一金屬層Ml上方的一個或多個第一通孔660-670 (通孔1)電連接至第二金屬層M2。
[0077]如圖6A所示，在一些實施例中，第二金屬層M2可以形成在第一金屬層Ml上方。第二金屬層M2中的金屬線基本上沿第二方向694對準(zhǔn)，第二方向694基本垂直于第一方向692。第二金屬層M2中的金屬線可以基本彼此平行。在一些實施例中，第二金屬層M2中金屬線的布局可以具有如下次序:第一局部互連件642 (1st LI)、第一位線644(BL-A)、第一Vss 線 646、第一位線條 648 (BL-A 條)、第一 Vdd 線 650、第二位線 652 (BL-B)、第二 Vss 線654、第二位線條656 (BL-B條)、以及第二局部互連件658 (2nd LI)。一個或多個第二通孔680-690(通孔2)可以形成在第二金屬層M2上方，用于將第二金屬層M2電連接至形成在其上的金屬層。
[0078]參照圖6B，DP SRAM單元700包括沿與第一金屬層Ml中的金屬線相同方向所形成的一個或多個柵極部件。在一些實施例中，PG器件、器件、ro器件、和一個或多個接觸件的形成基本類似于如圖4A和圖4B所示的對應(yīng)器件和/或接觸件。
[0079]如圖6B所示，一個或多個柵極部件、一個或多個接觸部件、和第一金屬層Ml中的金屬線被形成為沿第一方向792延伸。一條或多條鰭式有源線和第二金屬層M2中的一條或多條金屬線被形成為沿第二方向794延伸，第二方向794基本垂直于第一方向792。
[0080]圖7A和圖7B是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例所構(gòu)造的DP SRAM單元的一部分的俯視圖。參照圖7A，DP SRAM單元的金屬布線結(jié)構(gòu)800包括一個以上的金屬層，每個金屬層均包括用于字線布線的多條金屬線。如圖7A所示，第一金屬層Ml中的金屬線基本上沿第一方向892對準(zhǔn)。第一金屬層Ml中的金屬線可以基本上彼此平行。第一金屬層Ml中的金屬線可以包括一條或多條短金屬線，該短金屬線使用形成在第一金屬層Ml上方的一個或多個第一通孔(通孔1)電連接至第二金屬層M2。第一金屬層Ml中的一條或多條短金屬線和一個或多個第一通孔661-669 (通孔1)基本上類似于如圖6A所述的短金屬線和第一通孔。
[0081]如圖7A所示，在一些實施例中，第二金屬層M2可以形成在第一金屬