評價。另外，信息的記錄再現(xiàn)中，使用具備輔助磁極頂端形成為延伸直到主磁極附近的屏蔽極(shielded pole)型的記錄元件、隧道磁阻效應(yīng)(TMR)、和再現(xiàn)元件的垂直記錄用的復(fù)合型磁頭。使用記錄元件的主磁極的磁道方向?qū)挾燃s300nm的磁頭，在半徑位置為26mm，轉(zhuǎn)速為5400rpm下進行了測定。再者，在此使用了屏蔽極型的記錄元件，但也可以使用輔助磁極從主磁極離開的以往類型的單磁極型記錄元件。另外，作為記錄磁極的材料使用了 CoFeNi，但也可以使用例如CoFe、CoFeN、NbFeN1、FeTaZr、和FeTaN等的材料。另外，也可以將這些磁性材料作為主成分并進一步加入添加元素。
[0094]對于使用了將Ar氣壓設(shè)為3Pa進行了成膜的多層磁記錄層[Pt/Co]8的垂直磁記錄介質(zhì)，以約200kFCI (Flux Change/inch)的線記錄密度進行了記錄。另外，作為比較例，沒有在氧化硅基底層形成孔圖案，除此以外進行了與實施例同樣的介質(zhì)的評價。
[0095]圖8是表示實施例1涉及的磁記錄介質(zhì)的再現(xiàn)波形的一例的圖。
[0096]在使用了沒有孔圖案的氧化硅基底層的比較的磁記錄介質(zhì)中，作為磁記錄層形成的[Pt/Co]人工晶格中沒有進行任何釘扎而僅形成不規(guī)則磁疇，因此在200kFCI完全無法記錄。與此相對，在使用了實施例1的具有孔圖案的氧化娃基底層的磁記錄介質(zhì)中，如圖6所示，可得到對應(yīng)于200kFCI的再現(xiàn)波形，可知通過基于S0G孔圖案的孔得到了釘扎效果。另外，改變記錄頻率進行了記錄再現(xiàn)測定，在lOOOkFCI下也能夠得到明顯的再現(xiàn)波形。
[0097]實施例2 (R〈L_A的情況)
[0098]將二嵌段共聚物和S0G的質(zhì)量比從1:10變?yōu)?:25，除此以外采用與實施例1相同的制作方法，制作了磁記錄層。通過改變二嵌段共聚物，氧化硅基底層的孔圖案的間距變?yōu)?9nm、粒徑變?yōu)?nm。
[0099]在上述氧化硅基底層基底層上與實施例1同樣地形成非磁性基底層、磁記錄層、和保護層，制作了垂直磁記錄介質(zhì)。與實施例1同樣地觀察了磁記錄層的上表面SEM像，得至IJ的磁記錄層形成包含多個孔的孔圖案，與圖4的模式圖同樣地能夠確認在各孔間形成有多個晶界的形態(tài)。對制作出的垂直磁記錄介質(zhì)的靜磁特性進行了評價，與在沒有圖案的S0G上制作出的介質(zhì)相比，能夠確認He增加的形態(tài)。
[0100]對制作出的垂直磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)特性與實施例1同樣地評價?？芍?00kFCI的記錄密度下，能夠得到與圖8同樣的再現(xiàn)波形，但改變記錄頻率，每500KFCI再現(xiàn)波形崩潰，在SOOkFCI產(chǎn)生不規(guī)則磁疇，從而無法記錄。
[0101]比較例2 (非磁性基底層厚、不形成貫穿孔的情況)
[0102]與實施例1同樣地，將二嵌段共聚物與S0G的質(zhì)量比設(shè)為1:10進行了氧化硅基底層的制作。Φ1」作的氧化娃基底層的孔圖案，間距為19nm、粒徑為15nm。
[0103]在上述氧化硅基底層基底層上依次層疊厚度10nm的NiTa層、厚度5nm的Pd層、和厚度20nm的Ru層，形成了多層結(jié)構(gòu)的非磁性基底層。
[0104]此外，層疊厚度5nm的Pt層，形成了合計40nm的非磁性基底層。
[0105]其后，將Ar氣壓提高到3Pa后，按如下的步驟進行了多層磁記錄層的制膜。
[0106]首先，制作厚度0.8nm的Pt層，進而層疊了厚度0.4nm的Co層。將Pt層和Co層的層疊反復(fù)進行了 8次后，在最后的Co層之上再層疊厚度2nm的Pd層形成了多層磁記錄層。
[0107]這樣得到的多層磁記錄層，在此表示為[Pt/Co]8。得到的垂直磁記錄介質(zhì)按基板 /NiTa (10nm) /Si (3nm) / 氧化娃基底層 /NiTa (10nm) /Pd (5nm) /Ru (20nm) /Pt (5nm) / [Pt/Co] 8多層磁記錄層的順序被層疊。
[0108]接著，在多層磁記錄層上層疊了厚度6nm的C保護層。
[0109]與實施例1同樣地對磁記錄層的上表面SEM像進行了觀察，能夠確認得到的磁記錄層形成了包含多個孔的孔圖案，但形成的孔圖案不明顯，是沒有在各處有孔圖案的不具有周期結(jié)構(gòu)的形態(tài)。進行了截面TEM觀察，在非磁性基底層形成的第1孔圖案為3nm左右，在一部分氧化硅凹圖案被非磁性基底層埋入，確認到圖案的消失。
[0110]與實施例1同樣地評價了制作出的垂直磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)特性?？芍?00kFCI的記錄密度，能夠得到與圖8同樣的再現(xiàn)波形，在改變了記錄頻率時，每700KFCI再現(xiàn)波形崩潰，在lOOOkFCI產(chǎn)生不規(guī)則的磁疇，無法進行記錄。
[0111] 對本發(fā)明的一些實施方式進行了說明，但這些實施方式是作為例子提出的，并不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新的實施方式能夠以其他各種方式實施，在不脫離發(fā)明主旨的范圍，可以進行各種省略、置換、變更。這些實施方式及其變形包括在發(fā)明的范圍和主旨中，并且包括在專利請求保護的范圍所記載的發(fā)明及其均等范圍中。
【主權(quán)項】
1.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具備: 基板； 氧化硅基底層，其形成于該基板上，并具有包含多個凹部的凹部圖案； 非磁性基底層，其形成于該氧化硅基底層上，并具有對應(yīng)于該凹部圖案的包含多個孔的第1孔圖案；和 磁記錄層，其形成于該非磁性基底層上，并具有包含與該第1孔圖案連通的多個孔的第2孔圖案。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，所述氧化硅基底層的所述多個凹部具有10nm以上的直徑，并且以30nm以下的間距有規(guī)則地排列。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述氧化硅基底層的所述多個凹部具有直徑以下的深度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，所述磁記錄層的晶界將所述第2孔圖案的孔間連結(jié)而生長。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，所述磁記錄層是將磁性層與非磁性層交替地層疊各兩層以上而成的多層磁記錄層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，所述磁記錄層以鈷為主成分。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，所述非磁性層以鈀和鉑之中的一方為主成分。8.一種磁記錄再現(xiàn)裝置，具備權(quán)利要求1?7的任一項所述的磁記錄介質(zhì)和磁頭。9.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，具備: 制作將氧化硅材料與自組織化材料混合而成的涂布溶液， 在基板上涂布該涂布溶液， 使該涂布溶液發(fā)生相分離，形成海島相，所述海島相具有包含氧化硅材料和有機成分的海狀的相、和包含有機成分的島狀的相， 進行加熱使有機成分分解，形成在與島狀的相相當(dāng)?shù)牟糠志哂邪鄠€凹部的凹部圖案的氧化硅基底層， 在氧化硅基底層上形成非磁性基底層， 在非磁性基底層上形成磁記錄層。
【專利摘要】本發(fā)明得到具有設(shè)置有間距分散良好的凸圖案的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)及其制造方法以及磁記錄再現(xiàn)裝置。實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)包含：在基板上依次形成的、具有包含多個凹部的凹部圖案的氧化硅基底層、具有與凹部圖案對應(yīng)的包含多個孔的第1孔圖案的非磁性基底層、和形成于非磁性基底層上并具有包含與該第1孔圖案連通的多個孔的第2孔圖案的磁記錄層。
【IPC分類】G11B5/851, G11B5/66, G11B5/733
【公開號】CN105374373
【申請?zhí)枴緾N201410818260
【發(fā)明人】渡部彰 , 及川壯一
【申請人】株式會社東芝
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2014年12月24日
【公告號】US20160064023