一種存儲器及其時序追蹤電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及時序追蹤技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲器及其時序追蹤電路。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。按用途存儲器可分為主存儲器(內(nèi)存)和輔助存儲器(外存)，也有分為外部存儲器和內(nèi)部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等，能長期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序，但僅用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，關(guān)閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會丟失。
[0003]時序追蹤，是指獲取與實際電路對應(yīng)的t旲擬電路的讀與時序的過程。其中，獲取豐旲擬所述存儲器中的存儲陣列讀寫時序的過程，為存儲器的時序追蹤過程。現(xiàn)有技術(shù)中，存儲器的時序追蹤，通常采用將追蹤單元的驅(qū)動和負載與待追蹤的存儲器的驅(qū)動和負載一致的方式，實現(xiàn)追蹤單元與存儲器之間工作時序的匹配。
[0004]但是，隨著工藝的進步，晶體管的尺寸不再連續(xù)可調(diào)，使得晶體管的驅(qū)動能力也不再連續(xù)可調(diào)，采用調(diào)節(jié)驅(qū)動能力的時序追蹤方法，難以精確地追蹤存儲器的時序，因此，存在著時序追蹤不準確的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例解決的是如何提聞時序追蹤的準確性。
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種時序追蹤電路，所述電路包括:
[0007]包括追蹤單元和負載調(diào)節(jié)單元，所述負載調(diào)節(jié)單元連接在所述追蹤單元的輸出端上，其中:
[0008]所述追蹤單元，適于對存儲陣列的讀寫時序進行追蹤；
[0009]所述負載調(diào)節(jié)單元，適于調(diào)節(jié)所述追蹤單元的負載，直至所述追蹤單元的負載與所述存儲陣列的負載相匹配。
[0010]可選地，所述追蹤單元與所述存儲陣列的結(jié)構(gòu)相同。
[0011]可選地，所述可調(diào)節(jié)單元由電容或者電阻組成。
[0012]本發(fā)明實施例還提供了一種存儲器，所述存儲器包括存儲陣列、控制電路和追蹤所述存儲陣列的讀寫時序的時序追蹤電路，所述控制電路分別與所述存儲陣列對應(yīng)的靈敏放大器和所述時序追蹤電路的輸出端連接，其中:
[0013]所述時序追蹤電路包括追蹤單元和負載調(diào)節(jié)單元，所述負載調(diào)節(jié)單元連接在所述追蹤單元的輸出端上；
[0014]所述追蹤單元，適于對存儲陣列的讀寫時序進行追蹤；
[0015]所述負載調(diào)節(jié)單元，適于調(diào)節(jié)所述追蹤單元的負載，直至所述追蹤單元的負載與所述存儲陣列的負載相匹配；
[0016]所述控制電路，適于根據(jù)所述時序追蹤電路輸出的模擬所述存儲陣列的讀寫時序信號，控制所述存儲陣列中的靈敏放大器的開啟或者關(guān)閉，以控制所述存儲陣列的讀寫時序。
[0017]可選地，所述追蹤單元與所述存儲陣列的結(jié)構(gòu)相同。
[0018]可選地，所述可調(diào)節(jié)單元由電容或者電阻組成。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下的優(yōu)點:
[0020]由于在追蹤單元的輸出端上增加負載調(diào)節(jié)單元，將時序追蹤電路的負載調(diào)節(jié)至于存儲器中的存儲陣列的負載相匹配，因此，可以提高時序追蹤的準確性。
【附圖說明】
[0021]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種時序追蹤電路的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0022]圖2是本發(fā)明實施例中的時序追蹤電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3是本發(fā)明實施例中的一種存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0024]現(xiàn)有技術(shù)中，存儲器的時序追蹤，通常采用將追蹤單元的驅(qū)動和負載與待追蹤的存儲器的驅(qū)動和負載一致的方式，實現(xiàn)追蹤單元與存儲器之間工作時序的匹配。由于設(shè)計偏差和工藝的波動的存在，使得時序追蹤電路的驅(qū)動能力無法與存儲陣列的驅(qū)動能力完全匹配。
[0025]為了解決上述問題，通常根據(jù)待追蹤的存儲陣列的驅(qū)動能力，時序追蹤電路設(shè)計不同尺寸的晶體管作為可選項，根據(jù)測試結(jié)果，確定最終使用的可選項。
[0026]如圖1所示，例如，在存儲陣列101所采用的金屬-氧化層半導(dǎo)體場效晶體管(簡稱金氧半場效晶體管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)的長寬比為0.5:0.128時，通常會在時序追蹤電路102中設(shè)計不同長寬比的MOSFET作為可選項，例如，時序追蹤電路102中可以包括長寬比分別為0.75:0.128,0.5:0.128,0.25:
0.128 的第一 M0SFET102a、第二 M0SFET102b 和第三 M0SFET102c 作為可選的 M0SFET，其中，時序追蹤電路的追蹤位線102TBL1與為存儲陣列的位線BL1對應(yīng)設(shè)置。在實際使用時，通過測試選取第一 M0SFET102a、第二 M0SFET102b或第三M0SFET102c，或者他們的組合，以與存儲陣列中M0SFET的驅(qū)動能力相匹配，進行準確地時序追蹤。
[0027]但是，隨著工藝的進步，MOSFET的尺寸不再是連續(xù)可調(diào)，而是分散在幾個離散的區(qū)域內(nèi)，使得M0SFET的驅(qū)動能力也被束縛在幾個離散的范圍內(nèi)，不再連續(xù)可調(diào)。
[0028]相應(yīng)地，追蹤電路的驅(qū)動能力也將不再連續(xù)可調(diào)，而是基于MOSFET的尺寸，被約束在幾個離散的區(qū)域內(nèi)。這樣追蹤電路將很難精確追蹤普通存儲單元的工作時序，通常采用放長追蹤電路的時序的方式以保證存儲器讀寫的正確性，但是這樣會降低存儲器的讀寫速度。
[0029]另外，MOSFET的驅(qū)動能力會同時受到多種因素的影響，例如，工作電壓，工作環(huán)境的溫度等。不同尺寸的M0SFET，在不同的電壓、溫度下，其驅(qū)動能力的變化幅度及變化比例也會不同。
[0030]換句話說，如果時序追蹤電路的驅(qū)動電路部分采用的MOSFET和普通存儲單元采用MOSFET尺寸不一致,或者尺寸一致,但是圖案畫法不一致，時序追蹤電路的驅(qū)動能力也難以與存儲單元的驅(qū)動能力在各種工作條件下均保持一致。因此，采用調(diào)節(jié)驅(qū)動能力的方法進行存儲器的時序追蹤，存在著追蹤準確性低的問題。
[0031]為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明實施例采用的技術(shù)方案由于采用在追蹤單元的輸出端增加負載調(diào)節(jié)單元，將時序追蹤電